Результат пошуку "8n65" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
AOTF8N65 AOTF8N65 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOTF8N65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.2A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.2A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.5nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+48.04 грн
11+ 33.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
AOTF8N65 AOTF8N65 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOTF8N65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.2A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.2A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.5nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+57.65 грн
7+ 41.61 грн
25+ 36.18 грн
28+ 34.47 грн
75+ 32.61 грн
500+ 31.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKA08N65ET6XKSA1 IKA08N65ET6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKA08N65ET6.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 7A; 17W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 7A
Power dissipation: 17W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 25A
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: T6
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.98 грн
6+ 61.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKA08N65ET6XKSA1 IKA08N65ET6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKA08N65ET6.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 7A; 17W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 7A
Power dissipation: 17W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 25A
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: T6
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+89.97 грн
5+ 76.65 грн
17+ 56.78 грн
46+ 53.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKA08N65ET6XKSA1 IKA08N65ET6XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKA08N65ET6_DataSheet_v01_00_EN-3362113.pdf IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.64 грн
10+ 102.23 грн
100+ 70.08 грн
250+ 67.48 грн
500+ 57.23 грн
1000+ 53.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKA08N65F5 IKA08N65F5 Infineon Technologies Infineon_IKA08N65F5_DS_v02_01_EN-1226886.pdf IGBT Transistors ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+227.11 грн
10+ 188.05 грн
25+ 154.44 грн
100+ 132.37 грн
250+ 125.89 грн
500+ 116.15 грн
1000+ 100.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKA08N65F5XKSA1 IKA08N65F5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKA08N65F5_DS_v02_01_EN-1226886.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+232.41 грн
25+ 182.08 грн
100+ 134.97 грн
500+ 116.15 грн
1000+ 94.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKA08N65H5 IKA08N65H5 Infineon Technologies Infineon_IKA08N65H5_DS_v02_01_EN-1226734.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.11 грн
10+ 119.4 грн
100+ 82.41 грн
250+ 75.92 грн
500+ 68.78 грн
1000+ 59.37 грн
2500+ 56.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKA08N65H5XKSA1 IKA08N65H5XKSA1 Infineon Technologies DS_IKA08N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af95976745d19 Description: IGBT 650V 10.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/115ns
Switching Energy: 70µJ (on), 30µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 48Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 31.2 W
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.77 грн
50+ 104.07 грн
100+ 85.63 грн
500+ 68 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKD08N65ET6ARMA1 IKD08N65ET6ARMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD08N65ET6_DataSheet_v02_03_EN-3362164.pdf IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+167.31 грн
10+ 137.31 грн
100+ 95.39 грн
250+ 87.6 грн
500+ 79.81 грн
1000+ 68.78 грн
3000+ 63.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKD08N65ET6ARMA1 IKD08N65ET6ARMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD08N65ET6-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d462766a0c1701766c3586b20ddb Description: IGBT TRENCH FS 650V 15A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/59ns
Switching Energy: 110µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Power - Max: 47 W
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.34 грн
10+ 127.41 грн
100+ 101.4 грн
500+ 80.52 грн
1000+ 68.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKD08N65ET6ARMA1 Infineon Technologies infineon-ikd08n65et6-datasheet-v02_03-en.pdf TRENCHSTOP IGBT6, 650V 8A 175°, PG-TO252-3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IKP08N65F5 IKP08N65F5 Infineon Technologies Infineon_IKP08N65F5_DS_v02_01_EN-1226895.pdf IGBT Transistors ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+130.97 грн
10+ 107.46 грн
100+ 73.97 грн
250+ 68.78 грн
500+ 62.16 грн
