Результат пошуку "IRF624" : 20
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF624PBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 250V N-CH HEXFET |
на замовлення 832 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF624PBF-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 250V N-CH HEXFET |
на замовлення 1566 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF624SPBF | Vishay Semiconductors | MOSFET N-Chan 250V 4.4 Amp |
на замовлення 1545 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF624 | IR | 09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF624S | IR | 09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF624S | IR | TO-263 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF624 Код товару: 7924 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 250 V Idd,A: 4,1 A Rds(on), Ohm: 1,1 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 335/14 Монтаж: THT |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
IRF624SPBF Код товару: 165360 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
IRF624 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT IRF624PBF |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF624PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.4A; Idm: 14A; 50W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 4.4A Pulsed drain current: 14A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.1Ω Mounting: THT Gate charge: 14nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF624PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.4A; Idm: 14A; 50W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 4.4A Pulsed drain current: 14A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.1Ω Mounting: THT Gate charge: 14nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF624PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF624PBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF624PBF-BE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 4.4A |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF624SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.4A; Idm: 14A; 50W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 4.4A Pulsed drain current: 14A Power dissipation: 50W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF624SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.4A; Idm: 14A; 50W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 4.4A Pulsed drain current: 14A Power dissipation: 50W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF624SPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF624SPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF624SPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
||||||||||||||||
NTE67 | NTE Electronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3A; Idm: 18A; 75W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 3A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 75W Case: TO220 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
IRF624PBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 250V N-CH HEXFET
MOSFET 250V N-CH HEXFET
на замовлення 832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 91.24 грн |
10+ | 64.39 грн |
100+ | 47.65 грн |
500+ | 42.19 грн |
1000+ | 41.73 грн |
IRF624PBF-BE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 250V N-CH HEXFET
MOSFET 250V N-CH HEXFET
на замовлення 1566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 91.24 грн |
10+ | 58.8 грн |
2000+ | 46.07 грн |
5000+ | 46 грн |
10000+ | 45.54 грн |
IRF624SPBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 250V 4.4 Amp
MOSFET N-Chan 250V 4.4 Amp
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 144.91 грн |
10+ | 114.88 грн |
100+ | 82.15 грн |
250+ | 78.86 грн |
500+ | 69.01 грн |
1000+ | 58.75 грн |
2000+ | 55.8 грн |
IRF624 Код товару: 7924 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 250 V
Idd,A: 4,1 A
Rds(on), Ohm: 1,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 335/14
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 250 V
Idd,A: 4,1 A
Rds(on), Ohm: 1,1 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 335/14
Монтаж: THT
товар відсутній
IRF624PBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.4A; Idm: 14A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 4.4A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.4A; Idm: 14A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 4.4A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF624PBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.4A; Idm: 14A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 4.4A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.4A; Idm: 14A; 50W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 4.4A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 50W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF624SPBF |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.4A; Idm: 14A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 4.4A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.4A; Idm: 14A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 4.4A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF624SPBF |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.4A; Idm: 14A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 4.4A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 4.4A; Idm: 14A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 4.4A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 50W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
NTE67 |
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3A; Idm: 18A; 75W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 75W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 3A; Idm: 18A; 75W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 75W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
товар відсутній