Результат пошуку "DMN601VK" : 19

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
DMN601VK-7 DMN601VK-7 Diodes Zetex dmn601vk.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 1524000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3049+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 3049
DMN601VK-7 DMN601VK-7 Diodes Incorporated BC847BV.jpg Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 1521000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.05 грн
6000+ 4.65 грн
9000+ 4.02 грн
30000+ 3.71 грн
75000+ 3.07 грн
150000+ 3.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN601VK-7 DMN601VK-7 Diodes Incorporated BC847BV.jpg MOSFET Dual N-Channel
на замовлення 9102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+30.67 грн
15+ 21.01 грн
100+ 7.56 грн
1000+ 5.59 грн
3000+ 4.47 грн
9000+ 3.88 грн
24000+ 3.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN601VK-7 DMN601VK-7 Diodes Incorporated BC847BV.jpg Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 1526199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.44 грн
15+ 18.89 грн
100+ 9.56 грн
500+ 7.32 грн
1000+ 5.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN601VKQ-7 DMN601VKQ-7 Diodes Zetex dmn601vkq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.84 грн
9000+ 5.28 грн
24000+ 4.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN601VKQ-7 DMN601VKQ-7 Diodes Incorporated DMN601VKQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 537000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.48 грн
6000+ 5.16 грн
9000+ 4.57 грн
30000+ 4.24 грн
75000+ 3.6 грн
150000+ 3.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN601VKQ-7 DMN601VKQ-7 Diodes Incorporated DMN601VKQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 538440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.88 грн
17+ 16.91 грн
100+ 8.55 грн
500+ 7.11 грн
1000+ 5.54 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMN601VKQ-7 DMN601VKQ-7 Diodes Zetex dmn601vkq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.43 грн
9000+ 4.9 грн
24000+ 4.2 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN601VKQ-7 DMN601VKQ-7 DIODES INC. DIOD-S-A0013083960-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN601VKQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 305 mA, 305 mA, 2 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 305mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 305mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+29.86 грн
36+ 20.72 грн
100+ 8.7 грн
500+ 6.54 грн
1000+ 4.61 грн
Мінімальне замовлення: 25
DMN601VKQ-7 DMN601VKQ-7 Diodes Zetex dmn601vkq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 534000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN601VKQ-7 DMN601VKQ-7 DIODES INC. DIOD-S-A0013083960-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN601VKQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 305 mA, 305 mA, 2 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 305mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 305mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.7 грн
500+ 6.54 грн
1000+ 4.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMN601VKQ-7 DMN601VKQ-7 Diodes Incorporated DMN601VKQ-3195021.pdf MOSFET 60V Dual N-Ch FET 20Vgss 250mW
на замовлення 2083 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.07 грн
17+ 18.82 грн
100+ 7.36 грн
1000+ 5.72 грн
3000+ 4.8 грн
9000+ 4.14 грн
24000+ 4.01 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMN601VK DMN601VK Diodes Incorporated MOSFET
товар відсутній
DMN601VK-7 DIODES INCORPORATED BC847BV.jpg Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 0.8A; 250mW; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMN601VK-7 DIODES INCORPORATED BC847BV.jpg Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 0.8A; 250mW; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DMN601VKQ-7 DIODES INCORPORATED DMN601VKQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 0.8A; 250mW; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMN601VKQ-7 DIODES INCORPORATED DMN601VKQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 0.8A; 250mW; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DMN601VK-7 dmn601vk.pdf
DMN601VK-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 1524000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3049+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 3049
DMN601VK-7 BC847BV.jpg
DMN601VK-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 1521000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.05 грн
6000+ 4.65 грн
9000+ 4.02 грн
30000+ 3.71 грн
75000+ 3.07 грн
150000+ 3.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN601VK-7 BC847BV.jpg
DMN601VK-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET Dual N-Channel
на замовлення 9102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.67 грн
15+ 21.01 грн
100+ 7.56 грн
1000+ 5.59 грн
3000+ 4.47 грн
9000+ 3.88 грн
24000+ 3.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN601VK-7 BC847BV.jpg
DMN601VK-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 1526199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+28.44 грн
15+ 18.89 грн
100+ 9.56 грн
500+ 7.32 грн
1000+ 5.43 грн
Мінімальне замовлення: 10
DMN601VKQ-7 dmn601vkq.pdf
DMN601VKQ-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.84 грн
9000+ 5.28 грн
24000+ 4.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN601VKQ-7 DMN601VKQ.pdf
DMN601VKQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 537000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.48 грн
6000+ 5.16 грн
9000+ 4.57 грн
30000+ 4.24 грн
75000+ 3.6 грн
150000+ 3.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN601VKQ-7 DMN601VKQ.pdf
DMN601VKQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 305mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 538440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+24.88 грн
17+ 16.91 грн
100+ 8.55 грн
500+ 7.11 грн
1000+ 5.54 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMN601VKQ-7 dmn601vkq.pdf
DMN601VKQ-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.43 грн
9000+ 4.9 грн
24000+ 4.2 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN601VKQ-7 DIOD-S-A0013083960-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN601VKQ-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN601VKQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 305 mA, 305 mA, 2 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 305mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 305mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+29.86 грн
36+ 20.72 грн
100+ 8.7 грн
500+ 6.54 грн
1000+ 4.61 грн
Мінімальне замовлення: 25
DMN601VKQ-7 dmn601vkq.pdf
DMN601VKQ-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.305A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 534000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN601VKQ-7 DIOD-S-A0013083960-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN601VKQ-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN601VKQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 305 mA, 305 mA, 2 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 305mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 305mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+8.7 грн
500+ 6.54 грн
1000+ 4.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMN601VKQ-7 DMN601VKQ-3195021.pdf
DMN601VKQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET 60V Dual N-Ch FET 20Vgss 250mW
на замовлення 2083 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+27.07 грн
17+ 18.82 грн
100+ 7.36 грн
1000+ 5.72 грн
3000+ 4.8 грн
9000+ 4.14 грн
24000+ 4.01 грн
Мінімальне замовлення: 12
DMN601VK
DMN601VK
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET
товар відсутній
DMN601VK-7 BC847BV.jpg
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 0.8A; 250mW; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMN601VK-7 BC847BV.jpg
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 0.8A; 250mW; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
DMN601VKQ-7 DMN601VKQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 0.8A; 250mW; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
DMN601VKQ-7 DMN601VKQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 0.8A; 250mW; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній