Результат пошуку "7N60" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 544
Мінімальне замовлення: 592
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SPW47N60C3 Код товару: 43153 |
Infineon |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 650 V Idd,A: 47 A Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 6800/24 Монтаж: THT |
у наявності: 50 шт
|
|
|||||||||||||||||
SSS7N60B Код товару: 32907 |
Fairchild |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 600 V Idd,A: 7 А Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1380/38 Примітка: Ізольований корпус Монтаж: THT |
у наявності: 38 шт
|
|
|||||||||||||||||
7N60 | to-220/f | AAT |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
7N60 | SMFSC°ЧЖ¬ |
на замовлення 175000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
7N60 AAT | TO-220/F 08+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
AOTF7N60FD | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.7A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.7A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.45Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 167 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
AOTF7N60FD | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.7A; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.7A Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.45Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 167 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
APT47N60BC3G | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 47A Power dissipation: 417W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 260nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
APT47N60BC3G | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 47A Power dissipation: 417W Case: TO247 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 260nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
APT47N60SC3G | Microchip Technology | MOSFET MOSFET COOLMOS 600 V 47 A TO-268 |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
APT77N60JC3 | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules MOSFET SUPERJUNCTION 600 V 77 A SOT-227 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
APT77N60JC3 | Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 600V 77A ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 568W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA Supplier Device Package: ISOTOP® Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 640 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V |
на замовлення 193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
APT77N60SC6 | Microchip Technology | MOSFET MOSFET COOLMOS 600 V 77 A TO-268 |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
APT77N60SC6/TR | Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 44.4A, 10V Power Dissipation (Max): 481W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.96mA Supplier Device Package: D3Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V |
на замовлення 252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
D2FC-F-7N(60M) | OMRON Electronic Components |
Category: Microswitches SNAP ACTION Description: Microswitch SNAP ACTION; 0.001A/6VDC; without lever; SPST-NO Type of switch: microswitch SNAP ACTION DC contacts rating @R: 0.001A / 6V DC Switches features: without lever Contacts configuration: SPST-NO Max. contact resistance:: 100mΩ Switching method: OFF-(ON) Number of positions: 2 Stable positions number: 1 IP rating: IP40 Leads: for PCB Body dimensions: 12.8x5.8x6.5mm Mechanical durability: 60000000 cycles Operating temperature: -25...65°C Operating Force: 0.59N Min. insulation resistance: 0.1GΩ Terminal pitch: 5.08mm Contact material: silver Mounting: PCB Manufacturer series: D2FC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 697 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
D2FC-F-7N(60M) | Omron Electronics Inc-EMC Div |
Description: SWITCH SNP ACT SPST-NO 0.001A 6V Packaging: Bag Part Status: Active Current Rating (Amps): 1mA (DC) Mounting Type: Through Hole Circuit: SPST-NO Switch Function: Off-Mom Operating Temperature: -25°C ~ 65°C Termination Style: PC Pin Actuator Type: Round (Pin Plunger) Operating Force: 60gf Ingress Protection: IP40 Release Force: 24gf Differential Travel: 0.005" (0.13mm) Overtravel: 0.008" (0.2mm) Operating Position: 0.272" (6.9mm) Voltage Rating - DC: 6 V |
на замовлення 5560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
D2FC-F-7N(60M) | Omron Electronics | Basic / Snap Action Switches Ultra Subminiature 0.59N OF, 60M ops, Orange Mechanical mouse switch |
на замовлення 3601 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FCA47N60 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V |
на замовлення 813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FCA47N60 | onsemi / Fairchild | MOSFET 650V SUPER FET |
на замовлення 467 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FCA47N60-F109 | onsemi / Fairchild | MOSFET 650V SUPER FET |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FCA47N60-F109 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V |
на замовлення 301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FCA47N60-F109 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V |
на замовлення 462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FCA47N60-F109 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FCA47N60F | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 23.5A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V |
на замовлення 249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FCA47N60F | onsemi / Fairchild | MOSFET 47A, 600V SuperFET |
на замовлення 416 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FCD7N60TM | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V |
на замовлення 5965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FCD7N60TM | onsemi / Fairchild | MOSFET N-CH/600V/7A SuperFET |
на замовлення 20648 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FCD7N60TM | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FCD7N60TM-WS | onsemi / Fairchild | MOSFET Trans N-Ch 600V 7A 3-Pin 2+Tab |
на замовлення 6593 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FCD7N60TM-WS | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FCD7N60TM-WS | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FCH47N60-F133 | onsemi / Fairchild | MOSFET 600V N-Channel MOSFET |
на замовлення 122 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FCH47N60-F133 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V |
на замовлення 274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FCH47N60F-F133 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V |
на замовлення 447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FCH47N60F-F133 | onsemi / Fairchild | MOSFET 600V N-Channel MOSFET |
на замовлення 449 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FCI7N60 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FCI7N60 | onsemi / Fairchild | MOSFET HIGH POWER |
на замовлення 984 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FCP7N60 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V |
на замовлення 965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FCP7N60 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FCP7N60 | onsemi / Fairchild | MOSFET 600V N-Channel SuperFET |
на замовлення 380 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FCPF7N60 | onsemi / Fairchild | MOSFET 600V N-Channel SuperFET |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FCPF7N60 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 31W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V |
на замовлення 988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDPF17N60NT | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 17A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V |
на замовлення 444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDU7N60NZTU | Fairchild |
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK FDU7N60NZTU TFDU7n60nztu кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDU7N60NZTU | Fairchild |
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK FDU7N60NZTU TFDU7n60nztu кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FGPF7N60LSDTU | Fairchild Semiconductor |
Description: N-CHANNEL IGBT Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 65 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A Supplier Device Package: TO-220F-3 Td (on/off) @ 25°C: 120ns/410ns Switching Energy: 270µJ (on), 3.8mJ (off) Test Condition: 300V, 7A, 470Ohm, 15V Gate Charge: 24 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A Power - Max: 45 W |
на замовлення 4927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FGPF7N60RUFDTU | Fairchild Semiconductor |
Description: N-CHANNEL IGBT Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 65 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 7A Supplier Device Package: TO-220F-3 Td (on/off) @ 25°C: 60ns/60ns Switching Energy: 230µJ (on), 100µJ (off) Test Condition: 300V, 7A, 30Ohm, 15V Gate Charge: 24 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A Power - Max: 41 W |
на замовлення 1323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FQI7N60TU | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 7.4A I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 142W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP27N60KPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 500W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Power dissipation: 500W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 218 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP27N60KPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 600V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP27N60KPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 27A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 25 V |
