Результат пошуку "44h11" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 9000
Мінімальне замовлення: 9000
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 761
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 1800
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 447
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 50
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
D44H11G (транзистор біполярний NPN) Код товару: 26682 |
ON |
Транзистори > Біполярні NPN Uceo,V: 80 V Ucbo,V: 80 V Ic,A: 20 A Монтаж: THT |
у наявності: 102 шт
|
|
||||||||||||||||
|
|
B39871B3744H110 | RF360 |
 Signal Conditioning 3 mm x 3 mm x 1 mm - 40 C to + 125 C 868.3 MHz 6 V 50 Ohms SRD / ISM: 869 MHz |
на замовлення 7792 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
B39871B3744H110 | Qualcomm (RF front-end (RFFE) filters) |
Description: FILTER SAW 868.3MHZ 6SMD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm) Mounting Type: Surface Mount Insertion Loss: 3dB Bandwidth: 600kHz Applications: Remote Control Frequency - Center: 868.3MHz Ratings: AEC-Q200 Height (Max): 0.039" (1.00mm) Part Status: Active |
на замовлення 20891 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
B39871B3744H110 | RF360 |
SAW Filter RF 868.3MHz 3.7dB 290Ohm//1.3pF SMD 6 Pin DCC6E Automotive |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
B39871B3744H110 | Qualcomm (RF front-end (RFFE) filters) |
Description: FILTER SAW 868.3MHZ 6SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-SMD, No Lead Size / Dimension: 0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm) Mounting Type: Surface Mount Insertion Loss: 3dB Bandwidth: 600kHz Applications: Remote Control Frequency - Center: 868.3MHz Ratings: AEC-Q200 Height (Max): 0.039" (1.00mm) Part Status: Active |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
D44H11 | STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch |
на замовлення 627 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| D44H11 | ST |
Tranzystor NPN; 60; 1,67W; 80V; 10A; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: KSE44H11TU; D44H11; D44H11TU; D44H11G; D44H11 TD44H11 STM кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
D44H11G | ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 70W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 10A Power dissipation: 70W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 40MHz |
на замовлення 327 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
D44H11G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
D44H11G | onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 10A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
D44H11G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W NPN |
на замовлення 13121 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| D44H11G | ON-Semicoductor |
Transistor NPN; Bipolar; 80V; 20V; 50MHz; 10A; 2W; -55°C~150°C; D44H11G TD44H11G ONS кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
KSE44H11 | onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil |
на замовлення 11275 шт: термін постачання 168-177 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| KSE44H11TU | ON-Semicoductor |
Tranzystor NPN; 60; 1,67W; 80V; 10A; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: KSE44H11TU; D44H11; D44H11TU; D44H11G; KSE44H11TU TD44H11 кількість в упаковці: 7 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
KSH44H11ITU | onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 8A IPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: IPAK Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 15982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MJB44H11G | ON-Semicoductor |
NPN 10A 80V 50W MJB44H11G, MJB44H11T4G, NJVMJB44H11T4G MJB44H11G TD44H11 d2pak кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
MJB44H11G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W NPN |
на замовлення 10251 шт: термін постачання 98-107 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJB44H11T4-A | STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 50 W Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2878 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJB44H11T4-A | STMicroelectronics |
Digital Transistors Automotive-grade low volt NPN power transistor |
на замовлення 7242 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJB44H11T4-A | STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 50 W Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJB44H11T4G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W NPN |
на замовлення 386 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJB44H11T4G | onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 14534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJB44H11T4G | onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 14400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJB44H11T4G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD44H11-1G | ONSEMI |
 Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK3 Mounting: SMD Kind of package: tube Frequency: 85MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
MJD44H11-1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN |
на замовлення 22718 шт: термін постачання 91-100 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD44H11AJ | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 19482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD44H11AJ | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT MJD44H11A/SOT428/DPAK |
