Результат пошуку "45h11" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 683
Мінімальне замовлення: 807
Мінімальне замовлення: 807
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 34
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 30
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 1800
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 17
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 447
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
D45H11 | STMicroelectronics |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; TO220AB Mounting: THT Collector current: 10A Case: TO220AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Kind of package: tube |
на замовлення 245 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
D45H11 | STMicroelectronics |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; TO220AB Mounting: THT Collector current: 10A Case: TO220AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 245 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
D45H11 | STMicroelectronics |
Description: TRANS PNP 80V 10A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 50 W |
на замовлення 182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
D45H11 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch |
на замовлення 3002 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
D45H11 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 80V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
D45H11 | ST |
PNP 80V 10A 2W D45H11G TD45H11G кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 140 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
D45H11FP | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT PNP GEN PUR SWITCH |
на замовлення 2032 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
D45H11FP | STMicroelectronics |
Description: TRANS PNP 80V 10A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 36 W |
на замовлення 827 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
D45H11G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
D45H11G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W PNP |
на замовлення 3581 шт: термін постачання 144-153 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
KSH45H11ITU | onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 8A IPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: IPAK Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 97742 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
KSH45H11TM | Fairchild Semiconductor |
Description: TRANS PNP 80V 8A TO252-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 2812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
KSH45H11TM | onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: DPAK Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 4336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJB45H11G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W PNP |
на замовлення 3227 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJB45H11G | onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 10A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJB45H11T4G | onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 10A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: D2PAK Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 2893 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJB45H11T4G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W PNP |
на замовлення 1932 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJB45H11T4G | onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 10A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: D2PAK Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11-1G | ON Semiconductor | Транзистор PNP; Ptot, Вт = 1,75; Uceo, В = 80; Ic = 8 А; Тип монт. = вивідний; ft, МГц = 90; hFE = 40 @ 4 A, 1 В; Icutoff-max = 1 мкА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 В @ 400 мA, 8 A; Тексп, °С = -55...+150; I-PAK |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11-1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP |
на замовлення 10949 шт: термін постачання 833-842 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11AJ | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT MJD45H11A/SOT428/DPAK |
на замовлення 32219 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11AJ | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 8850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11AJ | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK Mounting: SMD Collector current: 8A Case: DPAK Frequency: 90MHz Type of transistor: PNP Power dissipation: 20W Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Kind of package: tube |
на замовлення 121 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11G | ON Semiconductor | Транзистор PNP; Ptot, Вт = 1,75; Uceo, В = 80; Ic = 8 А; Тип монт. = smd; ft, МГц = 90; hFE = 40 @ 4 А, 1 В; Icutoff-max = 1 мкА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 400 мА, 8 A; Тексп, °С = -55...+150; D-PAK |
на замовлення 90 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11G | ONS | Транз. Бипол. PNP DPAK-4/ POWER 10A 80V PLA |
на замовлення 100 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK Mounting: SMD Collector current: 8A Case: DPAK Frequency: 90MHz Type of transistor: PNP Power dissipation: 20W Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 121 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11G | onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 2155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
на замовлення 1623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP |
на замовлення 19468 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11G | ON-Semicoductor |
Transistor PNP; 60; 1,75W; 80V; 8A; 90MHz; -55°C~150°C; Substitute: MJD45H11RLG; MJD45H11TF; MJD45H11TM; MJD45H11G TMJD45h11 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11J | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT MJD45H11/SOT428/DPAK |
