Результат пошуку "8n5" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SIHF18N50D-E3 Код товару: 188008 |
Vishay |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 550 V Idd,A: 18 A Rds(on), Ohm: 0,28 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1500/38 Монтаж: THT |
у наявності: 10 шт
|
|
|||||||||||||
SPP08N50C3 Код товару: 113412 |
Infineon |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 500 V Idd,A: 7 А Rds(on), Ohm: 0,6 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 750/3 Монтаж: THT |
у наявності: 41 шт
|
|
|||||||||||||
+1 |
Драйвер крокового двигуна HY-DIV268N-5A (TB6600) Код товару: 101911 |
Модульні елементи > Мотори (двигуни) Опис: Драйвер крокового двигуна 1 канал; режими: повний крок, 1/2, 1/4, 1/8 і 1/16; оптично ізольований сигнал вхід / вихід; підходить для 2-х і 4-х фазних двигунів Тип: Драйвер Напруга живлення В: 12 ... 48 V Струм, А: 5 А |
у наявності: 13 шт
очікується:
15 шт
|
|
|||||||||||||
+1 |
Магніт NdFeB, Диск (шайба) D10 x d4 x 1.5 mm (N50), Ni + Cu + Ni (нікель) Код товару: 23502 |
HHII |
Корпусні та встановлювальні вироби > Магніти Матеріал: N50, NdFeB, Ni + Cu + Ni (нікель) Габарити: Диск (шайба), Dзовн. = 10мм, dвнутр. = 4мм, h = 2мм Тип: Неодимовий Форма: Диск (шайба) Зусилля на відрив (прибл.): 0,5 kg |
у наявності: 516 шт
|
|
||||||||||||
8N50E | PH | 09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
AOT8N50 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.6A; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.6A Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 23.6nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 781 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
BXP18N50F | BRIDGELUX |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 72A; 42.8W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 42.8W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 321 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDP18N50 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 235W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 88 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDP18N50 | ON-Semicoductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 235W; -55°C ~ 150°C; FDP18N50 TFDP18n50 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
FDPF18N50 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 38.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
FDPF18N50 | ON-Semicoductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; FDPF18N50 TFDPF18n50 кількість в упаковці: 3 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IPP020N08N5AKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 120A Power dissipation: 375W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 34 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IRFB18N50KPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11A Power dissipation: 220W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 342 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXFK78N50P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 78A Power dissipation: 1.13kW Case: TO264 On-state resistance: 68mΩ Mounting: THT Gate charge: 147nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXFX98N50P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 98A Power dissipation: 1.3kW Case: PLUS247™ On-state resistance: 50mΩ Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 29 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NDF08N50ZG; 8,5A; 500V; 0,85R; 35W; N-канальный; корпус: ТО220F; ON Semi. |
на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PC8N-5L4E-C | ProLight Opto | PC8N-5L4E-C Colour power LEDs - Emiter |
на замовлення 178 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
WMJ18N50D1B | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ D1 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 18A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 271W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 102 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
Транзистор польовий FDP18N50 18A 500V N-ch TO-220 |
на замовлення 18 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
Транзистор польовий FDPF18N50 18A 500V N-ch TO-220F |
на замовлення 2 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
08N50C3 | INFINEON | 09+ TO252-2.5 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
1808N560K302T |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
1808N5R6D302NT |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
202R18N5R0CV4E |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
AOTF8N50 | Alpha & Omega Semiconductor |
на замовлення 790 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
AV218N50 | FAIRCHILD | 09+ |
на замовлення 107 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
E38N50 | EUPEC | MODULE |
на замовлення 84 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
EL65728N-5 | DIP |
на замовлення 37 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
EL65728N-5 | 94 |
на замовлення 37 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
FDA18N50 | ON Semiconductor |
на замовлення 56250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
FDA18N50 | FAIRCHILD | 09+ TO3P |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
FDPF8N50NZU | ON Semiconductor |
на замовлення 955 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
FPQF18N50V2 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQA18N50V2 | FAIRCHILD | 09+ |
на замовлення 107 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
FQA28N50 | FAIRCHILD |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
FQA28N50 | FSC |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
FQH18N50V2 |
на замовлення 9900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQP18N50V2 | FAIRCHILD |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
FQPF18N50 |
на замовлення 4463 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQPF18N50V2 | FAIRCHILD |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
FQPF18N50V2 | FAIRCHILD | 09+ |
на замовлення 145 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
HG18N561J500LT | WALSIN | 04+ |
на замовлення 44010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
HH18N560J500LT | WALSIN | 04+ |
на замовлення 12010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
IPP023N08N5 | Infineon |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
IPP052N08N5 | Infineon |
на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
IPT012N08N5 | Infineon |
на замовлення 40050 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
IPT019N08N5 | Infineon |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
IRFIB8N50K | IR |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
IXFN48N50 | IXYS |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
