Результат пошуку "FB43" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
irfb4310 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 140A 100V 330W 0.007Ω IRFB4310 TIRFB4310 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 31 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFB4310PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 140A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFB4310PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 140A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 29 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFB4310PBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFB4310ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 127A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFB4310ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 127A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 37 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFB4310ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC Qg |
на замовлення 701 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFB4321PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 83A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 15mΩ Mounting: THT Gate charge: 71nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRFB4321PBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 150V 83A 15mOhm 71nC Qg |
на замовлення 1657 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFB4332 | International Rectifier |
N-MOSFET 60A 250V 390W 0.033Ω IRFB4332 TIRFB4332 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFB4332PbF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 60A Power dissipation: 390W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 33mΩ Mounting: THT Gate charge: 99nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFB4332PbF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 60A Power dissipation: 390W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 33mΩ Mounting: THT Gate charge: 99nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 59 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFB4332PbF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 250V 60A 33mOhm 99nC Qg |
на замовлення 21071 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFB4310PBF | International Rectifier Corporation | Trans MOSFET N-CH 100V 130A TO-220AB |
на замовлення 100 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRFB4321 | IR | 10+ T0-220 |
на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRFB4321 | International Rectifier | N-MOSFET HEXFET 83A 150V 330W 0.015Ω IRFB4321 TIRFB4321 |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
LFB43172MSH4-028 |
на замовлення 9360 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
LFB431G44AA1-652 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
LFB431G52SN1 |
на замовлення 102 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
LFB431G90SN1-609 |
на замовлення 739 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
LFB431G90SN1-657 |
на замовлення 946 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
LFB431G95SN1A364 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
LFB432G44AJ1-363 |
на замовлення 3900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
LFB432G45AJ1-589 |
на замовлення 2628 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
LFB432G45SN1-629 |
на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
LFB432G45SN1-6291812 | MURATA |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
LFB432G48AJ1-616 |
на замовлення 3800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
LFB432G48AJ1-617 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
LFB432G50SN1A377 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
LFB43390MAB1-483 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
LFB433G13SN1A419 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
LFB433G35SN1A409 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
LFB43DM3386SN1-3G35 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MSFB43-85-001M0 | N/A |
на замовлення 170 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
MSFB43-85-001M0 |
на замовлення 170 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SFB-4336 |
на замовлення 5600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SFB430 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
KIT MP913 Код товару: 38691 |
МАЙСТЕР КИТ |
Модульні елементи > Конструктори, набори для збирання електронних пристроїв Опис: Приймач для пульта ДУ 433 МГц MP910 (кнопки, два релі) Даний приймач дистанційного керування призначений для спільної роботи з необмеженою кількістю брелків МР910. |
у наявності: 1 шт
|
|
|||||||||||||||
ALS80A431DA400 | KEMET | Aluminium Electrolytic Capacitors - Screw Terminal 400V 430uF 20% 6000Hrs |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FB43-110-RC Код товару: 107078 |
Трансформатори, мережеві фільтри, силові дроселі > Трансформатори інші |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
IRFB4310 Код товару: 126728 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
IRFB4310PBF Код товару: 172846 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
IRFB4310Z Код товару: 128127 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
IRFB4310ZPBF Код товару: 145200 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
IRFB4321 Код товару: 99479 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 150 V Idd,A: 85 A Rds(on), Ohm: 12 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 4460/71 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
IRFB4321PBF Код товару: 165134 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
IRFB4332PBF Код товару: 52140 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Uds,V: 250 V Idd,A: 42 A Rds(on), Ohm: 29 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 5860/99 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
Перехідник розетка тато-мама, ДУ 433 МГц (URZ1225) Код товару: 46031 |
Оптоелектроніка > Світлодіодні контролери, діммери, регулятори Опис: Перехідник вилка-розетка на пульті дистанційного керування 433 МГц. Дозволяє керувати навантаженням до 1кВт. Пульт передбачено на управління 4 різними перехідниками. |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
FB43-226-RC | Bourns | Ferrite Core Bead 43-Material |
товар відсутній |
||||||||||||||||
FB43-287-RC | Bourns | Ferrite Core Bead 43-Material |
товар відсутній |
||||||||||||||||
CFFB43A50R106 | Carlo Gavazzi | Power Line Filters EMC 50A FILTER FOR FREQUENCY DRIVE |
товар відсутній |
||||||||||||||||
CFFB43A65R106 | Carlo Gavazzi | Power Line Filters EMC 65A FILTER FOR FREQUENCY DRIVE |
