Результат пошуку "APT8030" : 31
Вид перегляду :
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| APT8030JVFR | Microchip Technology |
 Discrete Semiconductor Modules FREDFET MOS5 800 V 30 Ohm SOT-227 |
на замовлення 79 шт: термін постачання 364-373 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| APT8030LVFRG | Microchip Technology |
MOSFET FREDFET MOS5 800 V 30 Ohm TO-264 |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
APT8030LVRG | Microchip Technology |
MOSFET POWER MOS V 800V 27A |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| APT8030 |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| APT8030B2VFR |
на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| APT8030B2VR |
на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| APT8030JN | APT |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| APT8030JN | APT | MODULE |
на замовлення 394 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| APT8030JVR | APT |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| APT8030LVR |
на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
APT8030JN Код товару: 22165 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
|
|
APT8030B2VFRG | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 800V 27A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| APT8030B2VRG | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; TO247MAX Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Case: TO247MAX Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| APT8030B2VRG | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; TO247MAX Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Case: TO247MAX Mounting: THT Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
APT8030B2VRG | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 800V 27A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
APT8030B2VRG | Microchip Technology |
MOSFET MOSFET MOS5 800 V 30 Ohm TO-247 MAX |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| APT8030JVFR | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 800V; 25A; ISOTOP; screw; Idm: 100A; 450W Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 25A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 450W Case: ISOTOP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.3Ω Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| APT8030JVFR | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; single transistor; 800V; 25A; ISOTOP; screw; Idm: 100A; 450W Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 25A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 450W Case: ISOTOP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.3Ω Kind of channel: enhanced Semiconductor structure: single transistor Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Type of module: MOSFET transistor кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
APT8030JVFR | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 800V 25A 4-Pin SOT-227 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
APT8030JVR | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 800V 25A 4-Pin SOT-227 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
APT8030LVFRG | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; 27A; Idm: 108A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 27A Pulsed drain current: 108A Power dissipation: 520W Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 510nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
APT8030LVFRG | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; 27A; Idm: 108A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 27A Pulsed drain current: 108A Power dissipation: 520W Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 510nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
APT8030LVFRG | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 800V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
APT8030LVFRG | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 800V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
APT8030LVRG | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; 27A; Idm: 108A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 27A Pulsed drain current: 108A Power dissipation: 520W Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 510nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
APT8030LVRG | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; 27A; Idm: 108A Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 27A Pulsed drain current: 108A Power dissipation: 520W Case: TO264 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 510nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
APT8030LVRG | Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH 800V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube |
товар відсутній |
| APT8030JVFR |
|
Виробник: Microchip Technology
Discrete Semiconductor Modules FREDFET MOS5 800 V 30 Ohm SOT-227
Discrete Semiconductor Modules FREDFET MOS5 800 V 30 Ohm SOT-227
на замовлення 79 шт:
термін постачання 364-373 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2927.35 грн |
| APT8030LVFRG |
|
Виробник: Microchip Technology
MOSFET FREDFET MOS5 800 V 30 Ohm TO-264
MOSFET FREDFET MOS5 800 V 30 Ohm TO-264
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1745.83 грн |
| 25+ | 1686.88 грн |
| 100+ | 1311.1 грн |
| 250+ | 1297.3 грн |
| 500+ | 1287.44 грн |
| 1000+ | 1284.81 грн |
| 5000+ | 1283.49 грн |
| APT8030LVRG |
|
Виробник: Microchip Technology
MOSFET POWER MOS V 800V 27A
MOSFET POWER MOS V 800V 27A
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1674.52 грн |
| 100+ | 1425.38 грн |
| APT8030B2VFRG |
|
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 800V 27A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 27A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
товар відсутній
| APT8030B2VRG |
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; TO247MAX
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Case: TO247MAX
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; TO247MAX
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Case: TO247MAX
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
| APT8030B2VRG |
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; TO247MAX
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Case: TO247MAX
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; TO247MAX
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Case: TO247MAX
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| APT8030B2VRG |
|
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 800V 27A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 27A 3-Pin(3+Tab) T-MAX Tube
товар відсутній
| APT8030B2VRG |
|
Виробник: Microchip Technology
MOSFET MOSFET MOS5 800 V 30 Ohm TO-247 MAX
MOSFET MOSFET MOS5 800 V 30 Ohm TO-247 MAX
товар відсутній
| APT8030JVFR |
|
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 25A; ISOTOP; screw; Idm: 100A; 450W
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 450W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 25A; ISOTOP; screw; Idm: 100A; 450W
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 450W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
товар відсутній
| APT8030JVFR |
|
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 25A; ISOTOP; screw; Idm: 100A; 450W
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 450W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 800V; 25A; ISOTOP; screw; Idm: 100A; 450W
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 450W
Case: ISOTOP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Kind of channel: enhanced
Semiconductor structure: single transistor
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: MOSFET transistor
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| APT8030JVFR |
|
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 800V 25A 4-Pin SOT-227 Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 25A 4-Pin SOT-227 Tube
товар відсутній
| APT8030JVR |
|
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 800V 25A 4-Pin SOT-227 Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 25A 4-Pin SOT-227 Tube
товар відсутній
| APT8030LVFRG |
|
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; 27A; Idm: 108A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 108A
Power dissipation: 520W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 510nC
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; 27A; Idm: 108A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 108A
Power dissipation: 520W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 510nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
| APT8030LVFRG |
|
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; 27A; Idm: 108A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 108A
Power dissipation: 520W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 510nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; 27A; Idm: 108A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 108A
Power dissipation: 520W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 510nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| APT8030LVFRG |
|
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 800V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
товар відсутній
| APT8030LVFRG |
|
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 800V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
товар відсутній
| APT8030LVRG |
|
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; 27A; Idm: 108A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 108A
Power dissipation: 520W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 510nC
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; 27A; Idm: 108A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 108A
Power dissipation: 520W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 510nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
| APT8030LVRG |
|
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; 27A; Idm: 108A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 108A
Power dissipation: 520W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 510nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 800V; 27A; Idm: 108A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Pulsed drain current: 108A
Power dissipation: 520W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 510nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
| APT8030LVRG |
|
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 800V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
товар відсутній