Результат пошуку "4n65" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
BXP4N65D BXP4N65D BRIDGELUX BXP4N65.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+12.39 грн
90+ 9.35 грн
240+ 8.84 грн
Мінімальне замовлення: 30
BXP4N65D BXP4N65D BRIDGELUX BXP4N65.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+16.91 грн
25+ 15.44 грн
90+ 11.23 грн
240+ 10.61 грн
2500+ 10.22 грн
Мінімальне замовлення: 20
BXP4N65F BXP4N65F BRIDGELUX BXP4N65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 37W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 37W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
19+19.98 грн
25+ 16.76 грн
67+ 12.09 грн
183+ 11.43 грн
Мінімальне замовлення: 19
BXP4N65F BXP4N65F BRIDGELUX BXP4N65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 37W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 37W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 983 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
12+23.98 грн
25+ 20.88 грн
67+ 14.51 грн
183+ 13.72 грн
Мінімальне замовлення: 12
BXP4N65U BXP4N65U BRIDGELUX BXP4N65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+10.59 грн
105+ 7.89 грн
Мінімальне замовлення: 35
BXP4N65U BXP4N65U BRIDGELUX BXP4N65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+14.5 грн
25+ 13.2 грн
105+ 9.47 грн
280+ 8.97 грн
4500+ 8.72 грн
Мінімальне замовлення: 20
IXFA34N65X3 IXFA34N65X3 IXYS media-3321432.pdf MOSFET DISCRETE MOSFET 34A 650V X3 TO
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+603.32 грн
50+ 474.69 грн
100+ 369.57 грн
500+ 362.92 грн
IXFH34N65X2 IXFH34N65X2 IXYS IXF_34N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 164ns
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+513.75 грн
3+ 333.04 грн
7+ 314.35 грн
IXFH34N65X2 IXFH34N65X2 IXYS IXF_34N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 164ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 224 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+616.51 грн
3+ 415.02 грн
7+ 377.21 грн
IXFH34N65X2 IXFH34N65X2 Littelfuse 804948123555761ds100683cixfa-fp-fh34n65x2_.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXFH34N65X2 IXFH34N65X2 IXYS media-3321279.pdf MOSFET MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2
на замовлення 2105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+587.81 грн
10+ 497.62 грн
30+ 392.84 грн
120+ 359.6 грн
270+ 349.63 грн
IXFH34N65X2 IXFH34N65X2 IXYS DS100683C(IXFA-FP-FH34N65X2)_.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 25 V
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+541.42 грн
30+ 416.5 грн
120+ 372.66 грн
IXFH34N65X3 IXFH34N65X3 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=ef61d523-5f56-49ae-a1e9-f5e1f9a55ce3&filename=littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh34n65x3-datasheet Description: MOSFET 34A 650V X3 TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2025 pF @ 25 V
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+484.62 грн
30+ 372.39 грн
120+ 333.2 грн
IXFH34N65X3 IXFH34N65X3 IXYS media-3322021.pdf MOSFET DISCRETE MOSFET 34A 650V X3 TO
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+526.55 грн
10+ 444.88 грн
30+ 366.91 грн
120+ 323.71 грн
IXFH54N65X3 IXFH54N65X3 IXYS media-3321213.pdf MOSFET DISCRETE MOSFET 54A 650V X3 TO
на замовлення 630 шт:
термін постачання 654-663 дні (днів)
1+874.74 грн
10+ 759.81 грн
30+ 642.76 грн
60+ 606.87 грн
120+ 604.21 грн
IXFP34N65X2 IXFP34N65X2 IXYS DS100683C(IXFA-FP-FH34N65X2)_.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 25 V
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+451.55 грн
50+ 347.1 грн
100+ 310.56 грн
IXFP34N65X2 IXFP34N65X2 IXYS media-3321279.pdf MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class
на замовлення 617 шт:
термін постачання 350-359 дні (днів)
1+490.1 грн
10+ 445.65 грн
50+ 330.35 грн
100+ 299.78 грн
250+ 289.81 грн
500+ 263.22 грн
1000+ 250.59 грн
IXFP34N65X2M IXFP34N65X2M IXYS media-3320187.pdf MOSFET 650V/34A OVERMOLDED TO-220
на замовлення 290 шт:
термін постачання 350-359 дні (днів)
1+526.55 грн
10+ 444.88 грн
50+ 360.93 грн
100+ 322.38 грн
250+ 311.74 грн
500+ 296.45 грн
IXFP34N65X3 IXFP34N65X3 IXYS media-3322676.pdf MOSFET DISCRETE MOSFET 34A 650V X3 TO
на замовлення 749 шт:
термін постачання 667-676 дні (днів)
1+592.47 грн
10+ 583.24 грн
50+ 404.8 грн
IXTA4N65X2 IXTA4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.22 грн
4+ 110.78 грн
9+ 94.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTA4N65X2 IXTA4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+161.06 грн
3+ 138.05 грн
9+ 113 грн
24+ 106.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA4N65X2 IXTA4N65X2 IXYS a Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTH24N65X2 IXTH24N65X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_24n65x2_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+409.12 грн
30+ 314.21 грн
120+ 281.13 грн
IXTH34N65X2 IXTH34N65X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_34n65x2_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+475.27 грн
30+ 365.35 грн
120+ 326.9 грн
IXTH34N65X2 IXTH34N65X2 IXYS media-3319832.pdf MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+516.47 грн
10+ 436.47 грн
30+ 344.31 грн
120+ 315.73 грн
270+ 303.77 грн
IXTH64N65X IXTH64N65X IXYS media-3319323.pdf MOSFET 650V/64A Power MOSFET
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1038.37 грн
10+ 901.99 грн
30+ 720.53 грн
60+ 719.87 грн
120+ 696.6 грн
270+ 626.14 грн
510+ 606.2 грн
IXTP24N65X2 IXTP24N65X2 IXYS IXT_24N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+404.44 грн
3+ 350.31 грн
4+ 263.39 грн
11+ 248.43 грн
IXTP24N65X2 IXTP24N65X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_24n65x2_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+391.87 грн
50+ 298.82 грн
100+ 256.13 грн
IXTP24N65X2M IXTP24N65X2M IXYS IXTP24N65X2M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+319.44 грн
3+ 276.97 грн
5+ 203.56 грн
13+ 192.76 грн
IXTP24N65X2M IXTP24N65X2M IXYS media-3323831.pdf MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+338.88 грн
10+ 280.53 грн
50+ 235.97 грн
100+ 197.41 грн
250+ 191.43 грн
500+ 177.47 грн
1000+ 152.22 грн
IXTP34N65X2 IXTP34N65X2 IXYS media-3319832.pdf MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+475.37 грн
10+ 401.31 грн
50+ 331.02 грн
100+ 290.47 грн
250+ 287.81 грн
500+ 256.57 грн
1000+ 236.63 грн
IXTP34N65X2 IXTP34N65X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_34n65x2_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+437.88 грн
50+ 336.11 грн
100+ 300.75 грн
IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+116.32 грн
9+ 92.09 грн
25+ 86.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 585 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+168.22 грн
3+ 144.95 грн
9+ 110.51 грн
25+ 103.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 IXYS a Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
на замовлення 3276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.63 грн
50+ 141.28 грн
100+ 116.23 грн
500+ 92.3 грн
1000+ 78.32 грн
2000+ 74.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTQ34N65X2M IXTQ34N65X2M IXYS Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Mounting: THT
Case: TO3PF
Kind of package: tube
Power dissipation: 40W
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
On-state resistance: 96mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 54nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 48A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+761.46 грн
2+ 504.75 грн
6+ 459.47 грн
IXTQ34N65X2M IXTQ34N65X2M IXYS media-3322105.pdf MOSFET MSFT 34A 650V X2
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+723.52 грн
10+ 610.76 грн
30+ 504.5 грн
270+ 427.4 грн
510+ 410.12 грн
1020+ 392.84 грн
2520+ 378.21 грн
IXTY4N65X2 IXTY4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+120.8 грн
5+ 99.7 грн
10+ 87.93 грн
26+ 83.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
IXTY4N65X2 IXTY4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+144.95 грн
5+ 124.25 грн
10+ 105.52 грн
26+ 99.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTY4N65X2 IXTY4N65X2 IXYS media-3322412.pdf MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.54 грн
10+ 157.47 грн
70+ 108.35 грн
560+ 105.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTY4N65X2 IXTY4N65X2 IXYS a Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.88 грн
10+ 141.32 грн
100+ 112.49 грн
500+ 89.32 грн
1000+ 75.79 грн
2000+ 72 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMT064N65S3H NTMT064N65S3H onsemi NTMT064N65S3H_D-2318988.pdf MOSFET 650V 64MOHM MOSFET
на замовлення 3401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+638.22 грн
10+ 539.67 грн
25+ 425.41 грн
100+ 390.84 грн
250+ 367.58 грн
500+ 344.98 грн
1000+ 310.41 грн
NTMT064N65S3H NTMT064N65S3H onsemi ntmt064n65s3h-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 40A 4TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3745 pF @ 400 V
на замовлення 2929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+588.16 грн
10+ 485.44 грн
100+ 404.56 грн
500+ 335 грн
1000+ 301.5 грн
SIHA24N65EF-GE3 SIHA24N65EF-GE3 Vishay Siliconix siha24n65ef.pdf Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+377.49 грн
50+ 288.17 грн
100+ 247 грн
500+ 206.04 грн
1000+ 176.42 грн
SIHB24N65E-GE3 SIHB24N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihb24n65e.pdf MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 3460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+411 грн
10+ 355.45 грн
25+ 250.59 грн
100+ 221.34 грн
250+ 216.69 грн
500+ 202.07 грн
1000+ 178.14 грн
SIHB24N65E-GE3 SIHB24N65E-GE3 Vishay Siliconix sihb24n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V
на замовлення 1869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+378.21 грн
50+ 288.85 грн
100+ 247.58 грн
500+ 206.53 грн
1000+ 176.84 грн
SIHB24N65EF-GE3 SIHB24N65EF-GE3 Vishay / Siliconix sihb24n65ef.pdf MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+417.21 грн
10+ 345.51 грн
25+ 283.83 грн
100+ 242.61 грн
250+ 229.32 грн
500+ 216.69 грн
1000+ 194.76 грн
SIHB24N65EFT1-GE3 SIHB24N65EFT1-GE3 Vishay Siliconix sihb24n65ef.pdf Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V
на замовлення 2734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+383.96 грн
10+ 310.33 грн
100+ 251.07 грн
SIHB24N65EFT1-GE3 SIHB24N65EFT1-GE3 Vishay / Siliconix sihb24n65ef.pdf MOSFET N-CHANNEL 650V
на замовлення 3991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+417.21 грн
10+ 345.51 грн
25+ 283.83 грн
100+ 250.59 грн
800+ 226.66 грн
2400+ 222.67 грн
SIHB24N65EFT1-GE3 SIHB24N65EFT1-GE3 Vishay Siliconix sihb24n65ef.pdf Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+231.75 грн
1600+ 191.09 грн
Мінімальне замовлення: 800
SIHF074N65E-GE3 SIHF074N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihf074n65e.pdf MOSFET E Series Power MOSFET TO-220 FULLPAK, 79 mohm a. 10V
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 281-290 дні (днів)
1+545.16 грн
10+ 460.93 грн
25+ 363.59 грн
100+ 333.68 грн
250+ 313.74 грн
500+ 294.46 грн
1000+ 265.21 грн
SIHG24N65E-GE3 SIHG24N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihg24n6.pdf MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+424.19 грн
10+ 350.86 грн
25+ 287.81 грн
100+ 246.6 грн
250+ 233.31 грн
500+ 219.35 грн
1000+ 188.11 грн
SIHG24N65E-GE3 SIHG24N65E-GE3 Vishay sihg24n6.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+181.46 грн
Мінімальне замовлення: 500
SIHG24N65E-GE3 SIHG24N65E-GE3 Vishay Siliconix sihg24n6.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+391.15 грн
10+ 316.08 грн
100+ 255.71 грн
500+ 213.32 грн
SiHG44N65EF-GE3 SiHG44N65EF-GE3 Vishay / Siliconix sihg44n65ef.pdf MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+683.97 грн
10+ 577.12 грн
25+ 455.32 грн
100+ 418.76 грн
250+ 393.5 грн
500+ 363.59 грн
1000+ 352.29 грн
SiHG64N65E-GE3 Vishay Siliconix sihg64n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 369 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7497 pF @ 100 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+852.04 грн
10+ 722.72 грн
100+ 625.08 грн
500+ 531.62 грн
SiHG64N65E-GE3 SiHG64N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihg64n65e.pdf MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+925.15 грн
10+ 802.62 грн
25+ 683.31 грн
50+ 656.72 грн
100+ 602.88 грн
250+ 585.6 грн
500+ 545.05 грн
SiHH14N65E-T1-GE3 SiHH14N65E-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh14n65e.pdf MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+366.03 грн
10+ 302.7 грн
25+ 248.6 грн
100+ 213.37 грн
250+ 200.74 грн
500+ 189.44 грн
1000+ 162.19 грн
SiHH24N65E-T1-GE3 SiHH24N65E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihh24n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 23A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2814 pF @ 100 V
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+434.29 грн
10+ 358.52 грн
100+ 298.82 грн
500+ 247.43 грн
SiHH24N65EF-T1-GE3 SiHH24N65EF-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh24n65ef.pdf MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)
1+537.41 грн
10+ 454.05 грн
25+ 357.61 грн
100+ 329.02 грн
250+ 309.75 грн
500+ 289.81 грн
1000+ 263.88 грн
BXP4N65D BXP4N65.pdf
BXP4N65D
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+12.39 грн
90+ 9.35 грн
240+ 8.84 грн
Мінімальне замовлення: 30
BXP4N65D BXP4N65.pdf
BXP4N65D
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+16.91 грн
25+ 15.44 грн
90+ 11.23 грн
240+ 10.61 грн
2500+ 10.22 грн
Мінімальне замовлення: 20
BXP4N65F BXP4N65.pdf
BXP4N65F
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 37W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 37W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+19.98 грн
25+ 16.76 грн
67+ 12.09 грн
183+ 11.43 грн
Мінімальне замовлення: 19
BXP4N65F BXP4N65.pdf
BXP4N65F
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 37W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 37W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 983 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+23.98 грн
25+ 20.88 грн
67+ 14.51 грн
183+ 13.72 грн
Мінімальне замовлення: 12
BXP4N65U BXP4N65.pdf
BXP4N65U
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
35+10.59 грн
105+ 7.89 грн
Мінімальне замовлення: 35
BXP4N65U BXP4N65.pdf
BXP4N65U
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.5A; Idm: 16A; 77W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 77W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+14.5 грн
25+ 13.2 грн
105+ 9.47 грн
280+ 8.97 грн
4500+ 8.72 грн
Мінімальне замовлення: 20
IXFA34N65X3 media-3321432.pdf
IXFA34N65X3
Виробник: IXYS
MOSFET DISCRETE MOSFET 34A 650V X3 TO
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+603.32 грн
50+ 474.69 грн
100+ 369.57 грн
500+ 362.92 грн
IXFH34N65X2 IXF_34N65X2.pdf
IXFH34N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 164ns
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+513.75 грн
3+ 333.04 грн
7+ 314.35 грн
IXFH34N65X2 IXF_34N65X2.pdf
IXFH34N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 164ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 224 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+616.51 грн
3+ 415.02 грн
7+ 377.21 грн
IXFH34N65X2 804948123555761ds100683cixfa-fp-fh34n65x2_.pdf
IXFH34N65X2
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXFH34N65X2 media-3321279.pdf
IXFH34N65X2
Виробник: IXYS
MOSFET MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2
на замовлення 2105 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+587.81 грн
