Результат пошуку "3n06" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 5000
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2000
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 60
Мінімальне замовлення: 8
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
3N0616 | INF | 09+ |
на замовлення 616 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
3N06V | MOT | SMD-8 |
на замовлення 273 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
2EDL23N06PJ | Infineon Technologies | Gate Drivers 600V half-brdg,2.8A BSD, OCP, EN & FAULT |
на замовлення 2689 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2EDL23N06PJXUMA1 | Infineon Technologies | Gate Drivers 600V half-brdg,2.8A BSD, OCP, EN & FAULT |
на замовлення 13702 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
381LL183M063N062 | Cornell Dubilier - CDE | Aluminium Electrolytic Capacitors - Snap In 18000uF 63V 20% 8K hours |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
B65813N0630A048 | EPCOS / TDK | Ferrite Cores & Accessories RM 10 N48 630 '+3%-3% |
на замовлення 886 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CMS23N06H8-HF | Comchip Technology | MOSFET MOSFET N-CH 60VDS 20VGS 125A |
на замовлення 4992 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
EVAL2EDL23N06PJTOBO1 | Infineon Technologies | Power Management IC Development Tools Evaluation Board for 2EDL23N06PJ - Optimized 600V half bridge gate driver IC with LS-SOI technology to control MOS-transistors like the IPL60R199CP CoolMOS CP . |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FQD13N06LTM | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 7A Power dissipation: 28W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.145Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2397 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FQD13N06LTM | ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 7A Power dissipation: 28W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.145Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2397 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FQD13N06LTM | onsemi / Fairchild | MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level |
на замовлення 36270 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FQP13N06L | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 13.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQU13N06LTU | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
IPA093N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 43A TO220FP-3 OptiMOS 3 |
на замовлення 2959 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPB013N06NF2SATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH 40<-<100V |
на замовлення 798 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPD053N06N | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 45A DPAK-2 |
на замовлення 3338 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPD053N06NATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 45A DPAK-2 |
на замовлення 17943 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPD053N06NATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
M85049/1823N06 | Glenair | Circular MIL Spec Backshells Straight Backshell |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
M85049/1823N06 | Amphenol Pcd | Circular MIL Spec Backshells 18 Backshell Env-EMI/RFI |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
M85049/1923N06 | Sunbank / Souriau | Circular MIL Spec Backshells Backshell |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
M85049/1923N06 | Amphenol Pcd | Circular MIL Spec Backshells BACKSHELL NON ENV EMI/RFI ST NIC SZ 23 |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
M85049/2123N06 | Glenair | Circular MIL Spec Backshells STRAIN RELIEF BKSHLL SIZE 23 CLAMP SIZE 6 |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MCAC53N06Y-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET N-Ch 60Vds 20Vgs 470pF 0.85Vsd 65Vdss |
на замовлення 3864 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MCG53N06A-TP | Micro Commercial Components | N-CHANNEL MOSFET |
на замовлення 270000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NP23N06YDG-E1-AY | Renesas Electronics | MOSFET HIGH POWER SINGLE N-CH MOSFET |
на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTMFSS1D3N06CL | onsemi | MOSFET 60V T6 MAX DIE IN 5X6 SOURCE DOWN PACKAGE |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 119-128 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTMYS3D3N06CLTWG | onsemi | MOSFET 60V 3.0mOhms 133A Single N-Channel |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 119-128 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NVMYS9D3N06CLTWG | onsemi | MOSFET T6 60V LL LFPAK |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 119-128 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RHK003N06FRAT146 | ROHM Semiconductor | MOSFET 4V Drive Nch MOSFET (AEC-Q101 Qualified). MOSFETs are made as ultra-low ON-resistance by the micro-processing technologies suitable for mobilr equipment for low current consumption. In wide lineup including compact type, high-power type and comple |
на замовлення 5738 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RHK003N06T146 | ROHM Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 300MA |
на замовлення 628 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SQD23N06-31L_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 60V 23A 100W AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 20304 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SUD23N06-31-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 60V (D-S) |
на замовлення 957 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SUD23N06-31-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17.1A; 31.25W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 17.1A Power dissipation: 31.25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1969 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SUD23N06-31-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17.1A; 31.25W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 17.1A Power dissipation: 31.25W Case: DPAK; TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1969 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SUD23N06-31-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-Ch MOSFET 60V 31 mohm @ 10V |
на замовлення 22919 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SUD23N06-31-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 21.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SUD23N06-31-T4-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-Channel 60-V (D-S) |
на замовлення 2355 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SUD23N06-31L-T4-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 60-V (D-S) 175C Logic Level |
на замовлення 12018 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SUD23N06-31L-T4BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 60V N-CHANNEL |
на замовлення 3339 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
UJ3N065025K3S | Qorvo | JFET 650V/25mO,SIC,JFET,G3,TO247-3 |
на замовлення 440 шт: термін постачання 329-338 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
UJ3N065080K3S | Qorvo | JFET 650V/80mO,SIC,JFET,G3,TO247-3 |
на замовлення 1226 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
YJL03N06A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 2.4A; 1.2W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 2.4A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 5.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
Транзистор польовий FQD13N06 10A 60V N-ch DPAK |
на замовлення 10 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2EDL23N06PJ | Infineon technologies |
на замовлення 4790 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
D3N06 | MOC |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
D3N06 | MOT | 05+ SOP |
на замовлення 203 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
D3N06 | MOT | 09+ SOP8 |
на замовлення 1014 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
DT93N06KOF | EUPEC | 05+ |
на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FDD13N06A0 | fairchild | 07+ to-252/d-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FDD13N06A0 | fairchild | to-252/d-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQB13N06 | FAIRCHILD | SOT-263 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQB13N06 | fairchild | to-263/d2-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQB13N06 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQB13N06L | FAIRCHILD | SOT-263 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQB13N06L | fairchild | to-263/d2-pak |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQB13N06L | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQD13N06 | FAIRCHILD | TO-252 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQD13N06 | fairchild | to-252/d-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQD13N06 | FAIRCHILD | 07+ SOT-252 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
2EDL23N06PJ |
Виробник: Infineon Technologies
Gate Drivers 600V half-brdg,2.8A BSD, OCP, EN & FAULT
Gate Drivers 600V half-brdg,2.8A BSD, OCP, EN & FAULT
на замовлення 2689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 174.81 грн |
10+ | 154.93 грн |
100+ | 108.44 грн |
250+ | 101.21 грн |
500+ | 88.72 грн |
1000+ | 76.89 грн |
2500+ | 65.52 грн |
2EDL23N06PJXUMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Gate Drivers 600V half-brdg,2.8A BSD, OCP, EN & FAULT
Gate Drivers 600V half-brdg,2.8A BSD, OCP, EN & FAULT
на замовлення 13702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 141.08 грн |
10+ | 120.17 грн |
100+ | 95.29 грн |
250+ | 88.72 грн |
500+ | 79.52 грн |
1000+ | 69.66 грн |
2500+ | 65.52 грн |
381LL183M063N062 |
Виробник: Cornell Dubilier - CDE
Aluminium Electrolytic Capacitors - Snap In 18000uF 63V 20% 8K hours
Aluminium Electrolytic Capacitors - Snap In 18000uF 63V 20% 8K hours
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1367.83 грн |
10+ | 1241.73 грн |
20+ | 1045.59 грн |
50+ | 956.21 грн |
100+ | 822.8 грн |
200+ | 818.2 грн |
B65813N0630A048 |
Виробник: EPCOS / TDK
Ferrite Cores & Accessories RM 10 N48 630 '+3%-3%
Ferrite Cores & Accessories RM 10 N48 630 '+3%-3%
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 422.46 грн |
10+ | 354.46 грн |
25+ | 234.62 грн |
50+ | 228.05 грн |
100+ | 201.1 грн |
200+ | 189.93 грн |
CMS23N06H8-HF |
Виробник: Comchip Technology
MOSFET MOSFET N-CH 60VDS 20VGS 125A
MOSFET MOSFET N-CH 60VDS 20VGS 125A
на замовлення 4992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 148.74 грн |
10+ | 122.43 грн |
100+ | 84.12 грн |
250+ | 78.21 грн |
500+ | 70.98 грн |
1000+ | 62.96 грн |
5000+ | 55.6 грн |
EVAL2EDL23N06PJTOBO1 |
Виробник: Infineon Technologies
Power Management IC Development Tools Evaluation Board for 2EDL23N06PJ - Optimized 600V half bridge gate driver IC with LS-SOI technology to control MOS-transistors like the IPL60R199CP CoolMOS CP .
