Результат пошуку "9n60" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
FCMT199N60 FCMT199N60 onsemi / Fairchild FCMT199N60_D-2311886.pdf MOSFET 199mohm 600V SuperFET2
на замовлення 7863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+368.03 грн
10+ 305.33 грн
100+ 214.24 грн
500+ 190.59 грн
1000+ 162.98 грн
3000+ 153.13 грн
FCMT299N60 FCMT299N60 onsemi / Fairchild FCMT299N60_D-2311745.pdf MOSFET N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+310.52 грн
10+ 262.25 грн
25+ 199.13 грн
100+ 184.67 грн
250+ 170.21 грн
500+ 160.35 грн
1000+ 148.53 грн
FCP099N60E FCP099N60E onsemi / Fairchild FCP099N60E_D-2311614.pdf MOSFET SuperFET2 600V Slow version
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+384.9 грн
10+ 352.19 грн
50+ 275.36 грн
100+ 247.76 грн
500+ 198.47 грн
800+ 177.44 грн
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF VISHAY IRFB9N60APBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.21 грн
10+ 80.1 грн
28+ 75.3 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF VISHAY IRFB9N60APBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+133.59 грн
3+ 121.14 грн
10+ 96.11 грн
28+ 90.36 грн
250+ 87.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Vishay 91103.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF Vishay Semiconductors 91103.pdf MOSFET 600V N-CH HEXFET
на замовлення 3023 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+190.15 грн
10+ 138.31 грн
100+ 102.52 грн
250+ 99.89 грн
500+ 90.69 грн
1000+ 78.86 грн
5000+ 78.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFB9N60APBF-BE3 IRFB9N60APBF-BE3 Vishay / Siliconix 91103.pdf MOSFET 600V N-CH HEXFET
на замовлення 1381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+204.72 грн
10+ 165.51 грн
100+ 122.24 грн
500+ 103.18 грн
1000+ 88.06 грн
2000+ 80.18 грн
5000+ 77.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF VISHAY IRFS9N60A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.12 грн
9+ 91.73 грн
24+ 86.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF VISHAY IRFS9N60A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+171.63 грн
3+ 148.44 грн
9+ 110.08 грн
24+ 103.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Vishay sihs9n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFS9N60APBF IRFS9N60APBF Vishay Semiconductors sihs9n60.pdf MOSFET 600V N-CH HEXFET D2PAK
на замовлення 2188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+221.58 грн
10+ 185.16 грн
25+ 126.84 грн
100+ 111.72 грн
250+ 106.47 грн
500+ 99.89 грн
1000+ 99.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFS9N60ATRLPBF IRFS9N60ATRLPBF Vishay Semiconductors sihs9n60.pdf MOSFET 600V N-CH HEXFET D2PAK
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+217.75 грн
10+ 182.14 грн
25+ 153.13 грн
100+ 129.47 грн
250+ 126.18 грн
500+ 112.38 грн
800+ 99.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFS9N60ATRRPBF IRFS9N60ATRRPBF Vishay Semiconductors sihs9n60.pdf MOSFET 600V N-CH HEXFET D2PAK
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+248.42 грн
10+ 205.57 грн
25+ 168.9 грн
100+ 144.58 грн
250+ 136.7 грн
500+ 128.15 грн
800+ 103.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTHL019N60S5F NTHL019N60S5F onsemi NTHL019N60S5F_D-3150561.pdf MOSFET SUPERFET5 FRFET, 19MOHM, TO-247-3
на замовлення 450 шт:
термін постачання 119-128 дні (днів)
1+1499.71 грн
10+ 1105.69 грн
NTHL099N60S5 NTHL099N60S5 onsemi NTHL099N60S5_D-2493557.pdf MOSFET SUPERFET5 EASY, 99MOHM, TO-247-3
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+476.9 грн
10+ 433.06 грн
25+ 319.4 грн
100+ 266.82 грн
250+ 255.65 грн
450+ 237.9 грн
900+ 228.05 грн
PJMF099N60EC_T0_00601 PJMF099N60EC_T0_00601 Panjit PJMF099N60EC-3385789.pdf MOSFET 600V/ 99mOhms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 189-198 дні (днів)
1+558.94 грн
10+ 472.36 грн
50+ 371.97 грн
100+ 342.4 грн
250+ 322.02 грн
500+ 301.65 грн
1000+ 271.42 грн
