Результат пошуку "D5nk5" : 27

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
STD5NK50ZT4 STD5NK50ZT4 STMicroelectronics stb5nk50z_1-1850350.pdf description MOSFET N-Ch 500 Volt 4.4 A Zener SuperMESH
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.71 грн
10+ 81.79 грн
100+ 57.7 грн
250+ 56.77 грн
500+ 49.92 грн
1000+ 43.14 грн
2500+ 42.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
STD5NK50ZT4 STD5NK50ZT4 STMicroelectronics en.CD00003019.pdf description Description: MOSFET N-CH 500V 4.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+99.94 грн
10+ 80.46 грн
100+ 63.99 грн
500+ 50.82 грн
1000+ 43.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD5NK50ZT4 STD5NK50ZT4 STMicroelectronics cd0000301.pdf description Trans MOSFET N-CH 500V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+16.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD5NK50
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STD5NK50Z ST 07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STD5NK50Z ST TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STD5NK50Z STM SOT-252
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STD5NK50Z-1 ST en.CD00003019.pdf TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STD5NK50Z-1 STM en.CD00003019.pdf SOT-252
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STD5NK50Z-1 ST en.CD00003019.pdf 08+ SOP16
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STD5NK50Z-T4
на замовлення 6030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STD5NK50ZT4 en.CD00003019.pdf description STD5NK50ZT4 Транзисторы MOS FET Power
на замовлення 110 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
STD5NK50ZT4 en.CD00003019.pdf description STD5NK50ZT4 Транзисторы MOS FET Power
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
STD5NK52ZD-1 en.CD00059955.pdf
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STD5NK50ZT4
Код товару: 84994
en.CD00003019.pdf description Мікросхеми > Інші мікросхеми
8542 39 90 00
товар відсутній
STD5NK50Z-1 STD5NK50Z-1 STMicroelectronics cd0000301.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
STD5NK50Z-1 STD5NK50Z-1 STMicroelectronics en.CD00003019.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 4.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
товар відсутній
STD5NK50ZT4 STD5NK50ZT4 STMicroelectronics STD5NK50ZT4.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.7A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
STD5NK50ZT4 STMicroelectronics cd0000301.pdf description Trans MOSFET N-CH 500V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
STD5NK50ZT4 STD5NK50ZT4 STMicroelectronics en.CD00003019.pdf description Description: MOSFET N-CH 500V 4.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
товар відсутній
STD5NK52ZD STD5NK52ZD STMicroelectronics en.CD00059955.pdf Description: MOSFET N-CH 520V 4.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 520 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 25 V
товар відсутній
STD5NK52ZD STD5NK52ZD STMicroelectronics cd0005995.pdf Trans MOSFET N-CH 520V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
STD5NK52ZD STD5NK52ZD STMicroelectronics en.CD00059955.pdf Description: MOSFET N-CH 520V 4.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 520 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 25 V
товар відсутній
STD5NK52ZD-1 STD5NK52ZD-1 STMicroelectronics en.CD00059955.pdf Description: MOSFET N-CH 520V 4.4A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 520 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 25 V
товар відсутній
STD5NK50ZT4 STD5NK50ZT4 STMicroelectronics STD5NK50ZT4.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.7A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
STEVAL-IHM021V1 STEVAL-IHM021V1 STMicroelectronics STEVAL-IHM021V1_Br.pdf Description: BOARD EVAL L6390/STD5NK52ZD
Packaging: Box
Function: Motor Controller/Driver
Type: Power Management
Utilized IC / Part: L6390, STD5NK52ZD-1
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: Yes, MCU, 32-Bit
Part Status: Obsolete
товар відсутній
STD5NK50ZT4 description stb5nk50z_1-1850350.pdf
STD5NK50ZT4
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 500 Volt 4.4 A Zener SuperMESH
на замовлення 792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+97.71 грн
10+ 81.79 грн
100+ 57.7 грн
250+ 56.77 грн
500+ 49.92 грн
1000+ 43.14 грн
2500+ 42.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
STD5NK50ZT4 description en.CD00003019.pdf
STD5NK50ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 4.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+99.94 грн
10+ 80.46 грн
100+ 63.99 грн
500+ 50.82 грн
1000+ 43.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD5NK50ZT4 description cd0000301.pdf
STD5NK50ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+16.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD5NK50
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STD5NK50Z
Виробник: ST
07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STD5NK50Z
Виробник: ST
TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STD5NK50Z
Виробник: STM
SOT-252
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STD5NK50Z-1 en.CD00003019.pdf
Виробник: ST
TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STD5NK50Z-1 en.CD00003019.pdf
Виробник: STM
SOT-252
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STD5NK50Z-1 en.CD00003019.pdf
Виробник: ST
08+ SOP16
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STD5NK50Z-T4
на замовлення 6030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STD5NK50ZT4 description en.CD00003019.pdf
STD5NK50ZT4 Транзисторы MOS FET Power
на замовлення 110 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
STD5NK50ZT4 description en.CD00003019.pdf
STD5NK50ZT4 Транзисторы MOS FET Power
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
STD5NK52ZD-1 en.CD00059955.pdf
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STD5NK50ZT4
Код товару: 84994
description en.CD00003019.pdf
товар відсутній
STD5NK50Z-1 cd0000301.pdf
STD5NK50Z-1
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 4.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
STD5NK50Z-1 en.CD00003019.pdf
STD5NK50Z-1
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 4.4A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
товар відсутній
STD5NK50ZT4 description STD5NK50ZT4.pdf
STD5NK50ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.7A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
STD5NK50ZT4 description cd0000301.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 500V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
STD5NK50ZT4 description en.CD00003019.pdf
STD5NK50ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 4.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 25 V
товар відсутній
STD5NK52ZD en.CD00059955.pdf
STD5NK52ZD
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 520V 4.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 520 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 25 V
товар відсутній
STD5NK52ZD cd0005995.pdf
STD5NK52ZD
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 520V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
STD5NK52ZD en.CD00059955.pdf
STD5NK52ZD
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 520V 4.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 520 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 25 V
товар відсутній
STD5NK52ZD-1 en.CD00059955.pdf
STD5NK52ZD-1
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 520V 4.4A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 520 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 25 V
товар відсутній
STD5NK50ZT4 description STD5NK50ZT4.pdf
STD5NK50ZT4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.7A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
STEVAL-IHM021V1 STEVAL-IHM021V1_Br.pdf
STEVAL-IHM021V1
Виробник: STMicroelectronics
Description: BOARD EVAL L6390/STD5NK52ZD
Packaging: Box
Function: Motor Controller/Driver
Type: Power Management
Utilized IC / Part: L6390, STD5NK52ZD-1
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: Yes, MCU, 32-Bit
Part Status: Obsolete
товар відсутній