1000+ 53.47 грн
2500+ 50.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKP08N65F5XKSA1 IKP08N65F5XKSA1 Infineon Technologies 39137696509122968ds_ikp08n65f51.1.pdffileiddb3a30433af5291e013af9bac1de5da9folder..pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 18A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.2 грн
Мінімальне замовлення: 6
IKP08N65F5XKSA1 IKP08N65F5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKP08N65F5_DS_v02_01_EN-1226895.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.73 грн
10+ 110.44 грн
100+ 76.57 грн
250+ 72.03 грн
500+ 61.58 грн
1000+ 50.81 грн
5000+ 49.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKP08N65F5XKSA1 IKP08N65F5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKP08N65F5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a30433af5291e013af9bac1de5da9 Description: IGBT
Packaging: Bulk
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
332+58.98 грн
Мінімальне замовлення: 332
IKP08N65H5 IKP08N65H5 Infineon Technologies Infineon_IKP08N65H5_DS_v02_01_EN-1731542.pdf IGBT Transistors ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.38 грн
10+ 122.38 грн
100+ 84.36 грн
250+ 77.87 грн
500+ 70.73 грн
1000+ 60.35 грн
2500+ 57.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKP08N65H5XKSA1 IKP08N65H5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKP08N65H5_DS_v02_01_EN-1731542.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.13 грн
10+ 105.22 грн
100+ 79.17 грн
250+ 74.62 грн
500+ 69.43 грн
1000+ 57.75 грн
5000+ 55.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKP28N65ES5XKSA1 IKP28N65ES5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKP28N65ES5_DS_v02_01_EN-1551116.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+219.54 грн
10+ 182.08 грн
25+ 149.25 грн
100+ 127.83 грн
250+ 121.34 грн
500+ 97.98 грн
1000+ 90.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA8N65X2 IXFA8N65X2 IXYS IXF_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.02 грн
7+ 122.34 грн
10+ 114.91 грн
50+ 111.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXFA8N65X2 IXFA8N65X2 IXYS IXF_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 444 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+175.58 грн
3+ 153.3 грн
7+ 146.81 грн
10+ 137.89 грн
50+ 133.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFP18N65X2 IXFP18N65X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_18n65x2_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 25 V
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+325.69 грн
50+ 248.35 грн
100+ 212.87 грн
500+ 177.58 грн
1000+ 152.05 грн
IXFY8N65X2 IXFY8N65X2 IXYS IXF_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.95 грн
5+ 123.7 грн
8+ 110.85 грн
20+ 104.77 грн
70+ 103.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXFY8N65X2 IXFY8N65X2 IXYS IXF_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 171 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+179.94 грн
5+ 154.14 грн
8+ 133.02 грн
20+ 125.72 грн
70+ 124.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA8N65X2 IXTA8N65X2 IXYS IXT_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+123.7 грн
8+ 110.85 грн
20+ 104.77 грн
50+ 103.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTA8N65X2 IXTA8N65X2 IXYS IXT_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+179.94 грн
3+ 154.14 грн
8+ 133.02 грн
20+ 125.72 грн
50+ 124.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA8N65X2 IXTA8N65X2 IXYS media-3320944.pdf MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+224.84 грн
10+ 202.23 грн
50+ 151.84 грн
100+ 133.67 грн
250+ 121.99 грн
500+ 111.61 грн
1000+ 104.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA8N65X2 IXTA8N65X2 IXYS a Description: MOSFET N-CH 650V 8A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.07 грн
50+ 157.68 грн
100+ 135.15 грн
500+ 112.75 грн
1000+ 96.54 грн
2000+ 90.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTH48N65X2 IXTH48N65X2 IXYS media-3322951.pdf MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+715.41 грн
10+ 605.19 грн
30+ 431.51 грн
120+ 401.67 грн
270+ 392.58 грн
510+ 372.46 грн
IXTH48N65X2 IXTH48N65X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixth48n65x2_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 48A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 25 V
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+658.41 грн
30+ 506.45 грн
120+ 453.16 грн
IXTP8N65X2 IXTP8N65X2 IXYS media-3320944.pdf MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+162.76 грн
10+ 133.57 грн
100+ 89.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP8N65X2M IXTP8N65X2M IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixtp8n65x2m_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP8N65X2M IXTP8N65X2M IXYS media-3322544.pdf MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+207.43 грн
10+ 186.56 грн
50+ 144.05 грн
100+ 123.94 грн
250+ 113.56 грн
500+ 105.77 грн
1000+ 92.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTQ48N65X2M IXTQ48N65X2M IXYS Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF
Mounting: THT
Power dissipation: 70W
Case: TO3PF
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 70A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 76nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+863.03 грн
2+ 587.94 грн
5+ 535.34 грн
IXTQ48N65X2M IXTQ48N65X2M IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n_channel_ultra_juncti-2302177.pdf MOSFET MSFT 48A 650V X2
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+767.64 грн
10+ 666.38 грн
30+ 563.89 грн
60+ 531.44 грн
120+ 500.3 грн
270+ 473.04 грн
510+ 452.28 грн
IXTY8N65X2 IXTY8N65X2 IXYS IXT_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.12 грн
5+ 112.2 грн
8+ 100.04 грн
22+ 94.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTY8N65X2 IXTY8N65X2 IXYS IXT_8N65X2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 67 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+163.35 грн
5+ 139.82 грн
8+ 120.05 грн
22+ 113.56 грн
70+ 112.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTY8N65X2 IXTY8N65X2 IXYS media-3320944.pdf MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+205.92 грн
25+ 161.19 грн
70+ 116.8 грн
280+ 112.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
KSM8----N6--5-- KSM8----N6--5-- Essentra Components Plastic_Knobs.pdf Description: SELF-ASSEMBLY PUSH PULL KNOB 1.0
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Acetal
Shaft Size: M8
Diameter: 1.000" (25.40mm)
Style: Cylindrical
Type: Knurled, Straight
Height: 0.380" (9.65mm)
Indicator: No Indicator
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.26 грн
5+ 105.58 грн
10+ 95.04 грн
25+ 79.34 грн
50+ 71.39 грн
100+ 69.4 грн
250+ 66.32 грн
500+ 64.37 грн
1000+ 58.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
KSM8----N6--5A0 KSM8----N6--5A0 Essentra Components Plastic_Knobs.pdf Description: PUSH PULL KNOB 1.000 IN DIAMETER
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Acetal
Shaft Size: M8
Diameter: 1.000" (25.40mm)
Style: Cylindrical
Type: Knurled, Straight
Height: 0.410" (10.41mm)
Indicator: No Indicator
на замовлення 1176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.8 грн
10+ 130.93 грн
100+ 101.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
SH68N65DM6AG SH68N65DM6AG STMicroelectronics sh68n65dm6ag-3081539.pdf MOSFET Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2401.34 грн
10+ 2103.62 грн
25+ 1706.59 грн
50+ 1653.38 грн
100+ 1600.17 грн
200+ 1493.1 грн
400+ 1373.06 грн
SIHP28N65EF-GE3 SIHP28N65EF-GE3 Vishay / Siliconix sihp28n65ef.pdf MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+437.57 грн
10+ 361.92 грн
25+ 297.19 грн
100+ 254.37 грн
250+ 240.74 грн
500+ 227.11 грн
1000+ 194.02 грн
STB18N65M5 STB18N65M5 STMicroelectronics stb18n65m5.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.08 грн
10+ 140.93 грн
100+ 114 грн
500+ 95.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB18N65M5 STB18N65M5 STMicroelectronics stb18n65m5.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+90.11 грн
2000+ 81.7 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB18N65M5 STB18N65M5 STMicroelectronics stb18n65m5-1850343.pdf MOSFET N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 119-128 дні (днів)
2+189.26 грн
10+ 156.71 грн
100+ 110.31 грн
500+ 98.63 грн
1000+ 84.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB28N65M2 STB28N65M2 STMicroelectronics en.DM00150353.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+119.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB28N65M2 STB28N65M2 STMicroelectronics stb28n65m2-1850170.pdf MOSFET N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
на замовлення 2655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+250.58 грн
10+ 208.2 грн
25+ 180.39 грн
100+ 146 грн
500+ 130.43 грн
1000+ 107.07 грн
2000+ 104.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB28N65M2 STB28N65M2 STMicroelectronics en.DM00150353.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.93 грн
10+ 186.69 грн
100+ 151.03 грн
500+ 125.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB38N65M5 STB38N65M5 STMicroelectronics stb38n65m5-1850254.pdf MOSFET N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+461.04 грн
10+ 382.07 грн
100+ 268.64 грн
500+ 238.79 грн
1000+ 200.51 грн
2000+ 188.18 грн
STB8N65M5 STB8N65M5 STMicroelectronics STB8N65M5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+179.8 грн
5+ 144.65 грн
6+ 134.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB8N65M5 STB8N65M5 STMicroelectronics STB8N65M5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+215.76 грн
5+ 180.26 грн
6+ 161.41 грн
