Результат пошуку "FDS8884" : 17

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
FDS8884 FDS8884 ONSEMI FDS8884.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+32.56 грн
25+ 25.42 грн
47+ 17.18 грн
129+ 15.8 грн
Мінімальне замовлення: 12
FDS8884 FDS8884 ONSEMI FDS8884.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 664 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+39.07 грн
25+ 31.68 грн
47+ 20.61 грн
129+ 18.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDS8884 FDS8884 ON Semiconductor fds8884-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS8884 FDS8884 ONSEMI ONSM-S-A0013180379-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8884 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.08 грн
500+ 16.9 грн
2500+ 15.16 грн
7500+ 14.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDS8884 FDS8884 onsemi FAIRS24004-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.17 грн
5000+ 13.84 грн
12500+ 12.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS8884 FDS8884 onsemi FAIRS24004-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V
на замовлення 15287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.96 грн
10+ 33.32 грн
100+ 23.07 грн
500+ 18.09 грн
1000+ 15.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDS8884 FDS8884 ON Semiconductor fds8884-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS8884 FDS8884 ONSEMI ONSM-S-A0013180379-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDS8884 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+48.02 грн
19+ 39.96 грн
100+ 25.08 грн
500+ 16.9 грн
2500+ 15.16 грн
7500+ 14.71 грн
Мінімальне замовлення: 16
FDS8884 Fairchild FAIRS24004-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 32mOhm; 8,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS8884 TFDS8884
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+10.99 грн
Мінімальне замовлення: 50
FDS8884-NL FAIRCHILD 09+ SOP-8
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS8884NL FAIRCHILD
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS8884 FDS8884
Код товару: 34721
FAIRS24004-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
FDS8884 FDS8884 ON Semiconductor fds8884-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS8884 FDS8884 ON Semiconductor fds8884-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS8884 FDS8884 ON Semiconductor fds8884-d.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS8884-G FDS8884-G onsemi Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V
товар відсутній
FDS8884 FDS8884.pdf
FDS8884
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+32.56 грн
25+ 25.42 грн
47+ 17.18 грн
129+ 15.8 грн
Мінімальне замовлення: 12
FDS8884 FDS8884.pdf
FDS8884
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 664 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+39.07 грн
25+ 31.68 грн
47+ 20.61 грн
129+ 18.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
FDS8884 fds8884-d.pdf
FDS8884
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS8884 ONSM-S-A0013180379-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS8884
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8884 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+25.08 грн
500+ 16.9 грн
2500+ 15.16 грн
7500+ 14.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
FDS8884 FAIRS24004-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDS8884
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+15.17 грн
5000+ 13.84 грн
12500+ 12.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDS8884 FAIRS24004-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDS8884
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V
на замовлення 15287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.96 грн
10+ 33.32 грн
100+ 23.07 грн
500+ 18.09 грн
1000+ 15.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
FDS8884 fds8884-d.pdf
FDS8884
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDS8884 ONSM-S-A0013180379-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDS8884
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS8884 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.5 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+48.02 грн
19+ 39.96 грн
100+ 25.08 грн
500+ 16.9 грн
2500+ 15.16 грн
7500+ 14.71 грн
Мінімальне замовлення: 16
FDS8884 FAIRS24004-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 32mOhm; 8,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; FDS8884 TFDS8884
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+10.99 грн
Мінімальне замовлення: 50
FDS8884-NL
Виробник: FAIRCHILD
09+ SOP-8
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS8884NL
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDS8884
Код товару: 34721
FAIRS24004-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FDS8884
товар відсутній
FDS8884 fds8884-d.pdf
FDS8884
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS8884 fds8884-d.pdf
FDS8884
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS8884 fds8884-d.pdf
FDS8884
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
FDS8884-G
FDS8884-G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 635 pF @ 15 V
товар відсутній