Результат пошуку "40n120" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 240
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 450
Мінімальне замовлення: 450
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 450
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DACMI40N1200 | DACO Semiconductor |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; SiC; screw Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 25A Case: SOT227B Semiconductor structure: single transistor Operating temperature: -55...150°C Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DACMI40N1200 | DACO Semiconductor |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; SiC; screw Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 25A Case: SOT227B Semiconductor structure: single transistor Operating temperature: -55...150°C Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGW40N120H3 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS |
на замовлення 429 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGW40N120H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 483W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 |
на замовлення 223 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGW40N120H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 483W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Manufacturer series: H3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 223 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IHW40N120R5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 |
на замовлення 4423 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKQ140N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
на замовлення 960 шт: термін постачання 105-114 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKQ40N120CH3XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS |
на замовлення 102 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKQ40N120CT2XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS |
на замовлення 72 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW40N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
на замовлення 719 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW40N120CS6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 6 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 285nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW40N120CS6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 6 Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 285nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 39 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW40N120CS6XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
на замовлення 384 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW40N120CS6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1898 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW40N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
на замовлення 291 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW40N120H3 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS |
на замовлення 3018 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW40N120H3 | Infineon |
80A; 1200V; 483W; IGBT w/ Diode IKW40N120H3 TIKW40n120h3 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW40N120H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS |
на замовлення 478 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW40N120T2 | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 40A |
на замовлення 2371 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW40N120T2 | Infineon |
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW40N120T2FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 480W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 165A Mounting: THT Gate charge: 192nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW40N120T2FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 480W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 165A Mounting: THT Gate charge: 192nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW40N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKW40N120T2FKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 40A |
на замовлення 457 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKY140N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
на замовлення 583 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKY40N120CH3XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
на замовлення 206 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKY40N120CS6XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
на замовлення 430 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKY40N120CS6XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKZA40N120CH7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
на замовлення 183 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKZA40N120CS7XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors INDUSTRY 14 |
на замовлення 241 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXGH40N120A2 | IXYS | IGBT Transistors SGL IGBT 1200V, 80A |
на замовлення 122 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXGH40N120B2D1 | IXYS | IGBT Transistors IGBT, Diode 1200V, 75A |
на замовлення 85 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXGH40N120C3 | IXYS | IGBT Transistors 75Amps 1200V |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXGH40N120C3D1 | IXYS | IGBT Transistors 75Amps 1200V |
на замовлення 436 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXYH40N120B4H1 | IXYS | IGBT Transistors IXYH40N120B4H1 |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXYH40N120C4H1 | IXYS | IGBT Transistors IXYH40N120C4H1 |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXYK140N120A4 | IXYS | IGBT Transistors IGBT XPT-GENX4 |
на замовлення 2231 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXYN140N120A4 | IXYS | IGBT Transistors IGBT XPT-GENX4 |
на замовлення 184 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MIW40N120FLA-BP | Micro Commercial Components (MCC) | IGBT Transistors |
на замовлення 1776 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NGTB40N120FL3WG | onsemi | IGBT Transistors IGBT 1200V 40A FS3 SOLAR/UPS |
на замовлення 1412 шт: термін постачання 203-212 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTBG040N120M3S | ON Semiconductor | Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTBG040N120M3S | onsemi | MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3 |
на замовлення 265 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTBG040N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTBG040N120SC1 | onsemi | MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V |
на замовлення 1714 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTC040N120SC1 | onsemi | MOSFET SIC MOS WAFER SALES 40MOHM 1200V |
на замовлення 51 шт: термін постачання 154-163 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTH4L040N120M3S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 43A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTH4L040N120M3S | onsemi | MOSFET SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3 |
на замовлення 758 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTH4L040N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTH4L040N120SC1 | onsemi | MOSFET SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V |
на замовлення 2555 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTHL040N120M3S | onsemi | MOSFET SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3 |
на замовлення 381 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTHL040N120SC1 | onsemi | MOSFET SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V |
на замовлення 792 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NVBG040N120M3S | onsemi | MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3 |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NVBG040N120SC1 | onsemi | MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NVBG040N120SC1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NVH4L040N120M3S | onsemi | MOSFET SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3 |
на замовлення 117 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NVH4L040N120M3S | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NVH4L040N120SC1 | onsemi | MOSFET SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART |
на замовлення 272 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NVHL040N120SC1 | onsemi | MOSFET SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V |
на замовлення 370 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SCTH40N120G2V-7 | STMicroelectronics | MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 33 A, 75 mOhm (typ. TJ = 25 C) |
на замовлення 999 шт: термін постачання 336-345 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SCTW40N120G2V | STMicroelectronics | MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ 36 A |
на замовлення 577 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
DACMI40N1200 |
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; SiC; screw
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Operating temperature: -55...150°C
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; SiC; screw