PJMP099N60EC_T0_00601 PJMP099N60EC_T0_00601 Panjit PJMP099N60EC-3385796.pdf MOSFET 600V/ 99mOhms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+546.67 грн
10+ 461.78 грн
50+ 364.08 грн
100+ 334.51 грн
250+ 314.79 грн
500+ 295.08 грн
1000+ 266.16 грн
SIHD9N60E-GE3 SIHD9N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihd9n60e.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 2725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.18 грн
10+ 109.59 грн
100+ 75.58 грн
250+ 70.32 грн
500+ 63.55 грн
1000+ 55.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHG039N60E-GE3 SIHG039N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihg039n60e.pdf MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+757.52 грн
10+ 681.7 грн
25+ 509.32 грн
100+ 463.98 грн
250+ 463.32 грн
500+ 412.72 грн
1000+ 371.31 грн
SIHG039N60EF-GE3 SIHG039N60EF-GE3 Vishay / Siliconix sihg039n60ef.pdf MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+853.36 грн
10+ 721.76 грн
25+ 614.47 грн
100+ 521.15 грн
250+ 504.07 грн
500+ 458.72 грн
1000+ 414.03 грн
STD9N60M2 STD9N60M2 STMicroelectronics std9n60m2-1850599.pdf MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.17 грн
10+ 71.72 грн
100+ 48.17 грн
500+ 40.81 грн
1000+ 33.25 грн
2500+ 31.22 грн
5000+ 29.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF9N60M2 STF9N60M2 STMicroelectronics stf9n60m2-1850689.pdf MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
на замовлення 2971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.21 грн
10+ 64.77 грн
100+ 47.32 грн
500+ 42.13 грн
1000+ 37.72 грн
2000+ 35.88 грн
5000+ 34.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
STP9N60M2 STP9N60M2 STMicroelectronics std9n60m2-1850599.pdf MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.61 грн
10+ 76.33 грн
100+ 52.51 грн
500+ 44.49 грн
1000+ 36.21 грн
2000+ 34.11 грн
5000+ 32.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
STU9N60M2 STU9N60M2 STMicroelectronics std9n60m2-1850599.pdf MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.77 грн
10+ 74.52 грн
100+ 50.87 грн
500+ 43.11 грн
1000+ 33.12 грн
3000+ 31.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK39N60W,S1VF TK39N60W,S1VF Toshiba TK39N60W_datasheet_en_20131226-1140096.pdf MOSFET DTMOSIV 600V 65mOhm 38.8A 270W 4100pF
на замовлення 60 шт:
термін постачання 152-161 дні (днів)
1+377.99 грн
10+ 329.52 грн
30+ 241.19 грн
120+ 210.3 грн
270+ 207.02 грн
510+ 193.87 грн
1020+ 157.07 грн
TK39N60W5,S1VF TK39N60W5,S1VF Toshiba TK39N60W5_datasheet_en_20140225-1916299.pdf MOSFET Power MOSFET N-Channel
на замовлення 3045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+429.37 грн
30+ 324.23 грн
120+ 268.13 грн
270+ 265.51 грн
510+ 239.22 грн
1020+ 192.56 грн
5010+ 191.9 грн
TK39N60X,S1F TK39N60X,S1F Toshiba TK39N60X_datasheet_en_20140228-1915994.pdf MOSFET DTMOSIV-H/S 600V 65mOhmmax(VGS=10V)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+504.5 грн
10+ 449.68 грн
120+ 286.54 грн
270+ 279.31 грн
510+ 258.28 грн
1020+ 231.33 грн
2520+ 228.7 грн
TK39N60X,S1F(S TK39N60X,S1F(S TOSHIBA TK39N60X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38.8A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+435.71 грн
3+ 301.21 грн
8+ 284.78 грн
TK39N60X,S1F(S TK39N60X,S1F(S TOSHIBA TK39N60X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38.8A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+522.85 грн
3+ 375.36 грн
8+ 341.74 грн
TK39N60X,S1F(S TK39N60X,S1F(S Toshiba 1545docget.jsptypedatasheetlangenpidtk39n60x.jsptypedatasheetlangenpi.pdf Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
270+149.51 грн
Мінімальне замовлення: 270
WMK09N60C2 WMK09N60C2 WAYON WMK09N60C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.41 грн
6+ 59.76 грн
10+ 47.58 грн
25+ 36.01 грн
31+ 25.67 грн
85+ 24.3 грн
Мінімальне замовлення: 5
WMK09N60C2 WMK09N60C2 WAYON WMK09N60C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 462 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+92.89 грн
4+ 74.47 грн
10+ 57.09 грн
25+ 43.21 грн
31+ 30.81 грн
85+ 29.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
WML09N60C2 WML09N60C2 WAYON WMx09N60C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+52.34 грн
12+ 29.85 грн
25+ 26.29 грн
34+ 23.55 грн
93+ 22.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
WML09N60C2 WML09N60C2 WAYON WMx09N60C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 170 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+62.81 грн
7+ 37.19 грн
25+ 31.55 грн
34+ 28.26 грн
93+ 26.7 грн
Мінімальне замовлення: 5
WMM09N60C2 WMM09N60C2 WAYON WMx09N60C2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+52.34 грн
13+ 27.38 грн
25+ 24.44 грн
38+ 21.15 грн
103+ 19.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
WMM09N60C2 WMM09N60C2 WAYON WMx09N60C2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 617 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+62.81 грн
8+ 34.12 грн
25+ 29.33 грн
38+ 25.38 грн
103+ 23.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
WMN09N60C2 WMN09N60C2 WAYON WMK09N60C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+52.34 грн
12+ 28.75 грн
25+ 25.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
WMN09N60C2 WMN09N60C2 WAYON WMK09N60C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+62.81 грн
8+ 35.83 грн
25+ 30.81 грн
36+ 26.45 грн
99+ 24.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
Транзистор польовий IRFB9N60APBF 9.2A 600V N-ch TO-220
на замовлення 20 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3+69.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
Транзистор польовий IRFS9N60ATRLPBF 9.2A 600V N-ch D2PAK
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3+63.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCP099N60E ON Semiconductor fcp099n60e-d.pdf
на замовлення 770 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCP9N60N fairchild FAIRS46032-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2011+
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA19N60 fqa19n60-d.pdf
на замовлення 24590 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FSL9N60A IR 09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFB9N60A-PBF IRFB9N60A-PBF Транзисторы
на замовлення 104 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRFL9N60A IR 07+ SOT-223
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFL9N60A IR SOT-223
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFPS29N60LPBF IRFPS29N60L,SiHFPS29N60L.pdf
на замовлення 542 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFS9N60ATRRPBF IR sihs9n60.pdf 2006
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFH39N60
на замовлення 1073 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXGH39N60BD1 97548.pdf
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MDF9N60TH
на замовлення 128000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MDF9N60TH=FQPF10N6
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MDP9N60TH
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MDP9N60TH=FQP10N60
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PFB9N60
на замовлення 2332 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PHB9N60E
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PHP9N60E
на замовлення 6368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PHW9N60E
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCMT199N60 FCMT199N60_D-2311886.pdf
FCMT199N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 199mohm 600V SuperFET2
на замовлення 7863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+368.03 грн
10+ 305.33 грн
100+ 214.24 грн
500+ 190.59 грн
1000+ 162.98 грн
3000+ 153.13 грн
FCMT299N60 FCMT299N60_D-2311745.pdf
FCMT299N60
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+310.52 грн
10+ 262.25 грн
25+ 199.13 грн
100+ 184.67 грн
250+ 170.21 грн
500+ 160.35 грн
1000+ 148.53 грн
FCP099N60E FCP099N60E_D-2311614.pdf
FCP099N60E
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET SuperFET2 600V Slow version
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+384.9 грн
10+ 352.19 грн
50+ 275.36 грн
100+ 247.76 грн
500+ 198.47 грн
800+ 177.44 грн
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF.pdf
IRFB9N60APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+97.21 грн
10+ 80.1 грн
28+ 75.3 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFB9N60APBF IRFB9N60APBF.pdf
IRFB9N60APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+133.59 грн
3+ 121.14 грн
10+ 96.11 грн
28+ 90.36 грн
250+ 87.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFB9N60APBF 91103.pdf
IRFB9N60APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+58.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFB9N60APBF 91103.pdf
IRFB9N60APBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V N-CH HEXFET
на замовлення 3023 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+190.15 грн
10+ 138.31 грн
100+ 102.52 грн
250+ 99.89 грн
500+ 90.69 грн
1000+ 78.86 грн
5000+ 78.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFB9N60APBF-BE3 91103.pdf
IRFB9N60APBF-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V N-CH HEXFET
на замовлення 1381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+204.72 грн
10+ 165.51 грн
100+ 122.24 грн
500+ 103.18 грн
1000+ 88.06 грн
2000+ 80.18 грн
5000+ 77.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFS9N60APBF IRFS9N60A.pdf
IRFS9N60APBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.12 грн
9+ 91.73 грн
24+ 86.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFS9N60APBF IRFS9N60A.pdf
IRFS9N60APBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.8A; 170W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+171.63 грн
3+ 148.44 грн
9+ 110.08 грн
24+ 103.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFS9N60APBF sihs9n60.pdf
IRFS9N60APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 9.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+69.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFS9N60APBF sihs9n60.pdf
IRFS9N60APBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V N-CH HEXFET D2PAK
на замовлення 2188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+221.58 грн
10+ 185.16 грн
25+ 126.84 грн
100+ 111.72 грн
250+ 106.47 грн
500+ 99.89 грн
1000+ 99.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFS9N60ATRLPBF sihs9n60.pdf
IRFS9N60ATRLPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V N-CH HEXFET D2PAK
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+217.75 грн
10+ 182.14 грн
25+ 153.13 грн
100+ 129.47 грн
250+ 126.18 грн
500+ 112.38 грн
800+ 99.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFS9N60ATRRPBF sihs9n60.pdf
IRFS9N60ATRRPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V N-CH HEXFET D2PAK
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+248.42 грн
10+ 205.57 грн
25+ 168.9 грн
100+ 144.58 грн
250+ 136.7 грн
500+ 128.15 грн
800+ 103.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTHL019N60S5F NTHL019N60S5F_D-3150561.pdf
NTHL019N60S5F
Виробник: onsemi
MOSFET SUPERFET5 FRFET, 19MOHM, TO-247-3
на замовлення 450 шт:
термін постачання 119-128 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1499.71 грн
10+ 1105.69 грн
NTHL099N60S5 NTHL099N60S5_D-2493557.pdf
NTHL099N60S5
Виробник: onsemi
MOSFET SUPERFET5 EASY, 99MOHM, TO-247-3
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+476.9 грн
10+ 433.06 грн
25+ 319.4 грн
100+ 266.82 грн
250+ 255.65 грн
450+ 237.9 грн
900+ 228.05 грн
PJMF099N60EC_T0_00601 PJMF099N60EC-3385789.pdf
PJMF099N60EC_T0_00601
Виробник: Panjit
MOSFET 600V/ 99mOhms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 189-198 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+558.94 грн
10+ 472.36 грн
50+ 371.97 грн
100+ 342.4 грн
250+ 322.02 грн
500+ 301.65 грн
1000+ 271.42 грн
