Результат пошуку "9nc60" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 600
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 20
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STGB19NC60HDT4 | STMicroelectronics | IGBT Transistors N Ch 600V 19A |
на замовлення 776 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STGB19NC60HDT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STGB19NC60KDT4 | STMicroelectronics | IGBT Transistors 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT |
на замовлення 966 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STGF19NC60HD | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 32W; TO220FP Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 32W Case: TO220FP Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 53nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STGF19NC60HD | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 32W; TO220FP Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 32W Case: TO220FP Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 53nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STGF19NC60KD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 32000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STGP19NC60HD | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 130W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 130W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 31nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 91 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STGP19NC60HD | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 130W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 130W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 31nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 91 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STGP19NC60HD | STMicroelectronics | IGBT Transistors 19 A - 600 V very fast IGBT |
на замовлення 2961 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STGP19NC60KD | STMicroelectronics | IGBT Transistors 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT |
на замовлення 707 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STGP19NC60SD | STMicroelectronics | IGBT Transistors N-chnl 600V-20A Med Freq |
на замовлення 2461 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STGW19NC60HD | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 21A; 140W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 21A Power dissipation: 140W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 53nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STGW19NC60HD | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 21A; 140W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 21A Power dissipation: 140W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 53nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STGW19NC60HD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 42A 140000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STGW19NC60HD | STMicroelectronics | IGBT Transistors 19 A - 600 V Very fast IGBT |
на замовлення 4542 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STGW19NC60HD | ST |
42A; 600V; 140W; IGBT STGW19NC60HD TSTGW19nc60hd кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STGW39NC60VD | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 220A Mounting: THT Gate charge: 126nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
на замовлення 145 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STGW39NC60VD | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 40A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 220A Mounting: THT Gate charge: 126nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 145 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STGW39NC60VD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
STGW39NC60VD | STMicroelectronics | IGBT Transistors N-CHANNEL MFT |
на замовлення 566 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STGW39NC60VD | ST |
80A; 600V; 250W; IGBT STGW39NC60VD STMicroelectronics TSTGW39nc60vd кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 72 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STGWA19NC60HD | STMicroelectronics | IGBT Transistors 19A 600V Very Fast IGBT Ultrafast Diode |
на замовлення 989 шт: термін постачання 844-853 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
Транзистор IGBT STGP19NC60KD 20A 600V TO-220F |
на замовлення 2 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
Транзистор IGBT STGW39NC60VD 40A 600V TO-247 |
на замовлення 6 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
B9NC60 | ST | TO-263 |
на замовлення 475 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
P9NC60 |
на замовлення 5750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
P9NC60FP | ST | 00+ TO-220 |
на замовлення 35 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
STB9NC60 | ST | TO-263/D2-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
STB9NC60 | ST | 07+ TO-263/D2-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
STB9NC60-1 | ST | 07+ TO-263/D2-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
STB9NC60-1 | ST | TO-263/D2-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
STB9NC60T4 | ST | TO-263 |
на замовлення 475 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
STGB19NC60HDT4 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
STGF19NC60KD |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
STGP19NC60KD |
на замовлення 38000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
STP9NC60 | ST | TO-220 |
на замовлення 1174 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
STP9NC60Z |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
STP9NC60ZFP |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
STP9NK60Z | ST |
N-MOSFET 9A 600V 125W 0.6Ω Replacement: STP9NC60 STP9NK60Z TSTP9NK60 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STGF19NC60KD Код товару: 81562 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
STGP19NC60HD Код товару: 183916 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
STGP19NC60KD Код товару: 171429 |
Транзистори > IGBT |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
STGW39NC60VD Код товару: 116027 |
ST |
Транзистори > IGBT Корпус: TO-247 Vces: 600 V Vce: 1,7 V Ic 25: 80 A Ic 100: 40 A Pd 25: 250 W td(on)/td(off) 100-150 град: 33/178 |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
STGB19NC60HDT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 130W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 19A Power dissipation: 130W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: SMD Gate charge: 53nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode |
товар відсутній |
||||||||||||||||
STGB19NC60HDT4 | STMicroelectronics |
Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 130W; D2PAK Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 19A Power dissipation: 130W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: SMD Gate charge: 53nC Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
STGB19NC60HDT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
STGB19NC60KD4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 35A 125000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
STGB19NC60KDT4 | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 35A 125000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
STGF19NC60HD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 32000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
STGF19NC60HD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 32000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
STGF19NC60KD | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 32W; TO220FP Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 32W Case: TO220FP Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 75A Mounting: THT Gate charge: 55nC Kind of package: tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
STGF19NC60KD | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 32W; TO220FP Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 10A Power dissipation: 32W Case: TO220FP Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 75A Mounting: THT Gate charge: 55nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
STGF19NC60KD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 32000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
STGF19NC60KD | STMicroelectronics | IGBT Transistors 2A 6V SHORT CIRCUIT RUGGED IGBT |
товар відсутній |
||||||||||||||||
STGP19NC60HD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
STGP19NC60HD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
STGP19NC60KD | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 35A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
STGP19NC60S | STMicroelectronics | Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
STGP19NC60SD | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 130W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 130W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Gate charge: 54.5nC Kind of package: tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
STGP19NC60SD | STMicroelectronics |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 130W; TO220AB Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 130W Case: TO220AB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 80A Mounting: THT Gate charge: 54.5nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
STGB19NC60HDT4 |
Виробник: STMicroelectronics
IGBT Transistors N Ch 600V 19A
IGBT Transistors N Ch 600V 19A
на замовлення 776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 193.16 грн |
10+ | 160.05 грн |
25+ | 131.26 грн |
100+ | 112.13 грн |
250+ | 106.2 грн |
500+ | 100.26 грн |
1000+ | 85.09 грн |
STGB19NC60HDT4 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 61.79 грн |
STGB19NC60KDT4 |
Виробник: STMicroelectronics
IGBT Transistors 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT
IGBT Transistors 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 434.79 грн |
10+ | 359.55 грн |
100+ | 253.29 грн |
500+ | 224.93 грн |
1000+ | 188.65 грн |
2000+ | 177.43 грн |
STGF19NC60HD |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 32W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 32W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 143.6 грн |
8+ | 102.38 грн |
22+ | 96.88 грн |
STGF19NC60HD |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 32W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 32W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 206 грн |
3+ | 178.95 грн |
8+ | 122.85 грн |
22+ | 116.26 грн |
6000+ | 113.78 грн |
STGF19NC60KD |
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 32000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 32000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 86.19 грн |
STGP19NC60HD |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 130W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 130W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 190.91 грн |
3+ | 158.72 грн |
7+ | 117.49 грн |
19+ | 110.62 грн |
STGP19NC60HD |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 130W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 130W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 229.09 грн |
3+ | 197.79 грн |
7+ | 140.99 грн |
19+ | 132.75 грн |
STGP19NC60HD |
Виробник: STMicroelectronics
IGBT Transistors 19 A - 600 V very fast IGBT
IGBT Transistors 19 A - 600 V very fast IGBT
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 194.69 грн |
10+ | 161.57 грн |
25+ | 108.18 грн |
100+ | 98.28 грн |
250+ | 97.62 грн |
500+ | 91.69 грн |
1000+ | 83.11 грн |
STGP19NC60KD |
Виробник: STMicroelectronics
IGBT Transistors 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT
IGBT Transistors 20 A - 600 V - short circuit rugged IGBT
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 186.23 грн |
10+ | 147.16 грн |
100+ | 105.54 грн |
250+ | 104.88 грн |
500+ | 91.69 грн |
1000+ | 75.2 грн |
2000+ | 71.9 грн |
STGP19NC60SD |
Виробник: STMicroelectronics
IGBT Transistors N-chnl 600V-20A Med Freq
IGBT Transistors N-chnl 600V-20A Med Freq
на замовлення 2461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 175.46 грн |
10+ | 144.12 грн |
100+ | 99.6 грн |
250+ | 92.35 грн |
500+ | 83.11 грн |
1000+ | 71.24 грн |
2000+ | 67.28 грн |
STGW19NC60HD |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 21A; 140W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 21A
Power dissipation: 140W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 21A; 140W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 21A
Power dissipation: 140W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 216.06 грн |
3+ | 180.71 грн |
6+ | 135.36 грн |
17+ | 127.8 грн |
STGW19NC60HD |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 21A; 140W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 21A
Power dissipation: 140W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 21A; 140W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 21A
