Результат пошуку "FL4310" : 24
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 40
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFL4310TRPBF Код товару: 53875 |
IR |
 Транзистори > Польові N-канальніUds,V: 100 V Idd,A: 1,6 A Rds(on), Ohm: 0,20 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 330/25 Монтаж: SMD |
у наявності: 14 шт
очікується:
100 шт
|
|
||||||||||||||
| FL4310 | N/A |
на замовлення 323 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| FL4310 | O1 |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| IRFL4310PBF | International Rectifier/Infineon |
 N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 1,6 A; Ptot, Вт = 2,1; Тип монт. = smd; Rds = 200 мОм; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2...4; Pb-free; SOT-223 |
на замовлення 66 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRFL4310TR | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 2,2A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; IRFL4310 TIRFL4310 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
IRFL4310TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V |
на замовлення 18458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFL4310TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFL4310TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 100V 1.6A 200mOhm 17nC |
на замовлення 13828 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRFL4310 | IR |
07+ SOT-223 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| IRFL4310 | IR |
09+ |
на замовлення 10018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| IRFL4310 | IR |
SOT-223 |
на замовлення 62500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| SIHFL4310T-E3 |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
IRFL4310 Код товару: 30167 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 100 V Idd,A: 1,6 A Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 330/17 Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
| IRFL4310 | IR - ASA only Supplier |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
IRFL4310PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IRFL4310PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IRFL4310PBF | International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| IRFL4310TR | IR - ASA only Supplier |
Trans MOSFET N-CH 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
IRFL4310TR | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IRFL4310TR | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IRFL4310TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 2.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.6A Power dissipation: 2.1W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IRFL4310TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 2.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.6A Power dissipation: 2.1W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IRFL4310TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
| IRFL4310TRPBF Код товару: 53875 |
|
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 1,6 A
Rds(on), Ohm: 0,20 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/25
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 1,6 A
Rds(on), Ohm: 0,20 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/25
Монтаж: SMD
у наявності: 14 шт
очікується:
100 шт
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 21 грн |
| 10+ | 18.6 грн |
| 100+ | 17.7 грн |
| IRFL4310PBF | |
|
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 1,6 A; Ptot, Вт = 2,1; Тип монт. = smd; Rds = 200 мОм; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2...4; Pb-free; SOT-223
N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 1,6 A; Ptot, Вт = 2,1; Тип монт. = smd; Rds = 200 мОм; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2...4; Pb-free; SOT-223
на замовлення 66 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 40+ | 15.66 грн |
| 43+ | 14.62 грн |
| 100+ | 13.57 грн |
| IRFL4310TR |
|
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 2,2A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; IRFL4310 TIRFL4310
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 200mOhm; 2,2A; 2,1W; -55°C ~ 150°C; IRFL4310 TIRFL4310
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 20.3 грн |
| IRFL4310TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 18458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 46.21 грн |
| 10+ | 38.27 грн |
| 100+ | 26.46 грн |
| 500+ | 20.75 грн |
| 1000+ | 17.66 грн |
| IRFL4310TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 17.4 грн |
| 5000+ | 15.88 грн |
| 12500+ | 14.7 грн |
| IRFL4310TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 100V 1.6A 200mOhm 17nC
MOSFET MOSFT 100V 1.6A 200mOhm 17nC
на замовлення 13828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 49.91 грн |
| 10+ | 39.22 грн |
| 100+ | 24.05 грн |
| 500+ | 20.5 грн |
| 1000+ | 17.81 грн |
| 2500+ | 15.58 грн |
| 5000+ | 15.31 грн |
| IRFL4310 Код товару: 30167 |
|
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 1,6 A
Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/17
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 1,6 A
Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 330/17
Монтаж: SMD
товар відсутній
| IRFL4310 | |
|
Виробник: IR - ASA only Supplier
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
| IRFL4310PBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
товар відсутній
| IRFL4310PBF | |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
товар відсутній
| IRFL4310PBF | |
|
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Tube
товар відсутній
| IRFL4310TR |
|
Виробник: IR - ASA only Supplier
Trans MOSFET N-CH 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
| IRFL4310TR |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
| IRFL4310TR |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
товар відсутній
| IRFL4310TRPBF |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
| IRFL4310TRPBF |
|
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній
| IRFL4310TRPBF |
|
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній