Результат пошуку "5n65" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
AIGB15N65F5ATMA1 AIGB15N65F5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+99.14 грн
2000+ 89.9 грн
Мінімальне замовлення: 1000
AIGB15N65F5ATMA1 AIGB15N65F5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_AIGB15N65F5_DataSheet_v02_01_EN-3360459.pdf IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+208.55 грн
10+ 172.95 грн
25+ 147.75 грн
100+ 121.37 грн
250+ 119.39 грн
500+ 108.18 грн
1000+ 92.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIGB15N65F5ATMA1 AIGB15N65F5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.94 грн
10+ 155.08 грн
100+ 125.44 грн
500+ 104.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIGB15N65H5ATMA1 AIGB15N65H5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-AIGB15N65H5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b6669e363172 Description: IGBT NPT 650V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/22ns
Switching Energy: 160µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 7.5A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.94 грн
10+ 155.08 грн
100+ 125.44 грн
500+ 104.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB15N65DF5ATMA1 AIKB15N65DF5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.17 грн
10+ 194.93 грн
100+ 157.67 грн
500+ 131.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB15N65DF5ATMA1 AIKB15N65DF5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+124.63 грн
2000+ 113 грн
Мінімальне замовлення: 1000
AIKB15N65DH5ATMA1 AIKB15N65DH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+124.63 грн
2000+ 113 грн
Мінімальне замовлення: 1000
AIKB15N65DH5ATMA1 AIKB15N65DH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.17 грн
10+ 194.93 грн
100+ 157.67 грн
500+ 131.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
BGH75N65ZF1 BGH75N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH75N65ZF1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 565ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+858.34 грн
2+ 554.48 грн
4+ 524.25 грн
BGH75N65ZF1 BGH75N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH75N65ZF1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 565ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1030 грн
2+ 690.97 грн
4+ 629.1 грн
600+ 612.61 грн
BIDW75N65EH5 BIDW75N65EH5 Bourns Bourns_01_17_2024_BIDW75N65EH5-3392669.pdf IGBT Transistors IGBT Discrete 650V, 75A, High speed switching in TO-247-3L
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+447.1 грн
10+ 377.76 грн
25+ 297.48 грн
100+ 273.74 грн
250+ 257.91 грн
600+ 240.76 грн
1200+ 217.01 грн
BIDW75N65EH5 BIDW75N65EH5 Bourns Inc. BIDW75N65EH5.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/186ns
Switching Energy: 2.39mJ (on), .90mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 186 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 394 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+411.7 грн
30+ 316.54 грн
120+ 283.24 грн
510+ 234.53 грн
1020+ 211.08 грн
2010+ 197.79 грн
BIDW75N65ES5 BIDW75N65ES5 Bourns Inc. BIDW75N65ES5.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 123 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/194ns
Switching Energy: 1.56mJ (on), 1.07mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 184 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 394 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+411.7 грн
30+ 316.54 грн
120+ 283.24 грн
510+ 234.53 грн
1020+ 211.08 грн
2010+ 197.79 грн
BIDW75N65ES5 BIDW75N65ES5 Bourns Bourns_01_17_2024_BIDW75N65ES5-3392676.pdf IGBT Transistors IGBT Discrete 650V, 75A, Medium speed switching in TO-247-3L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+447.1 грн
10+ 377.76 грн
25+ 297.48 грн
100+ 273.74 грн
250+ 257.91 грн
600+ 240.76 грн
1200+ 217.01 грн
FCB125N65S3 FCB125N65S3 onsemi fcb125n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+191.2 грн
Мінімальне замовлення: 800
FCB125N65S3 FCB125N65S3 onsemi fcb125n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+316.8 грн
10+ 256.08 грн
100+ 207.14 грн
FCH125N65S3R0-F155 FCH125N65S3R0-F155 onsemi fch125n65s3r0-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+439.53 грн
30+ 335.32 грн
120+ 287.43 грн
FCH165N65S3R0-F155 FCH165N65S3R0-F155 onsemi fch165n65s3r0-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+403.14 грн
10+ 325.82 грн
FCMT125N65S3 FCMT125N65S3 onsemi FCMT125N65S3_D-2312043.pdf MOSFET SF3 650V 125MOHM MO SFET
на замовлення 2943 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+327.06 грн
10+ 285.21 грн
100+ 213.71 грн
500+ 195.24 грн
1000+ 178.75 грн
3000+ 178.09 грн
FCMT125N65S3 FCMT125N65S3 onsemi fcmt125n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 400 V
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+392.44 грн
10+ 317.51 грн
100+ 256.83 грн
500+ 214.24 грн
FCP125N65S3 FCP125N65S3 onsemi fcp125n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+225.46 грн
100+ 186.1 грн
250+ 175.76 грн
500+ 155.24 грн
Мінімальне замовлення: 50
FCP125N65S3 FCP125N65S3 onsemi FCP125N65S3_D-2311643.pdf MOSFET SF3 650V 125MOHM E TO220
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+308.59 грн
10+ 255.63 грн
50+ 209.76 грн
100+ 179.41 грн
250+ 169.52 грн
500+ 159.63 грн
1000+ 136.54 грн
FCP125N65S3 FCP125N65S3 onsemi fcp125n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+284.69 грн
10+ 230.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP125N65S3R0 FCP125N65S3R0 onsemi fcp125n65s3r0-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+291.12 грн
50+ 222.36 грн
100+ 190.59 грн
500+ 158.98 грн
FCP125N65S3R0 FCP125N65S3R0 onsemi FCP125N65S3R0_D-2311923.pdf MOSFET SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+316.28 грн
10+ 262.46 грн
50+ 207.12 грн
100+ 184.03 грн
250+ 183.37 грн
500+ 156.99 грн
1000+ 131.92 грн
FCP165N65S3 FCP165N65S3 onsemi FCP165N65S3_D-2311887.pdf MOSFET SUPERFET3 650V 19A 165 mOhm
на замовлення 911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+282.42 грн
10+ 234.39 грн
100+ 164.9 грн
500+ 146.43 грн
1000+ 115.43 грн
5000+ 114.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP165N65S3R0 FCP165N65S3R0 onsemi fcp165n65s3r0-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 4327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+138.36 грн
Мінімальне замовлення: 143
FCP165N65S3R0 FCP165N65S3R0 onsemi fcp165n65s3r0-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.87 грн
50+ 196.18 грн
100+ 168.15 грн
500+ 140.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCPF125N65S3 FCPF125N65S3 onsemi / Fairchild FCPF125N65S3_D-2312017.pdf MOSFET SuperFET3 650V 125 mOhm, TO220F PKG
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+343.99 грн
10+ 285.21 грн
50+ 233.5 грн
100+ 199.86 грн
250+ 188.65 грн
500+ 178.09 грн
1000+ 143.79 грн
FCPF125N65S3 FCPF125N65S3 onsemi fcpf125n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 400 V
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+316.8 грн
50+ 241.77 грн
100+ 207.24 грн
500+ 172.88 грн
FDPF15N65 FDPF15N65 onsemi Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3095 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.95 грн
50+ 135.4 грн
100+ 116.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDPF15N65 FDPF15N65 onsemi / Fairchild FDPF15N65_D-2312692.pdf MOSFET 650V 15A 0.44OHMS NCH POWER TRENCH
на замовлення 2787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+192.39 грн
10+ 159.3 грн
50+ 114.77 грн
100+ 101.58 грн
250+ 99.6 грн
500+ 91.69 грн
1000+ 82.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGD15N65T6ARMA1 IGD15N65T6ARMA1 Infineon Technologies Infineon_IGD15N65T6_DataSheet_v02_03_EN-2898625.pdf IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 2702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.43 грн
10+ 89.51 грн
100+ 65.04 грн
250+ 60.35 грн
500+ 54.75 грн
1000+ 46.9 грн
3000+ 44.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGW75N65H5XKSA1 IGW75N65H5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IGW75N65H5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014df745d10c4394 Description: IGBT TRENCH 650V 120A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/174ns
Switching Energy: 2.25mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+360.33 грн
30+ 275.02 грн
120+ 235.73 грн
IGW75N65H5XKSA1 IGW75N65H5XKSA1 Infineon Technologies infineon-igw75n65h5-ds-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKA15N65ET6XKSA2 IKA15N65ET6XKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IKA15N65ET6.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 11A; 22W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 11A
Power dissipation: 22W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 57.5A
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: T6
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 202ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.69 грн
6+ 63.21 грн
10+ 57.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKA15N65ET6XKSA2 IKA15N65ET6XKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IKA15N65ET6.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 11A; 22W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 11A
Power dissipation: 22W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 57.5A
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: T6
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 202ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+93.23 грн
4+ 78.77 грн
10+ 68.43 грн
16+ 62.66 грн
43+ 58.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKA15N65ET6XKSA2 IKA15N65ET6XKSA2 Infineon Technologies infineon-ika15n65et6-datasheet-v01_00-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 17A 45000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 6486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+42.09 грн
Мінімальне замовлення: 500
IKA15N65F5 IKA15N65F5 Infineon Technologies Infineon_IKA15N65F5_DS_v02_01_EN-1731558.pdf IGBT Transistors ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+170.07 грн