Power Management IC Development Tools Evaluation Board for 2EDL23N06PJ - Optimized 600V half bridge gate driver IC with LS-SOI technology to control MOS-transistors like the IPL60R199CP CoolMOS CP .
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 6576.19 грн |
FQD13N06LTM |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2397 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 31.18 грн |
25+ | 25.95 грн |
39+ | 20.4 грн |
107+ | 19.3 грн |
FQD13N06LTM |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7A; 28W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
Power dissipation: 28W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2397 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 37.42 грн |
25+ | 32.33 грн |
39+ | 24.48 грн |
107+ | 23.17 грн |
FQD13N06LTM |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level
на замовлення 36270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 50.6 грн |
10+ | 42.78 грн |
100+ | 25.76 грн |
500+ | 21.42 грн |
1000+ | 17.02 грн |
2500+ | 15.44 грн |
5000+ | 15.18 грн |
FQP13N06L |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 13.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 13.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)FQU13N06LTU |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IPA093N06N3 G |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 60V 43A TO220FP-3 OptiMOS 3
MOSFET N-Ch 60V 43A TO220FP-3 OptiMOS 3
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 112.71 грн |
10+ | 92.2 грн |
100+ | 64.21 грн |
500+ | 46.33 грн |
1000+ | 45.74 грн |
2500+ | 43.37 грн |
5000+ | 38.05 грн |
IPB013N06NF2SATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH 40<-<100V
MOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 272.19 грн |
10+ | 225.98 грн |
25+ | 185.33 грн |
100+ | 158.38 грн |
250+ | 149.84 грн |
500+ | 141.3 грн |
800+ | 120.27 грн |
IPD053N06N |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 60V 45A DPAK-2
MOSFET N-Ch 60V 45A DPAK-2
на замовлення 3338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 108.11 грн |
10+ | 87.67 грн |
100+ | 59.34 грн |
500+ | 50.28 грн |
1000+ | 42.98 грн |
2500+ | 36.47 грн |
10000+ | 36.41 грн |
IPD053N06NATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 60V 45A DPAK-2
MOSFET N-Ch 60V 45A DPAK-2
на замовлення 17943 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 74.14 грн |
10+ | 63.11 грн |
100+ | 45.35 грн |
500+ | 40.29 грн |
1000+ | 36.41 грн |
IPD053N06NATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 25.99 грн |
M85049/1823N06 |
Виробник: Glenair
Circular MIL Spec Backshells Straight Backshell
Circular MIL Spec Backshells Straight Backshell
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 57630.76 грн |
2+ | 49540.74 грн |
5+ | 41402.41 грн |
10+ | 29664.31 грн |
25+ | 26735.21 грн |
M85049/1823N06 |
Виробник: Amphenol Pcd
Circular MIL Spec Backshells 18 Backshell Env-EMI/RFI
Circular MIL Spec Backshells 18 Backshell Env-EMI/RFI
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 4584.24 грн |
10+ | 4146.91 грн |
25+ | 3467.34 грн |
50+ | 3351.68 грн |
100+ | 3166.35 грн |
250+ | 3074.34 грн |
500+ | 3005.34 грн |
M85049/1923N06 |
Виробник: Sunbank / Souriau
Circular MIL Spec Backshells Backshell
Circular MIL Spec Backshells Backshell
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 5670.69 грн |
10+ | 5129.41 грн |
25+ | 4288.83 грн |
50+ | 4145.56 грн |
100+ | 3916.2 грн |
250+ | 3802.51 грн |
500+ | 3716.42 грн |
M85049/1923N06 |
Виробник: Amphenol Pcd
Circular MIL Spec Backshells BACKSHELL NON ENV EMI/RFI ST NIC SZ 23
Circular MIL Spec Backshells BACKSHELL NON ENV EMI/RFI ST NIC SZ 23
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 4148.74 грн |
10+ | 3753.15 грн |
25+ | 3138.09 грн |
50+ | 3033.6 грн |
100+ | 2866.01 грн |
250+ | 2781.89 грн |
500+ | 2719.46 грн |
M85049/2123N06 |
Виробник: Glenair
Circular MIL Spec Backshells STRAIN RELIEF BKSHLL SIZE 23 CLAMP SIZE 6
Circular MIL Spec Backshells STRAIN RELIEF BKSHLL SIZE 23 CLAMP SIZE 6
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 49806.35 грн |
2+ | 42813.63 грн |
5+ | 35780.79 грн |
10+ | 25637.04 грн |
25+ | 23104.22 грн |
MCAC53N06Y-TP |
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
MOSFET N-Ch 60Vds 20Vgs 470pF 0.85Vsd 65Vdss
MOSFET N-Ch 60Vds 20Vgs 470pF 0.85Vsd 65Vdss
на замовлення 3864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 59.19 грн |
10+ | 47.99 грн |
100+ | 32.47 грн |
500+ | 27.54 грн |
1000+ | 21.16 грн |
2500+ | 21.1 грн |
5000+ | 20.11 грн |
MCG53N06A-TP |
Виробник: Micro Commercial Components
N-CHANNEL MOSFET
N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 270000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 21.77 грн |
NP23N06YDG-E1-AY |
Виробник: Renesas Electronics
MOSFET HIGH POWER SINGLE N-CH MOSFET
MOSFET HIGH POWER SINGLE N-CH MOSFET
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 103.51 грн |
10+ | 83.89 грн |
100+ | 56.52 грн |
500+ | 47.91 грн |
1000+ | 39.04 грн |
2500+ | 37.13 грн |
NTMFSS1D3N06CL |
Виробник: onsemi
MOSFET 60V T6 MAX DIE IN 5X6 SOURCE DOWN PACKAGE
MOSFET 60V T6 MAX DIE IN 5X6 SOURCE DOWN PACKAGE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 119-128 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 249.95 грн |
10+ | 206.33 грн |
25+ | 170.21 грн |
100+ | 145.24 грн |
250+ | 137.35 грн |
500+ | 129.47 грн |
1000+ | 110.41 грн |
NTMYS3D3N06CLTWG |
Виробник: onsemi
MOSFET 60V 3.0mOhms 133A Single N-Channel
MOSFET 60V 3.0mOhms 133A Single N-Channel
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 119-128 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 177.11 грн |
10+ | 145.11 грн |
100+ | 100.55 грн |
250+ | 95.95 грн |
500+ | 84.12 грн |
1000+ | 72.29 грн |
3000+ | 67.69 грн |
NVMYS9D3N06CLTWG |
Виробник: onsemi
MOSFET T6 60V LL LFPAK
MOSFET T6 60V LL LFPAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 119-128 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 72 грн |
10+ | 58.12 грн |
100+ | 39.37 грн |
500+ | 33.39 грн |
1000+ | 31.55 грн |
3000+ | 26.75 грн |
9000+ | 26.68 грн |
RHK003N06FRAT146 |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET 4V Drive Nch MOSFET (AEC-Q101 Qualified). MOSFETs are made as ultra-low ON-resistance by the micro-processing technologies suitable for mobilr equipment for low current consumption. In wide lineup including compact type, high-power type and comple
MOSFET 4V Drive Nch MOSFET (AEC-Q101 Qualified). MOSFETs are made as ultra-low ON-resistance by the micro-processing technologies suitable for mobilr equipment for low current consumption. In wide lineup including compact type, high-power type and comple
на замовлення 5738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 32.13 грн |
14+ | 22.37 грн |
100+ | 11.9 грн |
1000+ | 8.28 грн |
3000+ | 6.51 грн |
24000+ | 6.37 грн |
45000+ | 6.24 грн |
RHK003N06T146 |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 300MA
MOSFET N-CH 60V 300MA
на замовлення 628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 34.96 грн |
11+ | 28.04 грн |
100+ | 12.49 грн |
1000+ | 9.33 грн |
3000+ | 8.02 грн |
9000+ | 7.49 грн |
24000+ | 6.83 грн |
SQD23N06-31L_GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 60V 23A 100W AEC-Q101 Qualified
MOSFET 60V 23A 100W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 20304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 113.48 грн |
10+ | 93.72 грн |
100+ | 64.8 грн |
250+ | 61.71 грн |
500+ | 53.96 грн |
1000+ | 46.2 грн |
2000+ | 43.9 грн |
SUD23N06-31-BE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 60V (D-S)
MOSFET N-CHANNEL 60V (D-S)
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 66.32 грн |
10+ | 53.66 грн |
100+ | 36.28 грн |
500+ | 30.82 грн |
1000+ | 25.1 грн |
2000+ | 23.59 грн |
4000+ | 22.41 грн |
SUD23N06-31-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17.1A; 31.25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17.1A
Power dissipation: 31.25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17.1A; 31.25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17.1A
Power dissipation: 31.25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 58.98 грн |
10+ | 36.97 грн |
25+ | 32.59 грн |
27+ | 29.36 грн |
75+ | 27.76 грн |
500+ | 27.31 грн |
SUD23N06-31-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17.1A; 31.25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17.1A
Power dissipation: 31.25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17.1A; 31.25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17.1A
Power dissipation: 31.25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 70.77 грн |
6+ | 46.07 грн |
25+ | 39.1 грн |
27+ | 35.23 грн |
75+ | 33.31 грн |
500+ | 32.78 грн |
SUD23N06-31-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Ch MOSFET 60V 31 mohm @ 10V
MOSFET N-Ch MOSFET 60V 31 mohm @ 10V
на замовлення 22919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 66.32 грн |
10+ | 53.66 грн |
100+ | 36.28 грн |
500+ | 30.82 грн |
1000+ | 25.1 грн |
2000+ | 22.87 грн |
4000+ | 22.21 грн |
SUD23N06-31-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 21.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
Trans MOSFET N-CH 60V 21.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 21.24 грн |
SUD23N06-31-T4-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Channel 60-V (D-S)
MOSFET N-Channel 60-V (D-S)
на замовлення 2355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 95.07 грн |
10+ | 76.33 грн |
100+ | 51.92 грн |
500+ | 44.03 грн |
1000+ | 35.82 грн |
2500+ | 33.65 грн |
5000+ | 32.07 грн |
SUD23N06-31L-T4-E3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CH 60-V (D-S) 175C Logic Level
MOSFET N-CH 60-V (D-S) 175C Logic Level
на замовлення 12018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 67.78 грн |
10+ | 54.42 грн |
100+ | 36.87 грн |
500+ | 31.22 грн |
1000+ | 25.43 грн |
2500+ | 23.4 грн |
5000+ | 22.74 грн |
SUD23N06-31L-T4BE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 60V N-CHANNEL
MOSFET 60V N-CHANNEL
на замовлення 3339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 69.16 грн |
10+ | 55.55 грн |
100+ | 37.59 грн |
500+ | 31.87 грн |
1000+ | 28.72 грн |
2500+ | 28.65 грн |
5000+ | 22.74 грн |
UJ3N065025K3S |
Виробник: Qorvo
JFET 650V/25mO,SIC,JFET,G3,TO247-3
JFET 650V/25mO,SIC,JFET,G3,TO247-3
на замовлення 440 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1496.64 грн |
25+ | 1302.19 грн |
100+ | 981.19 грн |
250+ | 830.69 грн |
600+ | 786.66 грн |
3000+ | 770.23 грн |
5400+ | 747.23 грн |
UJ3N065080K3S |
Виробник: Qorvo
JFET 650V/80mO,SIC,JFET,G3,TO247-3
JFET 650V/80mO,SIC,JFET,G3,TO247-3
на замовлення 1226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 563.54 грн |
25+ | 490.49 грн |
100+ | 370 грн |
250+ | 312.82 грн |
600+ | 296.39 грн |
3000+ | 290.48 грн |
5400+ | 281.94 грн |
YJL03N06A |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 2.4A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 2.4A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
60+ | 6.19 грн |
140+ | 2.53 грн |
410+ | 1.94 грн |
1120+ | 1.84 грн |
Транзистор польовий FQD13N06 10A 60V N-ch DPAK |
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 20.53 грн |
2EDL23N06PJ |
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 4790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)FDD13N06A0 |
Виробник: fairchild
07+ to-252/d-pak
07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)FDD13N06A0 |
Виробник: fairchild
to-252/d-pak
to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]