на замовлення 5791 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11J | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11J | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 11237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11J | NXP |
Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 8A 80MHz 1.75W Surface Mount DPAK MJD45H11J DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD45H11J кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 47 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11RLG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP |
на замовлення 4692 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11RLG | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11RLG | onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W |
на замовлення 3456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11T4 | STMicroelectronics |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK Mounting: SMD Collector current: 8A Case: DPAK Type of transistor: PNP Power dissipation: 20W Current gain: 40 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Kind of package: reel; tape |
на замовлення 333 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11T4 | STMicroelectronics |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK Mounting: SMD Collector current: 8A Case: DPAK Type of transistor: PNP Power dissipation: 20W Current gain: 40 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 333 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11T4 | STMicroelectronics |
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 20 W |
на замовлення 2011 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11T4 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11T4 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch |
на замовлення 1198 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11T4G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK Mounting: SMD Collector current: 8A Case: DPAK Frequency: 90MHz Type of transistor: PNP Power dissipation: 20W Current gain: 60 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Kind of package: reel; tape |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11T4G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK Mounting: SMD Collector current: 8A Case: DPAK Frequency: 90MHz Type of transistor: PNP Power dissipation: 20W Current gain: 60 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11T4G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11T4G | ON-Semicoductor |
Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK MJD45H11T4G MJD45H11T4 TMJD45h11t4 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 212 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11T4G | ON-Semicoductor |
Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK MJD45H11T4G MJD45H11T4 TMJD45h11t4 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJD45H11T4G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP |
на замовлення 62250 шт: термін постачання 187-196 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJF45H11G | ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; 36W; TO220FP Mounting: THT Collector current: 10A Case: TO220FP Type of transistor: PNP Power dissipation: 36W Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Kind of package: tube |
на замовлення 228 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJF45H11G | ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; 36W; TO220FP Mounting: THT Collector current: 10A Case: TO220FP Type of transistor: PNP Power dissipation: 36W Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 228 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MJF45H11G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W PNP |
на замовлення 13212 шт: термін постачання 662-671 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NJVMJB45H11T4G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 8A 80V TR |
на замовлення 6938 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NJVMJB45H11T4G | onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 10A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: D2PAK Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W |
на замовлення 25434 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NJVMJD45H11G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT Bipolar Power Transistor, PNP, 8 A, 80 V, 20 Watt |
на замовлення 880 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NJVMJD45H11G | onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NJVMJD45H11RLG | onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NJVMJD45H11T4G | onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.75 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NJVMJD45H11T4G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT Bipolar Power Transistor, PNP, 8 A, 80 V, 20 Watt |
на замовлення 4082 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NJVMJK45H11TWG | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP PWR XTSR 8A/80V LFPAK56 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 682-691 дні (днів) |
|
D45H11 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; TO220AB
Mounting: THT
Collector current: 10A
Case: TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Kind of package: tube
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; TO220AB
Mounting: THT
Collector current: 10A
Case: TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Kind of package: tube
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 65.12 грн |
8+ | 48.1 грн |
10+ | 41.91 грн |
24+ | 34.35 грн |
64+ | 32.29 грн |
D45H11 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; TO220AB
Mounting: THT
Collector current: 10A
Case: TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; TO220AB
Mounting: THT
Collector current: 10A
Case: TO220AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 245 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 78.14 грн |
5+ | 59.94 грн |
10+ | 50.3 грн |
24+ | 41.23 грн |
64+ | 38.75 грн |
D45H11 |
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS PNP 80V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 50 W
