Результат пошуку "F7103" : 52
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 23
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 4000
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF7103TRPBF Код товару: 19112 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 50 V Idd,A: 3 А Rds(on), Ohm: 0,13 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 290/12 Примітка: Два транзистори в одному корпусі Монтаж: SMD |
у наявності: 398 шт
|
|
|||||||||||||||
F7103 | IOR | 01+ SOP |
на замовлення 368 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
F7103Q | IOR | 01+ SOP |
на замовлення 2188 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
F7103Q | IOR | 09+ SOP8 |
на замовлення 1037 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7103QTRPBF | International Rectifier/Infineon | 2N-канальний ПТ; Udss, В = 50; Id = 3 А; Ptot, Вт = 2,4; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 255 @ 25; Qg, нКл = 15 @ 10 В; Rds = 130 мОм @ 3 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; SOICN-8 |
на замовлення 73 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7103TR | IR | Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=50V; Id=3A; Pdmax=2W; Rds=0,13 Ohm |
на замовлення 280 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7103TR | Infineon |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 15300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7103TR | UMW |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 40mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7103; IRF7103TR; SP001563458; SP001562004; IRF7103TR UMW TIRF7103 UMW кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7103TR | Infineon |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 6755 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7103TR | UMW |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 40mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7103; IRF7103TR; SP001563458; SP001562004; IRF7103TR UMW TIRF7103 UMW кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7103TR | Infineon |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 905 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7103TR | Infineon |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7103TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 3A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF7103TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT DUAL NCh 50V 3.0A |
на замовлення 40868 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7103TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7103 | IR | 09+ |
на замовлення 733 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7103 | IOR | 09+ SO-8 |
на замовлення 123948 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7103 | IR | 09+ TO-220 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7103 | IR |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRF7103 | IR | SO-8 |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7103 | IOR |
на замовлення 123828 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRF7103 | IR | 05+ SOP-8; |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7103 | IOR | 09+ |
на замовлення 1468 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7103/IR | IR | 08+; |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7103PBF | IR |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRF7103TR | Infineon | Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103 |
на замовлення 1174 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7103TRPBF | International Rectifier Corporation | (MFET,N-CH,DUAL,50V,3A,SO-8) |
на замовлення 87 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
MGF7103-21 |
на замовлення 5170 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
3EB3 | TE Connectivity / Corcom | Power Line Filters 3A WIRE LEADS FLANGE MOUNT |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
6609020-6 | TE Connectivity / P&B | Power Line Filters EMI/RFI Filters and Accessories |
на замовлення 113 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7103Q Код товару: 163741 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
3EB3 F7103 S0 | TE Connectivity | Power Line Filters |
товар відсутній |
||||||||||||||||
3UF71031AA000 | Siemens | Power Management Modules SIMOCODE PRO CUR MEAS. MODULE,20-200A |
товар відсутній |
||||||||||||||||
3UF71031BA000 | Siemens | Power Management Modules SIMOCODE PRO CUR MEAS.MOD,20-200A,BUSBAR |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AUIRF7103Q | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AUIRF7103QTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2.4W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 3A Power dissipation: 2.4W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AUIRF7103QTR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF7103 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF7103 | IR - ASA only Supplier | Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF7103PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF7103Q | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive 8-Pin SOIC |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF7103QHR | IR - ASA only Supplier | Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive 8-Pin SOIC |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF7103QHR | IR - ASA only Supplier | Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF7103QPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF7103QTR | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF7103QTRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF7103TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 3A Power dissipation: 2W Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF7103TRPBFXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||||
