Результат пошуку "8n50" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SIHF18N50D-E3 Код товару: 188008 |
Vishay |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 550 V Idd,A: 18 A Rds(on), Ohm: 0,28 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1500/38 Монтаж: THT |
у наявності: 10 шт
|
|
|||||||||||||||
SPP08N50C3 Код товару: 113412 |
Infineon |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 500 V Idd,A: 7 А Rds(on), Ohm: 0,6 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 750/3 Монтаж: THT |
у наявності: 41 шт
|
|
|||||||||||||||
+1 |
Магніт NdFeB, Диск (шайба) D10 x d4 x 1.5 mm (N50), Ni + Cu + Ni (нікель) Код товару: 23502 |
HHII |
Корпусні та встановлювальні вироби > Магніти Матеріал: N50, NdFeB, Ni + Cu + Ni (нікель) Габарити: Диск (шайба), Dзовн. = 10мм, dвнутр. = 4мм, h = 2мм Тип: Неодимовий Форма: Диск (шайба) Зусилля на відрив (прибл.): 0,5 kg |
у наявності: 546 шт
|
|
||||||||||||||
8N50E | PH | 09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
AOT8N50 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.6A; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.6A Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 23.6nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 781 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AOT8N50 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.6A; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.6A Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 23.6nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 781 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AOT8N50 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BXP18N50F | BRIDGELUX |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 72A; 42.8W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 42.8W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 331 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BXP18N50F | BRIDGELUX |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 72A; 42.8W; TO220F Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 42.8W Case: TO220F Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 45nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 331 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CNX718N50005T | VCC | LED Panel Mount Indicators PANEL MNT INDICATOR 18MM GRN 5V TAB |
на замовлення 49 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CNX718N500120T | VCC | LED Panel Mount Indicators PANEL MNT INDICATOR 18MM GRN 120V TAB |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CNX718N50012T | VCC | LED Panel Mount Indicators PANEL MNT INDICATOR 18MM GRN 12V TAB |
на замовлення 46 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CNX718N50028T | VCC | LED Panel Mount Indicators PANEL MNT INDICATOR 18MM GRN 28V TAB |
на замовлення 86 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDA28N50 | onsemi / Fairchild | MOSFET UniFET 500V |
на замовлення 1798 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDP18N50 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 235W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 93 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDP18N50 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 235W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 93 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDP18N50 | onsemi / Fairchild | MOSFET 500V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 4842 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDP18N50 | ON-Semicoductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 235W; -55°C ~ 150°C; FDP18N50 TFDP18n50 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDPF18N50 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 10.8A Power dissipation: 38.5W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 265mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FDPF18N50 | onsemi / Fairchild | MOSFET 500V N-CH MOSFET |
на замовлення 1825 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDPF18N50 | ON-Semicoductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; FDPF18N50 TFDPF18n50 кількість в упаковці: 3 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDPF18N50T | onsemi / Fairchild | MOSFET 500V N-Channel PowerTrench MOSFET |
на замовлення 993 шт: термін постачання 239-248 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFB18N50KPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11A Power dissipation: 220W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 342 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFB18N50KPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11A Power dissipation: 220W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.26Ω Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 342 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFB18N50KPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 2035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFB18N50KPBF | Vishay Semiconductors | MOSFET RECOMMENDED ALT SIHP18N50C-E3 |