на замовлення 16759 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD44H11AJ | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD44H11G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: tube Frequency: 85MHz |
на замовлення 741 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MJD44H11G | ONS |
Транз. Бипол. NPN DPAK-4/ POWER 10A 80V PLA |
на замовлення 141 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
MJD44H11G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: tube Frequency: 85MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 741 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD44H11G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 1104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD44H11G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN |
на замовлення 4959 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MJD44H11G | ON-Semicoductor |
NPN 8A 80V 20W MJD44H11T4, MJD44H11G, MJD44H11-001 D44H11 TD44H11 dpak кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
MJD44H11J | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD44H11J | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 5126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD44H11J | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT MJD44H11/SOT428/DPAK |
на замовлення 20785 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MJD44H11J | NXP |
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 8A 160MHz 1.75W Surface Mount DPAK MJD44H11J DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD44H11J кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
MJD44H11Q-13 | Diodes Incorporated |
Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.5 W Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD44H11RLG | onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 85MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 5400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD44H11RLG | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN |
на замовлення 21570 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD44H11RLG | onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 85MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 5985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD44H11T4 | STMicroelectronics |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
на замовлення 1545 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD44H11T4 | STMicroelectronics |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1545 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD44H11T4 | STMicroelectronics |
Trans GP BJT NPN 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD44H11T4 | STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch |
на замовлення 22803 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD44H11T4 | STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 20 W |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD44H11T4 | STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 20 W |
на замовлення 2506 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD44H11T4-A | STMicroelectronics |
Bipolar Transistors - BJT Automotive-grade low volt NPN power transistor |
на замовлення 4464 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD44H11T4-A | STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 20 W |
на замовлення 1945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD44H11T4G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 85MHz Application: automotive industry |
на замовлення 513 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD44H11T4G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 8A Power dissipation: 20W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 85MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 513 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJD44H11T4G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN |
на замовлення 15939 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJF44H11G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
MJF44H11G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W NPN |
на замовлення 10602 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| MJF44H11G | ON-Semicoductor |
NPN 10A 80V 2W MJF44H11G TMJF44h11g кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
NJVMJB44H11T4G | Fairchild Semiconductor |
Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 73342 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NJVMJB44H11T4G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 80V TR |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 98-107 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NJVMJD44H11D3T4G | onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 85MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 20 W |
на замовлення 2176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| D44H11G (транзистор біполярний NPN) Код товару: 26682 |
у наявності: 102 шт
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 20 грн |
| 10+ | 16.5 грн |
| 100+ | 14.3 грн |
| B39871B3744H110 |
|
Виробник: RF360
Signal Conditioning 3 mm x 3 mm x 1 mm - 40 C to + 125 C 868.3 MHz 6 V 50 Ohms SRD / ISM: 869 MHz
Signal Conditioning 3 mm x 3 mm x 1 mm - 40 C to + 125 C 868.3 MHz 6 V 50 Ohms SRD / ISM: 869 MHz
на замовлення 7792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 110.41 грн |