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Operating temperature: -55...150°C
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 3189.77 грн |
DACMI40N1200 |
Виробник: DACO Semiconductor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; SiC; screw
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Operating temperature: -55...150°C
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 25A; SOT227B; screw; SiC; screw
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Case: SOT227B
Semiconductor structure: single transistor
Operating temperature: -55...150°C
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 3827.72 грн |
IGW40N120H3 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 433.79 грн |
10+ | 366.4 грн |
25+ | 254.37 грн |
100+ | 238.79 грн |
240+ | 235.55 грн |
480+ | 210.89 грн |
1200+ | 200.51 грн |
IGW40N120H3FKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 548.86 грн |
2+ | 392.04 грн |
6+ | 370.41 грн |
IGW40N120H3FKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 223 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 658.63 грн |
2+ | 488.54 грн |
6+ | 444.49 грн |
IHW40N120R5XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 4423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 293.73 грн |
10+ | 270.88 грн |
25+ | 199.86 грн |
100+ | 171.31 грн |
240+ | 165.47 грн |
480+ | 129.78 грн |
1200+ | 122.64 грн |
IKQ140N120CH7XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 960 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1107.55 грн |
10+ | 961.89 грн |
25+ | 813.71 грн |
50+ | 768.29 грн |
100+ | 722.87 грн |
240+ | 700.16 грн |
480+ | 654.73 грн |
IKQ40N120CH3XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 693.45 грн |
10+ | 634.29 грн |
25+ | 468.5 грн |
100+ | 425.03 грн |
240+ | 406.21 грн |
480+ | 336.78 грн |
1200+ | 336.13 грн |
IKQ40N120CT2XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 709.35 грн |
10+ | 662.65 грн |
25+ | 481.48 грн |
100+ | 433.46 грн |
240+ | 427.62 грн |
480+ | 343.91 грн |
IKW40N120CH7XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 514.03 грн |
10+ | 434.3 грн |
25+ | 342.62 грн |
100+ | 314.71 грн |
240+ | 295.9 грн |
480+ | 277.08 грн |
1200+ | 249.18 грн |
IKW40N120CS6XKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 522.65 грн |
3+ | 335.94 грн |
7+ | 317.69 грн |
IKW40N120CS6XKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 627.18 грн |
3+ | 418.63 грн |
7+ | 381.22 грн |
IKW40N120CS6XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 420.92 грн |
10+ | 410.43 грн |
25+ | 288.76 грн |
100+ | 263.45 грн |
240+ | 262.15 грн |
480+ | 221.92 грн |
IKW40N120CS6XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 203.64 грн |
IKW40N120CS7XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 540.53 грн |
10+ | 491.02 грн |
25+ | 365.33 грн |
100+ | 331.58 грн |
240+ | 311.47 грн |
480+ | 292 грн |
1200+ | 250.47 грн |
IKW40N120H3 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 562.48 грн |
10+ | 475.35 грн |
25+ | 375.06 грн |
100+ | 344.56 грн |
240+ | 323.15 грн |
480+ | 303.68 грн |
1200+ | 295.9 грн |
IKW40N120H3 |
Виробник: Infineon
80A; 1200V; 483W; IGBT w/ Diode IKW40N120H3 TIKW40n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
80A; 1200V; 483W; IGBT w/ Diode IKW40N120H3 TIKW40n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 303.01 грн |
IKW40N120H3FKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 544.31 грн |
10+ | 479.08 грн |
25+ | 367.27 грн |
100+ | 344.56 грн |
240+ | 302.38 грн |
480+ | 272.54 грн |
1200+ | 260.86 грн |
IKW40N120T2 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 608.66 грн |
10+ | 514.15 грн |
25+ | 405.56 грн |
100+ | 372.46 грн |
240+ | 350.4 грн |
480+ | 328.99 грн |
1200+ | 295.9 грн |
IKW40N120T2 |
Виробник: Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2
кількість в упаковці: 5 шт
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A IKW40N120T2FKSA1 IKW40N120T2 TIKW40n120t2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 395.14 грн |
IKW40N120T2FKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 165A
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 165A
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 603.45 грн |
2+ | 431.24 грн |
5+ | 407.59 грн |
IKW40N120T2FKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 165A
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 165A
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 724.14 грн |
2+ | 537.4 грн |
5+ | 489.1 грн |
IKW40N120T2FKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 480000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 297.52 грн |