PJMP099N60EC_T0_00601 PJMP099N60EC-3385796.pdf
PJMP099N60EC_T0_00601
Виробник: Panjit
MOSFET 600V/ 99mOhms / 39A/ Easy to driver SJ MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+546.67 грн
10+ 461.78 грн
50+ 364.08 грн
100+ 334.51 грн
250+ 314.79 грн
500+ 295.08 грн
1000+ 266.16 грн
SIHD9N60E-GE3 sihd9n60e.pdf
SIHD9N60E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 2725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+134.18 грн
10+ 109.59 грн
100+ 75.58 грн
250+ 70.32 грн
500+ 63.55 грн
1000+ 55.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHG039N60E-GE3 sihg039n60e.pdf
SIHG039N60E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+757.52 грн
10+ 681.7 грн
25+ 509.32 грн
100+ 463.98 грн
250+ 463.32 грн
500+ 412.72 грн
1000+ 371.31 грн
SIHG039N60EF-GE3 sihg039n60ef.pdf
SIHG039N60EF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 613 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+853.36 грн
10+ 721.76 грн
25+ 614.47 грн
100+ 521.15 грн
250+ 504.07 грн
500+ 458.72 грн
1000+ 414.03 грн
STD9N60M2 std9n60m2-1850599.pdf
STD9N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+88.17 грн
10+ 71.72 грн
100+ 48.17 грн
500+ 40.81 грн
1000+ 33.25 грн
2500+ 31.22 грн
5000+ 29.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF9N60M2 stf9n60m2-1850689.pdf
STF9N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
на замовлення 2971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+101.21 грн
10+ 64.77 грн
100+ 47.32 грн
500+ 42.13 грн
1000+ 37.72 грн
2000+ 35.88 грн
5000+ 34.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
STP9N60M2 std9n60m2-1850599.pdf
STP9N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+96.61 грн
10+ 76.33 грн
100+ 52.51 грн
500+ 44.49 грн
1000+ 36.21 грн
2000+ 34.11 грн
5000+ 32.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
STU9N60M2 std9n60m2-1850599.pdf
STU9N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+92.77 грн
10+ 74.52 грн
100+ 50.87 грн
500+ 43.11 грн
1000+ 33.12 грн
3000+ 31.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
TK39N60W,S1VF TK39N60W_datasheet_en_20131226-1140096.pdf
TK39N60W,S1VF
Виробник: Toshiba
MOSFET DTMOSIV 600V 65mOhm 38.8A 270W 4100pF
на замовлення 60 шт:
термін постачання 152-161 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+377.99 грн
10+ 329.52 грн
30+ 241.19 грн
120+ 210.3 грн
270+ 207.02 грн
510+ 193.87 грн
1020+ 157.07 грн
TK39N60W5,S1VF TK39N60W5_datasheet_en_20140225-1916299.pdf
TK39N60W5,S1VF
Виробник: Toshiba
MOSFET Power MOSFET N-Channel
на замовлення 3045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+429.37 грн
30+ 324.23 грн
120+ 268.13 грн
270+ 265.51 грн
510+ 239.22 грн
1020+ 192.56 грн
5010+ 191.9 грн
TK39N60X,S1F TK39N60X_datasheet_en_20140228-1915994.pdf
TK39N60X,S1F
Виробник: Toshiba
MOSFET DTMOSIV-H/S 600V 65mOhmmax(VGS=10V)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+504.5 грн
10+ 449.68 грн
120+ 286.54 грн
270+ 279.31 грн
510+ 258.28 грн
1020+ 231.33 грн
2520+ 228.7 грн
TK39N60X,S1F(S TK39N60X.pdf
TK39N60X,S1F(S
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38.8A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+435.71 грн
3+ 301.21 грн
8+ 284.78 грн
TK39N60X,S1F(S TK39N60X.pdf
TK39N60X,S1F(S
Виробник: TOSHIBA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 38.8A; 270W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 38.8A
Power dissipation: 270W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 55mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+522.85 грн
3+ 375.36 грн
8+ 341.74 грн
TK39N60X,S1F(S 1545docget.jsptypedatasheetlangenpidtk39n60x.jsptypedatasheetlangenpi.pdf
TK39N60X,S1F(S
Виробник: Toshiba
Trans MOSFET N-CH Si 600V 38.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
270+149.51 грн
Мінімальне замовлення: 270
WMK09N60C2 WMK09N60C2.pdf
WMK09N60C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+77.41 грн
6+ 59.76 грн
10+ 47.58 грн
25+ 36.01 грн
31+ 25.67 грн
85+ 24.3 грн
Мінімальне замовлення: 5
WMK09N60C2 WMK09N60C2.pdf
WMK09N60C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: 1.2...1.45mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 462 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+92.89 грн
4+ 74.47 грн
10+ 57.09 грн
25+ 43.21 грн
31+ 30.81 грн
85+ 29.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
WML09N60C2 WMx09N60C2.pdf
WML09N60C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+52.34 грн
12+ 29.85 грн
25+ 26.29 грн
34+ 23.55 грн
93+ 22.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
WML09N60C2 WMx09N60C2.pdf
WML09N60C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 170 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.81 грн
7+ 37.19 грн
25+ 31.55 грн
34+ 28.26 грн
93+ 26.7 грн
Мінімальне замовлення: 5
WMM09N60C2 WMx09N60C2.pdf
WMM09N60C2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+52.34 грн
13+ 27.38 грн
25+ 24.44 грн
38+ 21.15 грн
103+ 19.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
WMM09N60C2 WMx09N60C2.pdf
WMM09N60C2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 617 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.81 грн
8+ 34.12 грн
25+ 29.33 грн
38+ 25.38 грн
103+ 23.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
WMN09N60C2 WMK09N60C2.pdf
WMN09N60C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+52.34 грн
12+ 28.75 грн
25+ 25.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
WMN09N60C2 WMK09N60C2.pdf
WMN09N60C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 6A; 45W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6A
Power dissipation: 45W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 940mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.81 грн
8+ 35.83 грн
25+ 30.81 грн
36+ 26.45 грн
99+ 24.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
Транзистор польовий IRFB9N60APBF 9.2A 600V N-ch TO-220
на замовлення 20 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+69.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
Транзистор польовий IRFS9N60ATRLPBF 9.2A 600V N-ch D2PAK
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+63.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
FCP099N60E fcp099n60e-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 770 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCP9N60N FAIRS46032-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: fairchild
2011+
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA19N60 fqa19n60-d.pdf
на замовлення 24590 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FSL9N60A
Виробник: IR
09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFB9N60A-PBF
IRFB9N60A-PBF Транзисторы
на замовлення 104 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRFL9N60A
Виробник: IR
07+ SOT-223
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFL9N60A
Виробник: IR
SOT-223
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFPS29N60LPBF IRFPS29N60L,SiHFPS29N60L.pdf
на замовлення 542 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFS9N60ATRRPBF sihs9n60.pdf
Виробник: IR
2006
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFH39N60
на замовлення 1073 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXGH39N60BD1 97548.pdf
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MDF9N60TH
на замовлення 128000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MDF9N60TH=FQPF10N6
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MDP9N60TH
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MDP9N60TH=FQP10N60
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PFB9N60
на замовлення 2332 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PHB9N60E
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PHP9N60E
на замовлення 6368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PHW9N60E
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]