Результат пошуку "IRLU" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRLU2905PBF IRLU2905PBF
Код товару: 184659 		datasheetIRLU2905PBF.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: I-Pak
Uds,V: 60 V
Idd,A: 35 A
Rds(on), Ohm: 0,025 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 670/11
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 100 шт
1+38.5 грн
10+ 35.8 грн
IRLU014PBF IRLU014PBF VISHAY IRLU014.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRLU014PBF IRLU014PBF Vishay Semiconductors sihlr014.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT IRLU014
на замовлення 3511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.17 грн
10+ 54.72 грн
100+ 40.02 грн
500+ 35.49 грн
1000+ 31.28 грн
3000+ 30.56 грн
6000+ 28.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRLU014PBF IRLU014PBF Vishay sihlr014.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+41.45 грн
15+ 39.05 грн
100+ 36.09 грн
500+ 33.12 грн
1000+ 29.22 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRLU014PBF IRLU014PBF Vishay Siliconix sihlr014.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 2772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.75 грн
75+ 62.92 грн
150+ 49.86 грн
525+ 39.66 грн
1050+ 32.31 грн
2025+ 30.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLU014PBF IRLU014PBF Vishay sihlr014.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
277+42.05 грн
300+ 38.86 грн
500+ 36.99 грн
1000+ 33.99 грн
Мінімальне замовлення: 277
IRLU024N International Rectifier IRLR024N%2C%20IRLU024N.pdf description N-MOSFET 17A 55V 45W 0.065Ω IRLU024N TIRLU024n
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 131 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
75+19.79 грн
Мінімальне замовлення: 75
IRLU024NPBF IRLU024NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr024npbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+43.5 грн
13+ 27.11 грн
25+ 23.89 грн
39+ 20.74 грн
105+ 19.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRLU024NPBF IRLU024NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr024npbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1387 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+52.2 грн
8+ 33.78 грн
25+ 28.67 грн
39+ 24.89 грн
105+ 23.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRLU024NPBF IRLU024NPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
341+34.17 грн
384+ 30.36 грн
500+ 25.86 грн
1000+ 21.69 грн
Мінімальне замовлення: 341
IRLU024NPBF IRLU024NPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+15.1 грн
Мінімальне замовлення: 21
IRLU024NPBF IRLU024NPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+40.53 грн
19+ 31.69 грн
100+ 28.16 грн
500+ 23.12 грн
1000+ 18.62 грн
Мінімальне замовлення: 15
IRLU024NPBF IRLU024NPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
297+39.29 грн
309+ 37.71 грн
500+ 36.36 грн
1000+ 33.91 грн
2500+ 30.47 грн
Мінімальне замовлення: 297
IRLU024NPBF IRLU024NPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+55.47 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRLU024NPBF IRLU024NPBF INFINEON INFN-S-A0012905496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLU024NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRLU024NPBF IRLU024NPBF Infineon Technologies infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 9275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
328+35.51 грн
352+ 33.09 грн
353+ 32.99 грн
500+ 26.85 грн
1000+ 23.48 грн
3000+ 21.38 грн
6000+ 20.29 грн
Мінімальне замовлення: 328
IRLU024NPBF IRLU024NPBF Infineon Technologies Infineon_IRLR024N_DataSheet_v01_01_EN-3363536.pdf description MOSFET MOSFT 55V 17A 65mOhm 10nC Log Lvl
на замовлення 10263 шт:
термін постачання 159-168 дні (днів)
6+57.73 грн
10+ 40.36 грн
100+ 29.18 грн
500+ 25.5 грн
1000+ 20.57 грн
3000+ 20.5 грн
6000+ 20.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRLU024PBF IRLU024PBF VISHAY IRLU024.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.2A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+58.24 грн
12+ 30.12 грн
25+ 26.63 грн
32+ 24.86 грн
75+ 23.96 грн
88+ 23.5 грн
300+ 22.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRLU024PBF IRLU024PBF VISHAY IRLU024.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.2A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 587 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+69.89 грн
7+ 37.54 грн
25+ 31.96 грн
32+ 29.83 грн
75+ 28.75 грн
88+ 28.2 грн
300+ 27.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLU024PBF IRLU024PBF Vishay sihlr024.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+77.77 грн
10+ 63.98 грн
100+ 57.69 грн
250+ 54.38 грн
500+ 47.51 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRLU024PBF IRLU024PBF Vishay sihlr024.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRLU024PBF IRLU024PBF Vishay sihlr024.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+83.75 грн