на замовлення 988 шт: термін постачання 147-156 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFK78N50P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 78A Power dissipation: 1.13kW Case: TO264 On-state resistance: 68mΩ Mounting: THT Gate charge: 147nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFK78N50P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; TO264 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 78A Power dissipation: 1.13kW Case: TO264 On-state resistance: 68mΩ Mounting: THT Gate charge: 147nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFK78N50P3 | IXYS | MOSFET 500V 78A 0.068Ohm PolarP3 Power MOSFET |
на замовлення 212 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFK98N50P3 | IXYS | MOSFET 500V 98A 0.05Ohm PolarP3 Power MOSFET |
на замовлення 481 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFN48N50 | IXYS | Discrete Semiconductor Modules 500V 48A |
на замовлення 765 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFN48N50Q | IXYS | Discrete Semiconductor Modules 48 Amps 500V 0.1 Rds |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFX78N50P3 | IXYS | MOSFET 500V 78A 0.068Ohm PolarP3 Power MOSFET |
на замовлення 280 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFX98N50P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 98A Power dissipation: 1.3kW Case: PLUS247™ On-state resistance: 50mΩ Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFX98N50P3 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; PLUS247™ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 98A Power dissipation: 1.3kW Case: PLUS247™ On-state resistance: 50mΩ Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 29 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFX98N50P3 | IXYS | MOSFET 500V 98A 0.05Ohm PolarP3 Power MOSFET |
на замовлення 273 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTA08N50D2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 500V 0.8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
IXTA08N50D2 | IXYS | MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 800MA |
на замовлення 755 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP08N50D2 | IXYS | MOSFET N-CH MOSFETS 500V 800MA |
на замовлення 350 шт: термін постачання 392-401 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTY08N50D2 | IXYS | MOSFET N-CH MOSFETS 500V 800MA |
на замовлення 21525 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTY08N50D2-TRL | IXYS | Discrete Semiconductor Modules DISCRETE SEMICONDUCTOR MODULES |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 573-582 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NDF08N50ZG; 8,5A; 500V; 0,85R; 35W; N-канальный; корпус: ТО220F; ON Semi. |
на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
S-8358N50MC-O7JT2U | ABLIC | Switching Controllers Step-Up SWR PWM/PFM 25.9uA Iq |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHF18N50D-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK |
на замовлення 898 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHF8N50D-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK |
на замовлення 828 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHF8N50L-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK |
на замовлення 923 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHP18N50C-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB |
на замовлення 7601 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHP8N50D-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB |
на замовлення 1002 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHP8N50D-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB |
на замовлення 969 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPD08N50C3ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SPD08N50C3ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET LOW POWER_LEGACY |
на замовлення 3056 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WMJ18N50D1B | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ D1 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 18A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 271W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 137 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
WMJ18N50D1B | WAYON |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W Type of transistor: N-MOSFET Technology: WMOS™ D1 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 18A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 271W Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 137 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
Транзистор польовий FDP18N50 18A 500V N-ch TO-220 |
на замовлення 18 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
Транзистор польовий FDPF18N50 18A 500V N-ch TO-220F |
на замовлення 2 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
08N50C3 | INFINEON | 09+ TO252-2.5 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
AOTF8N50 | Alpha & Omega Semiconductor |
на замовлення 790 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
AV218N50 | FAIRCHILD | 09+ |
на замовлення 107 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
E38N50 | EUPEC | MODULE |
на замовлення 84 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FDA18N50 | FAIRCHILD | 09+ TO3P |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
SIHF18N50D-E3 Код товару: 188008 |
Виробник: Vishay