10+ 497.62 грн
30+ 392.84 грн
120+ 359.6 грн
270+ 349.63 грн
IXFH34N65X2 DS100683C(IXFA-FP-FH34N65X2)_.pdf
IXFH34N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 25 V
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+541.42 грн
30+ 416.5 грн
120+ 372.66 грн
IXFH34N65X3 media?resourcetype=datasheets&itemid=ef61d523-5f56-49ae-a1e9-f5e1f9a55ce3&filename=littelfuse-discrete-mosfets-n-channel-ultra-junction-ixfh34n65x3-datasheet
IXFH34N65X3
Виробник: IXYS
Description: MOSFET 34A 650V X3 TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.2V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXFH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2025 pF @ 25 V
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+484.62 грн
30+ 372.39 грн
120+ 333.2 грн
IXFH34N65X3 media-3322021.pdf
IXFH34N65X3
Виробник: IXYS
MOSFET DISCRETE MOSFET 34A 650V X3 TO
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+526.55 грн
10+ 444.88 грн
30+ 366.91 грн
120+ 323.71 грн
IXFH54N65X3 media-3321213.pdf
IXFH54N65X3
Виробник: IXYS
MOSFET DISCRETE MOSFET 54A 650V X3 TO
на замовлення 630 шт:
термін постачання 654-663 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+874.74 грн
10+ 759.81 грн
30+ 642.76 грн
60+ 606.87 грн
120+ 604.21 грн
IXFP34N65X2 DS100683C(IXFA-FP-FH34N65X2)_.pdf
IXFP34N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 25 V
на замовлення 322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+451.55 грн
50+ 347.1 грн
100+ 310.56 грн
IXFP34N65X2 media-3321279.pdf
IXFP34N65X2
Виробник: IXYS
MOSFET 650V/34A Ultra Junction X2-Class
на замовлення 617 шт:
термін постачання 350-359 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+490.1 грн
10+ 445.65 грн
50+ 330.35 грн
100+ 299.78 грн
250+ 289.81 грн
500+ 263.22 грн
1000+ 250.59 грн
IXFP34N65X2M media-3320187.pdf
IXFP34N65X2M
Виробник: IXYS
MOSFET 650V/34A OVERMOLDED TO-220
на замовлення 290 шт:
термін постачання 350-359 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+526.55 грн
10+ 444.88 грн
50+ 360.93 грн
100+ 322.38 грн
250+ 311.74 грн
500+ 296.45 грн
IXFP34N65X3 media-3322676.pdf
IXFP34N65X3
Виробник: IXYS
MOSFET DISCRETE MOSFET 34A 650V X3 TO
на замовлення 749 шт:
термін постачання 667-676 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+592.47 грн
10+ 583.24 грн
50+ 404.8 грн
IXTA4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTA4N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+134.22 грн
4+ 110.78 грн
9+ 94.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTA4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTA4N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+161.06 грн
3+ 138.05 грн
9+ 113 грн
24+ 106.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA4N65X2 a
IXTA4N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+194.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTH24N65X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_24n65x2_datasheet.pdf.pdf
IXTH24N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+409.12 грн
30+ 314.21 грн
120+ 281.13 грн
IXTH34N65X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_34n65x2_datasheet.pdf.pdf
IXTH34N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+475.27 грн
30+ 365.35 грн
120+ 326.9 грн
IXTH34N65X2 media-3319832.pdf
IXTH34N65X2
Виробник: IXYS
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+516.47 грн
10+ 436.47 грн
30+ 344.31 грн
120+ 315.73 грн
270+ 303.77 грн
IXTH64N65X media-3319323.pdf
IXTH64N65X
Виробник: IXYS
MOSFET 650V/64A Power MOSFET
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1038.37 грн
10+ 901.99 грн
30+ 720.53 грн
60+ 719.87 грн
120+ 696.6 грн
270+ 626.14 грн
510+ 606.2 грн
IXTP24N65X2 IXT_24N65X2.pdf
IXTP24N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+404.44 грн
3+ 350.31 грн
4+ 263.39 грн
11+ 248.43 грн
IXTP24N65X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_24n65x2_datasheet.pdf.pdf
IXTP24N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+391.87 грн
50+ 298.82 грн
100+ 256.13 грн
IXTP24N65X2M IXTP24N65X2M.pdf
IXTP24N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 390ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+319.44 грн
3+ 276.97 грн
5+ 203.56 грн
13+ 192.76 грн
IXTP24N65X2M media-3323831.pdf
IXTP24N65X2M
Виробник: IXYS
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+338.88 грн
10+ 280.53 грн
50+ 235.97 грн
100+ 197.41 грн
250+ 191.43 грн
500+ 177.47 грн
1000+ 152.22 грн
IXTP34N65X2 media-3319832.pdf
IXTP34N65X2
Виробник: IXYS
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+475.37 грн
10+ 401.31 грн
50+ 331.02 грн
100+ 290.47 грн
250+ 287.81 грн
500+ 256.57 грн
1000+ 236.63 грн
IXTP34N65X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_34n65x2_datasheet.pdf.pdf
IXTP34N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+437.88 грн
50+ 336.11 грн
100+ 300.75 грн
IXTP4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTP4N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+116.32 грн
9+ 92.09 грн
25+ 86.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTP4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTP4N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 585 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+168.22 грн
3+ 144.95 грн
9+ 110.51 грн
25+ 103.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP4N65X2 a
IXTP4N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
на замовлення 3276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+182.63 грн
50+ 141.28 грн
100+ 116.23 грн
500+ 92.3 грн
1000+ 78.32 грн
2000+ 74.4 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTQ34N65X2M
IXTQ34N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Mounting: THT
Case: TO3PF
Kind of package: tube
Power dissipation: 40W
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
On-state resistance: 96mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 54nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 48A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+761.46 грн
2+ 504.75 грн
6+ 459.47 грн
IXTQ34N65X2M media-3322105.pdf
IXTQ34N65X2M
Виробник: IXYS
MOSFET MSFT 34A 650V X2
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+723.52 грн
10+ 610.76 грн
30+ 504.5 грн
270+ 427.4 грн
510+ 410.12 грн
1020+ 392.84 грн
2520+ 378.21 грн
IXTY4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTY4N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+120.8 грн
5+ 99.7 грн
10+ 87.93 грн
26+ 83.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
IXTY4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTY4N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 33 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+144.95 грн
5+ 124.25 грн
10+ 105.52 грн
26+ 99.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTY4N65X2 media-3322412.pdf
IXTY4N65X2
Виробник: IXYS
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+191.54 грн
10+ 157.47 грн
70+ 108.35 грн
560+ 105.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTY4N65X2 a
IXTY4N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO252
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+176.88 грн
10+ 141.32 грн
100+ 112.49 грн
500+ 89.32 грн
1000+ 75.79 грн
2000+ 72 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTMT064N65S3H NTMT064N65S3H_D-2318988.pdf
NTMT064N65S3H
Виробник: onsemi
MOSFET 650V 64MOHM MOSFET
на замовлення 3401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+638.22 грн
10+ 539.67 грн
25+ 425.41 грн
100+ 390.84 грн
250+ 367.58 грн
500+ 344.98 грн
1000+ 310.41 грн
NTMT064N65S3H ntmt064n65s3h-d.pdf
NTMT064N65S3H
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 40A 4TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3745 pF @ 400 V
на замовлення 2929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+588.16 грн
10+ 485.44 грн
100+ 404.56 грн
500+ 335 грн
1000+ 301.5 грн