169+ 68.9 грн
188+ 62.13 грн
250+ 58.57 грн
500+ 51.16 грн
Мінімальне замовлення: 140
IRLU024PBF IRLU024PBF Vishay sihlr024.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+47.48 грн
20+ 29.95 грн
21+ 28.6 грн
100+ 26.83 грн
250+ 24.68 грн
500+ 23.23 грн
1000+ 22.63 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRLU024PBF IRLU024PBF Vishay sihlr024.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
361+32.26 грн
379+ 30.8 грн
389+ 29.97 грн
392+ 28.71 грн
500+ 26.06 грн
1000+ 24.38 грн
Мінімальне замовлення: 361
IRLU024PBF IRLU024PBF Vishay sihlr024.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
225+53.2 грн
Мінімальне замовлення: 225
IRLU024PBF IRLU024PBF Vishay Siliconix sihlr024.pdf description Description: MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.35 грн
75+ 83.23 грн
150+ 68.47 грн
525+ 54.37 грн
1050+ 46.14 грн
2025+ 43.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLU024PBF IRLU024PBF Vishay Semiconductors sihlr024.pdf description MOSFET RECOMMENDED ALT IRLU024
на замовлення 5614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.17 грн
10+ 76.33 грн
100+ 56.58 грн
250+ 55.14 грн
500+ 49.95 грн
1000+ 44.36 грн
3000+ 43.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLU024PBF IRLU024PBF Vishay sihlr024.pdf description Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRLU110PBF IRLU110PBF VISHAY IRLR110.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.3A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.4 грн
12+ 28.75 грн
25+ 25.81 грн
40+ 19.83 грн
110+ 18.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRLU110PBF IRLU110PBF VISHAY IRLR110.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.3A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 964 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+76.08 грн
8+ 35.83 грн
25+ 30.97 грн
40+ 23.79 грн
110+ 22.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLU110PBF IRLU110PBF Vishay sihlr110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+56.01 грн
13+ 44.49 грн
100+ 39.81 грн
500+ 35.42 грн
1000+ 28.69 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRLU110PBF IRLU110PBF Vishay Semiconductors sihlr110.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT IRLU110
на замовлення 2432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.97 грн
10+ 66.36 грн
100+ 47.84 грн
500+ 42.39 грн
1000+ 36.15 грн
3000+ 34.5 грн
9000+ 34.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLU110PBF IRLU110PBF Vishay sihlr110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 1148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
243+47.97 грн
272+ 42.93 грн
500+ 39.62 грн
1000+ 33.42 грн
Мінімальне замовлення: 243
IRLU110PBF IRLU110PBF Vishay sihlr110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+13.8 грн
Мінімальне замовлення: 23
IRLU110PBF IRLU110PBF Vishay Siliconix sihlr110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 7172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.84 грн
75+ 72.76 грн
150+ 57.65 грн
525+ 45.86 грн
1050+ 37.36 грн
2025+ 35.17 грн
5025+ 32.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLU120N International Rectifier N-MOSFET 10A 100V 48W IRLU120N TIRLU120n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+28.66 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRLU120NPBF IRLU120NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr120npbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 48W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 48W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.89 грн
8+ 42.92 грн
10+ 34.43 грн
28+ 29.3 грн
75+ 27.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLU120NPBF IRLU120NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr120npbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 48W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 48W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 211 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+111.47 грн
5+ 53.49 грн
10+ 41.32 грн
28+ 35.16 грн
75+ 33.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLU120NPBF IRLU120NPBF INFINEON INFN-S-A0012905041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLU120NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
на замовлення 12134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.85 грн
20+ 38.78 грн
100+ 29.42 грн
500+ 25.12 грн
1000+ 22.81 грн
5000+ 22.37 грн
Мінімальне замовлення: 16
IRLU120NPBF IRLU120NPBF Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 24
IRLU120NPBF IRLU120NPBF Infineon Technologies irlr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566965182665 description Description: MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 8473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+57.58 грн
75+ 44.58 грн
150+ 35.33 грн
525+ 28.1 грн
1050+ 22.89 грн
2025+ 21.55 грн
