Результат пошуку "4n60" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 15
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 30
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 300
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SPU04N60C3 TO-251-3 Код товару: 161246 |
Транзистори > Польові N-канальні |
у наявності: 1 шт
|
|
||||||||||||||||
SPW24N60C3 Код товару: 37627 |
Infineon |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: PG-TO247 Uds,V: 650 V Idd,A: 24,3 A Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104 Монтаж: THT |
у наявності: 40 шт
|
|
|||||||||||||||
SSS4N60B Код товару: 27298 |
FS |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 600 V Idd,A: 2,3 A Rds(on), Ohm: 2,5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 710/22 Примітка: Ізольований корпус Монтаж: THT |
у наявності: 25 шт
|
|
|||||||||||||||
4N60 | to-220/f | AAT |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
4N60 AAT | TO-220/F 08+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
25C24-N60-I5-AD-DA | Advanced Energy | Non-Isolated DC/DC Converters HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -25kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls, Arc detection, Male DA-15 type connector |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
4C24-N60 | Advanced Energy | Non-Isolated DC/DC Converters HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -4000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AOD4N60 | ALPHA&OMEGA |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AOT4N60 | ALPHA&OMEGA |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AOTF4N60 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220F |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AOTF4N60 | ALPHA&OMEGA |
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
APT94N60L2C3G | Microchip Technology | MOSFET MOSFET COOLMOS 600 V 94 A TO-264 MAX |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BXP4N60D | BRIDGELUX |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 77W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 13.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 840 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BXP4N60D | BRIDGELUX |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 77W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 13.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 840 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCD4N60TM | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCD4N60TM | onsemi / Fairchild | MOSFET N-CH/600V/7A/ SuperFET |
на замовлення 3656 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCH104N60F | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCH104N60F | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel SuperFET |
на замовлення 3942 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCH104N60F-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFET 600V N-Channel SuperFET II MOSFET |
на замовлення 1344 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCP104N60 | onsemi / Fairchild | MOSFET SuperFET2 600V Fast ver |
на замовлення 1056 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCP104N60F | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO |
на замовлення 999 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FQA24N60 | onsemi / Fairchild | MOSFET 600V N-Channel QFET |
на замовлення 132 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FQA24N60 | ON-Semicoductor |
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGU04N60T | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop |
на замовлення 898 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGU04N60TAKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 4A Power dissipation: 42W Case: TO251 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 12A Mounting: THT Gate charge: 27nC Kind of package: tube Turn-on time: 21ns Turn-off time: 207ns |
на замовлення 1179 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGU04N60TAKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 4A Power dissipation: 42W Case: TO251 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 12A Mounting: THT Gate charge: 27nC Kind of package: tube Turn-on time: 21ns Turn-off time: 207ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1179 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKD04N60R | Infineon |
8A; 600V; 75W; IGBT w/ Diode IKD04N60R TIKD04n60r кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKD04N60RATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A |
на замовлення 4079 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKD04N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 |
на замовлення 10781 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKD04N60RFATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A |
на замовлення 2330 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKN04N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 |
на замовлення 2994 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKP04N60T | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 4A |