16+ 152.49 грн
25+ 146.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB8N65M5 STB8N65M5 STMicroelectronics stb8n65m5-1850313.pdf MOSFET MDmesh V N-Ch 650V 710V VDSS <0.6ohm 7A
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+191.53 грн
10+ 158.95 грн
25+ 137.57 грн
100+ 112.26 грн
250+ 110.96 грн
500+ 99.28 грн
1000+ 84.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB8N65M5 STB8N65M5 STMicroelectronics en.CD00253250.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 100 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.18 грн
10+ 142.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD18N65M5 STD18N65M5 STMicroelectronics STD18N65M5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 2185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.63 грн
3+ 170.33 грн
6+ 138.57 грн
16+ 130.45 грн
250+ 128.43 грн
500+ 125.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD18N65M5 STD18N65M5 STMicroelectronics STD18N65M5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2185 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+232.35 грн
3+ 212.26 грн
6+ 166.28 грн
16+ 156.55 грн
250+ 154.11 грн
500+ 150.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD18N65M5 STD18N65M5 STMicroelectronics stb18n65m5.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+101.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD18N65M5 STD18N65M5 STMicroelectronics stb18n65m5.pdf MOSFET N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+212.73 грн
10+ 176.11 грн
100+ 123.94 грн
500+ 110.31 грн
1000+ 94.09 грн
2500+ 88.9 грн
5000+ 86.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD8N65M5 STD8N65M5 STMicroelectronics STB8N65M5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.77 грн
5+ 121.67 грн
8+ 110.18 грн
20+ 104.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD8N65M5 STD8N65M5 STMicroelectronics STB8N65M5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+177.32 грн
5+ 151.62 грн
8+ 132.21 грн
20+ 125.72 грн
100+ 121.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD8N65M5 STD8N65M5 STMicroelectronics stb8n65m5-1850313.pdf MOSFET N-Ch 650V 0.56 Ohm MDmesh M5 7A 710VDss
на замовлення 2463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.81 грн
10+ 120.14 грн
100+ 90.2 грн
250+ 87.6 грн
500+ 77.87 грн
1000+ 71.38 грн
2500+ 69.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
AOTF8N65 AOTF8N65.pdf
AOTF8N65
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.2A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.2A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.5nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+48.04 грн
11+ 33.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
AOTF8N65 AOTF8N65.pdf
AOTF8N65
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5.2A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5.2A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.5nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+57.65 грн
7+ 41.61 грн
25+ 36.18 грн
28+ 34.47 грн
75+ 32.61 грн
500+ 31.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKA08N65ET6XKSA1 IKA08N65ET6.pdf
IKA08N65ET6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 7A; 17W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 7A
Power dissipation: 17W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 25A
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: T6
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+74.98 грн
6+ 61.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKA08N65ET6XKSA1 IKA08N65ET6.pdf
IKA08N65ET6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 7A; 17W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 7A
Power dissipation: 17W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 25A
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: T6
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+89.97 грн
5+ 76.65 грн
17+ 56.78 грн
46+ 53.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKA08N65ET6XKSA1 Infineon_IKA08N65ET6_DataSheet_v01_00_EN-3362113.pdf
IKA08N65ET6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+122.64 грн
10+ 102.23 грн
100+ 70.08 грн
250+ 67.48 грн
500+ 57.23 грн
1000+ 53.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKA08N65F5 Infineon_IKA08N65F5_DS_v02_01_EN-1226886.pdf
IKA08N65F5
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+227.11 грн
10+ 188.05 грн
25+ 154.44 грн
100+ 132.37 грн
250+ 125.89 грн
500+ 116.15 грн
1000+ 100.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKA08N65F5XKSA1 Infineon_IKA08N65F5_DS_v02_01_EN-1226886.pdf
IKA08N65F5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+232.41 грн
25+ 182.08 грн
100+ 134.97 грн
500+ 116.15 грн
1000+ 94.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKA08N65H5 Infineon_IKA08N65H5_DS_v02_01_EN-1226734.pdf
IKA08N65H5