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 550 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,28 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1500/38
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 550 V
Idd,A: 18 A
Rds(on), Ohm: 0,28 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1500/38
Монтаж: THT
у наявності: 10 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 210 грн |
10+ | 195 грн |
SPP08N50C3 Код товару: 113412 |
Виробник: Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 500 V
Idd,A: 7 А
Rds(on), Ohm: 0,6 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 750/3
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 500 V
Idd,A: 7 А
Rds(on), Ohm: 0,6 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 750/3
Монтаж: THT
у наявності: 41 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 52 грн |
10+ | 47 грн |
Магніт NdFeB, Диск (шайба) D10 x d4 x 1.5 mm (N50), Ni + Cu + Ni (нікель) Код товару: 23502 |
Виробник: HHII
Корпусні та встановлювальні вироби > Магніти
Матеріал: N50, NdFeB, Ni + Cu + Ni (нікель)
Габарити: Диск (шайба), Dзовн. = 10мм, dвнутр. = 4мм, h = 2мм
Тип: Неодимовий
Форма: Диск (шайба)
Зусилля на відрив (прибл.): 0,5 kg
Корпусні та встановлювальні вироби > Магніти
Матеріал: N50, NdFeB, Ni + Cu + Ni (нікель)
Габарити: Диск (шайба), Dзовн. = 10мм, dвнутр. = 4мм, h = 2мм
Тип: Неодимовий
Форма: Диск (шайба)
Зусилля на відрив (прибл.): 0,5 kg
у наявності: 546 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 7 грн |
10+ | 5.2 грн |
100+ | 3.9 грн |
AOT8N50 |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.6A; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.6A
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.6nC
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.6A; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.6A
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.6nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 90.74 грн |
8+ | 45.58 грн |
21+ | 38.95 грн |
57+ | 36.88 грн |
100+ | 36.81 грн |
250+ | 35.91 грн |
AOT8N50 |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.6A; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.6A
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.6nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.6A; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.6A
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.6nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 781 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 108.88 грн |
5+ | 56.8 грн |
21+ | 46.74 грн |
57+ | 44.26 грн |
100+ | 44.17 грн |
250+ | 43.1 грн |
AOT8N50 |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 29.01 грн |
BXP18N50F |
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 72A; 42.8W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 42.8W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 72A; 42.8W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 42.8W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 58.01 грн |
18+ | 46.04 грн |
48+ | 43.53 грн |
BXP18N50F |
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 72A; 42.8W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 42.8W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 72A; 42.8W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 42.8W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 331 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 83 грн |
5+ | 72.29 грн |
18+ | 55.25 грн |
48+ | 52.24 грн |
1000+ | 51.38 грн |
CNX718N50005T |
Виробник: VCC
LED Panel Mount Indicators PANEL MNT INDICATOR 18MM GRN 5V TAB
LED Panel Mount Indicators PANEL MNT INDICATOR 18MM GRN 5V TAB
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1606.56 грн |
10+ | 1194 грн |
50+ | 992.51 грн |
100+ | 871.84 грн |
200+ | 858.58 грн |
500+ | 799.58 грн |
1000+ | 798.92 грн |
CNX718N500120T |
Виробник: VCC
LED Panel Mount Indicators PANEL MNT INDICATOR 18MM GRN 120V TAB
LED Panel Mount Indicators PANEL MNT INDICATOR 18MM GRN 120V TAB
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1454.18 грн |
10+ | 1142.15 грн |
100+ | 871.84 грн |
200+ | 808.86 грн |
500+ | 774.38 грн |
1000+ | 763.78 грн |
CNX718N50012T |
Виробник: VCC
LED Panel Mount Indicators PANEL MNT INDICATOR 18MM GRN 12V TAB
LED Panel Mount Indicators PANEL MNT INDICATOR 18MM GRN 12V TAB
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1606.56 грн |
10+ | 1194 грн |
50+ | 1008.42 грн |
100+ | 856.6 грн |
200+ | 849.97 грн |
500+ | 800.9 грн |
1000+ | 790.96 грн |
CNX718N50028T |
Виробник: VCC
LED Panel Mount Indicators PANEL MNT INDICATOR 18MM GRN 28V TAB
LED Panel Mount Indicators PANEL MNT INDICATOR 18MM GRN 28V TAB
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1605.79 грн |
10+ | 1194 грн |
50+ | 984.56 грн |
100+ | 871.84 грн |
200+ | 859.91 грн |
500+ | 800.9 грн |
1000+ | 763.78 грн |
FDA28N50 |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET UniFET 500V
MOSFET UniFET 500V
на замовлення 1798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 341.11 грн |
10+ | 306.5 грн |
30+ | 212.82 грн |
120+ | 202.88 грн |
510+ | 161.11 грн |
1020+ | 155.8 грн |
FDP18N50 |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 187.42 грн |
3+ | 156.77 грн |
7+ | 117.41 грн |
19+ | 111.19 грн |
