Результат пошуку "IPP11" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IPP110N20N3 G IPP110N20N3 G Infineon Technologies Infineon_IPP_I_110N20N3G_IPB107N20N3G_DS_v02_03_en-1731855.pdf MOSFET N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+561.24 грн
10+ 473.87 грн
25+ 373.94 грн
100+ 343.71 грн
250+ 323.34 грн
500+ 302.31 грн
1000+ 285.88 грн
IPP110N20N3G IPP110N20N3G Infineon Technologies ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+585.48 грн
25+ 560.33 грн
50+ 538.98 грн
100+ 502.09 грн
250+ 450.8 грн
500+ 421 грн
1000+ 410.7 грн
Мінімальне замовлення: 20
IPP110N20N3G Infineon N-MOSFET 88A 200V 300W IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3G TIPP110n20n3g
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+358.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP110N20N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+439.39 грн
3+ 313.54 грн
7+ 296.42 грн
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP110N20N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+527.27 грн
3+ 390.71 грн
7+ 355.7 грн
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 Infineon Technologies ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+613.38 грн
25+ 486.47 грн
100+ 346.51 грн
250+ 330.76 грн
500+ 303.2 грн
1000+ 269.05 грн
Мінімальне замовлення: 19
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 Infineon Technologies ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 Infineon Technologies ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+865.42 грн
19+ 642.27 грн
50+ 598.61 грн
100+ 512.68 грн
200+ 442.65 грн
500+ 414.14 грн
1000+ 398.34 грн
Мінімальне замовлення: 14
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 Infineon Technologies IPP_I_110N20N3+G_IPB107N20N3+G+Rev2.2_pdf.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f170124968e7d1f18e7 Description: MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+516.12 грн
50+ 396.83 грн
100+ 355.06 грн
500+ 294.01 грн
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 Infineon Technologies ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+568.77 грн
25+ 451.09 грн
100+ 321.31 грн
250+ 306.71 грн
500+ 281.16 грн
1000+ 249.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 Infineon Technologies ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+415.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 Infineon Technologies ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+252.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 INFINEON INFNS17046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP110N20N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+609.69 грн
5+ 523.44 грн
10+ 436.44 грн
50+ 386.1 грн
100+ 338.71 грн
250+ 323.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPP_I_110N20N3G_IPB107N20N3G_DS_v02_03_en-1731855.pdf MOSFET N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+560.47 грн
25+ 441.37 грн
100+ 336.48 грн
250+ 335.82 грн
500+ 298.36 грн
1000+ 265.51 грн
IPP110N20NA IPP110N20NA Infineon Technologies Infineon_IPP110N20NA_IPB107N20NA_DS_v02_01_en-1730693.pdf MOSFET N-Ch 200V 88A TO220-3
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+673.18 грн
10+ 610.66 грн
25+ 460.69 грн
100+ 412.06 грн
250+ 404.83 грн
500+ 362.77 грн
1000+ 327.28 грн
IPP110N20NAAKSA1 IPP110N20NAAKSA1 INFINEON INFNS15477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP110N20NAAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+694.47 грн
5+ 606.74 грн
10+ 518.28 грн
50+ 455.24 грн
100+ 396.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP110N20NAAKSA1 IPP110N20NAAKSA1 Infineon Technologies ipp110n20na_ipb107n20narev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+364.24 грн
34+ 348.6 грн
50+ 335.32 грн
Мінімальне замовлення: 32
IPP110N20NAAKSA1 IPP110N20NAAKSA1 Infineon Technologies IPP110N20NA_IPB107N20NA+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a3043300464130130307ce52a20a3 Description: MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+619.91 грн
50+ 476.18 грн
100+ 426.05 грн
500+ 352.8 грн
1000+ 317.52 грн
IPP110N20NAAKSA1 IPP110N20NAAKSA1 Infineon Technologies ipp110n20na_ipb107n20narev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+804.3 грн
20+ 586 грн
50+ 520.03 грн
100+ 471.52 грн
200+ 411.47 грн
500+ 367.57 грн
Мінімальне замовлення: 15
IPP110N20NAXK IPP110N20NAXK Infineon Technologies Infineon-IPP110N20NA_IPB107N20NA-DS-v02_01-en-1226360.pdf MOSFET N-Ch 200V 88A TO220-3
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+672.42 грн
10+ 567.58 грн
25+ 448.2 грн
100+ 411.4 грн
250+ 387.74 грн
500+ 362.77 грн
1000+ 327.28 грн
IPP111N15N3 G IPP111N15N3 G Infineon Technologies Infineon_IPP_I111N15N3_IPB108N15N3_DS_v02_02_EN-1227301.pdf MOSFET N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+374.93 грн