на замовлення 498 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKP04N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 4A Power dissipation: 42W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 12A Mounting: THT Gate charge: 27nC Kind of package: tube Turn-on time: 21ns Turn-off time: 207ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 363 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKP04N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 4A Power dissipation: 42W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 12A Mounting: THT Gate charge: 27nC Kind of package: tube Turn-on time: 21ns Turn-off time: 207ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 363 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFA14N60P | IXYS | MOSFET 600V 14A |
на замовлення 403 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFA24N60X | IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 400W Case: TO263 On-state resistance: 0.175Ω Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 140ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 29 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFH14N60P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IXFH14N60P | IXYS | MOSFET 600V 14A |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFH24N60X | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO247-3; 140ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 24A Power dissipation: 400W Case: TO247-3 On-state resistance: 0.175Ω Mounting: THT Gate charge: 47nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 140ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFH34N60X2A | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W On-state resistance: 0.1Ω Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 540W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Gate charge: 56nC Technology: HiPerFET™; X2-Class Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 68A Mounting: THT Case: TO247-3 Reverse recovery time: 164ns Drain-source voltage: 600V Drain current: 34A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFK44N60 | IXYS | MOSFET DIODE Id44 BVdass600 |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFK64N60P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar3™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 64A Power dissipation: 1.13kW Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 145nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 250ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFK64N60P3 | IXYS | MOSFET 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET |
на замовлення 623 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFK64N60Q3 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 64A Power dissipation: 1.25kW Case: TO264 On-state resistance: 95mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.19µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 17 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFN64N60P | IXYS | Discrete Semiconductor Modules 600V 64A |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFN64N60P | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin SOT-227B |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
IXFP14N60P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Power dissipation: 300W Case: TO220AB On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFP14N60P | IXYS | MOSFET 600V 14A |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFX64N60P | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 |
на замовлення 310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFX64N60P | IXYS | MOSFET MOSFET |
на замовлення 620 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFX64N60P3 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 |
на замовлення 231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
IXFX64N60P3 | IXYS | MOSFET 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET |
на замовлення 508 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP14N60X2 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 180W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Gate charge: 16.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTY14N60X2 | IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 180W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: SMD Gate charge: 16.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 39 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTY14N60X2 | IXYS | MOSFET MSFT N-CH THROUGH HOLE |
на замовлення 518 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PJMH074N60FRC | Panjit | MOSFET 600V 74m ohms 53A Fast Recovery Qrr trr Ruggednss |
на замовлення 1470 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PJMH074N60FRC_T0_00601 | Panjit | MOSFET 600V 74mohm 53A Fast Recovery Qrr trr SJ MOSFET |
на замовлення 1491 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SiHA14N60E-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK |
на замовлення 799 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHD14N60E-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 600V |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SiHD14N60E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252) |
на замовлення 483 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
SPW24N60C3 Код товару: 37627 |
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: PG-TO247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 24,3 A
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: PG-TO247
Uds,V: 650 V
Idd,A: 24,3 A
Rds(on), Ohm: 0,16 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3000/104
Монтаж: THT
у наявності: 40 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 285 грн |
10+ | 269 грн |
SSS4N60B Код товару: 27298 |
Виробник: FS
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 2,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 710/22
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 2,3 A
Rds(on), Ohm: 2,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 710/22
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 25 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 35 грн |
10+ | 31.1 грн |
25C24-N60-I5-AD-DA |
Виробник: Advanced Energy
Non-Isolated DC/DC Converters HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -25kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls, Arc detection, Male DA-15 type connector
Non-Isolated DC/DC Converters HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -25kV DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, I5 Interface 0 to +5 Monitors/Controls, Arc detection, Male DA-15 type connector
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 115125.82 грн |
4C24-N60 |
Виробник: Advanced Energy
Non-Isolated DC/DC Converters HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -4000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
Non-Isolated DC/DC Converters HPC-Series DC to HVDC Converter, Single output (Unipolar), +24V Input, -4000V DC HVout, 60W, Chassis/Thru-hole Mount, Regulated, Standard Interface
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 81150.77 грн |
5+ | 78635.62 грн |
10+ | 67198.49 грн |
25+ | 63885.58 грн |
50+ | 61913.35 грн |
100+ | 61891.67 грн |
250+ | 61875.24 грн |
AOD4N60 |
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,3Ohm; 4A; 104W; -50°C ~ 150°C; AOD4N60 TAOD4n60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 41.79 грн |
AOT4N60 |
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 104W; -55°C ~ 150°C; AOT4N60 TAOT4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 22.35 грн |
AOTF4N60 |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220F
Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220F
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 16.64 грн |
AOTF4N60 |
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 2,2Ohm; 4A; 35W; -55°C ~ 150°C; AOTF4N60 TAOTF4n60
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 26.44 грн |
APT94N60L2C3G |
Виробник: Microchip Technology
MOSFET MOSFET COOLMOS 600 V 94 A TO-264 MAX
MOSFET MOSFET COOLMOS 600 V 94 A TO-264 MAX
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1822.5 грн |
10+ | 1788.15 грн |
25+ | 1551.63 грн |
100+ | 1378.79 грн |
BXP4N60D |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 20.5 грн |
25+ | 17.11 грн |
60+ | 13.56 грн |
165+ | 12.82 грн |
500+ | 12.66 грн |
BXP4N60D |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 840 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 24.59 грн |
25+ | 21.33 грн |
60+ | 16.27 грн |
165+ | 15.38 грн |
500+ | 15.2 грн |
2500+ | 14.79 грн |
FCD4N60TM |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 3.9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 47.31 грн |
FCD4N60TM |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET N-CH/600V/7A/ SuperFET
MOSFET N-CH/600V/7A/ SuperFET
на замовлення 3656 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 80.51 грн |
10+ | 67.64 грн |
100+ | 51.85 грн |
250+ | 51.72 грн |
500+ | 46.53 грн |
1000+ | 42.59 грн |
2500+ | 41.8 грн |
FCH104N60F |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 37A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 233.85 грн |
FCH104N60F |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET N-Channel SuperFET
MOSFET N-Channel SuperFET
на замовлення 3942 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 475.37 грн |
10+ | 403.58 грн |
25+ | 257.62 грн |
100+ | 256.3 грн |
250+ | 254.99 грн |
450+ | 220.16 грн |
FCH104N60F-F085 |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 600V N-Channel SuperFET II MOSFET
MOSFET 600V N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 1344 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 430.9 грн |
10+ | 364.28 грн |
25+ | 251.7 грн |
100+ | 210.3 грн |
250+ | 204.39 грн |
900+ | 203.73 грн |
2700+ | 199.13 грн |
FCP104N60 |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET SuperFET2 600V Fast ver
MOSFET SuperFET2 600V Fast ver
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 427.06 грн |
