Результат пошуку "80N60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
FCD380N60E FCD380N60E onsemi fcd380n60e-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+69.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FCD380N60E FCD380N60E onsemi fcd380n60e-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10.2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 4899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+154.12 грн
10+ 123.33 грн
100+ 98.16 грн
500+ 77.95 грн
1000+ 66.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP380N60 FCP380N60 onsemi fcpf380n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1665 pF @ 25 V
на замовлення 2301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.95 грн
10+ 146.97 грн
100+ 118.9 грн
500+ 99.18 грн
1000+ 84.93 грн
2000+ 79.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP380N60E FCP380N60E Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0002365473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 25616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+92.9 грн
Мінімальне замовлення: 213
FCPF380N60 FCPF380N60 onsemi fcpf380n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1665 pF @ 25 V
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.81 грн
50+ 137.25 грн
100+ 117.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCPF380N60 FCPF380N60 Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003584318-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1665 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
204+97.51 грн
Мінімальне замовлення: 204
FCPF380N60-F152 FCPF380N60-F152 Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003584263-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 600V, N-CHANNEL, MOSFET, TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1665 pF @ 25 V
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
313+63.25 грн
Мінімальне замовлення: 313
FCPF380N60E FCPF380N60E onsemi ONSM-S-A0003584055-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.5 грн
10+ 156.31 грн
100+ 124.4 грн
500+ 98.79 грн
1000+ 83.82 грн
2000+ 79.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH80N60FD2TU FGH80N60FD2TU onsemi fgh80n60fd2-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 61 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/126ns
Switching Energy: 1mJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 290 W
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+331.07 грн
30+ 252.99 грн
120+ 216.85 грн
510+ 180.89 грн
IXFK80N60P3 IXFK80N60P3 IXYS IXFK(X)80N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 80A; 1300W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.3kW
Case: TO264
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+861.3 грн
3+ 756.49 грн
IXFK80N60P3 IXFK80N60P3 IXYS IXFK(X)80N60P3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 80A; 1300W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.3kW
Case: TO264
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1033.56 грн
3+ 942.7 грн
IXFK80N60P3 IXFK80N60P3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_80n60p3_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 80A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
на замовлення 724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1177.31 грн
25+ 918.04 грн
100+ 864.03 грн
500+ 734.84 грн
IXFN80N60P3 IXFN80N60P3 IXYS IXFN80N60P3.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 66A; SOT227B; screw; Idm: 200A
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 960W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 77mΩ
Gate charge: 0.19µC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 250ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1617.52 грн
2+ 1420.22 грн
IXFN80N60P3 IXFN80N60P3 IXYS IXFN80N60P3.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 66A; SOT227B; screw; Idm: 200A
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 960W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 77mΩ
Gate charge: 0.19µC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 250ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1941.03 грн
2+ 1769.81 грн
IXFN80N60P3 IXFN80N60P3 IXYS DS100356(IXFN80N60P3).pdf Description: MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2432.39 грн
10+ 2081.34 грн
100+ 1820.42 грн
IXFX80N60P3 IXFX80N60P3 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_80n60p3_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 80A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1169.46 грн
30+ 911.54 грн
120+ 857.92 грн
PJMF280N60E1_T0_00001 PJMF280N60E1_T0_00001 Panjit International Inc. PJMF280N60E1.pdf Description: 600V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 926 pF @ 400 V
на замовлення 1972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+151.27 грн
50+ 117.25 грн
100+ 96.47 грн
500+ 76.6 грн
1000+ 65 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMF580N60E1_T0_00001 PJMF580N60E1_T0_00001 Panjit International Inc. PJMF580N60E1.pdf Description: 600V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497 pF @ 400 V
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.45 грн
50+ 84.24 грн
100+ 66.74 грн
500+ 53.09 грн
1000+ 43.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
SGF80N60UFTU SGF80N60UFTU Fairchild Semiconductor FAIRS17768-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT, 80A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PF
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/90ns
Switching Energy: 570µJ (on), 590µJ (off)
Test Condition: 300V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 175 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 110 W
на замовлення 21533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+339.32 грн