FDP18N50 |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 235W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 235W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 93 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 224.91 грн |
3+ | 195.36 грн |
7+ | 140.89 грн |
19+ | 133.43 грн |
250+ | 129.28 грн |
FDP18N50 |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 500V N-Channel PowerTrench MOSFET
MOSFET 500V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4842 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 194.15 грн |
10+ | 187.56 грн |
50+ | 101.44 грн |
100+ | 93.48 грн |
500+ | 88.84 грн |
1000+ | 80.89 грн |
FDP18N50 |
Виробник: ON-Semicoductor
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 235W; -55°C ~ 150°C; FDP18N50 TFDP18n50
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 235W; -55°C ~ 150°C; FDP18N50 TFDP18n50
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 117.73 грн |
FDPF18N50 |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10.8A; 38.5W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10.8A
Power dissipation: 38.5W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 265mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDPF18N50 |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 500V N-CH MOSFET
MOSFET 500V N-CH MOSFET
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 164.76 грн |
10+ | 156.3 грн |
50+ | 119.34 грн |
100+ | 108.07 грн |
250+ | 106.74 грн |
500+ | 100.11 грн |
1000+ | 86.85 грн |
FDPF18N50 |
Виробник: ON-Semicoductor
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; FDPF18N50 TFDPF18n50
кількість в упаковці: 3 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 265mOhm; 18A; 38,5W; -55°C ~ 150°C; FDPF18N50 TFDPF18n50
кількість в упаковці: 3 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 151.42 грн |
FDPF18N50T |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 500V N-Channel PowerTrench MOSFET
MOSFET 500V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 993 шт:
термін постачання 239-248 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 253.71 грн |
10+ | 227.97 грн |
50+ | 171.05 грн |
100+ | 145.2 грн |
250+ | 137.9 грн |
500+ | 126.63 грн |
1000+ | 106.08 грн |
IRFB18N50KPBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 147.79 грн |
8+ | 111.19 грн |
20+ | 104.98 грн |
IRFB18N50KPBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 11A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 342 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 211.52 грн |
3+ | 184.17 грн |
8+ | 133.43 грн |
20+ | 125.97 грн |
IRFB18N50KPBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 81.99 грн |
IRFB18N50KPBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET RECOMMENDED ALT SIHP18N50C-E3
MOSFET RECOMMENDED ALT SIHP18N50C-E3
на замовлення 988 шт:
термін постачання 147-156 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 322.55 грн |
10+ | 269.91 грн |
25+ | 222.1 грн |
100+ | 204.2 грн |
250+ | 198.24 грн |
500+ | 179.01 грн |
1000+ | 152.49 грн |
IXFK78N50P3 |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1132.73 грн |
3+ | 994.5 грн |
IXFK78N50P3 |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 78A; 1130W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 78A
Power dissipation: 1.13kW
Case: TO264
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1359.28 грн |
3+ | 1239.3 грн |
IXFK78N50P3 |
Виробник: IXYS
MOSFET 500V 78A 0.068Ohm PolarP3 Power MOSFET
MOSFET 500V 78A 0.068Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1542.36 грн |
10+ | 1351.06 грн |
25+ | 1095.94 грн |
50+ | 1061.46 грн |
100+ | 1026.99 грн |
250+ | 991.85 грн |
500+ | 947.43 грн |
IXFK98N50P3 |
Виробник: IXYS
MOSFET 500V 98A 0.05Ohm PolarP3 Power MOSFET
MOSFET 500V 98A 0.05Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1285.56 грн |
10+ | 1116.99 грн |
25+ | 918.26 грн |
50+ | 891.74 грн |
100+ | 839.36 грн |
250+ | 830.08 грн |
IXFN48N50 |
Виробник: IXYS
Discrete Semiconductor Modules 500V 48A
Discrete Semiconductor Modules 500V 48A
на замовлення 765 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2861.18 грн |
10+ | 2513.04 грн |
20+ | 2055.3 грн |
50+ | 1986.35 грн |
100+ | 1918.06 грн |
200+ | 1849.77 грн |
500+ | 1763.58 грн |
IXFN48N50Q |
Виробник: IXYS
Discrete Semiconductor Modules 48 Amps 500V 0.1 Rds
Discrete Semiconductor Modules 48 Amps 500V 0.1 Rds
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2861.18 грн |
10+ | 2512.27 грн |
20+ | 2054.64 грн |
50+ | 1986.35 грн |
100+ | 1917.4 грн |
200+ | 1849.11 грн |
500+ | 1763.58 грн |
IXFX78N50P3 |
Виробник: IXYS
MOSFET 500V 78A 0.068Ohm PolarP3 Power MOSFET
MOSFET 500V 78A 0.068Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 990.85 грн |
10+ | 860.04 грн |
30+ | 673.61 грн |
60+ | 661.67 грн |
510+ | 627.2 грн |
IXFX98N50P3 |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 98A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 98A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1271.81 грн |
2+ | 798.36 грн |
3+ | 754.16 грн |
IXFX98N50P3 |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 98A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 98A; 1300W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 98A