IXFN48N50 | IXYS | 07+; |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
IXFN48N50 | IXYS | MODULE |
на замовлення 387 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
IXFN48N50U2 | IXYS |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
IXFR48N50Q | IXYS | 05+ TO92 |
на замовлення 45 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
IXFX48N50 | IXYS |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
IXFX48N50Q | IXYS |
на замовлення 218 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
LM368N-5.0 |
на замовлення 1080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
LM368N50 | NSC |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
MDF18N50TH |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
MDF18N50TH=FQPF18N50C |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
MDP18N50GTH |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
SIHF18N50D-E3 Код товару: 188008 |
Виробник: Vishay
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 550 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,28 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1500/38
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 550 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,28 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1500/38
Монтаж: THT
у наявності: 10 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 210 грн |
10+ | 195 грн |
SPP08N50C3 Код товару: 113412 |
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 500 V
Idd,A: 7 А
Rds(on), Ohm: 0,6 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 750/3
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 500 V
Idd,A: 7 А
Rds(on), Ohm: 0,6 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 750/3
Монтаж: THT
у наявності: 41 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 52 грн |
10+ | 47 грн |
Драйвер крокового двигуна HY-DIV268N-5A (TB6600) Код товару: 101911 |
Модульні елементи > Мотори (двигуни)
Опис: Драйвер крокового двигуна 1 канал; режими: повний крок, 1/2, 1/4, 1/8 і 1/16; оптично ізольований сигнал вхід / вихід; підходить для 2-х і 4-х фазних двигунів
Тип: Драйвер
Напруга живлення В: 12 ... 48 V
Струм, А: 5 А
Опис: Драйвер крокового двигуна 1 канал; режими: повний крок, 1/2, 1/4, 1/8 і 1/16; оптично ізольований сигнал вхід / вихід; підходить для 2-х і 4-х фазних двигунів
Тип: Драйвер
Напруга живлення В: 12 ... 48 V
Струм, А: 5 А
у наявності: 13 шт
очікується:
15 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 450 грн |
Магніт NdFeB, Диск (шайба) D10 x d4 x 1.5 mm (N50), Ni + Cu + Ni (нікель) Код товару: 23502 |
Виробник: HHII
Корпусні та встановлювальні вироби > Магніти
Матеріал: N50, NdFeB, Ni + Cu + Ni (нікель)
Габарити: Диск (шайба), Dзовн. = 10мм, dвнутр. = 4мм, h = 2мм
Тип: Неодимовий
Форма: Диск (шайба)
Зусилля на відрив (прибл.): 0,5 kg
Корпусні та встановлювальні вироби > Магніти
Матеріал: N50, NdFeB, Ni + Cu + Ni (нікель)
Габарити: Диск (шайба), Dзовн. = 10мм, dвнутр. = 4мм, h = 2мм
Тип: Неодимовий
Форма: Диск (шайба)
Зусилля на відрив (прибл.): 0,5 kg
у наявності: 516 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 7 грн |
10+ | 5.2 грн |
100+ | 3.9 грн |
AOT8N50 |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.6A; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.6A
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.6nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.6A; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.6A
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.6nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 781 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 102.62 грн |
5+ | 53.4 грн |
21+ | 46.74 грн |
57+ | 44.2 грн |
100+ | 43.7 грн |
250+ | 42.55 грн |
BXP18N50F |
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 72A; 42.8W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 42.8W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 72A; 42.8W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 42.8W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 321 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 79.62 грн |
5+ | 69.1 грн |
18+ | 54.56 грн |
48+ | 51.59 грн |
1000+ | 49.29 грн |
FDP18N50 |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 211.44 грн |
3+ | 184.27 грн |
7+ | 138.83 грн |
19+ | 131.44 грн |
250+ | 126.51 грн |
FDP18N50 |
Виробник: ON-Semicoductor
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 235W; -55°C ~ 150°C; FDP18N50 TFDP18n50
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 235W; -55°C ~ 150°C; FDP18N50 TFDP18n50
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 119.24 грн |
FDPF18N50 |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDPF18N50 |
Виробник: ON-Semicoductor
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; FDPF18N50 TFDPF18n50
кількість в упаковці: 3 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; FDPF18N50 TFDPF18n50
кількість в упаковці: 3 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 153.35 грн |
IPP020N08N5AKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 635.2 грн |
3+ | 401.16 грн |
7+ | 365.23 грн |
IRFB18N50KPBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 342 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 199.05 грн |
3+ | 173.18 грн |
8+ | 132.26 грн |
20+ | 124.87 грн |
250+ | 123.22 грн |
IXFK78N50P3 |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1341.18 грн |
3+ | 1223.32 грн |
IXFX98N50P3 |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 98A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 98A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1436.72 грн |
2+ | 981.9 грн |
3+ | 892.96 грн |
NDF08N50ZG; 8,5A; 500V; 0,85R; 35W; N-канальный; корпус: ТО220F; ON Semi. |
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 665.28 грн |
PC8N-5L4E-C |
Виробник: ProLight Opto
PC8N-5L4E-C Colour power LEDs - Emiter
PC8N-5L4E-C Colour power LEDs - Emiter
на замовлення 178 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 336.18 грн |
5+ | 215.51 грн |
13+ | 203.75 грн |
WMJ18N50D1B |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 271W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 271W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 102 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 90.43 грн |
10+ | 65.72 грн |
20+ | 47.65 грн |
55+ | 45.18 грн |
Транзистор польовий FDP18N50 18A 500V N-ch TO-220 |
на замовлення 18 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 118.04 грн |
Транзистор польовий FDPF18N50 18A 500V N-ch TO-220F |
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 80.19 грн |
AOTF8N50 |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
на замовлення 790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]