на замовлення 3279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFP27N60KPBF | Vishay Semiconductors | MOSFET RECOMMENDED ALT IRFP27N60K |
на замовлення 3414 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IXKH47N60C | IXYS | MOSFET 47 Amps 600V 70 Rds |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IXKH47N60C | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 30A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA Supplier Device Package: TO-247AD Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 650 nC @ 10 V |
на замовлення 1110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IXKR47N60C5 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 47A Power dissipation: 278W Case: ISOPLUS247™ On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: super junction coolmos кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IXKR47N60C5 | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 600V 47A ISOPLUS247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA Supplier Device Package: ISOPLUS247™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V |
на замовлення 113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IXKR47N60C5 | IXYS | MOSFET 47 Amps 600V 0.045 Rds |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
L47N-600-1 | TE Connectivity / DEUTSCH | Automotive Connectors LYD STEEL 3/64 X 6 NYLON COATING |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
L47N-600-1 | TE Connectivity Deutsch Connectors |
Description: LYD STEEL 3/64 X 6 NYLON COATING Packaging: Box For Use With/Related Products: Circular Connectors Material: Nylon Accessory Type: Cap (Cover), Protective Part Status: Active |
на замовлення 281 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
M83-LML3M7N60-0000-000 | Harwin | Headers & Wire Housings 3R 60P M HORZ PC TAIL 4MM W/JS |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
SPW47N60C3 Код товару: 43153 |
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 650 V
Idd,A: 47 A
Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6800/24
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 650 V
Idd,A: 47 A
Rds(on), Ohm: 0,07 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 6800/24
Монтаж: THT
у наявності: 50 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 299 грн |
10+ | 275 грн |
SSS7N60B Код товару: 32907 |
Виробник: Fairchild
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 7 А
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1380/38
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 7 А
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1380/38
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 38 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 38 грн |
10+ | 34.5 грн |
AOTF7N60FD |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.7A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.7A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.7A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.7A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 49.39 грн |
9+ | 41.62 грн |
25+ | 32.04 грн |
68+ | 30.26 грн |
AOTF7N60FD |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.7A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.7A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.7A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.7A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 167 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 51.87 грн |
25+ | 38.45 грн |
68+ | 36.31 грн |
APT47N60BC3G |
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1285.74 грн |
2+ | 1128.86 грн |
3+ | 1098.06 грн |
APT47N60BC3G |
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 417W; TO247
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 417W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1542.88 грн |
2+ | 1406.74 грн |
3+ | 1317.67 грн |
APT47N60SC3G |
Виробник: Microchip Technology
MOSFET MOSFET COOLMOS 600 V 47 A TO-268
MOSFET MOSFET COOLMOS 600 V 47 A TO-268
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 988.31 грн |
10+ | 973.43 грн |
25+ | 837.26 грн |
100+ | 766.29 грн |
APT77N60JC3 |
Виробник: Microchip Technology
Discrete Semiconductor Modules MOSFET SUPERJUNCTION 600 V 77 A SOT-227
Discrete Semiconductor Modules MOSFET SUPERJUNCTION 600 V 77 A SOT-227
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2737.2 грн |
100+ | 2332.31 грн |
APT77N60JC3 |
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 600V 77A ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA
Supplier Device Package: ISOTOP®
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 640 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 77A ISOTOP
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA
Supplier Device Package: ISOTOP®
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 640 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2520.16 грн |
100+ | 1969.9 грн |
APT77N60SC6 |
Виробник: Microchip Technology
MOSFET MOSFET COOLMOS 600 V 77 A TO-268