10+ 139.57 грн
100+ 96.96 грн
250+ 89.05 грн
500+ 81.13 грн
1000+ 69.26 грн
2500+ 65.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKA15N65F5XKSA1 IKA15N65F5XKSA1 Infineon Technologies DS_IKA15N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af98304715d4b Description: IGBT 650V 14A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/150ns
Switching Energy: 130µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 7.5A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 33.3 W
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.69 грн
50+ 121.89 грн
100+ 100.29 грн
500+ 79.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKB15N65EH5ATMA1 IKB15N65EH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKB15N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162cd1328dc4914 Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/145ns
Switching Energy: 400µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W
на замовлення 916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.09 грн
10+ 144.7 грн
100+ 117.09 грн
500+ 97.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKFW75N65EH5XKSA1 IKFW75N65EH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKFW75N65EH5_DataSheet_v02_01_EN-3361942.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+531.75 грн
10+ 449.06 грн
25+ 354.87 грн
100+ 291.55 грн
240+ 249.99 грн
480+ 249.33 грн
1200+ 246.03 грн
IKFW75N65EH5XKSA1 IKFW75N65EH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKFW75N65EH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174d972d5b51efd Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A HSIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/206ns
Switching Energy: 1.8mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 144 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 148 W
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+489.47 грн
30+ 376.21 грн
120+ 336.6 грн
IKFW75N65ES5XKSA1 IKFW75N65ES5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKFW75N65ES5_DataSheet_v02_01_EN-3362028.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 1951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+711.83 грн
10+ 669.04 грн
25+ 558.03 грн
100+ 482.17 грн
240+ 465.02 грн
480+ 346.29 грн
2640+ 345.63 грн
IKP15N65F5XKSA1 IKP15N65F5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKP15N65F5_DS_v02_01_EN-1731657.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+190.85 грн
10+ 153.99 грн
100+ 108.84 грн
500+ 88.39 грн
1000+ 71.9 грн
5000+ 69.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N65EH5XKSA1 IKW75N65EH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW75N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014df7ea80274600 Description: IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/174ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 900µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+452.37 грн
30+ 347.71 грн
120+ 311.12 грн
IKW75N65EH5XKSA1 IKW75N65EH5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw75n65eh5-ds-v02_01-en.pdffileid5546d4624d6fc3d5014df7.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N65EL5XKSA1 IKW75N65EL5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw75n65el5-ds-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+303.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N65EL5XKSA1 IKW75N65EL5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW75N65EL5_DataSheet_v02_02_EN-3362170.pdf IGBT Transistors 650V IGBT Trenchstop 5
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+484.04 грн
10+ 468.03 грн
25+ 356.85 грн
100+ 331.78 грн
240+ 321.89 грн
480+ 288.25 грн
1200+ 276.38 грн
IKW75N65ES5XKSA1 IKW75N65ES5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW75N65ES5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef201501842e2da19c8 Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/144ns
Switching Energy: 2.4mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 14623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+466.64 грн
30+ 358.64 грн
120+ 320.88 грн
510+ 265.71 грн
1020+ 239.14 грн
2010+ 224.08 грн
IKW75N65ET7XKSA1 IKW75N65ET7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW75N65ET7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017351bee5af57fb Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/310ns
Switching Energy: 2.17mJ (on), 1.23mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 435 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 333 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+491.61 грн
30+ 377.83 грн
120+ 338.04 грн
IKW75N65ET7XKSA1 IKW75N65ET7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW75N65ET7_DataSheet_v01_10_EN-3361891.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+530.22 грн
10+ 502.92 грн
25+ 311.34 грн
100+ 292.87 грн
240+ 290.89 грн
480+ 259.23 грн
1200+ 248.01 грн
IKW75N65RH5XKSA1 IKW75N65RH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW75N65RH5_DataSheet_v01_10_EN-3362068.pdf IGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+781.86 грн
10+ 679.66 грн
25+ 565.28 грн
100+ 511.86 грн
240+ 424.79 грн
480+ 411.6 грн
IKW75N65RH5XKSA1 IKW75N65RH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW75N65RH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc281ce931ac Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/180ns
Switching Energy: 360µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+780.59 грн
30+ 599.99 грн
120+ 536.84 грн
IKW75N65SS5XKSA1 IKW75N65SS5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW75N65SS5_DataSheet_v01_10_EN-3362295.pdf IGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+971.93 грн
10+ 947.43 грн
25+ 726.89 грн
50+ 724.91 грн
100+ 704.46 грн
240+ 660.93 грн
480+ 659.61 грн
IKW75N65SS5XKSA1 IKW75N65SS5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW75N65SS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc2833db31af Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/145ns
Switching Energy: 450µJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1070.99 грн
30+ 835.09 грн
120+ 785.96 грн
IKWH75N65EH7XKSA1 IKWH75N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKWH75N65EH7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701892508738f2062 IGBT Transistors
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+515.59 грн
10+ 435.41 грн
25+ 343 грн
100+ 315.29 грн
240+ 296.82 грн
480+ 277.7 грн
1200+ 249.99 грн
IKZ75N65EH5XKSA1 IKZ75N65EH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZ75N65EH5_DS_v02_01_EN-1731634.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+567.92 грн
10+ 559.05 грн
25+ 389.17 грн
100+ 347.61 грн
240+ 340.36 грн
480+ 270.44 грн
1200+ 257.91 грн
IKZ75N65EH5XKSA1 IKZ75N65EH5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikz75n65eh5-ds-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+283.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKZA75N65EH7XKSA1 IKZA75N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZA75N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb570189250859a5205b IGBT Transistors
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+616.4 грн
10+ 520.37 грн
25+ 410.28 грн
100+ 377.3 грн
240+ 354.87 грн
480+ 333.1 грн
1200+ 299.46 грн
AIGB15N65F5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
AIGB15N65F5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+99.14 грн
2000+ 89.9 грн
Мінімальне замовлення: 1000
AIGB15N65F5ATMA1 Infineon_AIGB15N65F5_DataSheet_v02_01_EN-3360459.pdf
AIGB15N65F5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+208.55 грн
10+ 172.95 грн
25+ 147.75 грн
100+ 121.37 грн
250+ 119.39 грн
500+ 108.18 грн
1000+ 92.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIGB15N65F5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
AIGB15N65F5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+191.94 грн
10+ 155.08 грн
100+ 125.44 грн
500+ 104.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIGB15N65H5ATMA1 Infineon-AIGB15N65H5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b6669e363172
AIGB15N65H5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 650V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/22ns
Switching Energy: 160µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 7.5A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+191.94 грн
10+ 155.08 грн
100+ 125.44 грн
500+ 104.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB15N65DF5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
AIKB15N65DF5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+241.17 грн
10+ 194.93 грн
100+ 157.67 грн
500+ 131.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB15N65DF5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
AIKB15N65DF5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+124.63 грн
2000+ 113 грн
Мінімальне замовлення: 1000
AIKB15N65DH5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
AIKB15N65DH5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+124.63 грн
2000+ 113 грн
Мінімальне замовлення: 1000
AIKB15N65DH5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
AIKB15N65DH5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+241.17 грн
10+ 194.93 грн
100+ 157.67 грн
500+ 131.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
BGH75N65ZF1 BGH75N65ZF1.pdf
BGH75N65ZF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 565ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+858.34 грн
2+ 554.48 грн
4+ 524.25 грн
BGH75N65ZF1 BGH75N65ZF1.pdf
BGH75N65ZF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 565ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1030 грн
2+ 690.97 грн
4+ 629.1 грн
600+ 612.61 грн
BIDW75N65EH5 Bourns_01_17_2024_BIDW75N65EH5-3392669.pdf
BIDW75N65EH5
Виробник: Bourns
IGBT Transistors IGBT Discrete 650V, 75A, High speed switching in TO-247-3L
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+447.1 грн
10+ 377.76 грн
25+ 297.48 грн
100+ 273.74 грн
250+ 257.91 грн
600+ 240.76 грн
1200+ 217.01 грн
BIDW75N65EH5 BIDW75N65EH5.pdf
BIDW75N65EH5
Виробник: Bourns Inc.
Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 120 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/186ns
Switching Energy: 2.39mJ (on), .90mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 186 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 394 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+411.7 грн
30+ 316.54 грн
120+ 283.24 грн
510+ 234.53 грн
1020+ 211.08 грн
2010+ 197.79 грн
BIDW75N65ES5 BIDW75N65ES5.pdf
BIDW75N65ES5
Виробник: Bourns Inc.
Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 123 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/194ns
Switching Energy: 1.56mJ (on), 1.07mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 184 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 394 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+411.7 грн
30+ 316.54 грн
120+ 283.24 грн
510+ 234.53 грн
1020+ 211.08 грн
2010+ 197.79 грн
BIDW75N65ES5 Bourns_01_17_2024_BIDW75N65ES5-3392676.pdf
BIDW75N65ES5
Виробник: Bourns
IGBT Transistors IGBT Discrete 650V, 75A, Medium speed switching in TO-247-3L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+447.1 грн
10+ 377.76 грн
25+ 297.48 грн
100+ 273.74 грн
250+ 257.91 грн
600+ 240.76 грн
1200+ 217.01 грн
FCB125N65S3 fcb125n65s3-d.pdf
FCB125N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+191.2 грн
Мінімальне замовлення: 800
FCB125N65S3 fcb125n65s3-d.pdf
FCB125N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+316.8 грн
10+ 256.08 грн
100+ 207.14 грн
FCH125N65S3R0-F155 fch125n65s3r0-d.pdf
FCH125N65S3R0-F155
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+439.53 грн
30+ 335.32 грн
120+ 287.43 грн
FCH165N65S3R0-F155 fch165n65s3r0-d.pdf
FCH165N65S3R0-F155
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+403.14 грн
10+ 325.82 грн
FCMT125N65S3 FCMT125N65S3_D-2312043.pdf
FCMT125N65S3
Виробник: onsemi
MOSFET SF3 650V 125MOHM MO SFET
на замовлення 2943 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+327.06 грн
10+ 285.21 грн
100+ 213.71 грн
500+ 195.24 грн
1000+ 178.75 грн
3000+ 178.09 грн
FCMT125N65S3 fcmt125n65s3-d.pdf
FCMT125N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 400 V
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+392.44 грн
10+ 317.51 грн
100+ 256.83 грн
500+ 214.24 грн
FCP125N65S3 fcp125n65s3-d.pdf
FCP125N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+225.46 грн
100+ 186.1 грн
250+ 175.76 грн
500+ 155.24 грн
Мінімальне замовлення: 50
FCP125N65S3 FCP125N65S3_D-2311643.pdf
FCP125N65S3
Виробник: onsemi
MOSFET SF3 650V 125MOHM E TO220
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+308.59 грн
10+ 255.63 грн
50+ 209.76 грн
100+ 179.41 грн
250+ 169.52 грн
500+ 159.63 грн
1000+ 136.54 грн
FCP125N65S3 fcp125n65s3-d.pdf
FCP125N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+284.69 грн
10+ 230.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP125N65S3R0 fcp125n65s3r0-d.pdf
FCP125N65S3R0
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+291.12 грн
50+ 222.36 грн
100+ 190.59 грн
500+ 158.98 грн
FCP125N65S3R0 FCP125N65S3R0_D-2311923.pdf
FCP125N65S3R0
Виробник: onsemi
MOSFET SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+316.28 грн
10+ 262.46 грн
50+ 207.12 грн
100+ 184.03 грн
250+ 183.37 грн
500+ 156.99 грн
1000+ 131.92 грн
FCP165N65S3 FCP165N65S3_D-2311887.pdf
FCP165N65S3
Виробник: onsemi
MOSFET SUPERFET3 650V 19A 165 mOhm
на замовлення 911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+282.42 грн
10+ 234.39 грн
100+ 164.9 грн
500+ 146.43 грн
1000+ 115.43 грн
5000+ 114.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP165N65S3R0 fcp165n65s3r0-d.pdf
FCP165N65S3R0
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 4327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
143+138.36 грн
Мінімальне замовлення: 143
FCP165N65S3R0 fcp165n65s3r0-d.pdf
FCP165N65S3R0
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+256.87 грн
50+ 196.18 грн
100+ 168.15 грн
500+ 140.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCPF125N65S3 FCPF125N65S3_D-2312017.pdf
FCPF125N65S3
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET SuperFET3 650V 125 mOhm, TO220F PKG
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+343.99 грн
10+ 285.21 грн
50+ 233.5 грн
100+ 199.86 грн
250+ 188.65 грн
500+ 178.09 грн
1000+ 143.79 грн
FCPF125N65S3 fcpf125n65s3-d.pdf
FCPF125N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 400 V
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+316.8 грн
50+ 241.77 грн
100+ 207.24 грн
500+ 172.88 грн
FDPF15N65
FDPF15N65
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3095 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+176.95 грн
50+ 135.4 грн
100+ 116.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDPF15N65 FDPF15N65_D-2312692.pdf
FDPF15N65
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 650V 15A 0.44OHMS NCH POWER TRENCH
на замовлення 2787 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+192.39 грн
10+ 159.3 грн
50+ 114.77 грн
100+ 101.58 грн
250+ 99.6 грн
500+ 91.69 грн
1000+ 82.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGD15N65T6ARMA1 Infineon_IGD15N65T6_DataSheet_v02_03_EN-2898625.pdf
IGD15N65T6ARMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 2702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+115.43 грн
10+ 89.51 грн
100+ 65.04 грн
250+ 60.35 грн
500+ 54.75 грн
1000+ 46.9 грн
3000+ 44.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGW75N65H5XKSA1 Infineon-IGW75N65H5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014df745d10c4394
IGW75N65H5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 120A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/174ns
Switching Energy: 2.25mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+360.33 грн
30+ 275.02 грн
120+ 235.73 грн
IGW75N65H5XKSA1 infineon-igw75n65h5-ds-v02_02-en.pdf
IGW75N65H5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+179.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKA15N65ET6XKSA2 IKA15N65ET6.pdf
IKA15N65ET6XKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 11A; 22W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 11A
Power dissipation: 22W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 57.5A
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: T6
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 202ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+77.69 грн
6+ 63.21 грн
10+ 57.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKA15N65ET6XKSA2 IKA15N65ET6.pdf
IKA15N65ET6XKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 11A; 22W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 11A
Power dissipation: 22W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 57.5A
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: T6
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 202ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+93.23 грн
4+ 78.77 грн
10+ 68.43 грн
16+ 62.66 грн
43+ 58.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKA15N65ET6XKSA2 infineon-ika15n65et6-datasheet-v01_00-en.pdf
IKA15N65ET6XKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 17A 45000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 6486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+42.09 грн
Мінімальне замовлення: 500
IKA15N65F5 Infineon_IKA15N65F5_DS_v02_01_EN-1731558.pdf
IKA15N65F5
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+170.07 грн
10+ 139.57 грн
100+ 96.96 грн
250+ 89.05 грн
500+ 81.13 грн
1000+ 69.26 грн
2500+ 65.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKA15N65F5XKSA1 DS_IKA15N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af98304715d4b
IKA15N65F5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 14A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/150ns
Switching Energy: 130µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 7.5A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 33.3 W
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+157.69 грн
50+ 121.89 грн
100+ 100.29 грн
500+ 79.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKB15N65EH5ATMA1 Infineon-IKB15N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162cd1328dc4914
IKB15N65EH5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/145ns
Switching Energy: 400µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W
на замовлення 916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+179.09 грн
10+ 144.7 грн
100+ 117.09 грн
500+ 97.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKFW75N65EH5XKSA1 Infineon_IKFW75N65EH5_DataSheet_v02_01_EN-3361942.pdf
IKFW75N65EH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+531.75 грн
10+ 449.06 грн
25+ 354.87 грн
100+ 291.55 грн
240+ 249.99 грн
480+ 249.33 грн
1200+ 246.03 грн
IKFW75N65EH5XKSA1 Infineon-IKFW75N65EH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174d972d5b51efd
IKFW75N65EH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A HSIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/206ns
Switching Energy: 1.8mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 144 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 148 W
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+489.47 грн
30+ 376.21 грн
120+ 336.6 грн
IKFW75N65ES5XKSA1 Infineon_IKFW75N65ES5_DataSheet_v02_01_EN-3362028.pdf
IKFW75N65ES5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 1951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+711.83 грн
10+ 669.04 грн
25+ 558.03 грн
100+ 482.17 грн
240+ 465.02 грн
480+ 346.29 грн
2640+ 345.63 грн
IKP15N65F5XKSA1 Infineon_IKP15N65F5_DS_v02_01_EN-1731657.pdf
IKP15N65F5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+190.85 грн
10+ 153.99 грн
100+ 108.84 грн
500+ 88.39 грн
1000+ 71.9 грн
5000+ 69.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N65EH5XKSA1 Infineon-IKW75N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014df7ea80274600
IKW75N65EH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 92 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/174ns
Switching Energy: 2.3mJ (on), 900µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+452.37 грн
30+ 347.71 грн
120+ 311.12 грн
IKW75N65EH5XKSA1 infineon-ikw75n65eh5-ds-v02_01-en.pdffileid5546d4624d6fc3d5014df7.pdf
IKW75N65EH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+250.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N65EL5XKSA1 infineon-ikw75n65el5-ds-v02_01-en.pdf
IKW75N65EL5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+303.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N65EL5XKSA1 Infineon_IKW75N65EL5_DataSheet_v02_02_EN-3362170.pdf
IKW75N65EL5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors 650V IGBT Trenchstop 5
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+484.04 грн
10+ 468.03 грн
25+ 356.85 грн
100+ 331.78 грн
240+ 321.89 грн
480+ 288.25 грн
1200+ 276.38 грн
IKW75N65ES5XKSA1 Infineon-IKW75N65ES5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef201501842e2da19c8
IKW75N65ES5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/144ns
Switching Energy: 2.4mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 14623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+466.64 грн
30+ 358.64 грн
120+ 320.88 грн
510+ 265.71 грн
1020+ 239.14 грн
2010+ 224.08 грн
IKW75N65ET7XKSA1 Infineon-IKW75N65ET7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017351bee5af57fb
IKW75N65ET7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/310ns
Switching Energy: 2.17mJ (on), 1.23mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 435 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 333 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+491.61 грн
30+ 377.83 грн
120+ 338.04 грн
IKW75N65ET7XKSA1 Infineon_IKW75N65ET7_DataSheet_v01_10_EN-3361891.pdf
IKW75N65ET7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+530.22 грн
10+ 502.92 грн
25+ 311.34 грн
100+ 292.87 грн
240+ 290.89 грн
480+ 259.23 грн
1200+ 248.01 грн
IKW75N65RH5XKSA1 Infineon_IKW75N65RH5_DataSheet_v01_10_EN-3362068.pdf
IKW75N65RH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+781.86 грн
10+ 679.66 грн
25+ 565.28 грн
100+ 511.86 грн
240+ 424.79 грн
480+ 411.6 грн
IKW75N65RH5XKSA1 Infineon-IKW75N65RH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc281ce931ac
IKW75N65RH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/180ns
Switching Energy: 360µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+780.59 грн
30+ 599.99 грн
120+ 536.84 грн
IKW75N65SS5XKSA1 Infineon_IKW75N65SS5_DataSheet_v01_10_EN-3362295.pdf
IKW75N65SS5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+971.93 грн
10+ 947.43 грн
25+ 726.89 грн
50+ 724.91 грн
100+ 704.46 грн
240+ 660.93 грн
480+ 659.61 грн
IKW75N65SS5XKSA1 Infineon-IKW75N65SS5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc2833db31af
IKW75N65SS5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/145ns
Switching Energy: 450µJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1070.99 грн
30+ 835.09 грн
120+ 785.96 грн
IKWH75N65EH7XKSA1 Infineon-IKWH75N65EH7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701892508738f2062
IKWH75N65EH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+515.59 грн
10+ 435.41 грн
25+ 343 грн
100+ 315.29 грн
240+ 296.82 грн
480+ 277.7 грн
1200+ 249.99 грн
IKZ75N65EH5XKSA1 Infineon_IKZ75N65EH5_DS_v02_01_EN-1731634.pdf
IKZ75N65EH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+567.92 грн
10+ 559.05 грн
25+ 389.17 грн
100+ 347.61 грн
240+ 340.36 грн
480+ 270.44 грн
1200+ 257.91 грн
IKZ75N65EH5XKSA1 infineon-ikz75n65eh5-ds-v02_01-en.pdf
IKZ75N65EH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 90A 395000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+283.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKZA75N65EH7XKSA1 Infineon-IKZA75N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb570189250859a5205b
IKZA75N65EH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+616.4 грн
10+ 520.37 грн
25+ 410.28 грн
100+ 377.3 грн
240+ 354.87 грн
480+ 333.1 грн
1200+ 299.46 грн
Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]