| 10+ | 80.11 грн |
| 25+ | 66.38 грн |
| 100+ | 59.8 грн |
| 250+ | 58.23 грн |
| 500+ | 50.41 грн |
| 1000+ | 47.25 грн |
| B39871B3744H110 |
|
Виробник: Qualcomm (RF front-end (RFFE) filters)
Description: FILTER SAW 868.3MHZ 6SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Insertion Loss: 3dB
Bandwidth: 600kHz
Applications: Remote Control
Frequency - Center: 868.3MHz
Ratings: AEC-Q200
Height (Max): 0.039" (1.00mm)
Part Status: Active
Description: FILTER SAW 868.3MHZ 6SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Insertion Loss: 3dB
Bandwidth: 600kHz
Applications: Remote Control
Frequency - Center: 868.3MHz
Ratings: AEC-Q200
Height (Max): 0.039" (1.00mm)
Part Status: Active
на замовлення 20891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 105.92 грн |
| 10+ | 74.48 грн |
| 25+ | 72.76 грн |
| 50+ | 66.69 грн |
| 100+ | 60.34 грн |
| 250+ | 58.75 грн |
| 500+ | 49.98 грн |
| 1000+ | 46.85 грн |
| B39871B3744H110 |
|
Виробник: RF360
SAW Filter RF 868.3MHz 3.7dB 290Ohm//1.3pF SMD 6 Pin DCC6E Automotive
SAW Filter RF 868.3MHz 3.7dB 290Ohm//1.3pF SMD 6 Pin DCC6E Automotive
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9000+ | 50.3 грн |
| B39871B3744H110 |
|
Виробник: Qualcomm (RF front-end (RFFE) filters)
Description: FILTER SAW 868.3MHZ 6SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Insertion Loss: 3dB
Bandwidth: 600kHz
Applications: Remote Control
Frequency - Center: 868.3MHz
Ratings: AEC-Q200
Height (Max): 0.039" (1.00mm)
Part Status: Active
Description: FILTER SAW 868.3MHZ 6SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm)
Mounting Type: Surface Mount
Insertion Loss: 3dB
Bandwidth: 600kHz
Applications: Remote Control
Frequency - Center: 868.3MHz
Ratings: AEC-Q200
Height (Max): 0.039" (1.00mm)
Part Status: Active
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9000+ | 48.32 грн |
| D44H11 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 80.51 грн |
| 10+ | 63.48 грн |
| 100+ | 43.7 грн |
| 500+ | 37.07 грн |
| 1000+ | 30.17 грн |
| 2000+ | 27.86 грн |
| 5000+ | 26.55 грн |
| D44H11 |
|
Виробник: ST
Tranzystor NPN; 60; 1,67W; 80V; 10A; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: KSE44H11TU; D44H11; D44H11TU; D44H11G; D44H11 TD44H11 STM
кількість в упаковці: 10 шт
Tranzystor NPN; 60; 1,67W; 80V; 10A; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: KSE44H11TU; D44H11; D44H11TU; D44H11G; D44H11 TD44H11 STM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 30.36 грн |
| D44H11G |
|
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 70W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 70W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 40MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 10A; 70W; TO220AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 10A
Power dissipation: 70W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 40MHz
на замовлення 327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 74.46 грн |
| 8+ | 48.81 грн |
| 10+ | 42.92 грн |
| 21+ | 37.65 грн |
| 58+ | 35.67 грн |
| 250+ | 35.6 грн |
| D44H11G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 28.37 грн |
| D44H11G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS NPN 80V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 68.96 грн |
| 50+ | 53.36 грн |
| 100+ | 42.28 грн |
| 500+ | 33.63 грн |
| D44H11G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W NPN
Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W NPN
на замовлення 13121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 74.91 грн |
| 10+ | 59.25 грн |
| 100+ | 40.75 грн |
| 500+ | 34.57 грн |
| 1000+ | 27.54 грн |
| D44H11G |
|
Виробник: ON-Semicoductor
Transistor NPN; Bipolar; 80V; 20V; 50MHz; 10A; 2W; -55°C~150°C; D44H11G TD44H11G ONS
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor NPN; Bipolar; 80V; 20V; 50MHz; 10A; 2W; -55°C~150°C; D44H11G TD44H11G ONS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 42.31 грн |
| KSE44H11 |
|
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
на замовлення 11275 шт:
термін постачання 168-177 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 78.21 грн |
| 10+ | 63.26 грн |
| 100+ | 41.67 грн |
| 500+ | 29.57 грн |
| 1200+ | 27.8 грн |
| 2400+ | 26.48 грн |
| 6000+ | 26.22 грн |
| KSE44H11TU |
|
Виробник: ON-Semicoductor
Tranzystor NPN; 60; 1,67W; 80V; 10A; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: KSE44H11TU; D44H11; D44H11TU; D44H11G; KSE44H11TU TD44H11
кількість в упаковці: 7 шт
Tranzystor NPN; 60; 1,67W; 80V; 10A; 50MHz; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: KSE44H11TU; D44H11; D44H11TU; D44H11G; KSE44H11TU TD44H11
кількість в упаковці: 7 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 99.79 грн |
| KSH44H11ITU |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: IPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Description: TRANS NPN 80V 8A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: IPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 15982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 761+ | 25.6 грн |
| MJB44H11G |
|
Виробник: ON-Semicoductor
NPN 10A 80V 50W MJB44H11G, MJB44H11T4G, NJVMJB44H11T4G MJB44H11G TD44H11 d2pak
кількість в упаковці: 25 шт
NPN 10A 80V 50W MJB44H11G, MJB44H11T4G, NJVMJB44H11T4G MJB44H11G TD44H11 d2pak
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 32.41 грн |