5025+ 20.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRLU120NPBF IRLU120NPBF Infineon Technologies Infineon_IRLR120N_DataSheet_v01_01_EN-3363444.pdf description MOSFET MOSFT 100V 11A 185mOhm 13.3nC LogLv
на замовлення 29361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.47 грн
10+ 35.9 грн
100+ 26.22 грн
500+ 24.12 грн
1000+ 20.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRLU120NPBF IRLU120NPBF Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+60.25 грн
228+ 51.23 грн
266+ 43.85 грн
280+ 40.14 грн
500+ 34.74 грн
1000+ 31.35 грн
Мінімальне замовлення: 194
IRLU120NPBF IRLU120NPBF Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+32.5 грн
21+ 28.77 грн
100+ 25.38 грн
500+ 22.82 грн
1000+ 19.12 грн
2500+ 17.75 грн
Мінімальне замовлення: 18
IRLU120NPBF IRLU120NPBF Infineon Technologies infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
376+31.03 грн
426+ 27.37 грн
500+ 25.52 грн
1000+ 22.28 грн
2500+ 19.94 грн
Мінімальне замовлення: 376
IRLU3110Z International Rectifier N-MOSFET 42A 100V 140W IRLU3110Z TIRLU3110z
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+81.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRLU3110ZPBF IRLU3110ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3110zpbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+102.69 грн
10+ 87.63 грн
11+ 78.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLU3110ZPBF IRLU3110ZPBF Infineon Technologies irlr3110zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cf6e2268a description Description: MOSFET N-CH 100V 42A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V
на замовлення 3916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.59 грн
75+ 90.13 грн
150+ 74.15 грн
525+ 58.88 грн
1050+ 49.96 грн
2025+ 47.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLU3110ZPBF IRLU3110ZPBF Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 6968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+146.32 грн
96+ 122.35 грн
120+ 97.55 грн
500+ 79.16 грн
1000+ 59.12 грн
3000+ 54.56 грн
Мінімальне замовлення: 80
IRLU3110ZPBF IRLU3110ZPBF Infineon Technologies irlr3110zpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 6975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRLU3110ZPBF IRLU3110ZPBF Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+101.87 грн
122+ 95.47 грн
145+ 80.43 грн
200+ 73.26 грн
500+ 67.66 грн
1000+ 58.71 грн
2000+ 55.3 грн
3000+ 55.05 грн
Мінімальне замовлення: 115
IRLU3110ZPBF IRLU3110ZPBF Infineon Technologies infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 6975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+98.67 грн
10+ 86.46 грн
100+ 72.07 грн
500+ 60.49 грн
1000+ 46.72 грн
3000+ 43 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRLU3110ZPBF IRLU3110ZPBF Infineon Technologies Infineon_IRLR3110Z_DataSheet_v01_01_EN-3363646.pdf description MOSFET MOSFT 100V 63A 14mOhm 34nC Log Lvl
на замовлення 2612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.28 грн
10+ 105.81 грн
100+ 79.52 грн
250+ 76.89 грн
500+ 69.66 грн
1000+ 56.32 грн
3000+ 48.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLU3114Z International Rectifier N-MOSFET 42A 40V 140W IRLU3114Z TIRLU3114z
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+62.44 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRLU3410 International Rectifier N-MOSFET 17A 100V 79W IRLU3410 TIRLU3410
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 145 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+45.38 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRLU3410PBF IRLU3410PBF Infineon Technologies irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695 Description: MOSFET N-CH 100V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.67 грн
75+ 53.68 грн
150+ 42.54 грн
525+ 33.84 грн
1050+ 27.57 грн
2025+ 25.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRLU3410PBF IRLU3410PBF Infineon Technologies Infineon_IRLR3410_DataSheet_v01_01_EN-3363598.pdf MOSFET MOSFT 100V 15A 105mOhm 22.7nC LogLv
на замовлення 4278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+66.32 грн
10+ 50.71 грн
100+ 35.82 грн
500+ 31.09 грн
1000+ 25.7 грн
3000+ 25.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRLU3410PBF IRLU3410PBF Infineon Technologies infineon-irlr3410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 12448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
278+41.91 грн
295+ 39.48 грн
302+ 38.61 грн
500+ 36.21 грн
1000+ 32.57 грн
3000+ 30.02 грн
6000+ 29.44 грн
12000+ 29.27 грн
Мінімальне замовлення: 278
IRLU3410PBF IRLU3410PBF Infineon Technologies infineon-irlr3410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
302+38.61 грн
342+ 34.07 грн
500+ 31.57 грн
Мінімальне замовлення: 302
IRLU3410PBF IRLU3410PBF Infineon Technologies infineon-irlr3410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 21097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+44.28 грн