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+146.11 грн
10+ 119.4 грн
100+ 82.41 грн
250+ 75.92 грн
500+ 68.78 грн
1000+ 59.37 грн
2500+ 56.45 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKA08N65H5XKSA1 DS_IKA08N65H5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af95976745d19
IKA08N65H5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 10.8A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-111
Td (on/off) @ 25°C: 11ns/115ns
Switching Energy: 70µJ (on), 30µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 48Ohm, 15V
Gate Charge: 22 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Power - Max: 31.2 W
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+134.77 грн
50+ 104.07 грн
100+ 85.63 грн
500+ 68 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKD08N65ET6ARMA1 Infineon_IKD08N65ET6_DataSheet_v02_03_EN-3362164.pdf
IKD08N65ET6ARMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+167.31 грн
10+ 137.31 грн
100+ 95.39 грн
250+ 87.6 грн
500+ 79.81 грн
1000+ 68.78 грн
3000+ 63.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKD08N65ET6ARMA1 Infineon-IKD08N65ET6-DataSheet-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d462766a0c1701766c3586b20ddb
IKD08N65ET6ARMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 15A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/59ns
Switching Energy: 110µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Power - Max: 47 W
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+159.34 грн
10+ 127.41 грн
100+ 101.4 грн
500+ 80.52 грн
1000+ 68.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKD08N65ET6ARMA1 infineon-ikd08n65et6-datasheet-v02_03-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
TRENCHSTOP IGBT6, 650V 8A 175°, PG-TO252-3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IKP08N65F5 Infineon_IKP08N65F5_DS_v02_01_EN-1226895.pdf
IKP08N65F5
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+130.97 грн
10+ 107.46 грн
100+ 73.97 грн
250+ 68.78 грн
500+ 62.16 грн
1000+ 53.47 грн
2500+ 50.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKP08N65F5XKSA1 39137696509122968ds_ikp08n65f51.1.pdffileiddb3a30433af5291e013af9bac1de5da9folder..pdf
IKP08N65F5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 18A 70000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+54.2 грн
Мінімальне замовлення: 6
IKP08N65F5XKSA1 Infineon_IKP08N65F5_DS_v02_01_EN-1226895.pdf
IKP08N65F5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+131.73 грн
10+ 110.44 грн
100+ 76.57 грн
250+ 72.03 грн
500+ 61.58 грн
1000+ 50.81 грн
5000+ 49.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKP08N65F5XKSA1 Infineon-IKP08N65F5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a30433af5291e013af9bac1de5da9
IKP08N65F5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT
Packaging: Bulk
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
332+58.98 грн
Мінімальне замовлення: 332
IKP08N65H5 Infineon_IKP08N65H5_DS_v02_01_EN-1731542.pdf
IKP08N65H5
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+148.38 грн
10+ 122.38 грн
100+ 84.36 грн
250+ 77.87 грн
500+ 70.73 грн
1000+ 60.35 грн
2500+ 57.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKP08N65H5XKSA1 Infineon_IKP08N65H5_DS_v02_01_EN-1731542.pdf
IKP08N65H5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+121.13 грн
10+ 105.22 грн
100+ 79.17 грн
250+ 74.62 грн
500+ 69.43 грн
1000+ 57.75 грн
5000+ 55.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKP28N65ES5XKSA1 Infineon_IKP28N65ES5_DS_v02_01_EN-1551116.pdf
IKP28N65ES5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+219.54 грн
10+ 182.08 грн
25+ 149.25 грн
100+ 127.83 грн
250+ 121.34 грн
500+ 97.98 грн
1000+ 90.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFA8N65X2 IXF_8N65X2.pdf
IXFA8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+123.02 грн
7+ 122.34 грн
10+ 114.91 грн
50+ 111.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXFA8N65X2 IXF_8N65X2.pdf
IXFA8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 444 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+175.58 грн
3+ 153.3 грн
7+ 146.81 грн
10+ 137.89 грн
50+ 133.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXFP18N65X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_18n65x2_datasheet.pdf.pdf
IXFP18N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1520 pF @ 25 V
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+325.69 грн
50+ 248.35 грн
100+ 212.87 грн
500+ 177.58 грн
1000+ 152.05 грн
IXFY8N65X2 IXF_8N65X2.pdf
IXFY8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 105ns
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+149.95 грн
5+ 123.7 грн
8+ 110.85 грн
20+ 104.77 грн
70+ 103.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXFY8N65X2 IXF_8N65X2.pdf
IXFY8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 171 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+179.94 грн