Мінімальне замовлення: 59
SGF80N60UFTU-ON SGF80N60UFTU-ON onsemi FAIRS17768-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT, 80A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+339.32 грн
Мінімальне замовлення: 59
SIHB080N60E-GE3 SIHB080N60E-GE3 Vishay Siliconix sihb080n60e.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V
на замовлення 1732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+343.92 грн
50+ 262.41 грн
100+ 224.92 грн
500+ 187.63 грн
1000+ 160.66 грн
SIHB180N60E-GE3 SIHB180N60E-GE3 Vishay sihb180n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+107.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SIHD180N60E-GE3 SIHD180N60E-GE3 Vishay Siliconix sihd180n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 100 V
на замовлення 2929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.95 грн
10+ 147.04 грн
100+ 118.92 грн
500+ 99.2 грн
1000+ 84.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHF080N60E-GE3 SIHF080N60E-GE3 Vishay Siliconix sihf080n60e.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET TO-220 FUL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+276.13 грн
50+ 210.73 грн
100+ 180.63 грн
500+ 150.68 грн
1000+ 129.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHG080N60E-GE3 SIHG080N60E-GE3 Vishay Siliconix sihg080n60e.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET TO-247AC,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+316.09 грн
25+ 241.28 грн
100+ 206.81 грн
SIHG080N60E-GE3 Vishay sihg080n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 35A Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+157.76 грн
Мінімальне замовлення: 500
SIHG180N60E-GE3 SIHG180N60E-GE3 Vishay Siliconix sihg180n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 100 V
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.6 грн
25+ 181.53 грн
100+ 155.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHG80N60EF-GE3 SIHG80N60EF-GE3 Vishay Siliconix sihg80n60ef.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 100 V
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+990.36 грн
25+ 772.04 грн
100+ 726.62 грн
SIHH080N60E-T1-GE3 SIHH080N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihh080n60e.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V
на замовлення 3107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+324.65 грн
10+ 262.47 грн
100+ 212.35 грн
500+ 177.14 грн
1000+ 151.68 грн
SIHP080N60E-GE3 SIHP080N60E-GE3 Vishay Siliconix sihp080n60e.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.99 грн
50+ 212.48 грн
100+ 182.13 грн
500+ 151.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP80N600K6 STMicroelectronics stp80n600k6.pdf Description: N-CHANNEL 800 V, 515 MOHM TYP.,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
WMJ80N60C4 WMJ80N60C4 WAYON WMJ80N60C4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 375ns
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+800.62 грн
3+ 312.63 грн
7+ 295.45 грн
WMJ80N60C4 WMJ80N60C4 WAYON WMJ80N60C4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 375ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 242 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+960.75 грн
3+ 389.58 грн
7+ 354.54 грн
Транзистор польовий FCD380N60E 10.2A 600V N-ch DPAK
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2+78.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP380N60E ON Semiconductor FAIR-S-A0002365473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw ONSM-S-A0003584055-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 730 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
G80N60 FSC
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
G80N60UF
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFN80N60P3 DS100356(IXFN80N60P3).pdf
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGF80N60UF
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGF80N60UFTU FAIRS17768-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGF80N60UFTU===Fairchild
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGF80N60UFTU==Fairchild
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGF80N60UFTU==FSC
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGH80N60
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGH80N60RUFD
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGH80N60UF
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGH80N60UFD FAIRCHILD
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGH80N60UFD FSC
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGH80N60UFD===FSC
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGH80N60UFD=FSC
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGH80N60UFDT==FSC
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGH80N60UFDTU=
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGH80N60UFDTU===Fairchild
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGH80N60UFDTU=FSC
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGH80N60UFTU SGH80N60UF.pdf
на замовлення 6030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPB80N60S2-08
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH80N60FD2TU(транзистор)
Код товару: 61002
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
FGH80N60FDTU
Код товару: 155558
fgh80n60fd-d.pdf Транзистори > IGBT
товар відсутній
G80N60
Код товару: 77783
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
G80N60UF
Код товару: 86430
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
FCD380N60E fcd380n60e-d.pdf
FCD380N60E
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 10.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+69.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FCD380N60E fcd380n60e-d.pdf
FCD380N60E