Description: TRANS PNP 80V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 88.48 грн |
50+ | 68.02 грн |
100+ | 53.91 грн |
D45H11 |
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch
Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch
на замовлення 3002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 75.88 грн |
10+ | 58.79 грн |
100+ | 45.12 грн |
1000+ | 36.74 грн |
2000+ | 34.63 грн |
5000+ | 31.79 грн |
10000+ | 31.13 грн |
D45H11 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT PNP 80V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT PNP 80V 10A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 24.93 грн |
D45H11 |
на замовлення 140 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 33.51 грн |
D45H11FP |
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT PNP GEN PUR SWITCH
Bipolar Transistors - BJT PNP GEN PUR SWITCH
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 120.05 грн |
10+ | 95.58 грн |
100+ | 68.6 грн |
250+ | 63.19 грн |
500+ | 57.25 грн |
1000+ | 45.12 грн |
D45H11FP |
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS PNP 80V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 36 W
Description: TRANS PNP 80V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 36 W
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 110.6 грн |
50+ | 85.85 грн |
100+ | 70.63 грн |
500+ | 56.08 грн |
D45H11G |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans GP BJT PNP 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 21.09 грн |
D45H11G |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W PNP
Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W PNP
на замовлення 3581 шт:
термін постачання 144-153 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 65.1 грн |
10+ | 52.72 грн |
100+ | 33.24 грн |
500+ | 27.77 грн |
1000+ | 20.58 грн |
5000+ | 20.51 грн |
KSH45H11ITU |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 8A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: IPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Description: TRANS PNP 80V 8A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: IPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 97742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
683+ | 28.99 грн |
KSH45H11TM |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS PNP 80V 8A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Description: TRANS PNP 80V 8A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 2812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
807+ | 24.38 грн |
KSH45H11TM |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 4336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
807+ | 24.38 грн |
MJB45H11G |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W PNP
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W PNP
на замовлення 3227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 103.12 грн |
10+ | 81.92 грн |
100+ | 56 грн |
500+ | 47.49 грн |
1000+ | 37.86 грн |
3000+ | 36.41 грн |
5000+ | 33.9 грн |
MJB45H11G |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS PNP 80V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 92.76 грн |
50+ | 71.64 грн |
100+ | 56.76 грн |
MJB45H11T4G |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS PNP 80V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 2893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 86.34 грн |
10+ | 67.95 грн |
100+ | 52.84 грн |
MJB45H11T4G |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W PNP
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 50W PNP
на замовлення 1932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 93.11 грн |
10+ | 75.48 грн |
100+ | 51.05 грн |
500+ | 43.27 грн |
800+ | 35.29 грн |
2400+ | 34.43 грн |
MJB45H11T4G |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS PNP 80V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 46.52 грн |
1600+ | 36.49 грн |
2400+ | 34.35 грн |
MJD45H11-1G |
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор PNP; Ptot, Вт = 1,75; Uceo, В = 80; Ic = 8 А; Тип монт. = вивідний; ft, МГц = 90; hFE = 40 @ 4 A, 1 В; Icutoff-max = 1 мкА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 В @ 400 мA, 8 A; Тексп, °С = -55...+150; I-PAK
Транзистор PNP; Ptot, Вт = 1,75; Uceo, В = 80; Ic = 8 А; Тип монт. = вивідний; ft, МГц = 90; hFE = 40 @ 4 A, 1 В; Icutoff-max = 1 мкА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 В @ 400 мA, 8 A; Тексп, °С = -55...+150; I-PAK
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 62.4 грн |
100+ | 20.28 грн |
MJD45H11-1G |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP
на замовлення 10949 шт:
термін постачання 833-842 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 77.72 грн |
10+ | 59.93 грн |
75+ | 37.93 грн |
525+ | 32.85 грн |
1050+ | 29.35 грн |
1950+ | 26.32 грн |
5850+ | 26.05 грн |
MJD45H11AJ |
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT MJD45H11A/SOT428/DPAK
Bipolar Transistors - BJT MJD45H11A/SOT428/DPAK
на замовлення 32219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 42.94 грн |
10+ | 34.51 грн |
100+ | 21.64 грн |
500+ | 17.94 грн |
1000+ | 15.57 грн |
2500+ | 11.81 грн |
MJD45H11AJ |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 39.24 грн |
10+ | 32.77 грн |
100+ | 22.71 грн |
500+ | 17.81 грн |
1000+ | 15.15 грн |
MJD45H11AJ |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 14.94 грн |
5000+ | 13.63 грн |
MJD45H11G |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Mounting: SMD
Collector current: 8A
Case: DPAK
Frequency: 90MHz
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 20W
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Kind of package: tube
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Mounting: SMD
Collector current: 8A
Case: DPAK
Frequency: 90MHz
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 20W
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Kind of package: tube
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 63.71 грн |
10+ | 53.25 грн |
20+ | 40.24 грн |
55+ | 38.05 грн |
MJD45H11G |