10+ 310.62 грн
25+ 254.99 грн
100+ 218.84 грн
250+ 215.56 грн
500+ 182.7 грн
1000+ 165.61 грн
IPP111N15N3GXKSA1 IPP111N15N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP111N15N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+265.4 грн
3+ 221.8 грн
4+ 214.27 грн
10+ 206.74 грн
11+ 202.63 грн
50+ 194.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP111N15N3GXKSA1 IPP111N15N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP111N15N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 228 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+318.49 грн
3+ 276.4 грн
4+ 257.13 грн
10+ 248.09 грн
11+ 243.16 грн
50+ 233.3 грн
IPP111N15N3GXKSA1 IPP111N15N3GXKSA1 Infineon Technologies 187952906944804dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a304325305e6.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 83A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP111N15N3GXKSA1 IPP111N15N3GXKSA1 INFINEON INFN-S-A0002955147-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP111N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 83 A, 0.0094 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+269.09 грн
10+ 190.21 грн
100+ 175.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP111N15N3GXKSA1 IPP111N15N3GXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IPP_I111N15N3_IPB108N15N3_DS_v02_02_EN-1227301.pdf MOSFET N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+267.59 грн
10+ 257.72 грн
25+ 180.73 грн
100+ 166.27 грн
250+ 165.61 грн
500+ 156.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP111N15N3GXKSA1 IPP111N15N3GXKSA1 Infineon Technologies 187952906944804dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a304325305e6.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+250.12 грн
53+ 219.71 грн
63+ 178.57 грн
100+ 151.98 грн
250+ 145.46 грн
500+ 120.04 грн
Мінімальне замовлення: 47
IPP111N15N3GXKSA1 IPP111N15N3GXKSA1 Infineon Technologies 187952906944804dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a304325305e6.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+224.39 грн
57+ 205.92 грн
64+ 182.94 грн
65+ 174.69 грн
100+ 153.64 грн
250+ 146.03 грн
Мінімальне замовлення: 52
IPP111N15N3GXKSA1 IPP111N15N3GXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPP_I111N15N3_IPB108N15N3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a304325305e6d01254a5795541b4f Description: MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 83A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 75 V
на замовлення 4022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+345.5 грн
50+ 263.36 грн
100+ 225.75 грн
500+ 188.31 грн
1000+ 161.24 грн
2000+ 151.83 грн
IPP111N15N3GXKSA1 IPP111N15N3GXKSA1 Infineon Technologies 187952906944804dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a304325305e6.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+186.28 грн
66+ 177.55 грн
Мінімальне замовлення: 63
IPP111N15N3GXKSA1 IPP111N15N3GXKSA1 Infineon Technologies 187952906944804dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a304325305e6.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+231.93 грн
10+ 203.73 грн
25+ 172.32 грн
50+ 165.59 грн
100+ 140.93 грн
250+ 134.88 грн
500+ 111.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP111N15N3GXKSA1 IPP111N15N3GXKSA1 Infineon Technologies 187952906944804dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a304325305e6.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+208.36 грн
10+ 191.21 грн
25+ 169.87 грн
50+ 162.21 грн
100+ 142.66 грн
250+ 135.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP114N03LGHKSA1 IPP114N03LGHKSA1 Infineon Technologies INFNS16463-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 12496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
944+21.01 грн
Мінімальне замовлення: 944
IPP114N12N3 G IPP114N12N3 G Infineon Technologies Infineon_IPP114N12N3_G_DS_v02_04_en-3360012.pdf MOSFET N-Ch 120V 75A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 161-170 дні (днів)
2+166.38 грн
10+ 132.26 грн
100+ 94.64 грн
250+ 92.01 грн
500+ 79.52 грн
1000+ 64.21 грн
5000+ 62.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP114N12N3GXKSA1 IPP114N12N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP114N12N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 75A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 75A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.6 грн
4+ 110.9 грн
10+ 88.99 грн
11+ 77.36 грн
29+ 73.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP114N12N3GXKSA1 IPP114N12N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP114N12N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 75A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 75A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 107 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+166.32 грн