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 10.2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 4899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+154.12 грн
10+ 123.33 грн
100+ 98.16 грн
500+ 77.95 грн
1000+ 66.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP380N60 fcpf380n60-d.pdf
FCP380N60
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1665 pF @ 25 V
на замовлення 2301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+181.95 грн
10+ 146.97 грн
100+ 118.9 грн
500+ 99.18 грн
1000+ 84.93 грн
2000+ 79.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP380N60E FAIR-S-A0002365473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCP380N60E
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 25616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
213+92.9 грн
Мінімальне замовлення: 213
FCPF380N60 fcpf380n60-d.pdf
FCPF380N60
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1665 pF @ 25 V
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+179.81 грн
50+ 137.25 грн
100+ 117.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCPF380N60 ONSM-S-A0003584318-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCPF380N60
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1665 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
204+97.51 грн
Мінімальне замовлення: 204
FCPF380N60-F152 ONSM-S-A0003584263-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCPF380N60-F152
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: 600V, N-CHANNEL, MOSFET, TO-220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1665 pF @ 25 V
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
313+63.25 грн
Мінімальне замовлення: 313
FCPF380N60E ONSM-S-A0003584055-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FCPF380N60E
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 600V 10.2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+195.5 грн
10+ 156.31 грн
100+ 124.4 грн
500+ 98.79 грн
1000+ 83.82 грн
2000+ 79.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH80N60FD2TU fgh80n60fd2-d.pdf
FGH80N60FD2TU
Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 61 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/126ns
Switching Energy: 1mJ (on), 520µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 290 W
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+331.07 грн
30+ 252.99 грн
120+ 216.85 грн
510+ 180.89 грн
IXFK80N60P3 IXFK(X)80N60P3.pdf
IXFK80N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 80A; 1300W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.3kW
Case: TO264
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+861.3 грн
3+ 756.49 грн
IXFK80N60P3 IXFK(X)80N60P3.pdf
IXFK80N60P3
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 80A; 1300W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 80A
Power dissipation: 1.3kW
Case: TO264
On-state resistance: 77mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1033.56 грн
3+ 942.7 грн
IXFK80N60P3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_80n60p3_datasheet.pdf.pdf
IXFK80N60P3
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 80A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
на замовлення 724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1177.31 грн
25+ 918.04 грн
100+ 864.03 грн
500+ 734.84 грн
IXFN80N60P3 IXFN80N60P3.pdf
IXFN80N60P3
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 66A; SOT227B; screw; Idm: 200A
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 960W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 77mΩ
Gate charge: 0.19µC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 250ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1617.52 грн
2+ 1420.22 грн
IXFN80N60P3 IXFN80N60P3.pdf
IXFN80N60P3
Виробник: IXYS
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 600V; 66A; SOT227B; screw; Idm: 200A
Technology: HiPerFET™; Polar3™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 960W
Case: SOT227B
Gate-source voltage: ±40V
On-state resistance: 77mΩ
Gate charge: 0.19µC
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Reverse recovery time: 250ns
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1941.03 грн
2+ 1769.81 грн
IXFN80N60P3 DS100356(IXFN80N60P3).pdf
IXFN80N60P3
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: SOT-227B
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2432.39 грн
10+ 2081.34 грн
100+ 1820.42 грн
IXFX80N60P3 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_hiperfets_ixf_80n60p3_datasheet.pdf.pdf
IXFX80N60P3
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 80A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1169.46 грн
30+ 911.54 грн
120+ 857.92 грн
PJMF280N60E1_T0_00001 PJMF280N60E1.pdf
PJMF280N60E1_T0_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 600V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 926 pF @ 400 V
на замовлення 1972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+151.27 грн
50+ 117.25 грн
100+ 96.47 грн
500+ 76.6 грн
1000+ 65 грн
Мінімальне замовлення: 2
PJMF580N60E1_T0_00001 PJMF580N60E1.pdf
PJMF580N60E1_T0_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 600V SUPER JUNCITON MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220AB-F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 497 pF @ 400 V
на замовлення 1966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+108.45 грн
50+ 84.24 грн
100+ 66.74 грн
500+ 53.09 грн
1000+ 43.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
SGF80N60UFTU FAIRS17768-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SGF80N60UFTU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: IGBT, 80A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-3PF
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/90ns
Switching Energy: 570µJ (on), 590µJ (off)
Test Condition: 300V, 40A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 175 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 220 A
Power - Max: 110 W
на замовлення 21533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
59+339.32 грн
Мінімальне замовлення: 59
SGF80N60UFTU-ON FAIRS17768-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SGF80N60UFTU-ON
Виробник: onsemi
Description: IGBT, 80A, 600V, N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
59+339.32 грн
Мінімальне замовлення: 59
SIHB080N60E-GE3 sihb080n60e.pdf
SIHB080N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V
на замовлення 1732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+343.92 грн
50+ 262.41 грн
100+ 224.92 грн
500+ 187.63 грн
1000+ 160.66 грн
SIHB180N60E-GE3 sihb180n60e.pdf
SIHB180N60E-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+107.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SIHD180N60E-GE3 sihd180n60e.pdf
SIHD180N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 100 V
на замовлення 2929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+181.95 грн
10+ 147.04 грн
100+ 118.92 грн
500+ 99.2 грн
1000+ 84.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHF080N60E-GE3 sihf080n60e.pdf
SIHF080N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET TO-220 FUL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+276.13 грн
50+ 210.73 грн
100+ 180.63 грн
500+ 150.68 грн
1000+ 129.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHG080N60E-GE3 sihg080n60e.pdf
SIHG080N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET TO-247AC,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+316.09 грн
25+ 241.28 грн
100+ 206.81 грн
SIHG080N60E-GE3 sihg080n60e.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 35A Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+157.76 грн
Мінімальне замовлення: 500
SIHG180N60E-GE3 sihg180n60e.pdf
SIHG180N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 100 V
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+237.6 грн
25+ 181.53 грн
100+ 155.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHG80N60EF-GE3 sihg80n60ef.pdf
SIHG80N60EF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 100 V
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+990.36 грн
25+ 772.04 грн
100+ 726.62 грн
SIHH080N60E-T1-GE3 sihh080n60e.pdf
SIHH080N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V
на замовлення 3107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+324.65 грн
10+ 262.47 грн
100+ 212.35 грн
500+ 177.14 грн
1000+ 151.68 грн
SIHP080N60E-GE3 sihp080n60e.pdf
SIHP080N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+278.99 грн
50+ 212.48 грн
100+ 182.13 грн
500+ 151.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP80N600K6 stp80n600k6.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Description: N-CHANNEL 800 V, 515 MOHM TYP.,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 400 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+160.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
WMJ80N60C4 WMJ80N60C4.pdf
WMJ80N60C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 375ns
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+800.62 грн
3+ 312.63 грн
7+ 295.45 грн
WMJ80N60C4 WMJ80N60C4.pdf
WMJ80N60C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 45A; Idm: 245A; 410W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 245A
Power dissipation: 410W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 375ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 242 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+960.75 грн
3+ 389.58 грн
7+ 354.54 грн
Транзистор польовий FCD380N60E 10.2A 600V N-ch DPAK
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+78.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP380N60E FAIR-S-A0002365473-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw ONSM-S-A0003584055-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 730 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
G80N60
Виробник: FSC
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
G80N60UF
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFN80N60P3 DS100356(IXFN80N60P3).pdf
на замовлення 16500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGF80N60UF
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGF80N60UFTU FAIRS17768-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGF80N60UFTU===Fairchild
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGF80N60UFTU==Fairchild
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGF80N60UFTU==FSC
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGH80N60
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGH80N60RUFD
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGH80N60UF
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGH80N60UFD
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGH80N60UFD
Виробник: FSC
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGH80N60UFD===FSC
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGH80N60UFD=FSC
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGH80N60UFDT==FSC
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGH80N60UFDTU=
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGH80N60UFDTU===Fairchild
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGH80N60UFDTU=FSC
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGH80N60UFTU SGH80N60UF.pdf
на замовлення 6030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPB80N60S2-08
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH80N60FD2TU(транзистор)
Код товару: 61002
товар відсутній
FGH80N60FDTU
Код товару: 155558
fgh80n60fd-d.pdf
товар відсутній
G80N60
Код товару: 77783
товар відсутній
G80N60UF
Код товару: 86430
товар відсутній
Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]