5+ 154.14 грн
8+ 133.02 грн
20+ 125.72 грн
70+ 124.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA8N65X2 IXT_8N65X2.pdf
IXTA8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+123.7 грн
8+ 110.85 грн
20+ 104.77 грн
50+ 103.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTA8N65X2 IXT_8N65X2.pdf
IXTA8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+179.94 грн
3+ 154.14 грн
8+ 133.02 грн
20+ 125.72 грн
50+ 124.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA8N65X2 media-3320944.pdf
IXTA8N65X2
Виробник: IXYS
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+224.84 грн
10+ 202.23 грн
50+ 151.84 грн
100+ 133.67 грн
250+ 121.99 грн
500+ 111.61 грн
1000+ 104.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTA8N65X2 a
IXTA8N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 8A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+207.07 грн
50+ 157.68 грн
100+ 135.15 грн
500+ 112.75 грн
1000+ 96.54 грн
2000+ 90.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTH48N65X2 media-3322951.pdf
IXTH48N65X2
Виробник: IXYS
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+715.41 грн
10+ 605.19 грн
30+ 431.51 грн
120+ 401.67 грн
270+ 392.58 грн
510+ 372.46 грн
IXTH48N65X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixth48n65x2_datasheet.pdf.pdf
IXTH48N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 48A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4420 pF @ 25 V
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+658.41 грн
30+ 506.45 грн
120+ 453.16 грн
IXTP8N65X2 media-3320944.pdf
IXTP8N65X2
Виробник: IXYS
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+162.76 грн
10+ 133.57 грн
100+ 89.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP8N65X2M littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixtp8n65x2m_datasheet.pdf.pdf
IXTP8N65X2M
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+190.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP8N65X2M media-3322544.pdf
IXTP8N65X2M
Виробник: IXYS
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+207.43 грн
10+ 186.56 грн
50+ 144.05 грн
100+ 123.94 грн
250+ 113.56 грн
500+ 105.77 грн
1000+ 92.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTQ48N65X2M
IXTQ48N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF
Mounting: THT
Power dissipation: 70W
Case: TO3PF
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 70A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 76nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+863.03 грн
2+ 587.94 грн
5+ 535.34 грн
IXTQ48N65X2M littelfuse_discrete_mosfets_n_channel_ultra_juncti-2302177.pdf
IXTQ48N65X2M
Виробник: IXYS
MOSFET MSFT 48A 650V X2
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+767.64 грн
10+ 666.38 грн
30+ 563.89 грн
60+ 531.44 грн
120+ 500.3 грн
270+ 473.04 грн
510+ 452.28 грн
IXTY8N65X2 IXT_8N65X2.pdf
IXTY8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+136.12 грн
5+ 112.2 грн
8+ 100.04 грн
22+ 94.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTY8N65X2 IXT_8N65X2.pdf
IXTY8N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 8A; 150W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 67 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+163.35 грн
5+ 139.82 грн
8+ 120.05 грн
22+ 113.56 грн
70+ 112.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTY8N65X2 media-3320944.pdf
IXTY8N65X2
Виробник: IXYS
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+205.92 грн
25+ 161.19 грн
70+ 116.8 грн
280+ 112.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
KSM8----N6--5-- Plastic_Knobs.pdf
KSM8----N6--5--
Виробник: Essentra Components
Description: SELF-ASSEMBLY PUSH PULL KNOB 1.0
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Acetal
Shaft Size: M8
Diameter: 1.000" (25.40mm)
Style: Cylindrical
Type: Knurled, Straight
Height: 0.380" (9.65mm)
Indicator: No Indicator
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+131.26 грн
5+ 105.58 грн
10+ 95.04 грн
25+ 79.34 грн
50+ 71.39 грн
100+ 69.4 грн
250+ 66.32 грн
500+ 64.37 грн
1000+ 58.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
KSM8----N6--5A0 Plastic_Knobs.pdf
KSM8----N6--5A0
Виробник: Essentra Components
Description: PUSH PULL KNOB 1.000 IN DIAMETER
Packaging: Bulk
Color: Black
Material: Acetal
Shaft Size: M8
Diameter: 1.000" (25.40mm)
Style: Cylindrical
Type: Knurled, Straight
Height: 0.410" (10.41mm)
Indicator: No Indicator
на замовлення 1176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+181.8 грн
10+ 130.93 грн
100+ 101.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
SH68N65DM6AG sh68n65dm6ag-3081539.pdf
SH68N65DM6AG
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET Automotive grade N-channel 650V 35 mOhm 64A MDmesh DM6 half-bridge Power MOSFET
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2401.34 грн
