Результат пошуку "2sk13" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 144
Мінімальне замовлення: 144
Мінімальне замовлення: 144
Мінімальне замовлення: 115
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 102
Мінімальне замовлення: 5342
Мінімальне замовлення: 4438
Мінімальне замовлення: 235
Мінімальне замовлення: 1249
Мінімальне замовлення: 500
Мінімальне замовлення: 2029
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SK1342 Код товару: 81804 |
Hitachi |
 Транзистори > Польові N-канальніUds,V: 900 V Idd,A: 8 А Монтаж: THT |
у наявності: 3 шт
|
|
||||||||||||
|
|
2SK1357 Код товару: 73500 |
Toshiba |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 900 V Idd,A: 4 А Rds(on), Ohm: 2,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 700/60 Монтаж: THT |
у наявності: 18 шт
|
|
||||||||||||
| 2SK1313-01L-E | Renesas Electronics Corporation |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| 2SK1313S-E | Renesas Electronics Corporation |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| 2SK1313STR-E | Renesas Electronics Corporation |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
2SK1315L-E | Renesas Electronics Corporation |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2SK1317-E | RENESAS |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 100W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 2.5A Power dissipation: 100W Case: TO3P Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 246 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2SK1317-E | RENESAS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 100W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 2.5A Power dissipation: 100W Case: TO3P Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 246 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2SK1317-E | RENESAS |
Description: RENESAS - 2SK1317-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2.5 A, 9 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2SK1317-E | Renesas Electronics Corporation |
Description: MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 2A, 15V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 10 V |
на замовлення 5588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2SK1318-90-E | Renesas Electronics Corporation |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| 2SK1332-3-TL-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SK1332-3-TL-E - 2SK1332 - N-CHANNEL J-FET tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| 2SK1332-3-TL-E | onsemi |
Description: NCH J-FET Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| 2SK1335-90L | Renesas Electronics Corporation |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 1970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
2SK1337TZ-E | Renesas Electronics Corporation |
Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 19190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2SK1382(Q) | Toshiba |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-3PL |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
2SK1399-T2B-A | Renesas Electronics Corporation |
Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 83090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| 2SK13 | TOSHIBA |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
| 2SK130 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| 2SK1300 |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| 2SK1301 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| 2SK1302 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| 2SK1303 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| 2SK1304 | HITACHI |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
| 2SK1305 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| 2SK1306 |
на замовлення 1080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| 2SK1306-E | RENESAS |
|
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| 2SK1307 | NEC | 09+ |
на замовлення 6018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| 2SK1308 |
на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| 2SK1308A |
на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| 2SK131 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| 2SK1310 | TOSHIBA |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
| 2SK1311 | SANYO |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
| 2SK1313LS |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| 2SK1314LS |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| 2SK1314S |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| 2SK1315LS |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| 2SK1316 |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| 2SK1316LS |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| 2SK1316S |
на замовлення 3080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| 2SK1317 | HD |
на замовлення 900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
| 2SK1317 | HITACHI | 09+ |
на замовлення 8018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| 2SK1317 | RENESAS | 3A/1500V MOSFET |
на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| 2SK1318 |
на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| 2SK1319S |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| 2SK132 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| 2SK1320S |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| 2SK1321S |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| 2SK1322S |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| 2SK1323S |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| 2SK1324S |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| 2SK1326 | HITACHI |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
| 2SK1327 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| 2SK1327LS |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| 2SK1328 |
на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| 2SK1329 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| 2SK133 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| 2SK1330 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| 2SK1330A |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| 2SK1331 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
| 2SK1357 Код товару: 73500 |
|
Виробник: Toshiba
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 900 V
Idd,A: 4 А
Rds(on), Ohm: 2,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 700/60
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 900 V
Idd,A: 4 А
Rds(on), Ohm: 2,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 700/60
Монтаж: THT
у наявності: 18 шт
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 68 грн |
| 10+ | 62 грн |
| 2SK1313-01L-E |
|
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 144+ | 137.2 грн |
| 2SK1313S-E |
|
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 144+ | 137.2 грн |
| 2SK1313STR-E |
|
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 144+ | 137.2 грн |
| 2SK1315L-E |
|
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 115+ | 171.33 грн |
| 2SK1317-E | |
|
Виробник: RENESAS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 100W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 100W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 100W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 100W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 373.78 грн |
| 3+ | 277.94 грн |
| 8+ | 262.88 грн |
| 90+ | 252.61 грн |
| 2SK1317-E | |
|
Виробник: RENESAS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 100W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 100W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 100W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 2.5A
Power dissipation: 100W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 246 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 448.53 грн |
| 3+ | 346.35 грн |
| 8+ | 315.45 грн |
| 90+ | 303.13 грн |
| 2SK1317-E | |
|
Виробник: RENESAS
Description: RENESAS - 2SK1317-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2.5 A, 9 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: RENESAS - 2SK1317-E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2.5 A, 9 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 505.01 грн |
| 10+ | 313.32 грн |
| 100+ | 290.47 грн |
| 500+ | 232.07 грн |
| 2SK1317-E | |
|
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 10 V
на замовлення 5588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 432.94 грн |
| 30+ | 332.75 грн |
| 120+ | 297.74 грн |
| 510+ | 246.54 грн |
| 1020+ | 221.89 грн |
| 2010+ | 207.92 грн |
| 2SK1318-90-E |
|
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 102+ | 206.13 грн |
| 2SK1332-3-TL-E |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SK1332-3-TL-E - 2SK1332 - N-CHANNEL J-FET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SK1332-3-TL-E - 2SK1332 - N-CHANNEL J-FET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5342+ | 4.64 грн |
| 2SK1332-3-TL-E |
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4438+ | 4.6 грн |
| 2SK1335-90L |
|
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 235+ | 84.03 грн |
| 2SK1337TZ-E |
|
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 19190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1249+ | 15.76 грн |
| 2SK1382(Q) |
|
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 100V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-3PL
Trans MOSFET N-CH Si 100V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-3PL
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 1260.39 грн |
| 2SK1399-T2B-A |
|
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 83090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2029+ | 9.85 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]