Результат пошуку "IPL60R105P7" : 12

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 Infineon Technologies infineon-ipl60r105p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+440.66 грн
30+ 391.8 грн
50+ 358.27 грн
100+ 314.07 грн
200+ 289.1 грн
500+ 248.79 грн
1000+ 215.95 грн
Мінімальне замовлення: 27
IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 Infineon Technologies infineon-ipl60r105p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+135.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 Infineon Technologies infineon-ipl60r105p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+147.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 Infineon Technologies infineon-ipl60r105p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+196.19 грн
10+ 184.17 грн
25+ 178.05 грн
100+ 162.77 грн
250+ 147.72 грн
500+ 138.77 грн
1000+ 135.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 Infineon Technologies infineon-ipl60r105p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+211.29 грн
58+ 198.33 грн
60+ 191.74 грн
100+ 175.29 грн
250+ 159.09 грн
500+ 149.44 грн
1000+ 146.16 грн
Мінімальне замовлення: 55
IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 Infineon Technologies infineon-ipl60r105p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+148.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 Infineon Technologies Infineon_IPL60R105P7_DS_v02_01_EN-3362485.pdf MOSFET HIGH POWER_NEW
на замовлення 3409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+316.36 грн
10+ 262.28 грн
25+ 215.48 грн
100+ 184.31 грн
250+ 176.36 грн
500+ 163.76 грн
1000+ 140.56 грн
IPL60R105P7 IPL60R105P7 Infineon Technologies Infineon_IPL60R105P7_DS_v02_01_EN-3362485.pdf MOSFET HIGH POWER_NEW
товар відсутній
IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL60R105P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 137W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 137W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL60R105P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 137W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 137W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7AUMA1 Infineon Technologies infineon-ipl60r105p7-ds-v02_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
товар відсутній
IPL60R105P7AUMA1 infineon-ipl60r105p7-ds-v02_01-en.pdf
IPL60R105P7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+440.66 грн
30+ 391.8 грн
50+ 358.27 грн
100+ 314.07 грн
200+ 289.1 грн
500+ 248.79 грн
1000+ 215.95 грн
Мінімальне замовлення: 27
IPL60R105P7AUMA1 infineon-ipl60r105p7-ds-v02_01-en.pdf
IPL60R105P7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+135.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPL60R105P7AUMA1 infineon-ipl60r105p7-ds-v02_01-en.pdf
IPL60R105P7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+147.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPL60R105P7AUMA1 infineon-ipl60r105p7-ds-v02_01-en.pdf
IPL60R105P7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+196.19 грн
10+ 184.17 грн
25+ 178.05 грн
100+ 162.77 грн
250+ 147.72 грн
500+ 138.77 грн
1000+ 135.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPL60R105P7AUMA1 infineon-ipl60r105p7-ds-v02_01-en.pdf
IPL60R105P7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
55+211.29 грн
58+ 198.33 грн
60+ 191.74 грн
100+ 175.29 грн
250+ 159.09 грн
500+ 149.44 грн
1000+ 146.16 грн
Мінімальне замовлення: 55
IPL60R105P7AUMA1 infineon-ipl60r105p7-ds-v02_01-en.pdf
IPL60R105P7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+148.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000
IPL60R105P7AUMA1 Infineon_IPL60R105P7_DS_v02_01_EN-3362485.pdf
IPL60R105P7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET HIGH POWER_NEW
на замовлення 3409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+316.36 грн
10+ 262.28 грн
25+ 215.48 грн
100+ 184.31 грн
250+ 176.36 грн
500+ 163.76 грн
1000+ 140.56 грн
IPL60R105P7 Infineon_IPL60R105P7_DS_v02_01_EN-3362485.pdf
IPL60R105P7
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET HIGH POWER_NEW
товар відсутній
IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7.pdf
IPL60R105P7AUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 137W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 137W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
IPL60R105P7AUMA1 IPL60R105P7.pdf
IPL60R105P7AUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 137W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 137W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.105Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 45nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPL60R105P7AUMA1 infineon-ipl60r105p7-ds-v02_01-en.pdf
IPL60R105P7AUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 33A 4-Pin VSON EP T/R
товар відсутній