IKW40N120T2FKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 608.66 грн |
10+ | 591.01 грн |
25+ | 416.59 грн |
100+ | 372.46 грн |
240+ | 370.52 грн |
480+ | 295.25 грн |
1200+ | 282.92 грн |
IKY140N120CH7XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1113.61 грн |
10+ | 967.11 грн |
25+ | 818.9 грн |
50+ | 772.83 грн |
100+ | 728.06 грн |
240+ | 704.05 грн |
480+ | 659.28 грн |
IKY40N120CH3XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 619.26 грн |
10+ | 576.83 грн |
25+ | 423.73 грн |
100+ | 379.6 грн |
240+ | 378.95 грн |
480+ | 300.44 грн |
1200+ | 286.81 грн |
IKY40N120CS6XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 504.19 грн |
10+ | 458.18 грн |
25+ | 340.67 грн |
100+ | 308.22 грн |
240+ | 249.18 грн |
480+ | 245.28 грн |
1200+ | 233.6 грн |
IKY40N120CS6XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
240+ | 215 грн |
IKZA40N120CH7XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 575.35 грн |
10+ | 486.54 грн |
25+ | 383.5 грн |
100+ | 352.35 грн |
240+ | 331.58 грн |
480+ | 310.17 грн |
1200+ | 279.67 грн |
IKZA40N120CS7XKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 621.53 грн |
10+ | 525.34 грн |
25+ | 413.99 грн |
100+ | 380.9 грн |
240+ | 357.54 грн |
480+ | 335.48 грн |
1200+ | 301.74 грн |
IXGH40N120A2 |
Виробник: IXYS
IGBT Transistors SGL IGBT 1200V, 80A
IGBT Transistors SGL IGBT 1200V, 80A
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1037.91 грн |
10+ | 901.44 грн |
30+ | 711.19 грн |
60+ | 687.18 грн |
120+ | 664.47 грн |
270+ | 656.68 грн |
1020+ | 656.03 грн |
IXGH40N120B2D1 |
Виробник: IXYS
IGBT Transistors IGBT, Diode 1200V, 75A
IGBT Transistors IGBT, Diode 1200V, 75A
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1380.09 грн |
10+ | 1198.44 грн |
30+ | 986.32 грн |
60+ | 957.12 грн |
120+ | 900.66 грн |
270+ | 873.41 грн |
510+ | 824.74 грн |
IXGH40N120C3 |
Виробник: IXYS
IGBT Transistors 75Amps 1200V
IGBT Transistors 75Amps 1200V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 814.58 грн |
10+ | 708.17 грн |
30+ | 598.93 грн |
60+ | 564.54 грн |
120+ | 539.23 грн |
IXGH40N120C3D1 |
Виробник: IXYS
IGBT Transistors 75Amps 1200V
IGBT Transistors 75Amps 1200V
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 984.91 грн |
10+ | 855.92 грн |
30+ | 683.93 грн |
60+ | 682.64 грн |
120+ | 642.4 грн |
510+ | 634.62 грн |
IXYH40N120B4H1 |
Виробник: IXYS
IGBT Transistors IXYH40N120B4H1
IGBT Transistors IXYH40N120B4H1
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 659.38 грн |
10+ | 557.43 грн |
30+ | 439.3 грн |
120+ | 403.61 грн |
270+ | 380.25 грн |
510+ | 356.24 грн |
1020+ | 320.55 грн |
IXYH40N120C4H1 |
Виробник: IXYS
IGBT Transistors IXYH40N120C4H1
IGBT Transistors IXYH40N120C4H1
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 659.38 грн |
10+ | 557.43 грн |
30+ | 439.3 грн |
120+ | 403.61 грн |
270+ | 380.25 грн |
510+ | 356.24 грн |
1020+ | 320.55 грн |
IXYK140N120A4 |
Виробник: IXYS
IGBT Transistors IGBT XPT-GENX4
IGBT Transistors IGBT XPT-GENX4
на замовлення 2231 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2692.04 грн |
10+ | 2493.15 грн |
25+ | 1933.7 грн |
50+ | 1897.36 грн |
100+ | 1805.22 грн |
250+ | 1804.57 грн |
IXYN140N120A4 |
Виробник: IXYS
IGBT Transistors IGBT XPT-GENX4
IGBT Transistors IGBT XPT-GENX4
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 3371.11 грн |
10+ | 2961.03 грн |
20+ | 2421.02 грн |
50+ | 2340.56 грн |
100+ | 2260.1 грн |
200+ | 2178.34 грн |
500+ | 2078.41 грн |
MIW40N120FLA-BP |
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
IGBT Transistors
IGBT Transistors
на замовлення 1776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 757.04 грн |
10+ | 639.52 грн |
25+ | 504.19 грн |
100+ | 463.31 грн |
250+ | 436.06 грн |
500+ | 409.45 грн |
1000+ | 367.92 грн |
NGTB40N120FL3WG |
Виробник: onsemi
IGBT Transistors IGBT 1200V 40A FS3 SOLAR/UPS
IGBT Transistors IGBT 1200V 40A FS3 SOLAR/UPS
на замовлення 1412 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 551.88 грн |
10+ | 501.46 грн |
30+ | 334.83 грн |
120+ | 306.28 грн |
300+ | 283.57 грн |
600+ | 266.05 грн |
1050+ | 256.31 грн |
NTBG040N120M3S |
Виробник: ON Semiconductor
Silicon Carbide (SiC) MOSFET
Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 549.61 грн |
NTBG040N120M3S |
Виробник: onsemi
MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 923.59 грн |
10+ | 802.19 грн |
25+ | 678.74 грн |
50+ | 641.11 грн |
100+ | 603.47 грн |
250+ | 584.65 грн |
500+ | 547.02 грн |
NTBG040N120SC1 |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 919.81 грн |