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор PNP; Ptot, Вт = 1,75; Uceo, В = 80; Ic = 8 А; Тип монт. = smd; ft, МГц = 90; hFE = 40 @ 4 А, 1 В; Icutoff-max = 1 мкА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 400 мА, 8 A; Тексп, °С = -55...+150; D-PAK
Транзистор PNP; Ptot, Вт = 1,75; Uceo, В = 80; Ic = 8 А; Тип монт. = smd; ft, МГц = 90; hFE = 40 @ 4 А, 1 В; Icutoff-max = 1 мкА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1 @ 400 мА, 8 A; Тексп, °С = -55...+150; D-PAK
на замовлення 90 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
34+ | 18.53 грн |
37+ | 17.28 грн |
100+ | 16.05 грн |
MJD45H11G |
Виробник: ONS
Транз. Бипол. PNP DPAK-4/ POWER 10A 80V PLA
Транз. Бипол. PNP DPAK-4/ POWER 10A 80V PLA
на замовлення 100 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 20.69 грн |
17+ | 15.17 грн |
MJD45H11G |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Mounting: SMD
Collector current: 8A
Case: DPAK
Frequency: 90MHz
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 20W
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Mounting: SMD
Collector current: 8A
Case: DPAK
Frequency: 90MHz
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 20W
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 121 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 76.45 грн |
10+ | 66.36 грн |
20+ | 48.29 грн |
55+ | 45.66 грн |
750+ | 44.61 грн |
MJD45H11G |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 2155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 70.64 грн |
75+ | 54.5 грн |
150+ | 43.18 грн |
525+ | 34.35 грн |
1050+ | 27.98 грн |
2025+ | 26.34 грн |
MJD45H11G |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
на замовлення 1623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 29.01 грн |
MJD45H11G |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP
на замовлення 19468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 75.88 грн |
10+ | 61.67 грн |
75+ | 41.69 грн |
525+ | 35.36 грн |
1050+ | 28.76 грн |
2400+ | 27.11 грн |
4800+ | 25.86 грн |
MJD45H11G |
Виробник: ON-Semicoductor
Transistor PNP; 60; 1,75W; 80V; 8A; 90MHz; -55°C~150°C; Substitute: MJD45H11RLG; MJD45H11TF; MJD45H11TM; MJD45H11G TMJD45h11
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor PNP; 60; 1,75W; 80V; 8A; 90MHz; -55°C~150°C; Substitute: MJD45H11RLG; MJD45H11TF; MJD45H11TM; MJD45H11G TMJD45h11
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 36.03 грн |
MJD45H11J |
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT MJD45H11/SOT428/DPAK
Bipolar Transistors - BJT MJD45H11/SOT428/DPAK
на замовлення 5791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 41.48 грн |
10+ | 35.35 грн |
100+ | 22.23 грн |
500+ | 17.35 грн |
1000+ | 13.79 грн |
2500+ | 12.27 грн |
10000+ | 11.21 грн |
MJD45H11J |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 14.09 грн |
5000+ | 12.87 грн |
MJD45H11J |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 11237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 41.38 грн |
10+ | 34.35 грн |
100+ | 23.91 грн |
500+ | 17.52 грн |
1000+ | 14.24 грн |
MJD45H11J |
Виробник: NXP
Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 8A 80MHz 1.75W Surface Mount DPAK MJD45H11J DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD45H11J
кількість в упаковці: 10 шт
Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 8A 80MHz 1.75W Surface Mount DPAK MJD45H11J DPAK(SOT428C) NEXPERIA TMJD45H11J
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 18.93 грн |
MJD45H11RLG |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP
на замовлення 4692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 65.87 грн |
10+ | 54.31 грн |
100+ | 37.47 грн |
500+ | 32.91 грн |
1000+ | 30.01 грн |
1800+ | 26.25 грн |
3600+ | 24.34 грн |
MJD45H11RLG |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1800+ | 27.63 грн |
MJD45H11RLG |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
на замовлення 3456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 67.07 грн |
10+ | 52.91 грн |
100+ | 41.14 грн |
500+ | 32.72 грн |
MJD45H11T4 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Mounting: SMD
Collector current: 8A
Case: DPAK
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 20W
Current gain: 40
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Kind of package: reel; tape
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Mounting: SMD
Collector current: 8A
Case: DPAK
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 20W
Current gain: 40
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 34.04 грн |
12+ | 28.86 грн |
37+ | 21.71 грн |
101+ | 20.48 грн |
MJD45H11T4 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Mounting: SMD
Collector current: 8A
Case: DPAK
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 20W
Current gain: 40
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Mounting: SMD
Collector current: 8A
Case: DPAK
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 20W
Current gain: 40
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 333 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 40.84 грн |
10+ | 35.96 грн |
37+ | 26.05 грн |
101+ | 24.57 грн |
MJD45H11T4 |
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 2011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 62.08 грн |
10+ | 49.06 грн |
100+ | 38.15 грн |
500+ | 30.35 грн |
1000+ | 24.72 грн |
MJD45H11T4 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 15.85 грн |
MJD45H11T4 |
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch
Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur Switch
на замовлення 1198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 66.57 грн |
10+ | 54.46 грн |
100+ | 36.87 грн |
500+ | 31.2 грн |
1000+ | 25.46 грн |
2500+ | 23.94 грн |
5000+ | 22.82 грн |
MJD45H11T4G |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Mounting: SMD
Collector current: 8A
Case: DPAK
Frequency: 90MHz
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 20W
Current gain: 60
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Kind of package: reel; tape
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Mounting: SMD
Collector current: 8A
Case: DPAK
Frequency: 90MHz
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 20W
Current gain: 60
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 62.16 грн |
10+ | 34.63 грн |
25+ | 31.19 грн |
36+ | 22.67 грн |
MJD45H11T4G |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Mounting: SMD
Collector current: 8A
Case: DPAK
Frequency: 90MHz
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 20W
Current gain: 60
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 8A; 20W; DPAK
Mounting: SMD
Collector current: 8A
Case: DPAK
Frequency: 90MHz
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 20W
Current gain: 60
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 74.59 грн |
6+ | 43.15 грн |
25+ | 37.43 грн |
36+ | 27.21 грн |
97+ | 25.72 грн |
MJD45H11T4G |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans GP BJT PNP 80V 8A 1750mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
17+ | 18.85 грн |
MJD45H11T4G |
Виробник: ON-Semicoductor
Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK MJD45H11T4G MJD45H11T4 TMJD45h11t4
кількість в упаковці: 100 шт
Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK MJD45H11T4G MJD45H11T4 TMJD45h11t4
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 212 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 18.44 грн |
MJD45H11T4G |
Виробник: ON-Semicoductor
Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK MJD45H11T4G MJD45H11T4 TMJD45h11t4
кількість в упаковці: 100 шт
Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK MJD45H11T4G MJD45H11T4 TMJD45h11t4
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 18.44 грн |
MJD45H11T4G |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP
Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP
на замовлення 62250 шт:
термін постачання 187-196 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 51.56 грн |
10+ | 45.06 грн |
100+ | 26.71 грн |
500+ | 22.36 грн |
1000+ | 19 грн |
2500+ | 17.22 грн |
5000+ | 16.89 грн |
MJF45H11G |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; 36W; TO220FP
Mounting: THT
Collector current: 10A
Case: TO220FP
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 36W
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Kind of package: tube
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; 36W; TO220FP
Mounting: THT
Collector current: 10A
Case: TO220FP
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 36W
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Kind of package: tube
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 99.63 грн |
10+ | 87.26 грн |
12+ | 71.46 грн |
31+ | 68.02 грн |
MJF45H11G |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; 36W; TO220FP
Mounting: THT
Collector current: 10A
Case: TO220FP
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 36W
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 10A; 36W; TO220FP
Mounting: THT
Collector current: 10A
Case: TO220FP
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 36W
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 228 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 141.18 грн |
3+ | 124.15 грн |
10+ | 104.71 грн |
12+ | 85.75 грн |
31+ | 81.63 грн |
MJF45H11G |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W PNP
Bipolar Transistors - BJT 10A 80V 50W PNP
на замовлення 13212 шт:
термін постачання 662-671 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 113.89 грн |
10+ | 91.78 грн |
100+ | 61.94 грн |
500+ | 52.97 грн |
700+ | 43.14 грн |
2800+ | 40.57 грн |
NJVMJB45H11T4G |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 8A 80V TR
Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 8A 80V TR
на замовлення 6938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 111.58 грн |
10+ | 90.27 грн |
100+ | 61.94 грн |
500+ | 49.47 грн |
800+ | 42.35 грн |
2400+ | 39.77 грн |
4800+ | 37.86 грн |
NJVMJB45H11T4G |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 10A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
Description: TRANS PNP 80V 10A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 25434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
447+ | 44.14 грн |
NJVMJD45H11G |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT Bipolar Power Transistor, PNP, 8 A, 80 V, 20 Watt
Bipolar Transistors - BJT Bipolar Power Transistor, PNP, 8 A, 80 V, 20 Watt
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 67.26 грн |
10+ | 58.18 грн |
75+ | 30.67 грн |
525+ | 25.79 грн |
1050+ | 21.5 грн |
2550+ | 20.65 грн |
5100+ | 19.92 грн |
NJVMJD45H11G |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 4A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 62.08 грн |
75+ | 49.17 грн |
150+ | 35.69 грн |
525+ | 27.98 грн |
1050+ | 23.81 грн |
2025+ | 21.21 грн |
5025+ | 19.76 грн |
NJVMJD45H11RLG |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 60.65 грн |
10+ | 47.68 грн |
100+ | 37.1 грн |
500+ | 29.51 грн |
NJVMJD45H11T4G |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS PNP 80V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 1V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.75 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 61.36 грн |
10+ | 48.3 грн |
100+ | 37.57 грн |
500+ | 29.89 грн |
1000+ | 24.35 грн |
NJVMJD45H11T4G |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT Bipolar Power Transistor, PNP, 8 A, 80 V, 20 Watt
Bipolar Transistors - BJT Bipolar Power Transistor, PNP, 8 A, 80 V, 20 Watt
на замовлення 4082 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 65.87 грн |
10+ | 53.63 грн |
100+ | 36.34 грн |
500+ | 30.74 грн |
1000+ | 25 грн |
2500+ | 24.08 грн |
5000+ | 22.95 грн |
NJVMJK45H11TWG |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT BIP PWR XTSR 8A/80V LFPAK56
Bipolar Transistors - BJT BIP PWR XTSR 8A/80V LFPAK56
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 682-691 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 70.87 грн |
10+ | 57.65 грн |
100+ | 38.98 грн |
500+ | 33.05 грн |
1000+ | 26.91 грн |
3000+ | 25.33 грн |
6000+ | 24.08 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]