10+ | 351.43 грн |
50+ | 236.59 грн |
100+ | 214.9 грн |
250+ | 214.24 грн |
500+ | 179.41 грн |
800+ | 177.44 грн |
FCP104N60F |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO
MOSFET N-Channel SuperFET II FRFET MOSFET 600V, 37A, 104mO
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 424 грн |
10+ | 366.55 грн |
50+ | 213.59 грн |
100+ | 203.73 грн |
800+ | 178.76 грн |
FQA24N60 |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 600V N-Channel QFET
MOSFET 600V N-Channel QFET
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 535.17 грн |
10+ | 448.93 грн |
25+ | 344.37 грн |
100+ | 342.4 грн |
250+ | 306.25 грн |
450+ | 287.85 грн |
900+ | 262.88 грн |
FQA24N60 |
Виробник: ON-Semicoductor
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
кількість в упаковці: 2 шт
Trans MOSFET N-CH 600V 23.5A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail FQA24N60 Fairchild TFQA24n60
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 263.38 грн |
IGU04N60T |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 73.45 грн |
10+ | 57.89 грн |
100+ | 39.89 грн |
500+ | 33.78 грн |
1000+ | 27.54 грн |
1500+ | 26.94 грн |
10500+ | 26.42 грн |
IGU04N60TAKMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
на замовлення 1179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 67.09 грн |
10+ | 52.03 грн |
22+ | 37.24 грн |
59+ | 35.19 грн |
IGU04N60TAKMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO251
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO251
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1179 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 80.51 грн |
10+ | 64.83 грн |
22+ | 44.69 грн |
59+ | 42.22 грн |
1800+ | 40.75 грн |
IKD04N60R |
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 43.5 грн |
IKD04N60RATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
на замовлення 4079 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 52.75 грн |
10+ | 44.14 грн |
100+ | 31.55 грн |
500+ | 27.67 грн |
1000+ | 23.66 грн |
2500+ | 23 грн |
5000+ | 22.48 грн |
IKD04N60RC2ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 10781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 61.34 грн |
10+ | 49.35 грн |
100+ | 33.45 грн |
500+ | 28.32 грн |
1000+ | 23.13 грн |
2500+ | 21.03 грн |
5000+ | 20.5 грн |
IKD04N60RFATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 8A
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 74.14 грн |
10+ | 56 грн |
100+ | 40.09 грн |
500+ | 34.63 грн |
1000+ | 28.26 грн |
2500+ | 26.62 грн |
5000+ | 25.3 грн |
IKN04N60RC2ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 59.88 грн |
10+ | 52.07 грн |
100+ | 30.89 грн |
500+ | 25.76 грн |
1000+ | 22.54 грн |
3000+ | 19.12 грн |
6000+ | 18.47 грн |
IKP04N60T |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 4A
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 4A
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 96.61 грн |
10+ | 80.11 грн |
100+ | 57.18 грн |
500+ | 48.57 грн |
1000+ | 39.5 грн |
2500+ | 37.92 грн |
IKP04N60TXKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 74.62 грн |
10+ | 66.4 грн |
14+ | 60.24 грн |
37+ | 56.82 грн |
250+ | 55.45 грн |
IKP04N60TXKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 4A; 42W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 4A
Power dissipation: 42W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 12A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 207ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 363 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 92.99 грн |
10+ | 79.68 грн |
14+ | 72.29 грн |
37+ | 68.18 грн |
250+ | 66.54 грн |
IXFA14N60P |
Виробник: IXYS
MOSFET 600V 14A
MOSFET 600V 14A
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 358.06 грн |
10+ | 296.26 грн |
50+ | 214.9 грн |
100+ | 159.7 грн |
IXFA24N60X |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO263; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO263
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 436.15 грн |
3+ | 378.77 грн |
4+ | 289.99 грн |
10+ | 274.38 грн |
IXFH14N60P |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXFH14N60P |
Виробник: IXYS
MOSFET 600V 14A
MOSFET 600V 14A
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 417.86 грн |
10+ | 356.72 грн |
30+ | 300.99 грн |
120+ | 251.05 грн |
IXFH24N60X |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO247-3; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 400W; TO247-3; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 24A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 140ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 522.85 грн |
3+ | 365.97 грн |
8+ | 332.7 грн |
IXFH34N60X2A |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 540W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 68A
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 164ns
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 600V; 34A; Idm: 68A; 540W
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 540W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Gate charge: 56nC
