Результат пошуку "30n60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
HGTG30N60A4 HGTG30N60A4
Код товару: 42509 		FAIR/ON HGTG30N60A4.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 75 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 463 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/150
у наявності: 9 шт
1+540 грн
HGTG30N60A4D HGTG30N60A4D
Код товару: 31842 		ON HGTG30N60A4D.pdf description Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 75 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 463 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 24/180
у наявності: 1 шт
1+320 грн
30N60A
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
30N60C3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AIKW30N60CTXKSA1 AIKW30N60CTXKSA1 Infineon Technologies Infineon_AIKW30N60CT_DS_v02_01_EN-1730980.pdf IGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+464.07 грн
10+ 396.25 грн
25+ 325.1 грн
100+ 280.32 грн
240+ 209.59 грн
1200+ 199.21 грн
APT30N60BC6 APT30N60BC6 MICROCHIP (MICROSEMI) 77169-apt30n60bc6-apt30n60sc6-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 89A
Power dissipation: 219W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+519.01 грн
3+ 468.42 грн
10+ 463.01 грн
APT30N60BC6 APT30N60BC6 MICROCHIP (MICROSEMI) 77169-apt30n60bc6-apt30n60sc6-datasheet Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 89A
Power dissipation: 219W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+622.81 грн
3+ 583.72 грн
10+ 555.62 грн
APT30N60BC6 Microchip Technology APT30N60B_SC6_A-1593879.pdf MOSFET MOSFET COOLMOS 600 V 30 A TO-247
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+396.69 грн
100+ 338.04 грн
BIDNW30N60H3 BIDNW30N60H3 Bourns Bourns_7_25_2022_BIDNW30N60H3_datasheet-3005228.pdf IGBT Transistors IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+264.21 грн
10+ 218.64 грн
25+ 188.83 грн
100+ 153.79 грн
250+ 136.92 грн
600+ 129.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
BIDW30N60T BIDW30N60T Bourns Bourns_7_25_2022_BIDW30N60T_datasheet-3005225.pdf IGBT Transistors IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247
на замовлення 3905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+292.22 грн
10+ 242.52 грн
25+ 203.75 грн
100+ 170.01 грн
250+ 151.19 грн
600+ 129.78 грн
1200+ 124.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
DAMI330N60 DAMI330N60 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 300A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Case: SOT227B
On-state resistance: 1.5mΩ
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1942.83 грн
2+ 1706.05 грн
DAMI330N60 DAMI330N60 DACO Semiconductor Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 300A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Case: SOT227B
On-state resistance: 1.5mΩ
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2331.4 грн
2+ 2126 грн
FCP130N60 FCP130N60 onsemi / Fairchild FCP130N60_D-2312110.pdf MOSFET N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+377.01 грн
10+ 327.59 грн
50+ 241.39 грн
100+ 203.75 грн
250+ 186.88 грн
500+ 175.85 грн
800+ 162.22 грн
FCP130N60 FCP130N60 ON Semiconductor 3650094738295768fcp130n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+177.9 грн
Мінімальне замовлення: 50
HGTG30N60A4D Fairchaild hgtg30n60a4d-d.pdf description IGBT транзистор - [TO-247-3]; 600 V; 75 A Low Conduction Loss
на замовлення 8 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+558.57 грн
10+ 457.47 грн
HGTG30N60B3D ON-Semicoductor hgtg30n60b3d-d.pdf 60A; 600V; 208W; IGBT w/ Diode   HGTG30N60B3D THGTG30n60b3d
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+269.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
IGB30N60H3 IGB30N60H3 Infineon Technologies Infineon_IGB30N60H3_DS_v02_03_en-3360235.pdf IGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.92 грн
10+ 170.89 грн
100+ 118.1 грн
250+ 112.91 грн
500+ 99.28 грн
1000+ 84.36 грн
2000+ 80.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGB30N60T IGB30N60T Infineon Technologies Infineon_IGB30N60T_DataSheet_v02_05_EN-3361639.pdf IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
на замовлення 1009 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+196.07 грн
10+ 161.93 грн
25+ 133.02 грн
100+ 114.21 грн
250+ 107.72 грн
500+ 101.23 грн
1000+ 86.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGP30N60H3 IGP30N60H3 Infineon Technologies Infineon_IGP30N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362059.pdf IGBT Transistors 600V 30A 187W
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+209.7 грн
10+ 166.41 грн
100+ 118.75 грн
250+ 117.45 грн
500+ 99.28 грн
1000+ 81.11 грн