SIHA24N65EF-GE3 siha24n65ef.pdf
SIHA24N65EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+377.49 грн
50+ 288.17 грн
100+ 247 грн
500+ 206.04 грн
1000+ 176.42 грн
SIHB24N65E-GE3 sihb24n65e.pdf
SIHB24N65E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 3460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+411 грн
10+ 355.45 грн
25+ 250.59 грн
100+ 221.34 грн
250+ 216.69 грн
500+ 202.07 грн
1000+ 178.14 грн
SIHB24N65E-GE3 sihb24n65e.pdf
SIHB24N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V
на замовлення 1869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+378.21 грн
50+ 288.85 грн
100+ 247.58 грн
500+ 206.53 грн
1000+ 176.84 грн
SIHB24N65EF-GE3 sihb24n65ef.pdf
SIHB24N65EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+417.21 грн
10+ 345.51 грн
25+ 283.83 грн
100+ 242.61 грн
250+ 229.32 грн
500+ 216.69 грн
1000+ 194.76 грн
SIHB24N65EFT1-GE3 sihb24n65ef.pdf
SIHB24N65EFT1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V
на замовлення 2734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+383.96 грн
10+ 310.33 грн
100+ 251.07 грн
SIHB24N65EFT1-GE3 sihb24n65ef.pdf
SIHB24N65EFT1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 650V
на замовлення 3991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+417.21 грн
10+ 345.51 грн
25+ 283.83 грн
100+ 250.59 грн
800+ 226.66 грн
2400+ 222.67 грн
SIHB24N65EFT1-GE3 sihb24n65ef.pdf
SIHB24N65EFT1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2774 pF @ 100 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+231.75 грн
1600+ 191.09 грн
Мінімальне замовлення: 800
SIHF074N65E-GE3 sihf074n65e.pdf
SIHF074N65E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET E Series Power MOSFET TO-220 FULLPAK, 79 mohm a. 10V
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 281-290 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+545.16 грн
10+ 460.93 грн
25+ 363.59 грн
100+ 333.68 грн
250+ 313.74 грн
500+ 294.46 грн
1000+ 265.21 грн
SIHG24N65E-GE3 sihg24n6.pdf
SIHG24N65E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+424.19 грн
10+ 350.86 грн
25+ 287.81 грн
100+ 246.6 грн
250+ 233.31 грн
500+ 219.35 грн
1000+ 188.11 грн
SIHG24N65E-GE3 sihg24n6.pdf
SIHG24N65E-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+181.46 грн
Мінімальне замовлення: 500
SIHG24N65E-GE3 sihg24n6.pdf
SIHG24N65E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+391.15 грн
10+ 316.08 грн
100+ 255.71 грн
500+ 213.32 грн
SiHG44N65EF-GE3 sihg44n65ef.pdf
SiHG44N65EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+683.97 грн
10+ 577.12 грн
25+ 455.32 грн
100+ 418.76 грн
250+ 393.5 грн
500+ 363.59 грн
1000+ 352.29 грн
SiHG64N65E-GE3 sihg64n65e.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 369 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7497 pF @ 100 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+852.04 грн
10+ 722.72 грн
100+ 625.08 грн
500+ 531.62 грн
SiHG64N65E-GE3 sihg64n65e.pdf
SiHG64N65E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+925.15 грн
10+ 802.62 грн
25+ 683.31 грн
50+ 656.72 грн
100+ 602.88 грн
250+ 585.6 грн
500+ 545.05 грн
SiHH14N65E-T1-GE3 sihh14n65e.pdf
SiHH14N65E-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+366.03 грн
10+ 302.7 грн
25+ 248.6 грн
100+ 213.37 грн
250+ 200.74 грн
500+ 189.44 грн
1000+ 162.19 грн
SiHH24N65E-T1-GE3 sihh24n65e.pdf
SiHH24N65E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 23A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 202W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2814 pF @ 100 V
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+434.29 грн
10+ 358.52 грн
100+ 298.82 грн
500+ 247.43 грн
SiHH24N65EF-T1-GE3 sihh24n65ef.pdf
SiHH24N65EF-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+537.41 грн
10+ 454.05 грн
25+ 357.61 грн
100+ 329.02 грн
250+ 309.75 грн
500+ 289.81 грн
1000+ 263.88 грн
Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]