| MJB44H11G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W NPN
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W NPN
на замовлення 10251 шт:
термін постачання 98-107 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 103.51 грн |
| 10+ | 82.38 грн |
| 100+ | 56.98 грн |
| 500+ | 49.49 грн |
| 1000+ | 40.88 грн |
| 3000+ | 39.3 грн |
| MJB44H11T4-A |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 50 W
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 50 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 82.46 грн |
| 10+ | 65.1 грн |
| 100+ | 50.63 грн |
| 500+ | 40.27 грн |
| MJB44H11T4-A |
|
Виробник: STMicroelectronics
Digital Transistors Automotive-grade low volt NPN power transistor
Digital Transistors Automotive-grade low volt NPN power transistor
на замовлення 7242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 88.94 грн |
| 10+ | 71.72 грн |
| 100+ | 48.9 грн |
| 500+ | 41.47 грн |
| 1000+ | 33.71 грн |
| 2000+ | 31.81 грн |
| 5000+ | 30.23 грн |
| MJB44H11T4-A |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 50 W
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 50 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 36.3 грн |
| 2000+ | 32.91 грн |
| MJB44H11T4G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W NPN
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W NPN
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 101.97 грн |
| 10+ | 74.52 грн |
| 100+ | 56.72 грн |
| 500+ | 54.48 грн |
| 800+ | 39.1 грн |
| 2400+ | 38.25 грн |
| MJB44H11T4G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 14534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 95.97 грн |
| 10+ | 75.51 грн |
| 100+ | 58.69 грн |
| MJB44H11T4G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 51.66 грн |
| 1600+ | 40.52 грн |
| 2400+ | 38.15 грн |
| 5600+ | 34.09 грн |
| MJB44H11T4G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 39.41 грн |
| MJD44H11-1G | |
|
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK3
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 85MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK3
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 85MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| MJD44H11-1G | |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
на замовлення 22718 шт:
термін постачання 91-100 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 49.91 грн |
| 10+ | 48.75 грн |
| 75+ | 25.96 грн |
| 525+ | 20.18 грн |
| 1050+ | 16.63 грн |
| 4200+ | 15.9 грн |
| MJD44H11AJ |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 41.94 грн |
| 10+ | 34.71 грн |
| 100+ | 24.14 грн |
| 500+ | 17.68 грн |
| 1000+ | 14.37 грн |
| MJD44H11AJ |
|
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT MJD44H11A/SOT428/DPAK
Bipolar Transistors - BJT MJD44H11A/SOT428/DPAK
на замовлення 16759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 42.78 грн |
| 10+ | 34.16 грн |
| 100+ | 21.88 грн |
| 500+ | 18.2 грн |
| 1000+ | 14.79 грн |
| 2500+ | 11.9 грн |
| 10000+ | 11.63 грн |
| MJD44H11AJ |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 14.22 грн |
| 5000+ | 12.99 грн |
| 12500+ | 12.07 грн |
| MJD44H11G | |
|
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 85MHz
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 85MHz
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 57.5 грн |
| 10+ | 47.92 грн |
| 21+ | 38.27 грн |
| 57+ | 36.15 грн |
| MJD44H11G | |
|
Виробник: ONS
Транз. Бипол. NPN DPAK-4/ POWER 10A 80V PLA
Транз. Бипол. NPN DPAK-4/ POWER 10A 80V PLA
на замовлення 141 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 27.72 грн |
| 12+ | 21.62 грн |
| MJD44H11G | |
|
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 85MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Frequency: 85MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 741 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 69.01 грн |
| 10+ | 59.72 грн |
| 21+ | 45.92 грн |
| 57+ | 43.37 грн |
| 750+ | 41.65 грн |
| MJD44H11G | |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Trans GP BJT NPN 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 30.75 грн |
| MJD44H11G | |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
на замовлення 4959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 60.65 грн |
| 10+ | 51.47 грн |
| 75+ | 35.55 грн |
| 525+ | 32.66 грн |
| 1050+ | 27.6 грн |
| 2475+ | 27.14 грн |
| MJD44H11G | |
|
Виробник: ON-Semicoductor
NPN 8A 80V 20W MJD44H11T4, MJD44H11G, MJD44H11-001 D44H11 TD44H11 dpak
кількість в упаковці: 25 шт
NPN 8A 80V 20W MJD44H11T4, MJD44H11G, MJD44H11-001 D44H11 TD44H11 dpak
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 39.23 грн |
| MJD44H11J |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 12.92 грн |
| 5000+ | 11.81 грн |
| MJD44H11J |
|
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 5126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 38.39 грн |
| 10+ | 31.56 грн |
| 100+ | 21.93 грн |
| 500+ | 16.07 грн |
| 1000+ | 13.06 грн |
| MJD44H11J |
|
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT MJD44H11/SOT428/DPAK
Bipolar Transistors - BJT MJD44H11/SOT428/DPAK
на замовлення 20785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 38.49 грн |
| 10+ | 32.72 грн |
| 100+ | 20.24 грн |
| 500+ | 16.04 грн |
| 1000+ | 13.01 грн |
| 2500+ | 10.78 грн |
| 10000+ | 10.25 грн |
| MJD44H11J |
|
Виробник: NXP
