Результат пошуку "BSC026N08NS5" : 21

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
BSC026N08NS5 BSC026N08NS5 Infineon Technologies infineon-bsc026n08ns5-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+260.35 грн
47+ 249.16 грн
50+ 239.67 грн
100+ 223.27 грн
250+ 200.46 грн
500+ 187.21 грн
1000+ 182.63 грн
2500+ 178.6 грн
5000+ 175.04 грн
Мінімальне замовлення: 45
BSC026N08NS5ATMA1 BSC026N08NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc026n08ns5-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+224.6 грн
54+ 216.04 грн
100+ 208.71 грн
250+ 195.16 грн
500+ 175.78 грн
1000+ 164.62 грн
2500+ 160.99 грн
Мінімальне замовлення: 52
BSC026N08NS5ATMA1 BSC026N08NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_BSC026N08NS5_DataSheet_v02_03_EN-3360625.pdf MOSFET N-Ch 80V 100A TDSON-8
на замовлення 37493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+223.12 грн
10+ 178.36 грн
25+ 147.87 грн
100+ 130.78 грн
250+ 129.47 грн
500+ 116.32 грн
1000+ 93.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC026N08NS5ATMA1 BSC026N08NS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0001300011-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC026N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0022 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+145.97 грн
250+ 132.7 грн
1000+ 101.32 грн
3000+ 91.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC026N08NS5ATMA1 BSC026N08NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC026N08NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae2eace7629e0 Description: MOSFET N-CH 80V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+96.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC026N08NS5ATMA1 BSC026N08NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc026n08ns5-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 11990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+187.25 грн
75+ 157.17 грн
100+ 148.44 грн
200+ 142.2 грн
500+ 119.54 грн
1000+ 108.11 грн
2000+ 105.61 грн
5000+ 102.29 грн
Мінімальне замовлення: 63
BSC026N08NS5ATMA1 BSC026N08NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc026n08ns5-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+234.7 грн
60+ 195.97 грн
63+ 187.46 грн
100+ 158.35 грн
250+ 145.24 грн
500+ 126.15 грн
1000+ 101.58 грн
Мінімальне замовлення: 50
BSC026N08NS5ATMA1 BSC026N08NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC026N08NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae2eace7629e0 Description: MOSFET N-CH 80V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
на замовлення 9312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.16 грн
10+ 166.69 грн
100+ 134.85 грн
500+ 112.49 грн
1000+ 96.32 грн
2000+ 90.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC026N08NS5ATMA1 BSC026N08NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc026n08ns5-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+109.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC026N08NS5ATMA1 BSC026N08NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc026n08ns5-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+217.94 грн
10+ 181.97 грн
25+ 174.07 грн
100+ 147.04 грн
250+ 134.86 грн
500+ 117.14 грн
1000+ 94.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC026N08NS5ATMA1 BSC026N08NS5ATMA1 Infineon Technologies 48727042373587264dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileid5546d4624ad04ef.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 23A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+62.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC026N08NS5ATMA1 BSC026N08NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc026n08ns5-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+117.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC026N08NS5ATMA1 BSC026N08NS5ATMA1 INFINEON INFN-S-A0001300011-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BSC026N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0022 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.25 грн
50+ 145.97 грн
250+ 132.7 грн
1000+ 101.32 грн
3000+ 91.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC026N08NS5 Infineon
на замовлення 14128 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EVALHBBC1EDN8550BTOBO1 EVALHBBC1EDN8550BTOBO1 Infineon Technologies Infineon-ApplicationNote_evaluation_board_EVAL_HB_BC_1EDN8550B-AN-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166ef75bd7e183f Description: EVAL 1ED8550 EICEDRIVER
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: 1EDN8550B, BSC026N08NS5, XMC1100
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: Yes, MCU, 32-Bit
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7877.53 грн
BSC026N08NS5 BSC026N08NS5 Infineon Technologies Infineon_BSC026N08NS5_DataSheet_v02_03_EN-3360625.pdf MOSFET TRENCH 40<-<100V
товар відсутній
BSC026N08NS5ATMA1 BSC026N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC026N08NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC026N08NS5ATMA1 BSC026N08NS5ATMA1 Infineon Technologies infineon-bsc026n08ns5-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC026N08NS5ATMA1 BSC026N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC026N08NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