товар відсутній |
||||||||||||||||
HFB-430L | YAGEO | ESD Suppressors / TVS Diodes AXIAL LEADED TVS 430V 625V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRFB4310ZPBFXKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET TRENCH >=100V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRFB4321PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 83A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 15mΩ Mounting: THT Gate charge: 71nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
WW3FB432R | SEI Stackpole | Wirewound Resistors - Through Hole RES, WW, 3W, 432 ohm, 1% |
товар відсутній |
irfb4310 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 140A 100V 330W 0.007Ω IRFB4310 TIRFB4310
кількість в упаковці: 2 шт
N-MOSFET HEXFET 140A 100V 330W 0.007Ω IRFB4310 TIRFB4310
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 122.79 грн |
IRFB4310PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 191.43 грн |
3+ | 160.59 грн |
7+ | 127.65 грн |
18+ | 120.79 грн |
IRFB4310PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 229.71 грн |
3+ | 200.13 грн |
7+ | 153.18 грн |
18+ | 144.95 грн |
250+ | 142.48 грн |
IRFB4310PBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC
MOSFET MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 232.9 грн |
10+ | 218.21 грн |
25+ | 166.03 грн |
100+ | 144.29 грн |
250+ | 125.84 грн |
500+ | 110.03 грн |
1000+ | 109.37 грн |
IRFB4310ZPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 147.56 грн |
8+ | 113.24 грн |
10+ | 112.55 грн |
20+ | 106.38 грн |
IRFB4310ZPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 210.2 грн |
3+ | 183.88 грн |
8+ | 135.89 грн |
10+ | 135.06 грн |
20+ | 127.65 грн |
IRFB4310ZPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC Qg
MOSFET MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC Qg
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 238.28 грн |
10+ | 202.3 грн |
25+ | 170.64 грн |
100+ | 144.95 грн |
250+ | 140.99 грн |
500+ | 129.13 грн |
1000+ | 110.03 грн |
IRFB4321PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRFB4321PBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 150V 83A 15mOhm 71nC Qg
MOSFET MOSFT 150V 83A 15mOhm 71nC Qg
на замовлення 1657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 206 грн |
10+ | 174.27 грн |
25+ | 150.22 грн |
100+ | 121.23 грн |
250+ | 120.57 грн |
1000+ | 103.44 грн |
2000+ | 94.87 грн |
IRFB4332 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 60A 250V 390W 0.033Ω IRFB4332 TIRFB4332
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 60A 250V 390W 0.033Ω IRFB4332 TIRFB4332
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 157.34 грн |
IRFB4332PbF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 143.44 грн |
7+ | 124.91 грн |
18+ | 118.04 грн |
IRFB4332PbF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 59 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 210.2 грн |
3+ | 178.75 грн |
7+ | 149.89 грн |
18+ | 141.65 грн |
IRFB4332PbF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 250V 60A 33mOhm 99nC Qg
MOSFET MOSFT 250V 60A 33mOhm 99nC Qg
на замовлення 21071 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 242.13 грн |
10+ | 233.37 грн |
25+ | 171.3 грн |
100+ | 152.85 грн |
250+ | 152.19 грн |
500+ | 129.13 грн |
1000+ | 124.52 грн |
IRFB4310PBF |
Виробник: International Rectifier Corporation
Trans MOSFET N-CH 100V 130A TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 130A TO-220AB
на замовлення 100 шт:
термін постачання 5 дні (днів)IRFB4321 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 83A 150V 330W 0.015Ω IRFB4321 TIRFB4321
N-MOSFET HEXFET 83A 150V 330W 0.015Ω IRFB4321 TIRFB4321
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)KIT MP913 Код товару: 38691 |
Виробник: МАЙСТЕР КИТ
Модульні елементи > Конструктори, набори для збирання електронних пристроїв
Опис: Приймач для пульта ДУ 433 МГц MP910 (кнопки, два релі) Даний приймач дистанційного керування призначений для спільної роботи з необмеженою кількістю брелків МР910.
Модульні елементи > Конструктори, набори для збирання електронних пристроїв
Опис: Приймач для пульта ДУ 433 МГц MP910 (кнопки, два релі) Даний приймач дистанційного керування призначений для спільної роботи з необмеженою кількістю брелків МР910.
у наявності: 1 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 386 грн |
ALS80A431DA400 |
Виробник: KEMET
Aluminium Electrolytic Capacitors - Screw Terminal 400V 430uF 20% 6000Hrs
Aluminium Electrolytic Capacitors - Screw Terminal 400V 430uF 20% 6000Hrs
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 978.5 грн |
10+ | 892.55 грн |
25+ | 764.93 грн |
50+ | 670.71 грн |
100+ | 603.51 грн |
500+ | 557.39 грн |
1000+ | 539.6 грн |
FB43-110-RC Код товару: 107078 |
товар відсутній
IRFB4321 Код товару: 99479 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 150 V
Idd,A: 85 A
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4460/71
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 150 V
Idd,A: 85 A
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 4460/71
Монтаж: THT
товар відсутній
IRFB4332PBF Код товару: 52140 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 250 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 29 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5860/99
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 250 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 29 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 5860/99
Монтаж: THT
товар відсутній
Перехідник розетка тато-мама, ДУ 433 МГц (URZ1225) Код товару: 46031 |
Оптоелектроніка > Світлодіодні контролери, діммери, регулятори
Опис: Перехідник вилка-розетка на пульті дистанційного керування 433 МГц. Дозволяє керувати навантаженням до 1кВт. Пульт передбачено на управління 4 різними перехідниками.
Опис: Перехідник вилка-розетка на пульті дистанційного керування 433 МГц. Дозволяє керувати навантаженням до 1кВт. Пульт передбачено на управління 4 різними перехідниками.
товар відсутній
CFFB43A50R106 |
Виробник: Carlo Gavazzi
Power Line Filters EMC 50A FILTER FOR FREQUENCY DRIVE
Power Line Filters EMC 50A FILTER FOR FREQUENCY DRIVE
товар відсутній
CFFB43A65R106 |
Виробник: Carlo Gavazzi
Power Line Filters EMC 65A FILTER FOR FREQUENCY DRIVE
Power Line Filters EMC 65A FILTER FOR FREQUENCY DRIVE
товар відсутній
IRFB4321PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
WW3FB432R |
Виробник: SEI Stackpole
Wirewound Resistors - Through Hole RES, WW, 3W, 432 ohm, 1%
Wirewound Resistors - Through Hole RES, WW, 3W, 432 ohm, 1%
товар відсутній
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]