Результат пошуку "50jr22" : 9

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
GT50JR22(STA1,E,S) GT50JR22(STA1,E,S) TOSHIBA GT50JR22.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 115W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 250ns
Turn-off time: 330ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+316.27 грн
3+ 264.25 грн
4+ 202.63 грн
11+ 191.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
GT50JR22(STA1,E,S) GT50JR22(STA1,E,S) TOSHIBA GT50JR22.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 115W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 250ns
Turn-off time: 330ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 297 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+379.53 грн
3+ 329.29 грн
4+ 243.16 грн
11+ 230.02 грн
GT50JR22(STA1,E,S) GT50JR22(STA1,E,S) Toshiba GT50JR22_datasheet_en_20140106-1272565.pdf IGBT Transistors IGBT for Soft Switching Apps
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+335.06 грн
10+ 284.17 грн
25+ 209.64 грн
100+ 184.67 грн
250+ 176.13 грн
500+ 167.58 грн
1000+ 151.81 грн
Транзистор IGBT GT50JR22 TO-3PN
на замовлення 18 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3+65.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT50JR22
Код товару: 108218 		Toshiba gt50jr22-datasheet.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-3PN
Vces: 600 V
Vce: 1,55 V
Ic 25: 50 A
Ic 100: 44 A
Pd 25: 230 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 0,25/0,33
товар відсутній
GT50JR22(STA1,E,S)
Код товару: 152398 		GT50JR22_datasheet_en_20140106.pdf?did=13664&prodName=GT50JR22 Транзистори > IGBT
товар відсутній
GT50JR22(STA1,E,S) GT50JR22(STA1,E,S) Toshiba 146gt50jr22_datasheet_en_20140106.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine
товар відсутній
NTE3320 NTE Electronics nte3320.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 240W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 240W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Turn-on time: 240ns
Turn-off time: 430ns
товар відсутній
GT50JR22(STA1,E,S) GT50JR22.pdf
GT50JR22(STA1,E,S)
Виробник: TOSHIBA
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 115W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 250ns
Turn-off time: 330ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+316.27 грн
3+ 264.25 грн
4+ 202.63 грн
11+ 191.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
GT50JR22(STA1,E,S) GT50JR22.pdf
GT50JR22(STA1,E,S)
Виробник: TOSHIBA
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 44A; 115W; TO3PN
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 44A
Power dissipation: 115W
Case: TO3PN
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 250ns
Turn-off time: 330ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 297 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+379.53 грн
3+ 329.29 грн
4+ 243.16 грн
11+ 230.02 грн
GT50JR22(STA1,E,S) GT50JR22_datasheet_en_20140106-1272565.pdf
GT50JR22(STA1,E,S)
Виробник: Toshiba
IGBT Transistors IGBT for Soft Switching Apps
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+335.06 грн
10+ 284.17 грн
25+ 209.64 грн
100+ 184.67 грн
250+ 176.13 грн
500+ 167.58 грн
1000+ 151.81 грн
Транзистор IGBT GT50JR22 TO-3PN
на замовлення 18 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+65.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
GT50JR22
Код товару: 108218		 gt50jr22-datasheet.pdf
Виробник: Toshiba
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-3PN
Vces: 600 V
Vce: 1,55 V
Ic 25: 50 A
Ic 100: 44 A
Pd 25: 230 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 0,25/0,33
товар відсутній
GT50JR22(STA1,E,S)
Код товару: 152398		 GT50JR22_datasheet_en_20140106.pdf?did=13664&prodName=GT50JR22
Транзистори > IGBT
товар відсутній
GT50JR22(STA1,E,S) 146gt50jr22_datasheet_en_20140106.pdf.pdf
GT50JR22(STA1,E,S)
Виробник: Toshiba
Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 230000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Magazine
товар відсутній
NTE3320 nte3320.pdf
Виробник: NTE Electronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 240W; TO3P
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 240W
Case: TO3P
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Turn-on time: 240ns
Turn-off time: 430ns
товар відсутній