EVALHBBC1EDN8550BTOBO1 EVALHBBC1EDN8550BTOBO1 Infineon Technologies on_board_eval_hb_bc_1edn8550b-applicationnotes-v03_00-en.pdf 1EDN8550B, BSC026N08NS5 Evaluation Board
товар відсутній
BSC026N08NS5 infineon-bsc026n08ns5-datasheet-v02_03-en.pdf
BSC026N08NS5
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
45+260.35 грн
47+ 249.16 грн
50+ 239.67 грн
100+ 223.27 грн
250+ 200.46 грн
500+ 187.21 грн
1000+ 182.63 грн
2500+ 178.6 грн
5000+ 175.04 грн
Мінімальне замовлення: 45
BSC026N08NS5ATMA1 infineon-bsc026n08ns5-datasheet-v02_03-en.pdf
BSC026N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
52+224.6 грн
54+ 216.04 грн
100+ 208.71 грн
250+ 195.16 грн
500+ 175.78 грн
1000+ 164.62 грн
2500+ 160.99 грн
Мінімальне замовлення: 52
BSC026N08NS5ATMA1 Infineon_BSC026N08NS5_DataSheet_v02_03_EN-3360625.pdf
BSC026N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 80V 100A TDSON-8
на замовлення 37493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+223.12 грн
10+ 178.36 грн
25+ 147.87 грн
100+ 130.78 грн
250+ 129.47 грн
500+ 116.32 грн
1000+ 93.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC026N08NS5ATMA1 INFN-S-A0001300011-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC026N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC026N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0022 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+145.97 грн
250+ 132.7 грн
1000+ 101.32 грн
3000+ 91.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
BSC026N08NS5ATMA1 Infineon-BSC026N08NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae2eace7629e0
BSC026N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+96.28 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC026N08NS5ATMA1 infineon-bsc026n08ns5-datasheet-v02_03-en.pdf
BSC026N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 11990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
63+187.25 грн
75+ 157.17 грн
100+ 148.44 грн
200+ 142.2 грн
500+ 119.54 грн
1000+ 108.11 грн
2000+ 105.61 грн
5000+ 102.29 грн
Мінімальне замовлення: 63
BSC026N08NS5ATMA1 infineon-bsc026n08ns5-datasheet-v02_03-en.pdf
BSC026N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+234.7 грн
60+ 195.97 грн
63+ 187.46 грн
100+ 158.35 грн
250+ 145.24 грн
500+ 126.15 грн
1000+ 101.58 грн
Мінімальне замовлення: 50
BSC026N08NS5ATMA1 Infineon-BSC026N08NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ae2eace7629e0
BSC026N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
на замовлення 9312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+206.16 грн
10+ 166.69 грн
100+ 134.85 грн
500+ 112.49 грн
1000+ 96.32 грн
2000+ 90.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
BSC026N08NS5ATMA1 infineon-bsc026n08ns5-datasheet-v02_03-en.pdf
BSC026N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+109.77 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC026N08NS5ATMA1 infineon-bsc026n08ns5-datasheet-v02_03-en.pdf
BSC026N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+217.94 грн
10+ 181.97 грн
25+ 174.07 грн
100+ 147.04 грн
250+ 134.86 грн
500+ 117.14 грн
1000+ 94.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
BSC026N08NS5ATMA1 48727042373587264dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileid5546d4624ad04ef.pdf
BSC026N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 23A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+62.03 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC026N08NS5ATMA1 infineon-bsc026n08ns5-datasheet-v02_03-en.pdf
BSC026N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+117.89 грн
Мінімальне замовлення: 5000
BSC026N08NS5ATMA1 INFN-S-A0001300011-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BSC026N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC026N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0022 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+173.25 грн
50+ 145.97 грн
250+ 132.7 грн
1000+ 101.32 грн
3000+ 91.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSC026N08NS5
Виробник: Infineon
на замовлення 14128 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
EVALHBBC1EDN8550BTOBO1 Infineon-ApplicationNote_evaluation_board_EVAL_HB_BC_1EDN8550B-AN-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166ef75bd7e183f
EVALHBBC1EDN8550BTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL 1ED8550 EICEDRIVER
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: 1EDN8550B, BSC026N08NS5, XMC1100
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: Yes, MCU, 32-Bit
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+7877.53 грн
BSC026N08NS5 Infineon_BSC026N08NS5_DataSheet_v02_03_EN-3360625.pdf
BSC026N08NS5
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET TRENCH 40<-<100V
товар відсутній
BSC026N08NS5ATMA1 BSC026N08NS5-DTE.pdf
BSC026N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC026N08NS5ATMA1 infineon-bsc026n08ns5-datasheet-v02_03-en.pdf
BSC026N08NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC026N08NS5ATMA1 BSC026N08NS5-DTE.pdf
BSC026N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
EVALHBBC1EDN8550BTOBO1 on_board_eval_hb_bc_1edn8550b-applicationnotes-v03_00-en.pdf
EVALHBBC1EDN8550BTOBO1
Виробник: Infineon Technologies
1EDN8550B, BSC026N08NS5 Evaluation Board
товар відсутній