5000+ 78.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGP30N60H3 Infineon INFNS30178-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 60A; 600V; 187W; IGBT IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3 TIGP30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+121.1 грн
Мінімальне замовлення: 5
IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP30N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+230.02 грн
3+ 179.12 грн
7+ 123.7 грн
18+ 116.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP30N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 353 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+276.03 грн
3+ 223.21 грн
7+ 148.43 грн
18+ 140.32 грн
IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3XKSA1 Infineon Technologies infineon-igp30n60h3-datasheet-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.3 грн
Мінімальне замовлення: 4
IGW30N60H3 IGW30N60H3 Infineon Technologies Infineon_IGW30N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362220.pdf IGBT Transistors 600V HI SPEED SW IGBT
на замовлення 1253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.92 грн
10+ 185.06 грн
25+ 136.92 грн
100+ 118.1 грн
240+ 116.15 грн
480+ 90.85 грн
1200+ 86.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW30N60H3FKSA1 IGW30N60H3FKSA1 Infineon Technologies infineon-igw30n60h3-datasheet-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
IGW30N60T IGW30N60T Infineon Technologies Infineon_IGW30N60T_DataSheet_v02_08_EN-3361611.pdf IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+199.1 грн
10+ 179.09 грн
25+ 138.21 грн
100+ 121.99 грн
240+ 117.45 грн
480+ 92.14 грн
1200+ 86.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW30N60TFKSA1 IGW30N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW30N60TFKSA1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+280.25 грн
3+ 234.55 грн
5+ 179.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW30N60TFKSA1 IGW30N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW30N60TFKSA1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+336.3 грн
3+ 292.28 грн
5+ 215.76 грн
12+ 204.4 грн
IGW30N60TFKSA1 IGW30N60TFKSA1 Infineon Technologies infineon-igw30n60t-datasheet-v02_08-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
IGW30N60TFKSA1 Infineon INFN-S-A0001299666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 45A; 600V; 187W; IGBT IGW30N60TFKSA1 IGW30N60T TIGW30n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+134.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
IGW30N60TPXKSA1 IGW30N60TPXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IGW30N60TP_DataSheet_v02_01_EN-3362241.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+176.39 грн
10+ 123.87 грн
100+ 99.93 грн
240+ 99.28 грн
480+ 72.03 грн
1200+ 68.13 грн
2640+ 66.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW30N60TPXKSA1 IGW30N60TPXKSA1 Infineon Technologies infineon-igw30n60t-datasheet-v02_08-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
IKW30N60DTPXKSA1 IKW30N60DTPXKSA1 Infineon Technologies 12671infineon-ikw30n60dtp-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46253a864fe0153cb.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW30N60DTPXKSA1 IKW30N60DTPXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW30N60DTP_DataSheet_v02_01_EN-3361844.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 389 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)
2+170.33 грн
25+ 147.75 грн
100+ 109.66 грн
240+ 109.01 грн
480+ 83.06 грн
1200+ 78.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60H3 IKW30N60H3 Infineon Technologies Infineon_IKW30N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362119.pdf IGBT Transistors 600V 30A 187W
на замовлення 1567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+232.41 грн
10+ 192.53 грн
25+ 158.33 грн
100+ 134.97 грн
240+ 127.18 грн
480+ 119.4 грн
1200+ 102.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60H3 Infineon 60A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+117.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW30N60H3 Infineon 60A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+117.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+259.87 грн
5+ 166.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+311.84 грн
5+ 208.05 грн
13+ 189.8 грн
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW30N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362119.pdf IGBT Transistors 600V 30A 187W
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+232.41 грн
10+ 207.45 грн
25+ 149.25 грн
100+ 130.43 грн
240+ 129.78 грн
480+ 115.5 грн