Q3308JF71031800 | Epson | SG-8002JF41.666000MHz,+/-100ppm |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AUIRF7103QTR | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2.4W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 50V Drain current: 3A Power dissipation: 2.4W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 4000 шт |
товар відсутній |
IRF7103TRPBF Код товару: 19112 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 50 V
Idd,A: 3 А
Rds(on), Ohm: 0,13 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/12
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 50 V
Idd,A: 3 А
Rds(on), Ohm: 0,13 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 290/12
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 398 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 27.5 грн |
10+ | 24.8 грн |
100+ | 21.8 грн |
IRF7103QTRPBF |
Виробник: International Rectifier/Infineon
2N-канальний ПТ; Udss, В = 50; Id = 3 А; Ptot, Вт = 2,4; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 255 @ 25; Qg, нКл = 15 @ 10 В; Rds = 130 мОм @ 3 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; SOICN-8
2N-канальний ПТ; Udss, В = 50; Id = 3 А; Ptot, Вт = 2,4; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 255 @ 25; Qg, нКл = 15 @ 10 В; Rds = 130 мОм @ 3 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 3 В @ 250 мкА; SOICN-8
на замовлення 73 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
23+ | 27.72 грн |
25+ | 25.86 грн |
100+ | 24.02 грн |
IRF7103TR |
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=50V; Id=3A; Pdmax=2W; Rds=0,13 Ohm
Транз. Пол. ММ 2N-HEXFET logik SO8 Udss=50V; Id=3A; Pdmax=2W; Rds=0,13 Ohm
на замовлення 280 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 25.49 грн |
IRF7103TR |
Виробник: Infineon
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 15300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 15.68 грн |
IRF7103TR |
Виробник: UMW
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 40mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7103; IRF7103TR; SP001563458; SP001562004; IRF7103TR UMW TIRF7103 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 40mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7103; IRF7103TR; SP001563458; SP001562004; IRF7103TR UMW TIRF7103 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 12.57 грн |
IRF7103TR |
Виробник: Infineon
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 6755 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 15.68 грн |
IRF7103TR |
Виробник: UMW
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 40mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7103; IRF7103TR; SP001563458; SP001562004; IRF7103TR UMW TIRF7103 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 40mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7103; IRF7103TR; SP001563458; SP001562004; IRF7103TR UMW TIRF7103 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 12.57 грн |
IRF7103TR |
Виробник: Infineon
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 905 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 15.68 грн |
IRF7103TR |
Виробник: Infineon
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 15.68 грн |
IRF7103TRPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF7103TRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT DUAL NCh 50V 3.0A
MOSFET MOSFT DUAL NCh 50V 3.0A
на замовлення 40868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 63.72 грн |
10+ | 52.34 грн |
100+ | 34.43 грн |
500+ | 28.69 грн |
1000+ | 24.47 грн |
2000+ | 21.83 грн |
4000+ | 21.77 грн |
IRF7103TRPBFXTMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SO T/R
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 12.31 грн |
IRF7103TR |
Виробник: Infineon
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
на замовлення 1174 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)IRF7103TRPBF |
Виробник: International Rectifier Corporation
(MFET,N-CH,DUAL,50V,3A,SO-8)
(MFET,N-CH,DUAL,50V,3A,SO-8)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 5 дні (днів)3EB3 |
Виробник: TE Connectivity / Corcom
Power Line Filters 3A WIRE LEADS FLANGE MOUNT
Power Line Filters 3A WIRE LEADS FLANGE MOUNT
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1079.67 грн |
36+ | 940.6 грн |
6609020-6 |
Виробник: TE Connectivity / P&B
Power Line Filters EMI/RFI Filters and Accessories
Power Line Filters EMI/RFI Filters and Accessories
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1186.64 грн |
10+ | 1134.03 грн |
25+ | 953.79 грн |
36+ | 899.05 грн |
3UF71031AA000 |
Виробник: Siemens
Power Management Modules SIMOCODE PRO CUR MEAS. MODULE,20-200A
Power Management Modules SIMOCODE PRO CUR MEAS. MODULE,20-200A
товар відсутній
3UF71031BA000 |
Виробник: Siemens
Power Management Modules SIMOCODE PRO CUR MEAS.MOD,20-200A,BUSBAR
Power Management Modules SIMOCODE PRO CUR MEAS.MOD,20-200A,BUSBAR
товар відсутній
AUIRF7103Q |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
AUIRF7103QTR |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhanced
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
AUIRF7103QTR |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF7103PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC Tube
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC Tube
товар відсутній
IRF7103Q |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive 8-Pin SOIC
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive 8-Pin SOIC
товар відсутній
IRF7103QHR |
Виробник: IR - ASA only Supplier
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive 8-Pin SOIC
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive 8-Pin SOIC
товар відсутній
IRF7103QTR |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF7103QTRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF7103TRPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
AUIRF7103QTR |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2.4W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Power dissipation: 2.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній