Результат пошуку "6n60" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 18
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 4
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SSS6N60A Код товару: 172151 |
Fairchild |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220F Uds,V: 600 V Idd,A: 3,2 A Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 350/9,3 Примітка: Ізольований корпус Монтаж: THT |
у наявності: 46 шт
|
|
|||||||||||||||
SSS6N60A Код товару: 43341 |
Samsung |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 600 V Idd,A: 3,2 A Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 350/9,3 Примітка: Ізольований корпус Монтаж: THT |
у наявності: 2 шт
|
|
|||||||||||||||
STF6N60M2 Код товару: 155644 |
ST |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 650 V Idd,A: 4,5 A Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 232/8 |
у наявності: 42 шт
|
|
|||||||||||||||
6n60 | to-220/f | AAT |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
6N60C | FAIRCHILD |
на замовлення 88800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
APT106N60LC6 | Microchip Technology | MOSFET MOSFET COOLMOS 600 V 106 A TO-264 |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCPF16N60 | onsemi / Fairchild | MOSFET 600V N-CH SuperFET |
на замовлення 886 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
HI1206N601R-10 | Laird Performance Materials | Ferrite Beads High-Freq Solid Ferrite Cable Cores |
на замовлення 14528 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGD06N60TATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 |
на замовлення 243 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGD06N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGD06N60TATMA1 | Infineon |
IGBT 600V 12A 88W TO252-3 TrenchStop -40+175°C IGD06N60TATMA1 Infineon Technologies TIGD06n60t кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGP06N60T | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6A |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGP06N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 6A Power dissipation: 88W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube |
на замовлення 78 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGP06N60TXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 6A Power dissipation: 88W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 78 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGP06N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 547 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IGP06N60TXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6A |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKA06N60T | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6.2A |
на замовлення 57 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKB06N60T | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6A |
на замовлення 215 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKB06N60TATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6A |
на замовлення 944 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKB06N60TATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKD06N60RATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 6A Power dissipation: 100W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 18A Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 19ns Turn-off time: 279ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 1223 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKD06N60RATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 6A Power dissipation: 100W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 18A Mounting: SMD Gate charge: 48nC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 19ns Turn-off time: 279ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1223 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKD06N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 |
на замовлення 4860 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKD06N60RF | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop |
на замовлення 1356 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKD06N60RF | Infineon |
12A; 600V; 100W; IGBT w/ Diode IKD06N60RF TIKD06n60rf кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKD06N60RFATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS |
на замовлення 2116 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKN06N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14 |
на замовлення 2940 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKP06N60TXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6A |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IKP06N60TXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFIB6N60A | Vishay |
N-MOSFET 600V 5.5A 60W IRFIB6N60A Vishay TIRFIB6n60a кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFIB6N60APBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 600V N-CH HEXFET |
на замовлення 4919 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFP26N60LPBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 600V N-CH HEXFET |
на замовлення 1399 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFA16N60P3 | IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Power dissipation: 347W Case: TO263 On-state resistance: 470mΩ Mounting: SMD Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 81 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFH36N60P | IXYS | MOSFET 600V 36A |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFH36N60X3 | IXYS | MOSFET DISCRETE MOSFET 36A 600V X3 TO |
на замовлення 461 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFK36N60P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 36A Power dissipation: 650W Case: TO264 On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Gate charge: 102nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFP16N60P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Power dissipation: 347W Case: TO220AB On-state resistance: 470mΩ Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 274 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXGH36N60B3 | IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 36A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Turn-on time: 45ns Turn-off time: 350ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 299 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXGH36N60B3 | IXYS | IGBT Transistors GenX3 600V IGBTs |