NTBG040N120SC1 |
Виробник: onsemi
MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
на замовлення 1714 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1257.45 грн |
10+ | 1129.04 грн |
25+ | 958.42 грн |
50+ | 955.82 грн |
100+ | 898.07 грн |
250+ | 894.82 грн |
500+ | 811.77 грн |
NTC040N120SC1 |
Виробник: onsemi
MOSFET SIC MOS WAFER SALES 40MOHM 1200V
MOSFET SIC MOS WAFER SALES 40MOHM 1200V
на замовлення 51 шт:
термін постачання 154-163 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1442.17 грн |
10+ | 1252.92 грн |
25+ | 1059.64 грн |
50+ | 1000.59 грн |
100+ | 941.54 грн |
NTH4L040N120M3S |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 43A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 43A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
450+ | 560.97 грн |
NTH4L040N120M3S |
Виробник: onsemi
MOSFET SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
MOSFET SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 942.52 грн |
10+ | 818.61 грн |
25+ | 693.02 грн |
50+ | 654.08 грн |
100+ | 615.8 грн |
250+ | 596.33 грн |
450+ | 557.4 грн |
NTH4L040N120SC1 |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
450+ | 914.51 грн |
NTH4L040N120SC1 |
Виробник: onsemi
MOSFET SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V
MOSFET SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V
на замовлення 2555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1408.1 грн |
10+ | 1235.01 грн |
25+ | 1003.19 грн |
100+ | 941.54 грн |
250+ | 934.41 грн |
450+ | 819.55 грн |
2700+ | 807.22 грн |
NTHL040N120M3S |
Виробник: onsemi
MOSFET SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
MOSFET SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 896.34 грн |
10+ | 778.32 грн |
25+ | 658.63 грн |
50+ | 621.64 грн |
100+ | 584.65 грн |
250+ | 566.48 грн |
450+ | 530.15 грн |
NTHL040N120SC1 |
Виробник: onsemi
MOSFET SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
MOSFET SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1392.96 грн |
10+ | 1315.6 грн |
25+ | 990.21 грн |
50+ | 973.34 грн |
100+ | 947.38 грн |
250+ | 946.74 грн |
450+ | 807.87 грн |
NVBG040N120M3S |
Виробник: onsemi
MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2115.93 грн |
10+ | 1853.63 грн |
25+ | 1503.49 грн |
50+ | 1456.77 грн |
100+ | 1409.4 грн |
250+ | 1315.31 грн |
500+ | 1202.4 грн |
NVBG040N120SC1 |
Виробник: onsemi
MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2696.59 грн |
10+ | 2512.55 грн |
25+ | 2155.62 грн |
50+ | 2151.73 грн |
100+ | 2057.64 грн |
250+ | 2056.34 грн |
500+ | 2053.75 грн |
NVBG040N120SC1 |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 60A Automotive T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 1111.34 грн |
NVH4L040N120M3S |
Виробник: onsemi
MOSFET SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
MOSFET SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2396.8 грн |
10+ | 2099.14 грн |
25+ | 1702.7 грн |
50+ | 1650.14 грн |
100+ | 1596.93 грн |
250+ | 1490.51 грн |
450+ | 1362.03 грн |
NVH4L040N120M3S |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 54A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
450+ | 810.79 грн |
NVH4L040N120SC1 |
Виробник: onsemi
MOSFET SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART
MOSFET SIC MOS TO247-4L 1200V 40MOHM AUTO PART
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 3206.83 грн |
10+ | 2988.64 грн |
25+ | 2385.33 грн |
50+ | 2373 грн |
100+ | 2280.21 грн |
250+ | 2235.44 грн |
450+ | 2211.43 грн |
NVHL040N120SC1 |
Виробник: onsemi
MOSFET SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
MOSFET SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2378.63 грн |
10+ | 2240.18 грн |
25+ | 1756.56 грн |
50+ | 1737.09 грн |
100+ | 1650.79 грн |
250+ | 1644.95 грн |
450+ | 1550.21 грн |
SCTH40N120G2V-7 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 33 A, 75 mOhm (typ. TJ = 25 C)
MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 33 A, 75 mOhm (typ. TJ = 25 C)
на замовлення 999 шт:
термін постачання 336-345 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1423.24 грн |
10+ | 1242.47 грн |
25+ | 1065.48 грн |
50+ | 1046.02 грн |
100+ | 937 грн |
250+ | 927.92 грн |
500+ | 848.75 грн |
SCTW40N120G2V |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ 36 A
MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 62 mOhm typ 36 A
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1463.36 грн |
10+ | 1270.83 грн |
25+ | 1074.57 грн |
50+ | 1014.87 грн |
100+ | 955.17 грн |
250+ | 925.97 грн |
600+ | 866.27 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]