3+ 138.2 грн
10+ 106.79 грн
11+ 92.83 грн
29+ 87.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP114N12N3GXKSA1 IPP114N12N3GXKSA1 Infineon Technologies ipp114n12n3g_rev2.3.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd0122a7877.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+101.99 грн
Мінімальне замовлення: 115
IPP114N12N3GXKSA1 IPP114N12N3GXKSA1 Infineon Technologies ipp114n12n3g_rev2.3.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd0122a7877.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+81.53 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPP114N12N3GXKSA1 IPP114N12N3GXKSA1 Infineon Technologies IPP114N12N3+G_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a78772727cf1 Description: MOSFET N-CH 120V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 60 V
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+152.84 грн
50+ 118.46 грн
100+ 97.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP114N12N3GXKSA1 IPP114N12N3GXKSA1 Infineon Technologies ipp114n12n3g_rev2.3.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd0122a7877.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 75A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+45.16 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPP114N12N3GXKSA1 IPP114N12N3GXKSA1 Infineon Technologies ipp114n12n3g_rev2.3.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd0122a7877.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+94.57 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPP114N12N3GXKSA1 IPP114N12N3GXKSA1 INFINEON INFNS17165-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IPP114N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 75 A, 0.0098 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.62 грн
10+ 132.7 грн
100+ 101.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP110N20N3 G Infineon
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TIPP110
на замовлення 533 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TIPP112
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TIPP116
на замовлення 19539 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP110N20N3GXKSA1
Код товару: 144237 		IPP_I_110N20N3+G_IPB107N20N3+G+Rev2.2_pdf.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f170124968e7d1f18e7 Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPP110N06LGXK Infineon Technologies ipb_p110n06lgrev1.0.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 78A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 Infineon Technologies ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP110N20NAAKSA1 IPP110N20NAAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP110N20NA-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPP110N20NAAKSA1 IPP110N20NAAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP110N20NA-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP110N20NAAKSA1 IPP110N20NAAKSA1 Infineon Technologies ipp110n20na_ipb107n20narev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP110N20NAAKSA1 IPP110N20NAAKSA1 Infineon Technologies ipp110n20na_ipb107n20narev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP110N20NAAKSA1 IPP110N20NAAKSA1 Infineon Technologies ipp110n20na_ipb107n20narev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP110N20NAAKSA1 IPP110N20NAAKSA1 Infineon Technologies ipp110n20na_ipb107n20narev2.1.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 88A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP111N15N3GXKSA1 IPP111N15N3GXKSA1 Infineon Technologies 187952906944804dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a304325305e6.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP114N03L G IPP114N03L G Infineon Technologies IP(B,P)114N03L_G.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
товар відсутній
IPP114N03L G IPP114N03L G Infineon Technologies ipp114n03l_rev2.01.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP114N03LGHKSA1 IPP114N03LGHKSA1 Infineon Technologies ipp114n03l_rev2.01.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP114N12N3GXKSA1 IPP114N12N3GXKSA1 Infineon Technologies ipp114n12n3g_rev2.3.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd0122a7877.pdf Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP110N20N3 G Infineon_IPP_I_110N20N3G_IPB107N20N3G_DS_v02_03_en-1731855.pdf
IPP110N20N3 G
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 1396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+561.24 грн
10+ 473.87 грн
25+ 373.94 грн
100+ 343.71 грн
250+ 323.34 грн
500+ 302.31 грн
1000+ 285.88 грн
IPP110N20N3G ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf
IPP110N20N3G
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+585.48 грн
