Результат пошуку "BSC026N08NS5" : 21
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 45
Мінімальне замовлення: 52
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 5000
Мінімальне замовлення: 63
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5000
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 5000
Мінімальне замовлення: 5000
Мінімальне замовлення: 5
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSC026N08NS5 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSC026N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 3129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSC026N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 80V 100A TDSON-8 |
на замовлення 37493 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSC026N08NS5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC026N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0022 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 10080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSC026N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 23A/100A TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSC026N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 11990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSC026N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 1930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSC026N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 80V 23A/100A TDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V |
на замовлення 9312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSC026N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSC026N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 1930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSC026N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 23A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSC026N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSC026N08NS5ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSC026N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0022 ohm, TDSON, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TDSON Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: OptiMOS 5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 10080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSC026N08NS5 | Infineon |
на замовлення 14128 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
EVALHBBC1EDN8550BTOBO1 | Infineon Technologies |
Description: EVAL 1ED8550 EICEDRIVER Packaging: Bulk Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Utilized IC / Part: 1EDN8550B, BSC026N08NS5, XMC1100 Supplied Contents: Board(s) Embedded: Yes, MCU, 32-Bit |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
BSC026N08NS5 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH 40<-<100V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
BSC026N08NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 156W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 100A Power dissipation: 156W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
BSC026N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
BSC026N08NS5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 156W; PG-TDSON-8 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 100A Power dissipation: 156W Case: PG-TDSON-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
EVALHBBC1EDN8550BTOBO1 | Infineon Technologies | 1EDN8550B, BSC026N08NS5 Evaluation Board |
товар відсутній |
BSC026N08NS5 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
45+ | 260.35 грн |
47+ | 249.16 грн |
50+ | 239.67 грн |
100+ | 223.27 грн |
250+ | 200.46 грн |
500+ | 187.21 грн |
1000+ | 182.63 грн |
2500+ | 178.6 грн |
5000+ | 175.04 грн |
BSC026N08NS5ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 3129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
52+ | 224.6 грн |
54+ | 216.04 грн |
100+ | 208.71 грн |
250+ | 195.16 грн |
500+ | 175.78 грн |
1000+ | 164.62 грн |
2500+ | 160.99 грн |
BSC026N08NS5ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 80V 100A TDSON-8
MOSFET N-Ch 80V 100A TDSON-8
на замовлення 37493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 223.12 грн |
10+ | 178.36 грн |
25+ | 147.87 грн |
100+ | 130.78 грн |
250+ | 129.47 грн |
500+ | 116.32 грн |
1000+ | 93.32 грн |
BSC026N08NS5ATMA1 |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC026N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0022 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - BSC026N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0022 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 145.97 грн |
250+ | 132.7 грн |
1000+ | 101.32 грн |
3000+ | 91.63 грн |
BSC026N08NS5ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
Description: MOSFET N-CH 80V 23A/100A TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 96.28 грн |
BSC026N08NS5ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 11990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
63+ | 187.25 грн |
75+ | 157.17 грн |
100+ | 148.44 грн |
200+ | 142.2 грн |
500+ | 119.54 грн |
1000+ | 108.11 грн |
2000+ | 105.61 грн |
5000+ | 102.29 грн |
BSC026N08NS5ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 234.7 грн |
60+ | 195.97 грн |
63+ | 187.46 грн |
100+ | 158.35 грн |
250+ | 145.24 грн |
500+ | 126.15 грн |
1000+ | 101.58 грн |
BSC026N08NS5ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 80V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
Description: MOSFET N-CH 80V 23A/100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 115µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 40 V
на замовлення 9312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 206.16 грн |
10+ | 166.69 грн |
100+ | 134.85 грн |
500+ | 112.49 грн |
1000+ | 96.32 грн |
2000+ | 90.7 грн |
BSC026N08NS5ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 109.77 грн |
BSC026N08NS5ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 217.94 грн |
10+ | 181.97 грн |
25+ | 174.07 грн |
100+ | 147.04 грн |
250+ | 134.86 грн |
500+ | 117.14 грн |
1000+ | 94.33 грн |
BSC026N08NS5ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 23A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 23A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 62.03 грн |
BSC026N08NS5ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 117.89 грн |
BSC026N08NS5ATMA1 |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSC026N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0022 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - BSC026N08NS5ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0022 ohm, TDSON, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TDSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 173.25 грн |
50+ | 145.97 грн |
250+ | 132.7 грн |
1000+ | 101.32 грн |
3000+ | 91.63 грн |
EVALHBBC1EDN8550BTOBO1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: EVAL 1ED8550 EICEDRIVER
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: 1EDN8550B, BSC026N08NS5, XMC1100
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: Yes, MCU, 32-Bit
Description: EVAL 1ED8550 EICEDRIVER
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: 1EDN8550B, BSC026N08NS5, XMC1100
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: Yes, MCU, 32-Bit
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 7877.53 грн |
BSC026N08NS5ATMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSC026N08NS5ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 23A 8-Pin TDSON EP T/R
товар відсутній
BSC026N08NS5ATMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
EVALHBBC1EDN8550BTOBO1 |
Виробник: Infineon Technologies
1EDN8550B, BSC026N08NS5 Evaluation Board
1EDN8550B, BSC026N08NS5 Evaluation Board
товар відсутній