Результат пошуку "IRFPE50" : 20

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRFPE50 Siliconix 91248.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 1,2Ohm; 7,8A; 190W; -55°C ~ 150°C; IRFPE50 TIRFPE50
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+119.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFPE50PBF IRFPE50PBF VISHAY IRFPE50PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.9A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+185.78 грн
5+ 151.98 грн
6+ 133.49 грн
17+ 126.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFPE50PBF IRFPE50PBF VISHAY IRFPE50PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.9A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 163 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+222.94 грн
5+ 189.38 грн
6+ 160.19 грн
17+ 151.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFPE50PBF IRFPE50PBF Vishay 91248.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+357.22 грн
10+ 300.5 грн
100+ 243.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFPE50PBF IRFPE50PBF Vishay 91248.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+233.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFPE50PBF IRFPE50PBF VISHAY VISH-S-A0009381845-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFPE50PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7.8 A, 1.2 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+354.61 грн
10+ 269.09 грн
100+ 217.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFPE50PBF IRFPE50PBF Vishay Semiconductors 91248.pdf MOSFET 800V N-CH HEXFET
на замовлення 3909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+331.99 грн
10+ 275.86 грн
100+ 193.87 грн
500+ 172.18 грн
1000+ 166.27 грн
IRFPE50PBF IRFPE50PBF Vishay 91248.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFPE50PBF IRFPE50PBF Vishay 91248.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFPE50PBF IRFPE50PBF Vishay 91248.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+204.46 грн
Мінімальне замовлення: 57
IRFPE50PBF IRFPE50PBF Vishay Siliconix 91248.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 7.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+305.69 грн
25+ 233.6 грн
100+ 200.24 грн
STW10NK80Z STW10NK80Z STMicroelectronics stp10nk80z-1851531.pdf description MOSFET N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+357.29 грн
10+ 296.26 грн
25+ 182.04 грн
100+ 174.16 грн
250+ 166.27 грн
600+ 148.53 грн
IRFPE50 IRFPE50
Код товару: 4823 		IR datasheetef7b5e8it7etde-irfhuefy43.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 800 V
Idd,A: 7,8 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3100/200
Монтаж: THT
товар відсутній
IRFPE50PBF IRFPE50PBF
Код товару: 47698 		91248.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRFPE50 IRFPE50 Vishay 91248.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товар відсутній
IRFPE50 IRFPE50 Vishay Siliconix 91248.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 7.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFPE50 IRFPE50 Vishay / Siliconix 91248.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT IRFPE50PBF
товар відсутній
IRFPE50PBF IRFPE50PBF Vishay 91248.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товар відсутній
NTE2377 NTE2377 NTE Electronics nte2377.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 8A; Idm: 36A; 150W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRFPE50 91248.pdf
Виробник: Siliconix
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 1,2Ohm; 7,8A; 190W; -55°C ~ 150°C; IRFPE50 TIRFPE50
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+119.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFPE50PBF IRFPE50PBF.pdf
IRFPE50PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.9A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+185.78 грн
5+ 151.98 грн
6+ 133.49 грн
17+ 126.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFPE50PBF IRFPE50PBF.pdf
IRFPE50PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.9A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 163 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+222.94 грн
5+ 189.38 грн
6+ 160.19 грн
17+ 151.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFPE50PBF 91248.pdf
IRFPE50PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+357.22 грн
10+ 300.5 грн
100+ 243.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRFPE50PBF 91248.pdf
IRFPE50PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+233.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFPE50PBF VISH-S-A0009381845-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFPE50PBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFPE50PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7.8 A, 1.2 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 190W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+354.61 грн
10+ 269.09 грн
100+ 217.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFPE50PBF 91248.pdf
IRFPE50PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 800V N-CH HEXFET
на замовлення 3909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+331.99 грн
10+ 275.86 грн
100+ 193.87 грн
500+ 172.18 грн
1000+ 166.27 грн
IRFPE50PBF 91248.pdf
IRFPE50PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRFPE50PBF 91248.pdf
IRFPE50PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+100.44 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRFPE50PBF 91248.pdf
IRFPE50PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
57+204.46 грн
Мінімальне замовлення: 57
IRFPE50PBF 91248.pdf
IRFPE50PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 7.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+305.69 грн
25+ 233.6 грн
100+ 200.24 грн
STW10NK80Z description stp10nk80z-1851531.pdf
STW10NK80Z
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
на замовлення 516 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+357.29 грн
10+ 296.26 грн
25+ 182.04 грн
100+ 174.16 грн
250+ 166.27 грн
600+ 148.53 грн
IRFPE50
Код товару: 4823		 datasheetef7b5e8it7etde-irfhuefy43.pdf
IRFPE50
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-247
Uds,V: 800 V
Idd,A: 7,8 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3100/200
Монтаж: THT
товар відсутній
IRFPE50PBF
Код товару: 47698		 91248.pdf
IRFPE50PBF
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRFPE50 91248.pdf
IRFPE50
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товар відсутній
IRFPE50 91248.pdf
IRFPE50
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 7.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFPE50 91248.pdf
IRFPE50
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET RECOMMENDED ALT IRFPE50PBF
товар відсутній
IRFPE50PBF 91248.pdf
IRFPE50PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товар відсутній
NTE2377 nte2377.pdf
NTE2377
Виробник: NTE Electronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 8A; Idm: 36A; 150W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 150W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
товар відсутній