MOSFET MOSFET COOLMOS 600 V 77 A TO-268
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1030.48 грн |
100+ | 876.69 грн |
APT77N60SC6/TR |
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 44.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.96mA
Supplier Device Package: D3Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 44.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 2.96mA
Supplier Device Package: D3Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1017.3 грн |
100+ | 845.81 грн |
D2FC-F-7N(60M) |
Виробник: OMRON Electronic Components
Category: Microswitches SNAP ACTION
Description: Microswitch SNAP ACTION; 0.001A/6VDC; without lever; SPST-NO
Type of switch: microswitch SNAP ACTION
DC contacts rating @R: 0.001A / 6V DC
Switches features: without lever
Contacts configuration: SPST-NO
Max. contact resistance:: 100mΩ
Switching method: OFF-(ON)
Number of positions: 2
Stable positions number: 1
IP rating: IP40
Leads: for PCB
Body dimensions: 12.8x5.8x6.5mm
Mechanical durability: 60000000 cycles
Operating temperature: -25...65°C
Operating Force: 0.59N
Min. insulation resistance: 0.1GΩ
Terminal pitch: 5.08mm
Contact material: silver
Mounting: PCB
Manufacturer series: D2FC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Microswitches SNAP ACTION
Description: Microswitch SNAP ACTION; 0.001A/6VDC; without lever; SPST-NO
Type of switch: microswitch SNAP ACTION
DC contacts rating @R: 0.001A / 6V DC
Switches features: without lever
Contacts configuration: SPST-NO
Max. contact resistance:: 100mΩ
Switching method: OFF-(ON)
Number of positions: 2
Stable positions number: 1
IP rating: IP40
Leads: for PCB
Body dimensions: 12.8x5.8x6.5mm
Mechanical durability: 60000000 cycles
Operating temperature: -25...65°C
Operating Force: 0.59N
Min. insulation resistance: 0.1GΩ
Terminal pitch: 5.08mm
Contact material: silver
Mounting: PCB
Manufacturer series: D2FC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 697 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 48.66 грн |
10+ | 43.51 грн |
25+ | 39.6 грн |
30+ | 32.61 грн |
80+ | 30.89 грн |
500+ | 30.15 грн |
1000+ | 29.82 грн |
D2FC-F-7N(60M) |
Виробник: Omron Electronics Inc-EMC Div
Description: SWITCH SNP ACT SPST-NO 0.001A 6V
Packaging: Bag
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 1mA (DC)
Mounting Type: Through Hole
Circuit: SPST-NO
Switch Function: Off-Mom
Operating Temperature: -25°C ~ 65°C
Termination Style: PC Pin
Actuator Type: Round (Pin Plunger)
Operating Force: 60gf
Ingress Protection: IP40
Release Force: 24gf
Differential Travel: 0.005" (0.13mm)
Overtravel: 0.008" (0.2mm)
Operating Position: 0.272" (6.9mm)
Voltage Rating - DC: 6 V
Description: SWITCH SNP ACT SPST-NO 0.001A 6V
Packaging: Bag
Part Status: Active
Current Rating (Amps): 1mA (DC)
Mounting Type: Through Hole
Circuit: SPST-NO
Switch Function: Off-Mom
Operating Temperature: -25°C ~ 65°C
Termination Style: PC Pin
Actuator Type: Round (Pin Plunger)
Operating Force: 60gf
Ingress Protection: IP40
Release Force: 24gf
Differential Travel: 0.005" (0.13mm)
Overtravel: 0.008" (0.2mm)
Operating Position: 0.272" (6.9mm)
Voltage Rating - DC: 6 V
на замовлення 5560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 45.5 грн |
10+ | 38.68 грн |
25+ | 36.75 грн |
50+ | 32.79 грн |
100+ | 31.27 грн |
250+ | 29.89 грн |
500+ | 26.38 грн |
1000+ | 24.87 грн |
D2FC-F-7N(60M) |
Виробник: Omron Electronics
Basic / Snap Action Switches Ultra Subminiature 0.59N OF, 60M ops, Orange Mechanical mouse switch
Basic / Snap Action Switches Ultra Subminiature 0.59N OF, 60M ops, Orange Mechanical mouse switch
на замовлення 3601 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 46.39 грн |
10+ | 38.54 грн |
100+ | 31.94 грн |
1000+ | 27.14 грн |
5000+ | 26.62 грн |
10000+ | 26.09 грн |
FCA47N60 |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 708.06 грн |
30+ | 551.99 грн |
120+ | 519.53 грн |
510+ | 441.85 грн |
FCA47N60 |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 650V SUPER FET
MOSFET 650V SUPER FET
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 730.69 грн |
10+ | 677.93 грн |
25+ | 533.64 грн |
50+ | 519.18 грн |
100+ | 492.24 грн |
250+ | 484.35 грн |
450+ | 450.83 грн |
FCA47N60-F109 |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 650V SUPER FET
MOSFET 650V SUPER FET
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 835.73 грн |
10+ | 758.79 грн |
25+ | 538.24 грн |
100+ | 511.29 грн |
250+ | 478.44 грн |
450+ | 425.86 грн |
900+ | 406.14 грн |
FCA47N60-F109 |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 769.2 грн |
30+ | 591.43 грн |
120+ | 529.18 грн |
FCA47N60-F109 |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 769.2 грн |
30+ | 591.43 грн |
120+ | 529.18 грн |
FCA47N60-F109 |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)FCA47N60F |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 741.47 грн |
30+ | 578.1 грн |
120+ | 544.11 грн |
FCA47N60F |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 47A, 600V SuperFET