1200+ 97.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw30n60h3-datasheet-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N60T IKW30N60T Infineon Technologies Infineon_IKW30N60T_DataSheet_v02_06_EN-3362343.pdf IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 30A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+309.63 грн
10+ 256.7 грн
25+ 210.89 грн
100+ 180.39 грн
240+ 169.36 грн
480+ 159.63 грн
1200+ 136.92 грн
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW30N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 39A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60TFKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW30N60T_DataSheet_v02_06_EN-3362343.pdf IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 30A
на замовлення 1384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+309.63 грн
10+ 278.34 грн
25+ 207 грн
100+ 178.45 грн
240+ 174.55 грн
480+ 136.92 грн
1200+ 129.13 грн
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60TFKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw30n60t-datasheet-v02_06-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N60TFKSA1 Infineon IKW30N60T+Rev2_3G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42889a63e1d 45A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode   IKW30N60T TIKW30n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+230.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
IXFH30N60P IXFH30N60P IXYS media-3323679.pdf MOSFET 600V 30A
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 618-627 дні (днів)
1+739.63 грн
10+ 728.32 грн
30+ 505.49 грн
IXFR30N60P IXFR30N60P IXYS IXFR30N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Power dissipation: 166W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+816 грн
2+ 549.53 грн
3+ 548.86 грн
4+ 519.11 грн
IXFR30N60P IXFR30N60P IXYS IXFR30N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Power dissipation: 166W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+979.21 грн
2+ 684.8 грн
3+ 658.63 грн
4+ 622.94 грн
IXGH30N60C3 IXYS/Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_30n60c3_datasheet.pdf.pdf Транзистор IGBT без зворотного діоду; Uceb, В = 600; Ic, А = 60; Pmax, Вт = 220; Uce(on), В = 3; Uge(th), В = 15; Тексп, °С = -40...+125; Тип монт = вивідний; td(on), нс = 26; td(off), нс = 42; TO-247AD
на замовлення 27 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
6+113.05 грн
10+ 105.52 грн
100+ 97.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
IXGH30N60C3D1 IXGH30N60C3D1 IXYS media-3322335.pdf IGBT Modules High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diod
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+439.84 грн
10+ 404.46 грн
30+ 351.05 грн
IXTH30N60L2 IXTH30N60L2 IXYS IXT_30N60L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 335nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTH30N60L2 IXTH30N60L2 IXYS media-3323906.pdf MOSFET 30 Amps 600V
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1367.22 грн
10+ 1239.48 грн
30+ 949.33 грн
60+ 948.68 грн
120+ 892.88 грн
270+ 869.52 грн
IXTH30N60P IXTH30N60P IXYS IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+610 грн
2+ 409.61 грн
3+ 408.94 грн
6+ 386.63 грн
IXTH30N60P IXTH30N60P IXYS IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 284 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+732 грн
2+ 510.44 грн
3+ 490.73 грн
6+ 463.96 грн
IXTH30N60P IXTH30N60P IXYS media-3323016.pdf MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+733.57 грн
10+ 666.38 грн
30+ 495.11 грн
120+ 449.03 грн
270+ 434.11 грн
510+ 396.47 грн
1020+ 365.33 грн
IXTQ30N60L2 IXTQ30N60L2 IXYS media-3323906.pdf MOSFET 30 Amps 600V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1311.95 грн
10+ 1139.49 грн
30+ 898.07 грн
60+ 866.27 грн
120+ 818.25 грн
IXTQ30N60P IXTQ30N60P IXYS IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 540W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+580.88 грн
3+ 387.98 грн
6+ 367.03 грн
IXTQ30N60P IXTQ30N60P IXYS IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 540W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+697.06 грн
3+ 483.49 грн
6+ 440.44 грн
IXTQ30N60P IXTQ30N60P IXYS media-3323016.pdf MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+695.72 грн
10+ 588.03 грн
30+ 463.31 грн
120+ 425.67 грн
270+ 375.06 грн
510+ 365.33 грн
1020+ 347.16 грн
HGTG30N60A4
Код товару: 42509		 HGTG30N60A4.pdf
HGTG30N60A4
Виробник: FAIR/ON
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 75 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 463 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 25/150
у наявності: 9 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+540 грн
HGTG30N60A4D
Код товару: 31842		 description HGTG30N60A4D.pdf
HGTG30N60A4D
Виробник: ON
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,8 V