25+ 560.33 грн
50+ 538.98 грн
100+ 502.09 грн
250+ 450.8 грн
500+ 421 грн
1000+ 410.7 грн
Мінімальне замовлення: 20
IPP110N20N3G
Виробник: Infineon
N-MOSFET 88A 200V 300W IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3G TIPP110n20n3g
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+358.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3G-DTE.pdf
IPP110N20N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+439.39 грн
3+ 313.54 грн
7+ 296.42 грн
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3G-DTE.pdf
IPP110N20N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+527.27 грн
3+ 390.71 грн
7+ 355.7 грн
IPP110N20N3GXKSA1 ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf
IPP110N20N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+613.38 грн
25+ 486.47 грн
100+ 346.51 грн
250+ 330.76 грн
500+ 303.2 грн
1000+ 269.05 грн
Мінімальне замовлення: 19
IPP110N20N3GXKSA1 ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf
IPP110N20N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IPP110N20N3GXKSA1 ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf
IPP110N20N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+865.42 грн
19+ 642.27 грн
50+ 598.61 грн
100+ 512.68 грн
200+ 442.65 грн
500+ 414.14 грн
1000+ 398.34 грн
Мінімальне замовлення: 14
IPP110N20N3GXKSA1 IPP_I_110N20N3+G_IPB107N20N3+G+Rev2.2_pdf.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f170124968e7d1f18e7
IPP110N20N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+516.12 грн
50+ 396.83 грн
100+ 355.06 грн
500+ 294.01 грн
IPP110N20N3GXKSA1 ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf
IPP110N20N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+568.77 грн
25+ 451.09 грн
100+ 321.31 грн
250+ 306.71 грн
500+ 281.16 грн
1000+ 249.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP110N20N3GXKSA1 ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf
IPP110N20N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+415.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP110N20N3GXKSA1 ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf
IPP110N20N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+252.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP110N20N3GXKSA1 INFNS17046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP110N20N3GXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP110N20N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+609.69 грн
5+ 523.44 грн
10+ 436.44 грн
50+ 386.1 грн
100+ 338.71 грн
250+ 323.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP110N20N3GXKSA1 Infineon_IPP_I_110N20N3G_IPB107N20N3G_DS_v02_03_en-1731855.pdf
IPP110N20N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 200V 88A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+560.47 грн
25+ 441.37 грн
100+ 336.48 грн
250+ 335.82 грн
500+ 298.36 грн
1000+ 265.51 грн
IPP110N20NA Infineon_IPP110N20NA_IPB107N20NA_DS_v02_01_en-1730693.pdf
IPP110N20NA
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 200V 88A TO220-3
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+673.18 грн
10+ 610.66 грн
25+ 460.69 грн
100+ 412.06 грн
250+ 404.83 грн
500+ 362.77 грн
1000+ 327.28 грн
IPP110N20NAAKSA1 INFNS15477-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP110N20NAAKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP110N20NAAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 88 A, 0.0099 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 88A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0099ohm
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+694.47 грн
5+ 606.74 грн
10+ 518.28 грн
50+ 455.24 грн
100+ 396.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP110N20NAAKSA1 ipp110n20na_ipb107n20narev2.1.pdf
IPP110N20NAAKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 88A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
32+364.24 грн
34+ 348.6 грн
50+ 335.32 грн
Мінімальне замовлення: 32
IPP110N20NAAKSA1 IPP110N20NA_IPB107N20NA+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a3043300464130130307ce52a20a3
IPP110N20NAAKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 88A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 88A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7100 pF @ 100 V
на замовлення 2321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+619.91 грн
50+ 476.18 грн
100+ 426.05 грн
500+ 352.8 грн
1000+ 317.52 грн
IPP110N20NAAKSA1 ipp110n20na_ipb107n20narev2.1.pdf
IPP110N20NAAKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 88A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+804.3 грн
20+ 586 грн
50+ 520.03 грн
100+ 471.52 грн
200+ 411.47 грн
500+ 367.57 грн
Мінімальне замовлення: 15
IPP110N20NAXK Infineon-IPP110N20NA_IPB107N20NA-DS-v02_01-en-1226360.pdf
IPP110N20NAXK
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 200V 88A TO220-3
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+672.42 грн
10+ 567.58 грн
25+ 448.2 грн
100+ 411.4 грн
250+ 387.74 грн
500+ 362.77 грн
1000+ 327.28 грн
IPP111N15N3 G Infineon_IPP_I111N15N3_IPB108N15N3_DS_v02_02_EN-1227301.pdf
IPP111N15N3 G
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+374.93 грн
10+ 310.62 грн
25+ 254.99 грн
100+ 218.84 грн
250+ 215.56 грн
500+ 182.7 грн
1000+ 165.61 грн
IPP111N15N3GXKSA1 IPP111N15N3G-DTE.pdf
IPP111N15N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+265.4 грн
3+ 221.8 грн
4+ 214.27 грн
10+ 206.74 грн
11+ 202.63 грн
50+ 194.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP111N15N3GXKSA1 IPP111N15N3G-DTE.pdf
IPP111N15N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 228 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+318.49 грн
3+ 276.4 грн
4+ 257.13 грн
10+ 248.09 грн
11+ 243.16 грн
50+ 233.3 грн
IPP111N15N3GXKSA1 187952906944804dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a304325305e6.pdf
IPP111N15N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 83A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+92.77 грн
Мінімальне замовлення: 4
IPP111N15N3GXKSA1 INFN-S-A0002955147-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP111N15N3GXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP111N15N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 83 A, 0.0094 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 83A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 214W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+269.09 грн
10+ 190.21 грн
100+ 175.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP111N15N3GXKSA1 Infineon_IPP_I111N15N3_IPB108N15N3_DS_v02_02_EN-1227301.pdf
IPP111N15N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 150V 83A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+267.59 грн
10+ 257.72 грн
25+ 180.73 грн
100+ 166.27 грн
250+ 165.61 грн
500+ 156.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP111N15N3GXKSA1 187952906944804dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a304325305e6.pdf
IPP111N15N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
47+250.12 грн
53+ 219.71 грн
63+ 178.57 грн
100+ 151.98 грн
250+ 145.46 грн
500+ 120.04 грн
Мінімальне замовлення: 47
IPP111N15N3GXKSA1 187952906944804dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a304325305e6.pdf
IPP111N15N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
52+224.39 грн
57+ 205.92 грн
64+ 182.94 грн
65+ 174.69 грн
100+ 153.64 грн
250+ 146.03 грн
Мінімальне замовлення: 52
IPP111N15N3GXKSA1 Infineon-IPP_I111N15N3_IPB108N15N3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a304325305e6d01254a5795541b4f
IPP111N15N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 83A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 160µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3230 pF @ 75 V
на замовлення 4022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+345.5 грн
50+ 263.36 грн
100+ 225.75 грн
500+ 188.31 грн
1000+ 161.24 грн
2000+ 151.83 грн
IPP111N15N3GXKSA1 187952906944804dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a304325305e6.pdf
IPP111N15N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
63+186.28 грн
66+ 177.55 грн
Мінімальне замовлення: 63
IPP111N15N3GXKSA1 187952906944804dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a304325305e6.pdf
IPP111N15N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+231.93 грн
10+ 203.73 грн
25+ 172.32 грн
50+ 165.59 грн
100+ 140.93 грн
250+ 134.88 грн
500+ 111.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP111N15N3GXKSA1 187952906944804dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a304325305e6.pdf
IPP111N15N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+208.36 грн
10+ 191.21 грн
25+ 169.87 грн
50+ 162.21 грн
100+ 142.66 грн
250+ 135.6 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP114N03LGHKSA1 INFNS16463-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPP114N03LGHKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
на замовлення 12496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
944+21.01 грн
Мінімальне замовлення: 944
IPP114N12N3 G Infineon_IPP114N12N3_G_DS_v02_04_en-3360012.pdf
IPP114N12N3 G
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 120V 75A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 161-170 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+166.38 грн
10+ 132.26 грн
100+ 94.64 грн
250+ 92.01 грн
500+ 79.52 грн
1000+ 64.21 грн
5000+ 62.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP114N12N3GXKSA1 IPP114N12N3G-DTE.pdf
IPP114N12N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 75A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 75A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+138.6 грн