MOSFET 47A, 600V SuperFET
на замовлення 416 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 805.83 грн |
10+ | 699.09 грн |
25+ | 588.84 грн |
50+ | 525.75 грн |
100+ | 486.98 грн |
250+ | 459.38 грн |
450+ | 436.38 грн |
FCD7N60TM |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 5965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 148.58 грн |
10+ | 118.43 грн |
100+ | 94.23 грн |
500+ | 74.83 грн |
1000+ | 63.49 грн |
FCD7N60TM |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET N-CH/600V/7A SuperFET
MOSFET N-CH/600V/7A SuperFET
на замовлення 20648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 154.88 грн |
10+ | 129.24 грн |
100+ | 91.35 грн |
250+ | 84.12 грн |
500+ | 76.23 грн |
1000+ | 65.72 грн |
2500+ | 60.13 грн |
FCD7N60TM |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 66.74 грн |
5000+ | 61.86 грн |
FCD7N60TM-WS |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET Trans N-Ch 600V 7A 3-Pin 2+Tab
MOSFET Trans N-Ch 600V 7A 3-Pin 2+Tab
на замовлення 6593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 80.51 грн |
10+ | 75.2 грн |
500+ | 64.8 грн |
2500+ | 57.24 грн |
FCD7N60TM-WS |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 141.47 грн |
10+ | 112.75 грн |
100+ | 89.75 грн |
500+ | 71.27 грн |
1000+ | 60.47 грн |
FCD7N60TM-WS |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 63.57 грн |
5000+ | 58.91 грн |
FCH47N60-F133 |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 600V N-Channel MOSFET
MOSFET 600V N-Channel MOSFET
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 765.96 грн |
10+ | 665.08 грн |
25+ | 562.56 грн |
50+ | 530.35 грн |
100+ | 499.47 грн |
250+ | 402.86 грн |
FCH47N60-F133 |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 704.51 грн |
30+ | 549.26 грн |
120+ | 516.96 грн |
FCH47N60F-F133 |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 23.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 771.33 грн |
30+ | 601.51 грн |
120+ | 566.13 грн |
FCH47N60F-F133 |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 600V N-Channel MOSFET
MOSFET 600V N-Channel MOSFET
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 854.9 грн |
10+ | 727.81 грн |
25+ | 610.53 грн |
50+ | 545.47 грн |
100+ | 541.53 грн |
250+ | 495.52 грн |
450+ | 484.35 грн |
FCI7N60 |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 179.86 грн |
10+ | 145.27 грн |
100+ | 117.55 грн |
500+ | 98.05 грн |
1000+ | 83.96 грн |
FCI7N60 |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET HIGH POWER
MOSFET HIGH POWER
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 195.51 грн |
10+ | 161.73 грн |
50+ | 132.1 грн |
100+ | 113.04 грн |
250+ | 107.12 грн |
500+ | 100.55 грн |
1000+ | 81.49 грн |
FCP7N60 |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 172.04 грн |
50+ | 132.99 грн |
100+ | 109.42 грн |
500+ | 86.89 грн |
FCP7N60 |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 78.97 грн |
FCP7N60 |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 600V N-Channel SuperFET
MOSFET 600V N-Channel SuperFET
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 186.31 грн |
10+ | 152.67 грн |
100+ | 105.81 грн |
250+ | 97.26 грн |
500+ | 88.72 грн |
1000+ | 74.92 грн |
3000+ | 72.29 грн |
FCPF7N60 |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 600V N-Channel SuperFET
MOSFET 600V N-Channel SuperFET
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 163.31 грн |
10+ | 137.55 грн |
100+ | 103.18 грн |
500+ | 93.32 грн |
1000+ | 80.83 грн |
FCPF7N60 |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 179.86 грн |
50+ | 139.23 грн |
100+ | 114.56 грн |
500+ | 90.97 грн |
FDPF17N60NT |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 17A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 17A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 205.45 грн |
50+ | 156.71 грн |
100+ | 134.32 грн |
FDU7N60NZTU |
Виробник: Fairchild
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK FDU7N60NZTU TFDU7n60nztu
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK FDU7N60NZTU TFDU7n60nztu
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 38.89 грн |
FDU7N60NZTU |
Виробник: Fairchild
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK FDU7N60NZTU TFDU7n60nztu
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK FDU7N60NZTU TFDU7n60nztu
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 38.89 грн |
FGPF7N60LSDTU |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220F-3
Td (on/off) @ 25°C: 120ns/410ns
Switching Energy: 270µJ (on), 3.8mJ (off)
Test Condition: 300V, 7A, 470Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A
Power - Max: 45 W
Description: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220F-3
Td (on/off) @ 25°C: 120ns/410ns
Switching Energy: 270µJ (on), 3.8mJ (off)
Test Condition: 300V, 7A, 470Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A
Power - Max: 45 W
на замовлення 4927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