Ic 25: 75 A
Ic 100: 60 A
Pd 25: 463 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 24/180
у наявності: 1 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+320 грн
30N60A
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
30N60C3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AIKW30N60CTXKSA1 Infineon_AIKW30N60CT_DS_v02_01_EN-1730980.pdf
AIKW30N60CTXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+464.07 грн
10+ 396.25 грн
25+ 325.1 грн
100+ 280.32 грн
240+ 209.59 грн
1200+ 199.21 грн
APT30N60BC6 77169-apt30n60bc6-apt30n60sc6-datasheet
APT30N60BC6
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 89A
Power dissipation: 219W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+519.01 грн
3+ 468.42 грн
10+ 463.01 грн
APT30N60BC6 77169-apt30n60bc6-apt30n60sc6-datasheet
APT30N60BC6
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Pulsed drain current: 89A
Power dissipation: 219W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+622.81 грн
3+ 583.72 грн
10+ 555.62 грн
APT30N60BC6 APT30N60B_SC6_A-1593879.pdf
Виробник: Microchip Technology
MOSFET MOSFET COOLMOS 600 V 30 A TO-247
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+396.69 грн
100+ 338.04 грн
BIDNW30N60H3 Bourns_7_25_2022_BIDNW30N60H3_datasheet-3005228.pdf
BIDNW30N60H3
Виробник: Bourns
IGBT Transistors IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247N
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+264.21 грн
10+ 218.64 грн
25+ 188.83 грн
100+ 153.79 грн
250+ 136.92 грн
600+ 129.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
BIDW30N60T Bourns_7_25_2022_BIDW30N60T_datasheet-3005225.pdf
BIDW30N60T
Виробник: Bourns
IGBT Transistors IGBT Discrete 600V, 30A in TO-247
на замовлення 3905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+292.22 грн
10+ 242.52 грн
25+ 203.75 грн
100+ 170.01 грн
250+ 151.19 грн
600+ 129.78 грн
1200+ 124.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
DAMI330N60
DAMI330N60
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 300A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Case: SOT227B
On-state resistance: 1.5mΩ
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1942.83 грн
2+ 1706.05 грн
DAMI330N60
DAMI330N60
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 60V; 300A; SOT227B; screw; screw
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 300A
Case: SOT227B
On-state resistance: 1.5mΩ
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2331.4 грн
2+ 2126 грн
FCP130N60 FCP130N60_D-2312110.pdf
FCP130N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+377.01 грн
10+ 327.59 грн
50+ 241.39 грн
100+ 203.75 грн
250+ 186.88 грн
500+ 175.85 грн
800+ 162.22 грн
FCP130N60 3650094738295768fcp130n60.pdf
FCP130N60
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+177.9 грн
Мінімальне замовлення: 50
HGTG30N60A4D description hgtg30n60a4d-d.pdf
Виробник: Fairchaild
IGBT транзистор - [TO-247-3]; 600 V; 75 A Low Conduction Loss
на замовлення 8 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+558.57 грн
10+ 457.47 грн
HGTG30N60B3D hgtg30n60b3d-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
60A; 600V; 208W; IGBT w/ Diode   HGTG30N60B3D THGTG30n60b3d
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+269.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
IGB30N60H3 Infineon_IGB30N60H3_DS_v02_03_en-3360235.pdf
IGB30N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+205.92 грн
10+ 170.89 грн
100+ 118.1 грн
250+ 112.91 грн
500+ 99.28 грн
1000+ 84.36 грн
2000+ 80.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGB30N60T Infineon_IGB30N60T_DataSheet_v02_05_EN-3361639.pdf
IGB30N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
на замовлення 1009 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+196.07 грн
10+ 161.93 грн
25+ 133.02 грн
100+ 114.21 грн
250+ 107.72 грн
500+ 101.23 грн
1000+ 86.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGP30N60H3 Infineon_IGP30N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362059.pdf
IGP30N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors 600V 30A 187W
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+209.7 грн
10+ 166.41 грн
100+ 118.75 грн
250+ 117.45 грн
500+ 99.28 грн
1000+ 81.11 грн
5000+ 78.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGP30N60H3 INFNS30178-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
60A; 600V; 187W; IGBT IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3 TIGP30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+121.1 грн
Мінімальне замовлення: 5
IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3-DTE.pdf
IGP30N60H3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+230.02 грн
3+ 179.12 грн
7+ 123.7 грн
18+ 116.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3-DTE.pdf
IGP30N60H3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 353 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+276.03 грн
3+ 223.21 грн
7+ 148.43 грн
18+ 140.32 грн
IGP30N60H3XKSA1 infineon-igp30n60h3-datasheet-v02_02-en.pdf
IGP30N60H3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+86.3 грн
Мінімальне замовлення: 4
IGW30N60H3 Infineon_IGW30N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362220.pdf
IGW30N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors 600V HI SPEED SW IGBT
на замовлення 1253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+205.92 грн
10+ 185.06 грн
25+ 136.92 грн
100+ 118.1 грн
240+ 116.15 грн
480+ 90.85 грн
1200+ 86.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW30N60H3FKSA1 infineon-igw30n60h3-datasheet-v02_02-en.pdf
IGW30N60H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+94.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
IGW30N60T Infineon_IGW30N60T_DataSheet_v02_08_EN-3361611.pdf
IGW30N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+199.1 грн
10+ 179.09 грн
25+ 138.21 грн
100+ 121.99 грн
240+ 117.45 грн
480+ 92.14 грн
1200+ 86.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW30N60TFKSA1 IGW30N60TFKSA1-DTE.pdf
IGW30N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+280.25 грн
3+ 234.55 грн
5+ 179.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW30N60TFKSA1 IGW30N60TFKSA1-DTE.pdf
IGW30N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+336.3 грн
3+ 292.28 грн
5+ 215.76 грн
12+ 204.4 грн
IGW30N60TFKSA1 infineon-igw30n60t-datasheet-v02_08-en.pdf
IGW30N60TFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+96.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
IGW30N60TFKSA1 INFN-S-A0001299666-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
45A; 600V; 187W; IGBT IGW30N60TFKSA1 IGW30N60T TIGW30n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+134.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
IGW30N60TPXKSA1 Infineon_IGW30N60TP_DataSheet_v02_01_EN-3362241.pdf
IGW30N60TPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+176.39 грн
10+ 123.87 грн
100+ 99.93 грн
240+ 99.28 грн
480+ 72.03 грн
1200+ 68.13 грн
2640+ 66.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW30N60TPXKSA1 infineon-igw30n60t-datasheet-v02_08-en.pdf
IGW30N60TPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+57.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
IKW30N60DTPXKSA1 12671infineon-ikw30n60dtp-ds-v02_01-en.pdffileid5546d46253a864fe0153cb.pdf
IKW30N60DTPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 53A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+68.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW30N60DTPXKSA1 Infineon_IKW30N60DTP_DataSheet_v02_01_EN-3361844.pdf
IKW30N60DTPXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 389 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+170.33 грн
25+ 147.75 грн
100+ 109.66 грн
240+ 109.01 грн
480+ 83.06 грн
1200+ 78.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60H3 Infineon_IKW30N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362119.pdf
IKW30N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors 600V 30A 187W
на замовлення 1567 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+232.41 грн
10+ 192.53 грн
25+ 158.33 грн
100+ 134.97 грн
240+ 127.18 грн
480+ 119.4 грн
1200+ 102.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60H3
Виробник: Infineon
60A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+117.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW30N60H3
Виробник: Infineon
60A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode   IKW30N60H3 TIKW30n60h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+117.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3.pdf
IKW30N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+259.87 грн
5+ 166.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3.pdf
IKW30N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 94W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+311.84 грн
5+ 208.05 грн
13+ 189.8 грн
IKW30N60H3FKSA1 Infineon_IKW30N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362119.pdf
IKW30N60H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors 600V 30A 187W
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+232.41 грн
10+ 207.45 грн
25+ 149.25 грн
100+ 130.43 грн
240+ 129.78 грн
480+ 115.5 грн
1200+ 97.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60H3FKSA1 infineon-ikw30n60h3-datasheet-v02_02-en.pdf
IKW30N60H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+106.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N60T Infineon_IKW30N60T_DataSheet_v02_06_EN-3362343.pdf