Power dissipation: 140W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 53nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 259.28 грн |
3+ | 225.19 грн |
6+ | 162.43 грн |
17+ | 153.36 грн |
STGW19NC60HD |
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 42A 140000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 42A 140000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
600+ | 115.43 грн |
STGW19NC60HD |
Виробник: STMicroelectronics
IGBT Transistors 19 A - 600 V Very fast IGBT
IGBT Transistors 19 A - 600 V Very fast IGBT
на замовлення 4542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 222.4 грн |
10+ | 200.26 грн |
25+ | 151.71 грн |
100+ | 129.28 грн |
250+ | 115.43 грн |
600+ | 98.28 грн |
1200+ | 92.35 грн |
STGW19NC60HD |
на замовлення 24 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 127.02 грн |
STGW39NC60VD |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 220A
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 220A
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 276.74 грн |
3+ | 232.24 грн |
5+ | 176.58 грн |
13+ | 166.96 грн |
STGW39NC60VD |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 220A
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 220A
Mounting: THT
Gate charge: 126nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 145 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 332.09 грн |
3+ | 289.4 грн |
5+ | 211.9 грн |
13+ | 200.36 грн |
STGW39NC60VD |
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 250000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)STGW39NC60VD |
Виробник: STMicroelectronics
IGBT Transistors N-CHANNEL MFT
IGBT Transistors N-CHANNEL MFT
на замовлення 566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 394.01 грн |
10+ | 355.76 грн |
25+ | 248.01 грн |
100+ | 216.35 грн |
250+ | 188.65 грн |
600+ | 168.86 грн |
1200+ | 164.9 грн |
STGW39NC60VD |
Виробник: ST
80A; 600V; 250W; IGBT STGW39NC60VD STMicroelectronics TSTGW39nc60vd
кількість в упаковці: 2 шт
80A; 600V; 250W; IGBT STGW39NC60VD STMicroelectronics TSTGW39nc60vd
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 72 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 162.21 грн |
STGWA19NC60HD |
Виробник: STMicroelectronics
IGBT Transistors 19A 600V Very Fast IGBT Ultrafast Diode
IGBT Transistors 19A 600V Very Fast IGBT Ultrafast Diode
на замовлення 989 шт:
термін постачання 844-853 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 220.86 грн |
10+ | 202.53 грн |
25+ | 150.39 грн |
100+ | 128.62 грн |
250+ | 114.77 грн |
600+ | 100.26 грн |
1200+ | 92.35 грн |
Транзистор IGBT STGP19NC60KD 20A 600V TO-220F |
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 78.77 грн |
Транзистор IGBT STGW39NC60VD 40A 600V TO-247 |
на замовлення 6 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 189.05 грн |
STP9NK60Z |
Виробник: ST
N-MOSFET 9A 600V 125W 0.6Ω Replacement: STP9NC60 STP9NK60Z TSTP9NK60
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 9A 600V 125W 0.6Ω Replacement: STP9NC60 STP9NK60Z TSTP9NK60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 49.26 грн |
STGW39NC60VD Код товару: 116027 |
Виробник: ST
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,7 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 250 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 33/178
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 1,7 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 250 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 33/178
товар відсутній
STGB19NC60HDT4 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 19A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 19A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
STGB19NC60HDT4 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 19A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 19A; 130W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 19A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STGB19NC60HDT4 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STGB19NC60KD4 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 35A 125000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 600V 35A 125000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STGB19NC60KDT4 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 35A 125000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 600V 35A 125000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
STGF19NC60HD |
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 32000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 32000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
STGF19NC60HD |
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 32000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 32000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
STGF19NC60KD |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 32W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 32W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
товар відсутній
STGF19NC60KD |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 32W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 32W; TO220FP
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
STGF19NC60KD |
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 32000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 32000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
STGF19NC60KD |
Виробник: STMicroelectronics
IGBT Transistors 2A 6V SHORT CIRCUIT RUGGED IGBT
IGBT Transistors 2A 6V SHORT CIRCUIT RUGGED IGBT
товар відсутній
STGP19NC60HD |
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STGP19NC60HD |
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STGP19NC60KD |
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 35A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 35A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STGP19NC60S |
Виробник: STMicroelectronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 130000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
STGP19NC60SD |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 130W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 54.5nC
Kind of package: tube
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 130W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 54.5nC
Kind of package: tube
товар відсутній
STGP19NC60SD |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 130W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 54.5nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 130W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 54.5nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]