Результат пошуку "5nk60" : 29
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 21
Мінімальне замовлення: 6
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
STD5NK60ZT4 Код товару: 191547 |
VBsemi |
 Транзистори > Польові N-канальніКорпус: D-Pak Uds,V: 650 V Idd,A: 4,5 A Rds(on), Ohm: 2,1 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1417/48 Монтаж: SMD |
у наявності: 36 шт
очікується:
10 шт
|
|
||||||||||||||
|
|
STD5NK60ZT4 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP5NK60Z | STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 600 Volt 5 Amp |
на замовлення 1291 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP5NK60Z; 5A; 650V; 90W; 1,6R; N-канальный; Корпус: TO-220; STM |
на замовлення 85 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
STP5NK60ZFP | STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch, 650V-1.2ohms Zener SuperMESH 5A |
на замовлення 1035 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| STP5NK60ZFP; 5A; 650V; 25W; 1,6R; N-канальный; Корпус: TO-220FP; STM |
на замовлення 44 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| Транзистор польовий STP5NK60ZFP 5A 600V N-ch TO-220F |
на замовлення 24 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| P5NK60Z | ST | 09+ |
на замовлення 68 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| P5NK60ZFP |
на замовлення 5400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| P5NK60ZFP(STP5NK60 |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| STB15NK60Z-1 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| STD5NK60Z | ST | 07+ TO-252/D-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| STD5NK60Z | ST | TO-252/D-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| STD5NK60Z | STM | SOT-252 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| STP15NK60ZFP |
на замовлення 19488 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| STP5NK60Z |
|
на замовлення 2 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
STD5NK60ZT4 Код товару: 39383 |
ST |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 600 V Idd,A: 5 А Rds(on), Ohm: 1,6 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 690/26 Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
|
|
STP5NK60ZFP Код товару: 1921 |
ST |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 600 V Idd,A: 5 А Rds(on), Ohm: 1,6 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 690/12 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
| STD5NK60ZT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.16A; Idm: 20A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.16A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |
||||||||||||||||
 |
STD5NK60ZT4 | STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 600 Volt 5 Amp Zener SuperMESH |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| STP5NK60Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.16A; Idm: 20A; 90W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.16A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 90W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| STP5NK60Z | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.16A; Idm: 20A; 90W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.16A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 90W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| STP5NK60Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
STP5NK60Z | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| STP5NK60ZFP | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
STP5NK60ZFP | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| STD5NK60ZT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.16A; Idm: 20A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 3.16A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 90W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
| STD5NK60ZT4 Код товару: 191547 |
|
Виробник: VBsemi
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 650 V
Idd,A: 4,5 A
Rds(on), Ohm: 2,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1417/48
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak
Uds,V: 650 V
Idd,A: 4,5 A
Rds(on), Ohm: 2,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1417/48
Монтаж: SMD
у наявності: 36 шт
очікується:
10 шт
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 52 грн |
| 10+ | 46.8 грн |
| STD5NK60ZT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 23.77 грн |
| STP5NK60Z |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 600 Volt 5 Amp
MOSFET N-Ch 600 Volt 5 Amp
на замовлення 1291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 93.12 грн |
| 10+ | 81.34 грн |
| 100+ | 61.58 грн |
| 500+ | 54.83 грн |
| STP5NK60Z; 5A; 650V; 90W; 1,6R; N-канальный; Корпус: TO-220; STM |
на замовлення 85 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 32.84 грн |
| STP5NK60ZFP |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch, 650V-1.2ohms Zener SuperMESH 5A
MOSFET N-Ch, 650V-1.2ohms Zener SuperMESH 5A
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 102.2 грн |
| 10+ | 79.1 грн |
| 100+ | 53.86 грн |
| 500+ | 46.2 грн |
| 1000+ | 37.7 грн |
| 2000+ | 35.04 грн |
| 5000+ | 34.07 грн |
| STP5NK60ZFP; 5A; 650V; 25W; 1,6R; N-канальный; Корпус: TO-220FP; STM |
на замовлення 44 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 21+ | 31.75 грн |
| Транзистор польовий STP5NK60ZFP 5A 600V N-ch TO-220F |
на замовлення 24 шт:
термін постачання 3 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 27.71 грн |
| STD5NK60ZT4 Код товару: 39383 |
|
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 1,6 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 690/26
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 1,6 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 690/26
Монтаж: SMD
товар відсутній
| STP5NK60ZFP Код товару: 1921 |
|
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 1,6 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 690/12
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 1,6 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 690/12
Монтаж: THT
товар відсутній
| STD5NK60ZT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.16A; Idm: 20A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.16A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.16A; Idm: 20A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.16A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
| STP5NK60Z |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.16A; Idm: 20A; 90W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.16A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.16A; Idm: 20A; 90W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.16A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
| STP5NK60Z |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.16A; Idm: 20A; 90W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.16A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.16A; Idm: 20A; 90W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.16A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| STP5NK60Z |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
| STP5NK60Z |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
| STP5NK60ZFP |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
| STP5NK60ZFP |
|
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
| STD5NK60ZT4 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.16A; Idm: 20A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.16A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.16A; Idm: 20A; 90W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.16A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 90W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній