Результат пошуку "70N0" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 5000
Мінімальне замовлення: 15
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5000
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 32
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 7
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSZ070N08LS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH 40<-<100V |
на замовлення 29005 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSZ070N08LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BXT270N02M | BRIDGELUX |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.6A; Idm: 18A; 1W; SOT23-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.6A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 1W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 44mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1223 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BXT270N02M | BRIDGELUX |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.6A; Idm: 18A; 1W; SOT23-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.6A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 1W Case: SOT23-3 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 44mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1223 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
D970N06T | Infineon Technologies | Rectifiers Rectifier Diode 970A 600V |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FR10870N0050J01 | KYOCERA AVX | High Frequency/RF Resistors |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IAUC70N08S5N074ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(75V 120V( |
на замовлення 370 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPB70N04S4-06 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T2 |
на замовлення 975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPC70N04S54R6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(20V,40V) |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPC70N04S5L4R2ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPD70N03S4L-04 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 70A DPAK-2 OptiMOS-T2 |
на замовлення 13989 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPD70N03S4L04ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 30V 70A DPAK-2 OptiMOS-T2 |
на замовлення 14540 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPI70N04S4-06 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 70A I2PAK-3 OptiMOS-T2 |
на замовлення 902 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFP270N06T3 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 480W; TO220AB; 47ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; TrenchT3™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 270A Power dissipation: 480W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.1mΩ Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 47ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IXTH270N04T4 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO247-3; 48ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 270A Power dissipation: 375W Case: TO247-3 On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 182nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 48ns |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTH270N04T4 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO247-3; 48ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 270A Power dissipation: 375W Case: TO247-3 On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 182nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 48ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 22 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP170N075T2 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 360W; TO220AB; 63ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 170A Power dissipation: 360W Case: TO220AB On-state resistance: 5.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 109nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 63ns |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP170N075T2 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 360W; TO220AB; 63ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 170A Power dissipation: 360W Case: TO220AB On-state resistance: 5.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 109nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 63ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 44 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP170N075T2 | IXYS | MOSFET 170 Amps 75V |
на замовлення 112 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP270N04T4 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO220AB; 48ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 270A Power dissipation: 375W Case: TO220AB On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 182nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 48ns |
на замовлення 93 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP270N04T4 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO220AB; 48ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 270A Power dissipation: 375W Case: TO220AB On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 182nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 48ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 93 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP70N075T2 | IXYS | MOSFET 70 Amps 75V 0.0120 Rds |
на замовлення 71 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
L-0805 47UH 30% 7.0MA // LQM21FN470N00L | MURATA | L-0805 47uH ±30% 7.0mA 1.2 Ohm 7.5MHz |
на замовлення 118 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MCTL270N04Y-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET |
на замовлення 1975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
R9-70N-01-220V-RED | SCI |
Category: Neon Indicators Description: Indicator: with neon lamp; flat; red; 230VAC; Cutout: 30.4x11.2mm Type of indicator: with neon lamp Kind of indicator: flat Lamp colour: red Operating voltage: 230V AC Mounting hole diameter: 30.4x11.2mm Leads: connectors 6,3x0,8mm Terminals plating: silver plated Body material: polyamide Body colour: black Operating temperature: -25...70°C IP rating: IP20 Panel thickness: max. 3mm Flammability rating: UL94V-2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 431 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RFP70N06 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 70A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 156nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 185 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RFP70N06 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 70A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 156nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 185 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RFP70N06 | onsemi / Fairchild | MOSFET N-Ch Power MOSFET |
на замовлення 5058 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RFP70N06 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 1637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RSH070N05GZETB | ROHM Semiconductor | MOSFET N-Channel 45V 7A Power MOSFET |
на замовлення 1208 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RSH070N05TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFET Nch 45V 7A MOSFET |
на замовлення 1477 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RSS070N05HZGTB | ROHM Semiconductor | MOSFET MOSFET |
на замовлення 4954 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RXH070N03TB1 | ROHM Semiconductor | MOSFET 4V Drive Nch MOSFET. MOSFETs are made as ultra-low ON-resistance by the micro-processing technologies suitable for mobilr equipment for low current consumption. In wide lineup including compact type, high-power type and complex type to meet in the |
на замовлення 347 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TPS62870N0QWRXSRQ1 | Texas Instruments | Switching Voltage Regulators Automotive 2.7-V to 6-V input, 6-A, stackable, synchronous buck converter 16-VQFN-FCRLF -40 to 125 |
на замовлення 2995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
TSM170N06CP ROG | Taiwan Semiconductor | MOSFET 60V, 38A, Single N-Channel Power MOSFET |
на замовлення 18715 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AF70N03D | ANACHIP | 09+ |
на замовлення 1099 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
AP70N03 |
на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
AP70N03S | AP | 03+ |
на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
APM70N03GC-TR |
на замовлення 547 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
BSZ070N08LS5ATMA1 | Infineon |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
DFP70N06 | 09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
DT170N06KOF | EUPEC | 05+ |
на замовлення 70 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
DT170N08KOF | EUPEC | 05+ |
на замовлення 70 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
F1S70N06 |
на замовлення 1041 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FQA170N06 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FQB70N08 | FAIRCHILD | TO-263 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQB70N08 | Fairchild |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
FQB70N08 | fairchild | to-263/d2-pak |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQB70N08 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQB70N08 | FAIRCHILD | SOT-263 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQB70N08TM | Fairchild |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
FQD70N03 | FAIRCHILD | 03+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQD70N03L | FAIRCHILD | 04+ |
на замовлення 1325 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQP70N08 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FQPF70N08 |
на замовлення 87090 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
GFB70N03 | GENERAL | 2003 |
на замовлення 33 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
GFB70N03 | GS | 94+ |
на замовлення 26 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
GFP70N03 | 07+ |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IPB070N06LG | infineon | 07+ to-263/d2-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IPB070N06LG | infineon | to-263/d2-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
BSZ070N08LS5ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH 40<-<100V
MOSFET TRENCH 40<-<100V
на замовлення 29005 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 87.82 грн |
10+ | 74.25 грн |
100+ | 54.05 грн |
250+ | 53.79 грн |
500+ | 47.04 грн |
1000+ | 41.59 грн |
BSZ070N08LS5ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 13A 8-Pin TSDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 26.57 грн |
BXT270N02M |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.6A; Idm: 18A; 1W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.6A; Idm: 18A; 1W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 24.75 грн |
30+ | 11.42 грн |
43+ | 8 грн |
100+ | 5.71 грн |
250+ | 2.85 грн |
471+ | 1.66 грн |
BXT270N02M |
Виробник: BRIDGELUX
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.6A; Idm: 18A; 1W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.6A; Idm: 18A; 1W; SOT23-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23-3
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1223 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 29.7 грн |
18+ | 14.24 грн |
26+ | 9.6 грн |
100+ | 6.85 грн |
250+ | 3.42 грн |
471+ | 2 грн |
1295+ | 1.89 грн |
D970N06T |
Виробник: Infineon Technologies
Rectifiers Rectifier Diode 970A 600V
Rectifiers Rectifier Diode 970A 600V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 5519.6 грн |
10+ | 5160.16 грн |
18+ | 4141.24 грн |
54+ | 3844.69 грн |
FR10870N0050J01 |
Виробник: KYOCERA AVX
High Frequency/RF Resistors
High Frequency/RF Resistors
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 977.34 грн |
10+ | 876.07 грн |
25+ | 685.23 грн |
50+ | 590.49 грн |
100+ | 542.48 грн |
250+ | 513.92 грн |
500+ | 495.11 грн |
IAUC70N08S5N074ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(75V 120V(
MOSFET MOSFET_(75V 120V(
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 112.04 грн |
10+ | 91.04 грн |
100+ | 61.58 грн |
500+ | 51.91 грн |
1000+ | 39.78 грн |
5000+ | 37.83 грн |
10000+ | 37.57 грн |
IPB70N04S4-06 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 40V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T2
MOSFET N-Ch 40V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 143.08 грн |
10+ | 117.16 грн |
100+ | 81.11 грн |
250+ | 74.62 грн |
500+ | 68.78 грн |
1000+ | 58.47 грн |
2000+ | 55.55 грн |
IPC70N04S54R6ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(20V,40V)
MOSFET MOSFET_(20V,40V)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 73.96 грн |
10+ | 55.67 грн |
100+ | 39.91 грн |
500+ | 34.46 грн |
1000+ | 26.47 грн |
2500+ | 26.41 грн |
5000+ | 25.18 грн |
IPC70N04S5L4R2ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 25.21 грн |
IPD70N03S4L-04 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 70A DPAK-2 OptiMOS-T2
MOSFET N-Ch 30V 70A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 13989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 92.36 грн |
10+ | 74.62 грн |
100+ | 50.87 грн |
500+ | 43.15 грн |
1000+ | 35.11 грн |
2500+ | 33.09 грн |
5000+ | 31.47 грн |
IPD70N03S4L04ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 30V 70A DPAK-2 OptiMOS-T2
MOSFET N-Ch 30V 70A DPAK-2 OptiMOS-T2
на замовлення 14540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 92.36 грн |
10+ | 74.62 грн |
100+ | 50.87 грн |
500+ | 43.15 грн |
1000+ | 35.11 грн |
2500+ | 33.09 грн |
5000+ | 31.47 грн |
IPI70N04S4-06 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 40V 70A I2PAK-3 OptiMOS-T2
MOSFET N-Ch 40V 70A I2PAK-3 OptiMOS-T2
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 143.08 грн |
10+ | 117.16 грн |
100+ | 81.11 грн |
250+ | 74.62 грн |
500+ | 68.13 грн |
1000+ | 55.55 грн |
5000+ | 53.73 грн |
IXFP270N06T3 |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 480W; TO220AB; 47ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 47ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 480W; TO220AB; 47ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; TrenchT3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 47ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTH270N04T4 |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO247-3; 48ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 182nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 48ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO247-3; 48ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 182nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 48ns
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 300.63 грн |
3+ | 250.77 грн |
4+ | 200.75 грн |
11+ | 189.94 грн |
IXTH270N04T4 |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO247-3; 48ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 182nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 48ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO247-3; 48ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO247-3
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 182nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 48ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 360.76 грн |
3+ | 312.5 грн |
4+ | 240.9 грн |
11+ | 227.92 грн |
IXTP170N075T2 |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 360W; TO220AB; 63ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 109nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 63ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 360W; TO220AB; 63ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 109nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 63ns
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 204.55 грн |
3+ | 171.01 грн |
6+ | 139.92 грн |
16+ | 132.48 грн |
IXTP170N075T2 |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 360W; TO220AB; 63ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 109nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 63ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 360W; TO220AB; 63ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 109nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 63ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 245.46 грн |
3+ | 213.11 грн |
6+ | 167.9 грн |
16+ | 158.98 грн |
IXTP170N075T2 |
Виробник: IXYS
MOSFET 170 Amps 75V
MOSFET 170 Amps 75V
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 275.56 грн |
10+ | 227.6 грн |
50+ | 186.23 грн |
100+ | 163.52 грн |
250+ | 155.09 грн |
500+ | 143.41 грн |
IXTP270N04T4 |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO220AB; 48ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 182nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 48ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO220AB; 48ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 182nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 48ns
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 220.56 грн |
3+ | 184.53 грн |
6+ | 152.08 грн |
15+ | 143.3 грн |