IKW30N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 30A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+309.63 грн
10+ 256.7 грн
25+ 210.89 грн
100+ 180.39 грн
240+ 169.36 грн
480+ 159.63 грн
1200+ 136.92 грн
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60T.pdf
IKW30N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 39A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 39A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW30N60TFKSA1 Infineon_IKW30N60T_DataSheet_v02_06_EN-3362343.pdf
IKW30N60TFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 30A
на замовлення 1384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+309.63 грн
10+ 278.34 грн
25+ 207 грн
100+ 178.45 грн
240+ 174.55 грн
480+ 136.92 грн
1200+ 129.13 грн
IKW30N60TFKSA1 infineon-ikw30n60t-datasheet-v02_06-en.pdf
IKW30N60TFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+141.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60T+Rev2_3G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42889a63e1d
Виробник: Infineon
45A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode   IKW30N60T TIKW30n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+230.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
IXFH30N60P media-3323679.pdf
IXFH30N60P
Виробник: IXYS
MOSFET 600V 30A
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 618-627 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+739.63 грн
10+ 728.32 грн
30+ 505.49 грн
IXFR30N60P IXFR30N60P.pdf
IXFR30N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Power dissipation: 166W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+816 грн
2+ 549.53 грн
3+ 548.86 грн
4+ 519.11 грн
IXFR30N60P IXFR30N60P.pdf
IXFR30N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Power dissipation: 166W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+979.21 грн
2+ 684.8 грн
3+ 658.63 грн
4+ 622.94 грн
IXGH30N60C3 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_30n60c3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS/Littelfuse
Транзистор IGBT без зворотного діоду; Uceb, В = 600; Ic, А = 60; Pmax, Вт = 220; Uce(on), В = 3; Uge(th), В = 15; Тексп, °С = -40...+125; Тип монт = вивідний; td(on), нс = 26; td(off), нс = 42; TO-247AD
на замовлення 27 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+113.05 грн
10+ 105.52 грн
100+ 97.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
IXGH30N60C3D1 media-3322335.pdf
IXGH30N60C3D1
Виробник: IXYS
IGBT Modules High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diod
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+439.84 грн
10+ 404.46 грн
30+ 351.05 грн
IXTH30N60L2 IXT_30N60L2.pdf
IXTH30N60L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 710ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 335nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 710ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTH30N60L2 media-3323906.pdf
IXTH30N60L2
Виробник: IXYS
MOSFET 30 Amps 600V
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1367.22 грн
10+ 1239.48 грн
30+ 949.33 грн
60+ 948.68 грн
120+ 892.88 грн
270+ 869.52 грн
IXTH30N60P IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf
IXTH30N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+610 грн
2+ 409.61 грн
3+ 408.94 грн
6+ 386.63 грн
IXTH30N60P IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf
IXTH30N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 284 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+732 грн
2+ 510.44 грн
3+ 490.73 грн
6+ 463.96 грн
IXTH30N60P media-3323016.pdf
IXTH30N60P
Виробник: IXYS
MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+733.57 грн
10+ 666.38 грн
30+ 495.11 грн
120+ 449.03 грн
270+ 434.11 грн
510+ 396.47 грн
1020+ 365.33 грн
IXTQ30N60L2 media-3323906.pdf
IXTQ30N60L2
Виробник: IXYS
MOSFET 30 Amps 600V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1311.95 грн
10+ 1139.49 грн
30+ 898.07 грн
60+ 866.27 грн
120+ 818.25 грн
IXTQ30N60P IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf
IXTQ30N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 540W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+580.88 грн
3+ 387.98 грн
6+ 367.03 грн
IXTQ30N60P IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf
IXTQ30N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 540W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+697.06 грн
3+ 483.49 грн
6+ 440.44 грн
IXTQ30N60P media-3323016.pdf
IXTQ30N60P
Виробник: IXYS
MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+695.72 грн
10+ 588.03 грн
30+ 463.31 грн
120+ 425.67 грн
270+ 375.06 грн
510+ 365.33 грн
1020+ 347.16 грн
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]