на замовлення 1049 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXGH36N60B3C1 | IXYS |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: GenX3™; PT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 36A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 200A Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Turn-on time: 47ns Turn-off time: 350ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTH26N60P | IXYS | MOSFET 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds |
на замовлення 207 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PBES16N60R | TE Connectivity / Alcoswitch | Emergency Stop Switches / E-Stop Switches PBES16 23.8 RB NO LAMP 1NC 1NC |
на замовлення 67 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHA186N60EF-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 600V N-CHANNEL |
на замовлення 569 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHB186N60EF-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 600V N-CH MOSFET |
на замовлення 433 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHD186N60EF-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-CHANNEL 600V |
на замовлення 1825 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHG186N60EF-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 600V N-CHANNEL |
на замовлення 560 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHH186N60EF-T1GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 600V |
на замовлення 2845 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHH26N60E-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SiHH26N60EF-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8 |
на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHP186N60EF-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-CHANNEL 600V |
на замовлення 794 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPD06N60C3ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STB36N60M6 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 85 mOhm typ 30 A MDmesh M6 Power MOSFET |
на замовлення 548 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STB36N60M6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
STB6N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STB6N60M2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STD16N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package |
на замовлення 9605 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STD16N60M6 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ 12 A MDmesh M6 Power MOSFET |
на замовлення 2492 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STD6N60DM2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 0.95 Ohm typ 5 A MDmesh DM2 Power MOSFET |
на замовлення 2496 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STD6N60M2 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STD6N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
SSS6N60A Код товару: 172151 |
Виробник: Fairchild
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Uds,V: 600 V
Idd,A: 3,2 A
Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 350/9,3
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Uds,V: 600 V
Idd,A: 3,2 A
Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 350/9,3
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 46 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 35 грн |
SSS6N60A Код товару: 43341 |
Виробник: Samsung
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 3,2 A
Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 350/9,3
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 3,2 A
Rds(on), Ohm: 1,8 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 350/9,3
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 2 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 39.5 грн |
STF6N60M2 Код товару: 155644 |
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 650 V
Idd,A: 4,5 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 232/8
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 650 V
Idd,A: 4,5 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 232/8
у наявності: 42 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 43 грн |
APT106N60LC6 |
Виробник: Microchip Technology
MOSFET MOSFET COOLMOS 600 V 106 A TO-264
MOSFET MOSFET COOLMOS 600 V 106 A TO-264
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1493.58 грн |
100+ | 1270.45 грн |
FCPF16N60 |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 600V N-CH SuperFET
MOSFET 600V N-CH SuperFET
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 310.52 грн |
10+ | 256.21 грн |
50+ | 210.3 грн |
100+ | 180.07 грн |
250+ | 170.21 грн |
500+ | 160.35 грн |
1000+ | 135.38 грн |
HI1206N601R-10 |
Виробник: Laird Performance Materials
Ferrite Beads High-Freq Solid Ferrite Cable Cores
Ferrite Beads High-Freq Solid Ferrite Cable Cores
на замовлення 14528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 17.1 грн |
28+ | 10.81 грн |
100+ | 7.43 грн |
250+ | 6.31 грн |
500+ | 5.65 грн |
1000+ | 5.39 грн |
3000+ | 4.53 грн |
IGD06N60TATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 62.72 грн |
10+ | 48.97 грн |
100+ | 37.79 грн |
500+ | 32.01 грн |
1000+ | 26.09 грн |
2500+ | 23.13 грн |
IGD06N60TATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 25.46 грн |
IGD06N60TATMA1 |
Виробник: Infineon
IGBT 600V 12A 88W TO252-3 TrenchStop -40+175°C IGD06N60TATMA1 Infineon Technologies TIGD06n60t
кількість в упаковці: 10 шт
IGBT 600V 12A 88W TO252-3 TrenchStop -40+175°C IGD06N60TATMA1 Infineon Technologies TIGD06n60t
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 37.19 грн |
IGP06N60T |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6A
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6A
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 102.74 грн |
10+ | 83.89 грн |
100+ | 56.58 грн |
500+ | 47.97 грн |
1000+ | 39.04 грн |
2500+ | 36.8 грн |
5000+ | 35.03 грн |
IGP06N60TXKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 76.67 грн |
6+ | 63.67 грн |
10+ | 56.82 грн |
17+ | 49.29 грн |
45+ | 46.55 грн |
IGP06N60TXKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 88W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 88W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 78 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 92.01 грн |
4+ | 79.34 грн |
10+ | 68.18 грн |
17+ | 59.15 грн |
45+ | 55.86 грн |
IGP06N60TXKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 38.26 грн |
IGP06N60TXKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6A
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6A
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 104.27 грн |
10+ | 82.38 грн |
100+ | 56.65 грн |
500+ | 47.97 грн |
1000+ | 36.8 грн |
5000+ | 35.03 грн |
10000+ | 34.7 грн |
IKA06N60T |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6.2A
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6.2A
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 112.71 грн |
10+ | 83.89 грн |
100+ | 60.66 грн |
250+ | 59.48 грн |
500+ | 50.34 грн |
1000+ | 43.11 грн |
2500+ | 43.05 грн |
IKB06N60T |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6A
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6A
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 122.68 грн |
10+ | 100.52 грн |
100+ | 69.66 грн |
250+ | 64.21 грн |
500+ | 58.62 грн |
1000+ | 50.21 грн |
2000+ | 47.65 грн |
IKB06N60TATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6A
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6A
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 119.61 грн |
10+ | 95.23 грн |
100+ | 68.35 грн |
250+ | 62.96 грн |
500+ | 56.91 грн |
1000+ | 48.7 грн |
2000+ | 46.27 грн |
IKB06N60TATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 49.38 грн |
IKD06N60RATMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 279ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 279ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 54.56 грн |
8+ | 45.46 грн |
22+ | 36.49 грн |
60+ | 34.5 грн |
500+ | 33.2 грн |
IKD06N60RATMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 279ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 100W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 6A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 18A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 19ns
Turn-off time: 279ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 56.64 грн |
22+ | 43.79 грн |
60+ | 41.4 грн |
500+ | 39.84 грн |
IKD06N60RC2ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 62.72 грн |
10+ | 52.75 грн |
100+ | 38.58 грн |
500+ | 33.78 грн |
1000+ | 27.54 грн |
2500+ | 24.58 грн |
10000+ | 23.72 грн |
IKD06N60RF |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 86.64 грн |
10+ | 70.29 грн |
100+ | 47.91 грн |
500+ | 40.61 грн |
1000+ | 33.06 грн |
2500+ | 32.33 грн |
5000+ | 32.2 грн |
IKD06N60RF |
на замовлення 26 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 40.43 грн |
IKD06N60RFATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 2116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 59.19 грн |
10+ | 50.71 грн |
100+ | 37.85 грн |
500+ | 34.57 грн |
1000+ | 31.15 грн |
2500+ | 30.82 грн |
5000+ | 29.64 грн |
IKN06N60RC2ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 67.01 грн |
10+ | 58.04 грн |
100+ | 34.5 грн |
500+ | 28.78 грн |
1000+ | 25.17 грн |
3000+ | 21.36 грн |
6000+ | 20.57 грн |
IKP06N60TXKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6A
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 6A
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 118.08 грн |
10+ | 94.47 грн |
100+ | 64.8 грн |
500+ | 54.61 грн |
1000+ | 41.86 грн |
5000+ | 39.89 грн |
10000+ | 39.56 грн |
IKP06N60TXKSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 88000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 43.55 грн |
IRFIB6N60A |
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 52.2 грн |
IRFIB6N60APBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V N-CH HEXFET
MOSFET 600V N-CH HEXFET
на замовлення 4919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 229.25 грн |
10+ | 211.62 грн |
25+ | 149.18 грн |
100+ | 133.41 грн |
250+ | 132.75 грн |
500+ | 124.21 грн |
1000+ | 107.78 грн |
IRFP26N60LPBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V N-CH HEXFET
MOSFET 600V N-CH HEXFET
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 574.28 грн |
10+ | 504.1 грн |
25+ | 419.95 грн |
100+ | 381.83 грн |
250+ | 362.77 грн |
500+ | 334.51 грн |
1000+ | 295.74 грн |
IXFA16N60P3 |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO263
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 81 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 550.27 грн |
3+ | 381.33 грн |
8+ | 346.67 грн |
IXFH36N60P |
Виробник: IXYS
MOSFET 600V 36A
MOSFET 600V 36A
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 811.96 грн |
10+ | 705.89 грн |
30+ | 597.39 грн |
60+ | 563.21 грн |
120+ | 538.9 грн |
IXFH36N60X3 |
Виробник: IXYS
MOSFET DISCRETE MOSFET 36A 600V X3 TO
MOSFET DISCRETE MOSFET 36A 600V X3 TO
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 585.01 грн |
10+ | 494.27 грн |
120+ | 358.17 грн |
270+ | 357.51 грн |
510+ | 302.31 грн |
1020+ | 270.76 грн |
IXFK36N60P |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 36A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 36A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 937.76 грн |
2+ | 686.73 грн |
4+ | 625.15 грн |
IXFP16N60P3 |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO220AB
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 347W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 347W
Case: TO220AB
On-state resistance: 470mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 274 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 349.45 грн |
3+ | 302.85 грн |
5+ | 232.48 грн |
12+ | 220.16 грн |
IXGH36N60B3 |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 36A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 350ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 36A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 350ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 299 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 440.57 грн |
3+ | 382.18 грн |
4+ | 280.13 грн |
10+ | 264.52 грн |
IXGH36N60B3 |
Виробник: IXYS
IGBT Transistors GenX3 600V IGBTs
IGBT Transistors GenX3 600V IGBTs
на замовлення 1049 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 479.2 грн |
30+ | 374.11 грн |
120+ | 278.65 грн |
510+ | 247.76 грн |
1020+ | 219.5 грн |
2520+ | 209.64 грн |
IXGH36N60B3C1 |
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 36A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 350ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 36A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; PT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 36A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 47ns
Turn-off time: 350ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 3524.57 грн |
IXTH26N60P |
Виробник: IXYS
MOSFET 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds
MOSFET 26.0 Amps 600 V 0.27 Ohm Rds
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 637.91 грн |
10+ | 538.86 грн |
30+ | 425.2 грн |
120+ | 390.37 грн |
270+ | 340.43 грн |
510+ | 327.94 грн |
1020+ | 325.31 грн |
PBES16N60R |
Виробник: TE Connectivity / Alcoswitch
Emergency Stop Switches / E-Stop Switches PBES16 23.8 RB NO LAMP 1NC 1NC
Emergency Stop Switches / E-Stop Switches PBES16 23.8 RB NO LAMP 1NC 1NC
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 3684.11 грн |
5+ | 3322.37 грн |
10+ | 2720.12 грн |
25+ | 2515.07 грн |
50+ | 2292.94 грн |
100+ | 2200.28 грн |
250+ | 2190.42 грн |
SIHA186N60EF-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V N-CHANNEL
MOSFET 600V N-CHANNEL
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 191.68 грн |
10+ | 167.03 грн |
25+ | 131.44 грн |
100+ | 114.35 грн |
250+ | 110.41 грн |
500+ | 101.21 грн |
1000+ | 88.06 грн |
SIHB186N60EF-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V N-CH MOSFET
MOSFET 600V N-CH MOSFET
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 202.41 грн |
10+ | 195.74 грн |
25+ | 137.35 грн |
100+ | 120.92 грн |
500+ | 102.52 грн |
1000+ | 90.69 грн |
SIHD186N60EF-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-CHANNEL 600V
MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 211.62 грн |
10+ | 176.09 грн |
25+ | 126.18 грн |
100+ | 112.38 грн |
250+ | 109.09 грн |
500+ | 103.18 грн |
1000+ | 91.35 грн |
SIHG186N60EF-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V N-CHANNEL
MOSFET 600V N-CHANNEL
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 239.22 грн |
10+ | 198.01 грн |
25+ | 143.27 грн |
100+ | 126.84 грн |
250+ | 123.55 грн |
500+ | 111.72 грн |
1000+ | 107.12 грн |
SIHH186N60EF-T1GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 600V
MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 344.26 грн |
10+ | 285.68 грн |
25+ | 235.93 грн |
100+ | 201.1 грн |
250+ | 189.93 грн |
500+ | 178.76 грн |
1000+ | 153.13 грн |
SIHH26N60E-T1-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 384.9 грн |
10+ | 318.18 грн |
25+ | 261.56 грн |
100+ | 224.1 грн |
250+ | 212.27 грн |
500+ | 199.13 грн |
1000+ | 170.21 грн |
SiHH26N60EF-T1-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 460.03 грн |
10+ | 388.47 грн |
25+ | 306.25 грн |
100+ | 281.94 грн |
250+ | 265.51 грн |
500+ | 248.42 грн |
1000+ | 224.76 грн |
SIHP186N60EF-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-CHANNEL 600V
MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 241.52 грн |
10+ | 200.28 грн |
25+ | 139.98 грн |
100+ | 126.84 грн |
250+ | 123.55 грн |
500+ | 117.64 грн |
1000+ | 109.09 грн |
SPD06N60C3ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 51.45 грн |
STB36N60M6 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 85 mOhm typ 30 A MDmesh M6 Power MOSFET
MOSFET N-channel 600 V, 85 mOhm typ 30 A MDmesh M6 Power MOSFET
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 414.8 грн |
10+ | 343.88 грн |
25+ | 193.21 грн |
100+ | 185.33 грн |
250+ | 183.36 грн |
500+ | 181.38 грн |
1000+ | 180.73 грн |
STB36N60M6 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)STB6N60M2 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 115.01 грн |
10+ | 92.96 грн |
100+ | 62.96 грн |
500+ | 52.9 грн |
1000+ | 43.11 грн |
2000+ | 40.61 грн |
5000+ | 38.64 грн |
STB6N60M2 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 41.17 грн |
STD16N60M2 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
MOSFET N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
на замовлення 9605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 110.41 грн |
10+ | 94.47 грн |
100+ | 70.32 грн |
250+ | 67.03 грн |
500+ | 61.71 грн |
1000+ | 51.46 грн |
STD16N60M6 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ 12 A MDmesh M6 Power MOSFET
MOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ 12 A MDmesh M6 Power MOSFET
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 157.18 грн |
10+ | 128.48 грн |
100+ | 89.38 грн |
250+ | 82.81 грн |
500+ | 74.26 грн |
1000+ | 68.35 грн |
2500+ | 58.62 грн |
STD6N60DM2 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.95 Ohm typ 5 A MDmesh DM2 Power MOSFET
MOSFET N-channel 600 V, 0.95 Ohm typ 5 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 2496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 101.97 грн |
10+ | 48.22 грн |
100+ | 38.25 грн |
500+ | 38.12 грн |
1000+ | 36.93 грн |
2500+ | 36.08 грн |
5000+ | 34.37 грн |
STD6N60M2 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 39.87 грн |
STD6N60M2 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 100.44 грн |
10+ | 81.62 грн |
100+ | 55.4 грн |
500+ | 46.86 грн |
1000+ | 38.18 грн |
2500+ | 35.95 грн |
5000+ | 34.24 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]