IXTP270N04T4 |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO220AB; 48ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 182nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 48ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO220AB; 48ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 182nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 48ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 93 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 264.67 грн |
3+ | 229.95 грн |
6+ | 182.5 грн |
15+ | 171.96 грн |
IXTP70N075T2 |
Виробник: IXYS
MOSFET 70 Amps 75V 0.0120 Rds
MOSFET 70 Amps 75V 0.0120 Rds
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 191.53 грн |
10+ | 169.39 грн |
100+ | 108.37 грн |
250+ | 105.12 грн |
500+ | 92.79 грн |
1000+ | 86.95 грн |
L-0805 47UH 30% 7.0MA // LQM21FN470N00L |
Виробник: MURATA
L-0805 47uH ±30% 7.0mA 1.2 Ohm 7.5MHz
L-0805 47uH ±30% 7.0mA 1.2 Ohm 7.5MHz
на замовлення 118 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
32+ | 6.36 грн |
MCTL270N04Y-TP |
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
MOSFET
MOSFET
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 226.36 грн |
10+ | 187.3 грн |
25+ | 153.79 грн |
100+ | 132.37 грн |
250+ | 125.24 грн |
500+ | 116.8 грн |
1000+ | 100.58 грн |
R9-70N-01-220V-RED |
Виробник: SCI
Category: Neon Indicators
Description: Indicator: with neon lamp; flat; red; 230VAC; Cutout: 30.4x11.2mm
Type of indicator: with neon lamp
Kind of indicator: flat
Lamp colour: red
Operating voltage: 230V AC
Mounting hole diameter: 30.4x11.2mm
Leads: connectors 6,3x0,8mm
Terminals plating: silver plated
Body material: polyamide
Body colour: black
Operating temperature: -25...70°C
IP rating: IP20
Panel thickness: max. 3mm
Flammability rating: UL94V-2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Neon Indicators
Description: Indicator: with neon lamp; flat; red; 230VAC; Cutout: 30.4x11.2mm
Type of indicator: with neon lamp
Kind of indicator: flat
Lamp colour: red
Operating voltage: 230V AC
Mounting hole diameter: 30.4x11.2mm
Leads: connectors 6,3x0,8mm
Terminals plating: silver plated
Body material: polyamide
Body colour: black
Operating temperature: -25...70°C
IP rating: IP20
Panel thickness: max. 3mm
Flammability rating: UL94V-2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 431 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 86.48 грн |
5+ | 74.12 грн |
21+ | 45.42 грн |
58+ | 42.99 грн |
RFP70N06 |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 121.67 грн |
9+ | 96.66 грн |
23+ | 91.25 грн |
RFP70N06 |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 185 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 173.83 грн |
3+ | 151.62 грн |
9+ | 115.99 грн |
23+ | 109.5 грн |
250+ | 107.88 грн |
RFP70N06 |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET N-Ch Power MOSFET
MOSFET N-Ch Power MOSFET
на замовлення 5058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 120.37 грн |
10+ | 103.73 грн |
100+ | 79.81 грн |
500+ | 72.68 грн |
800+ | 59.63 грн |
RFP70N06 |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 67.53 грн |
RSH070N05GZETB |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET N-Channel 45V 7A Power MOSFET
MOSFET N-Channel 45V 7A Power MOSFET
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 81.76 грн |
10+ | 62.53 грн |
100+ | 42.37 грн |
500+ | 38.15 грн |
1000+ | 32.31 грн |
2500+ | 27.51 грн |
5000+ | 27.38 грн |
RSH070N05TB1 |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET Nch 45V 7A MOSFET
MOSFET Nch 45V 7A MOSFET
на замовлення 1477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 87.82 грн |
10+ | 71.49 грн |
100+ | 48.47 грн |
500+ | 41.07 грн |
1000+ | 33.42 грн |
2500+ | 31.47 грн |
5000+ | 29.98 грн |
RSS070N05HZGTB |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET MOSFET
MOSFET MOSFET
на замовлення 4954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 146.11 грн |
10+ | 113.43 грн |
100+ | 90.85 грн |
250+ | 82.41 грн |
500+ | 73.97 грн |
1000+ | 72.68 грн |
2500+ | 61.58 грн |
RXH070N03TB1 |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET 4V Drive Nch MOSFET. MOSFETs are made as ultra-low ON-resistance by the micro-processing technologies suitable for mobilr equipment for low current consumption. In wide lineup including compact type, high-power type and complex type to meet in the
MOSFET 4V Drive Nch MOSFET. MOSFETs are made as ultra-low ON-resistance by the micro-processing technologies suitable for mobilr equipment for low current consumption. In wide lineup including compact type, high-power type and complex type to meet in the
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 65.48 грн |
10+ | 52.98 грн |
100+ | 35.82 грн |
500+ | 30.43 грн |
1000+ | 24.79 грн |
2500+ | 23.23 грн |
5000+ | 22.13 грн |
TPS62870N0QWRXSRQ1 |
Виробник: Texas Instruments
Switching Voltage Regulators Automotive 2.7-V to 6-V input, 6-A, stackable, synchronous buck converter 16-VQFN-FCRLF -40 to 125
Switching Voltage Regulators Automotive 2.7-V to 6-V input, 6-A, stackable, synchronous buck converter 16-VQFN-FCRLF -40 to 125
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 268.75 грн |
10+ | 238.05 грн |
100+ | 169.36 грн |
250+ | 160.28 грн |
500+ | 144.05 грн |
1000+ | 121.34 грн |
3000+ | 115.5 грн |
TSM170N06CP ROG |
Виробник: Taiwan Semiconductor
MOSFET 60V, 38A, Single N-Channel Power MOSFET
MOSFET 60V, 38A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 18715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 45.8 грн |
10+ | 39.03 грн |
100+ | 23.49 грн |
500+ | 19.6 грн |
1000+ | 19.08 грн |
IPB070N06LG |
Виробник: infineon
07+ to-263/d2-pak
07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)IPB070N06LG |
Виробник: infineon
to-263/d2-pak
to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]