544+ | 36.1 грн |
FGPF7N60RUFDTU |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220F-3
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/60ns
Switching Energy: 230µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 300V, 7A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A
Power - Max: 41 W
Description: N-CHANNEL IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: TO-220F-3
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/60ns
Switching Energy: 230µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 300V, 7A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 24 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A
Power - Max: 41 W
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
592+ | 33.48 грн |
FQI7N60TU |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 7.4A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 7.4A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.13W (Ta), 142W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 25 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 194.08 грн |
10+ | 155.4 грн |
100+ | 123.68 грн |
500+ | 98.21 грн |
IRFP27N60KPBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 500W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 500W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 500W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Power dissipation: 500W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 218 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 441.46 грн |
4+ | 296.87 грн |
10+ | 270.27 грн |
IRFP27N60KPBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 600V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 180.18 грн |
IRFP27N60KPBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 27A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 27A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 25 V
на замовлення 3279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 619.2 грн |
25+ | 476 грн |
100+ | 425.9 грн |
500+ | 352.67 грн |
1000+ | 317.4 грн |
IRFP27N60KPBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET RECOMMENDED ALT IRFP27N60K
MOSFET RECOMMENDED ALT IRFP27N60K
на замовлення 3414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 672.42 грн |
10+ | 568.34 грн |
100+ | 412.06 грн |
500+ | 362.77 грн |
1000+ | 327.28 грн |
IXKH47N60C |
Виробник: IXYS
MOSFET 47 Amps 600V 70 Rds
MOSFET 47 Amps 600V 70 Rds
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1746.6 грн |
10+ | 1530.43 грн |
30+ | 1241.43 грн |
60+ | 1201.35 грн |
120+ | 1163.23 грн |
270+ | 1085.68 грн |
510+ | 997.62 грн |
IXKH47N60C |
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 650 nC @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 650 nC @ 10 V
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1607.35 грн |
10+ | 1375.72 грн |
100+ | 1203.26 грн |
500+ | 963.6 грн |
IXKR47N60C5 |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 278W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 47A; 278W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 47A
Power dissipation: 278W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1541.11 грн |
2+ | 1405.03 грн |
IXKR47N60C5 |
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 47A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 600V 47A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 3mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 100 V
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1615.17 грн |
30+ | 1289.76 грн |
IXKR47N60C5 |
Виробник: IXYS
MOSFET 47 Amps 600V 0.045 Rds
MOSFET 47 Amps 600V 0.045 Rds
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1755.03 грн |
10+ | 1537.24 грн |
30+ | 1247.35 грн |
60+ | 1144.17 грн |
120+ | 1124.45 грн |
270+ | 1107.37 грн |
L47N-600-1 |
Виробник: TE Connectivity / DEUTSCH
Automotive Connectors LYD STEEL 3/64 X 6 NYLON COATING
Automotive Connectors LYD STEEL 3/64 X 6 NYLON COATING
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 923.13 грн |
L47N-600-1 |
Виробник: TE Connectivity Deutsch Connectors
Description: LYD STEEL 3/64 X 6 NYLON COATING
Packaging: Box
For Use With/Related Products: Circular Connectors
Material: Nylon
Accessory Type: Cap (Cover), Protective
Part Status: Active
Description: LYD STEEL 3/64 X 6 NYLON COATING
Packaging: Box
For Use With/Related Products: Circular Connectors
Material: Nylon
Accessory Type: Cap (Cover), Protective
Part Status: Active
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 343.37 грн |
10+ | 300.25 грн |
25+ | 284.37 грн |
50+ | 260.65 грн |
100+ | 248.25 грн |
250+ | 217.22 грн |
M83-LML3M7N60-0000-000 |
Виробник: Harwin
Headers & Wire Housings 3R 60P M HORZ PC TAIL 4MM W/JS
Headers & Wire Housings 3R 60P M HORZ PC TAIL 4MM W/JS
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 3027.79 грн |
8+ | 2783.5 грн |
24+ | 2175.3 грн |
56+ | 2104.98 грн |
104+ | 2034.66 грн |
256+ | 1922.29 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]