Power dissipation: 1.3kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1526.18 грн |
2+ | 994.88 грн |
3+ | 905 грн |
IXFX98N50P3 |
Виробник: IXYS
MOSFET 500V 98A 0.05Ohm PolarP3 Power MOSFET
MOSFET 500V 98A 0.05Ohm PolarP3 Power MOSFET
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1277.05 грн |
10+ | 1109.36 грн |
30+ | 885.77 грн |
60+ | 885.1 грн |
120+ | 833.39 грн |
270+ | 832.73 грн |
510+ | 802.23 грн |
IXTA08N50D2 |
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 500V 0.8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
Trans MOSFET N-CH 500V 0.8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AA
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IXTA08N50D2 |
Виробник: IXYS
MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 800MA
MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 800MA
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 206.52 грн |
10+ | 170.79 грн |
50+ | 123.98 грн |
100+ | 110.72 грн |
250+ | 106.08 грн |
500+ | 102.76 грн |
1000+ | 99.45 грн |
IXTP08N50D2 |
Виробник: IXYS
MOSFET N-CH MOSFETS 500V 800MA
MOSFET N-CH MOSFETS 500V 800MA
на замовлення 350 шт:
термін постачання 392-401 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 205.75 грн |
10+ | 168.5 грн |
100+ | 116.69 грн |
250+ | 108.07 грн |
500+ | 98.12 грн |
1000+ | 83.54 грн |
2500+ | 82.88 грн |
IXTY08N50D2 |
Виробник: IXYS
MOSFET N-CH MOSFETS 500V 800MA
MOSFET N-CH MOSFETS 500V 800MA
на замовлення 21525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 206.52 грн |
10+ | 142.58 грн |
70+ | 104.75 грн |
280+ | 101.44 грн |
560+ | 92.82 грн |
1050+ | 82.88 грн |
IXTY08N50D2-TRL |
Виробник: IXYS
Discrete Semiconductor Modules DISCRETE SEMICONDUCTOR MODULES
Discrete Semiconductor Modules DISCRETE SEMICONDUCTOR MODULES
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 573-582 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 205.75 грн |
10+ | 168.5 грн |
100+ | 116.69 грн |
250+ | 108.07 грн |
500+ | 98.12 грн |
1000+ | 83.54 грн |
2500+ | 82.88 грн |
NDF08N50ZG; 8,5A; 500V; 0,85R; 35W; N-канальный; корпус: ТО220F; ON Semi. |
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 656.88 грн |
S-8358N50MC-O7JT2U |
Виробник: ABLIC
Switching Controllers Step-Up SWR PWM/PFM 25.9uA Iq
Switching Controllers Step-Up SWR PWM/PFM 25.9uA Iq
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 113.7 грн |
10+ | 95.31 грн |
100+ | 70.94 грн |
250+ | 68.29 грн |
500+ | 63.52 грн |
1000+ | 55.03 грн |
3000+ | 44.49 грн |
SIHF18N50D-E3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 201.11 грн |
10+ | 165.45 грн |
100+ | 114.7 грн |
250+ | 105.42 грн |
500+ | 96.14 грн |
1000+ | 81.55 грн |
2000+ | 78.9 грн |
SIHF8N50D-E3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 79.67 грн |
10+ | 72.43 грн |
SIHF8N50L-E3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 106.74 грн |
10+ | 86.92 грн |
100+ | 60.66 грн |
250+ | 55.96 грн |
500+ | 50.79 грн |
1000+ | 43.56 грн |
2000+ | 41.37 грн |
SIHP18N50C-E3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 7601 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 197.24 грн |
10+ | 157.06 грн |
100+ | 112.05 грн |
250+ | 103.43 грн |
500+ | 93.48 грн |
1000+ | 77.57 грн |
2000+ | 74.26 грн |
SIHP8N50D-E3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 119.12 грн |
10+ | 95.31 грн |
100+ | 65.37 грн |
500+ | 55.36 грн |
1000+ | 43.23 грн |
2000+ | 41.7 грн |
5000+ | 40.38 грн |
SIHP8N50D-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 97.46 грн |
10+ | 77.01 грн |
100+ | 52.97 грн |
500+ | 44.95 грн |
1000+ | 36.53 грн |
2000+ | 34.41 грн |
5000+ | 32.75 грн |
SPD08N50C3ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 500V 7.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 52.68 грн |
SPD08N50C3ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET LOW POWER_LEGACY
MOSFET LOW POWER_LEGACY
на замовлення 3056 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 102.1 грн |
10+ | 87.68 грн |
100+ | 65.37 грн |
500+ | 59.27 грн |
1000+ | 54.37 грн |
2500+ | 53.31 грн |
5000+ | 51.65 грн |
WMJ18N50D1B |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 271W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 271W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 102.64 грн |
5+ | 75.97 грн |
10+ | 56.63 грн |
21+ | 39.37 грн |
56+ | 37.29 грн |
WMJ18N50D1B |
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 271W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 500V; 18A; Idm: 72A; 271W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ D1
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 72A
Power dissipation: 271W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 137 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 94.67 грн |
10+ | 67.96 грн |
21+ | 47.24 грн |
56+ | 44.75 грн |
Транзистор польовий FDP18N50 18A 500V N-ch TO-220 |
на замовлення 18 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 116.55 грн |
Транзистор польовий FDPF18N50 18A 500V N-ch TO-220F |
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 79.18 грн |
AOTF8N50 |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
на замовлення 790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]