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 8A 160MHz 1.75W Surface Mount DPAK MJD44H11J DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD44H11J
кількість в упаковці: 10 шт
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 8A 160MHz 1.75W Surface Mount DPAK MJD44H11J DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD44H11J
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 53.22 грн |
| MJD44H11Q-13 |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q101
Description: PWR HI VOLTAGE TRANSISTOR TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.5 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 21.63 грн |
| 5000+ | 19.39 грн |
| MJD44H11RLG |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 5400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1800+ | 32.94 грн |
| 3600+ | 29.86 грн |
| 5400+ | 28.44 грн |
| MJD44H11RLG |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
на замовлення 21570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 77.44 грн |
| 10+ | 59.1 грн |
| 100+ | 43.77 грн |
| 500+ | 37.59 грн |
| 1000+ | 34.9 грн |
| 1800+ | 30.63 грн |
| 3600+ | 27.47 грн |
| MJD44H11RLG |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 74.64 грн |
| 10+ | 59.01 грн |
| 100+ | 45.93 грн |
| 500+ | 36.54 грн |
| MJD44H11T4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 28.75 грн |
| 25+ | 24.71 грн |
| 42+ | 18.96 грн |
| 115+ | 17.87 грн |
| MJD44H11T4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 34.5 грн |
| 25+ | 30.8 грн |
| 42+ | 22.76 грн |
| 115+ | 21.44 грн |
| MJD44H11T4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT NPN 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 14.49 грн |
| MJD44H11T4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur Switch
на замовлення 22803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 56.35 грн |
| 10+ | 47.84 грн |
| 100+ | 28.85 грн |
| 500+ | 24.64 грн |
| 1000+ | 21.42 грн |
| 2500+ | 18.2 грн |
| 5000+ | 17.68 грн |
| MJD44H11T4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 19.61 грн |
| MJD44H11T4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 2506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 51.9 грн |
| 10+ | 43.06 грн |
| 100+ | 29.83 грн |
| 500+ | 23.39 грн |
| 1000+ | 19.9 грн |
| MJD44H11T4-A |
|
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT Automotive-grade low volt NPN power transistor
Bipolar Transistors - BJT Automotive-grade low volt NPN power transistor
на замовлення 4464 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 67.01 грн |
| 10+ | 53.96 грн |
| 100+ | 36.54 грн |
| 500+ | 31.02 грн |
| 1000+ | 25.24 грн |
| 2500+ | 24.18 грн |
| 5000+ | 22.54 грн |
| MJD44H11T4-A |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 1945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 61.85 грн |
| 10+ | 48.54 грн |
| 100+ | 37.75 грн |
| 500+ | 30.03 грн |
| 1000+ | 24.47 грн |
| MJD44H11T4G |
|
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
Application: automotive industry
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
Application: automotive industry
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 32.66 грн |
| 25+ | 27.31 грн |
| 38+ | 20.95 грн |
| 104+ | 19.78 грн |
| MJD44H11T4G |
|
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK; automotive industry
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 8A
Power dissipation: 20W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 85MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 513 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 39.19 грн |
| 25+ | 34.04 грн |
| 38+ | 25.14 грн |
| 104+ | 23.74 грн |
| 2500+ | 23.41 грн |
| MJD44H11T4G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W NPN
на замовлення 15939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 52.06 грн |
| 10+ | 41.87 грн |
| 100+ | 26.55 грн |
| 500+ | 22.21 грн |
| 1000+ | 18.86 грн |
| 2500+ | 16.82 грн |
| 5000+ | 15.97 грн |
| MJF44H11G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans GP BJT NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 58.27 грн |
| MJF44H11G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W NPN
Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W NPN
на замовлення 10602 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 135.71 грн |
| 10+ | 108.83 грн |
| 100+ | 77.55 грн |
| 250+ | 75.58 грн |
| 500+ | 65.39 грн |
| 1000+ | 53.17 грн |
| 2600+ | 51.46 грн |
| MJF44H11G |
|
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 50.32 грн |
| NJVMJB44H11T4G |
|
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS NPN 80V 10A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 73342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 447+ | 43.98 грн |
| NJVMJB44H11T4G |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 80V TR
Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 80V TR
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 98-107 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 109.64 грн |
| 10+ | 88.43 грн |
| 100+ | 60.26 грн |
| 500+ | 51.06 грн |
| 800+ | 41.53 грн |
| 2400+ | 39.17 грн |
| 4800+ | 37.26 грн |
| NJVMJD44H11D3T4G |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
Description: TRANS NPN 80V 8A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 85MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 2176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 397.81 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]