4+ 110.9 грн
10+ 88.99 грн
11+ 77.36 грн
29+ 73.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
IPP114N12N3GXKSA1 IPP114N12N3G-DTE.pdf
IPP114N12N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 75A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 75A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 107 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+166.32 грн
3+ 138.2 грн
10+ 106.79 грн
11+ 92.83 грн
29+ 87.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP114N12N3GXKSA1 ipp114n12n3g_rev2.3.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd0122a7877.pdf
IPP114N12N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
115+101.99 грн
Мінімальне замовлення: 115
IPP114N12N3GXKSA1 ipp114n12n3g_rev2.3.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd0122a7877.pdf
IPP114N12N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+81.53 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPP114N12N3GXKSA1 IPP114N12N3+G_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a78772727cf1
IPP114N12N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 120V 75A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 83µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4310 pF @ 60 V
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+152.84 грн
50+ 118.46 грн
100+ 97.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
IPP114N12N3GXKSA1 ipp114n12n3g_rev2.3.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd0122a7877.pdf
IPP114N12N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 75A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+45.16 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPP114N12N3GXKSA1 ipp114n12n3g_rev2.3.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd0122a7877.pdf
IPP114N12N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+94.57 грн
Мінімальне замовлення: 500
IPP114N12N3GXKSA1 INFNS17165-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IPP114N12N3GXKSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IPP114N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 75 A, 0.0098 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0098ohm
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+180.62 грн
10+ 132.7 грн
100+ 101.74 грн
Мінімальне замовлення: 5
IPP110N20N3 G
Виробник: Infineon
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TIPP110
на замовлення 533 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TIPP112
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TIPP116
на замовлення 19539 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IPP110N20N3GXKSA1
Код товару: 144237		 IPP_I_110N20N3+G_IPB107N20N3+G+Rev2.2_pdf.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f170124968e7d1f18e7
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IPP110N06LGXK ipb_p110n06lgrev1.0.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 78A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP110N20N3GXKSA1 ipp_i_110n20n3g_ipb107n20n3grev2.2.pdffolderiddb3a3043163797a6011637d4bae7003bfileiddb3a3043.pdf
IPP110N20N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP110N20NAAKSA1 IPP110N20NA-DTE.pdf
IPP110N20NAAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPP110N20NAAKSA1 IPP110N20NA-DTE.pdf
IPP110N20NAAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IPP110N20NAAKSA1 ipp110n20na_ipb107n20narev2.1.pdf
IPP110N20NAAKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 88A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP110N20NAAKSA1 ipp110n20na_ipb107n20narev2.1.pdf
IPP110N20NAAKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 88A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP110N20NAAKSA1 ipp110n20na_ipb107n20narev2.1.pdf
IPP110N20NAAKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 88A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP110N20NAAKSA1 ipp110n20na_ipb107n20narev2.1.pdf
IPP110N20NAAKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 88A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP111N15N3GXKSA1 187952906944804dgdlfolderid5546d4624c9e0f0e014c9e8cf34415d2fileiddb3a304325305e6.pdf
IPP111N15N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP114N03L G IP(B,P)114N03L_G.pdf
IPP114N03L G
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 15 V
товар відсутній
IPP114N03L G ipp114n03l_rev2.01.pdf
IPP114N03L G
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP114N03LGHKSA1 ipp114n03l_rev2.01.pdf
IPP114N03LGHKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
IPP114N12N3GXKSA1 ipp114n12n3g_rev2.3.pdffolderiddb3a304313b8b5a60113cee8763b02d7fileiddb3a30432239cccd0122a7877.pdf
IPP114N12N3GXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]