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 68A
Mounting: THT
Case: TO247-3
Reverse recovery time: 164ns
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 34A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 558.23 грн |
3+ | 478.58 грн |
6+ | 436.21 грн |
10+ | 434.57 грн |
30+ | 419.78 грн |
IXFK44N60 |
Виробник: IXYS
MOSFET DIODE Id44 BVdass600
MOSFET DIODE Id44 BVdass600
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1999.61 грн |
10+ | 1834.25 грн |
25+ | 1355.79 грн |
100+ | 1331.47 грн |
250+ | 1242.75 грн |
500+ | 1148.11 грн |
1000+ | 1142.86 грн |
IXFK64N60P3 |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar3™; unipolar; 600V; 64A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1117.35 грн |
2+ | 774.6 грн |
4+ | 705.66 грн |
IXFK64N60P3 |
Виробник: IXYS
MOSFET 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
MOSFET 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 990.61 грн |
10+ | 860.07 грн |
25+ | 727.51 грн |
50+ | 686.77 грн |
100+ | 646.68 грн |
250+ | 626.3 грн |
500+ | 607.24 грн |
IXFK64N60Q3 |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 64A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 64A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2342.63 грн |
2+ | 2136.13 грн |
25+ | 2020.86 грн |
IXFN64N60P |
Виробник: IXYS
Discrete Semiconductor Modules 600V 64A
Discrete Semiconductor Modules 600V 64A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2469.62 грн |
10+ | 2203.07 грн |
20+ | 1908.48 грн |
50+ | 1825.68 грн |
100+ | 1675.18 грн |
200+ | 1641.66 грн |
IXFN64N60P |
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin SOT-227B
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 4-Pin SOT-227B
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IXFP14N60P |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 325.56 грн |
3+ | 282.37 грн |
5+ | 205.37 грн |
13+ | 193.87 грн |
IXFP14N60P |
Виробник: IXYS
MOSFET 600V 14A
MOSFET 600V 14A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 346.56 грн |
10+ | 287.19 грн |
50+ | 235.27 грн |
100+ | 176.13 грн |
250+ | 164.3 грн |
500+ | 162.33 грн |
1000+ | 151.15 грн |
IXFX64N60P |
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Trans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
300+ | 309.76 грн |
IXFX64N60P |
Виробник: IXYS
MOSFET MOSFET
MOSFET MOSFET
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1531.91 грн |
10+ | 1341.49 грн |
30+ | 1021.93 грн |
60+ | 1006.16 грн |
120+ | 973.3 грн |
270+ | 931.9 грн |
510+ | 876.04 грн |
IXFX64N60P3 |
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
Trans MOSFET N-CH 600V 64A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IXFX64N60P3 |
Виробник: IXYS
MOSFET 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
MOSFET 600V 64A 0.095Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 982.17 грн |
10+ | 853.26 грн |
30+ | 640.76 грн |
60+ | 638.13 грн |
IXTP14N60X2 |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 362.72 грн |
3+ | 314.79 грн |
5+ | 229.2 грн |
12+ | 216.87 грн |
50+ | 216.05 грн |
IXTY14N60X2 |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; Idm: 18A; 180W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 180W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 334.41 грн |
5+ | 220.1 грн |
13+ | 199.62 грн |
IXTY14N60X2 |
Виробник: IXYS
MOSFET MSFT N-CH THROUGH HOLE
MOSFET MSFT N-CH THROUGH HOLE
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 354.99 грн |
10+ | 294.75 грн |
25+ | 241.19 грн |
70+ | 206.36 грн |
280+ | 191.24 грн |
560+ | 180.07 грн |
1050+ | 147.87 грн |
PJMH074N60FRC |
Виробник: Panjit
MOSFET 600V 74m ohms 53A Fast Recovery Qrr trr Ruggednss
MOSFET 600V 74m ohms 53A Fast Recovery Qrr trr Ruggednss
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 583.48 грн |
10+ | 492.76 грн |
30+ | 388.4 грн |
120+ | 356.2 грн |
270+ | 335.82 грн |
510+ | 314.79 грн |
1020+ | 283.25 грн |
PJMH074N60FRC_T0_00601 |
Виробник: Panjit
MOSFET 600V 74mohm 53A Fast Recovery Qrr trr SJ MOSFET
MOSFET 600V 74mohm 53A Fast Recovery Qrr trr SJ MOSFET
на замовлення 1491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 568.14 грн |
10+ | 506.37 грн |
30+ | 394.97 грн |
120+ | 363.43 грн |
270+ | 344.37 грн |
510+ | 316.77 грн |
1020+ | 275.36 грн |
SiHA14N60E-E3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 162.55 грн |
10+ | 133.77 грн |
100+ | 68.35 грн |
SIHD14N60E-BE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 600V
MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 157.95 грн |
10+ | 126.97 грн |
100+ | 89.38 грн |
250+ | 82.81 грн |
500+ | 74.92 грн |
1000+ | 62.96 грн |
3000+ | 58.88 грн |
SiHD14N60E-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
MOSFET 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 483 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 157.18 грн |
10+ | 122.43 грн |
75+ | 88.06 грн |
300+ | 84.12 грн |
525+ | 76.89 грн |
1050+ | 62.37 грн |
5025+ | 62.17 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]