10+ 2103.62 грн
25+ 1706.59 грн
50+ 1653.38 грн
100+ 1600.17 грн
200+ 1493.1 грн
400+ 1373.06 грн
SIHP28N65EF-GE3 sihp28n65ef.pdf
SIHP28N65EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+437.57 грн
10+ 361.92 грн
25+ 297.19 грн
100+ 254.37 грн
250+ 240.74 грн
500+ 227.11 грн
1000+ 194.02 грн
STB18N65M5 stb18n65m5.pdf
STB18N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+174.08 грн
10+ 140.93 грн
100+ 114 грн
500+ 95.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB18N65M5 stb18n65m5.pdf
STB18N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+90.11 грн
2000+ 81.7 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB18N65M5 stb18n65m5-1850343.pdf
STB18N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 119-128 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+189.26 грн
10+ 156.71 грн
100+ 110.31 грн
500+ 98.63 грн
1000+ 84.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB28N65M2 en.DM00150353.pdf
STB28N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+119.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB28N65M2 stb28n65m2-1850170.pdf
STB28N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in D2PAK package
на замовлення 2655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+250.58 грн
10+ 208.2 грн
25+ 180.39 грн
100+ 146 грн
500+ 130.43 грн
1000+ 107.07 грн
2000+ 104.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB28N65M2 en.DM00150353.pdf
STB28N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1440 pF @ 100 V
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+230.93 грн
10+ 186.69 грн
100+ 151.03 грн
500+ 125.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB38N65M5 stb38n65m5-1850254.pdf
STB38N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 650V 0.076 Ohm 30 A MDmesh M5
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+461.04 грн
10+ 382.07 грн
100+ 268.64 грн
500+ 238.79 грн
1000+ 200.51 грн
2000+ 188.18 грн
STB8N65M5 STB8N65M5.pdf
STB8N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+179.8 грн
5+ 144.65 грн
6+ 134.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
STB8N65M5 STB8N65M5.pdf
STB8N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+215.76 грн
5+ 180.26 грн
6+ 161.41 грн
16+ 152.49 грн
25+ 146.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB8N65M5 stb8n65m5-1850313.pdf
STB8N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET MDmesh V N-Ch 650V 710V VDSS <0.6ohm 7A
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+191.53 грн
10+ 158.95 грн
25+ 137.57 грн
100+ 112.26 грн
250+ 110.96 грн
500+ 99.28 грн
1000+ 84.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB8N65M5 en.CD00253250.pdf
STB8N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 690 pF @ 100 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+176.18 грн
10+ 142.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD18N65M5 STD18N65M5.pdf
STD18N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 2185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+193.63 грн
3+ 170.33 грн
6+ 138.57 грн
16+ 130.45 грн
250+ 128.43 грн
500+ 125.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD18N65M5 STD18N65M5.pdf
STD18N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 9.4A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 9.4A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2185 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+232.35 грн
3+ 212.26 грн
6+ 166.28 грн
16+ 156.55 грн
250+ 154.11 грн
500+ 150.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD18N65M5 stb18n65m5.pdf
STD18N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 650V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+101.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD18N65M5 stb18n65m5.pdf
STD18N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh M5
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+212.73 грн
10+ 176.11 грн
100+ 123.94 грн
500+ 110.31 грн
1000+ 94.09 грн
2500+ 88.9 грн
5000+ 86.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD8N65M5 STB8N65M5.pdf
STD8N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+147.77 грн
5+ 121.67 грн
8+ 110.18 грн
20+ 104.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD8N65M5 STB8N65M5.pdf
STD8N65M5
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.4A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+177.32 грн
5+ 151.62 грн
8+ 132.21 грн
20+ 125.72 грн
100+ 121.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD8N65M5 stb8n65m5-1850313.pdf
STD8N65M5
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 650V 0.56 Ohm MDmesh M5 7A 710VDss
на замовлення 2463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+140.81 грн
10+ 120.14 грн
100+ 90.2 грн
250+ 87.6 грн
500+ 77.87 грн
1000+ 71.38 грн
2500+ 69.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]