314+ 37.14 грн
500+ 33.46 грн
1000+ 27.24 грн
3000+ 24.05 грн
6000+ 22.61 грн
9000+ 22.38 грн
Мінімальне замовлення: 263
IRLU2905PBF
Код товару: 184659		 description datasheetIRLU2905PBF.pdf
IRLU2905PBF
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: I-Pak
Uds,V: 60 V
Idd,A: 35 A
Rds(on), Ohm: 0,025 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 670/11
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 100 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+38.5 грн
10+ 35.8 грн
IRLU014PBF IRLU014.pdf
IRLU014PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.9A; 25W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRLU014PBF sihlr014.pdf
IRLU014PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET RECOMMENDED ALT IRLU014
на замовлення 3511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.17 грн
10+ 54.72 грн
100+ 40.02 грн
500+ 35.49 грн
1000+ 31.28 грн
3000+ 30.56 грн
6000+ 28.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRLU014PBF sihlr014.pdf
IRLU014PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+41.45 грн
15+ 39.05 грн
100+ 36.09 грн
500+ 33.12 грн
1000+ 29.22 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRLU014PBF sihlr014.pdf
IRLU014PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
на замовлення 2772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+81.75 грн
75+ 62.92 грн
150+ 49.86 грн
525+ 39.66 грн
1050+ 32.31 грн
2025+ 30.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLU014PBF sihlr014.pdf
IRLU014PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
277+42.05 грн
300+ 38.86 грн
500+ 36.99 грн
1000+ 33.99 грн
Мінімальне замовлення: 277
IRLU024N description IRLR024N%2C%20IRLU024N.pdf
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 17A 55V 45W 0.065Ω IRLU024N TIRLU024n
кількість в упаковці: 75 шт
на замовлення 131 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
75+19.79 грн
Мінімальне замовлення: 75
IRLU024NPBF description irlr024npbf.pdf
IRLU024NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+43.5 грн
13+ 27.11 грн
25+ 23.89 грн
39+ 20.74 грн
105+ 19.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRLU024NPBF description irlr024npbf.pdf
IRLU024NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1387 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+52.2 грн
8+ 33.78 грн
25+ 28.67 грн
39+ 24.89 грн
105+ 23.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRLU024NPBF description infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU024NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
341+34.17 грн
384+ 30.36 грн
500+ 25.86 грн
1000+ 21.69 грн
Мінімальне замовлення: 341
IRLU024NPBF description infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU024NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+15.1 грн
Мінімальне замовлення: 21
IRLU024NPBF description infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU024NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+40.53 грн
19+ 31.69 грн
100+ 28.16 грн
500+ 23.12 грн
1000+ 18.62 грн
Мінімальне замовлення: 15
IRLU024NPBF description infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU024NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
297+39.29 грн
309+ 37.71 грн
500+ 36.36 грн
1000+ 33.91 грн
2500+ 30.47 грн
Мінімальне замовлення: 297
IRLU024NPBF description infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU024NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+55.47 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRLU024NPBF description INFN-S-A0012905496-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLU024NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLU024NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 17 A, 0.065 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRLU024NPBF description infineon-irlr024n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU024NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 9275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
328+35.51 грн
352+ 33.09 грн
353+ 32.99 грн
500+ 26.85 грн
1000+ 23.48 грн
3000+ 21.38 грн
6000+ 20.29 грн
Мінімальне замовлення: 328
IRLU024NPBF description Infineon_IRLR024N_DataSheet_v01_01_EN-3363536.pdf
IRLU024NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 17A 65mOhm 10nC Log Lvl
на замовлення 10263 шт:
термін постачання 159-168 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+57.73 грн
10+ 40.36 грн
100+ 29.18 грн
500+ 25.5 грн
1000+ 20.57 грн
3000+ 20.5 грн
6000+ 20.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRLU024PBF description IRLU024.pdf
IRLU024PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.2A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+58.24 грн
12+ 30.12 грн
25+ 26.63 грн
32+ 24.86 грн
75+ 23.96 грн
88+ 23.5 грн
300+ 22.59 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRLU024PBF description IRLU024.pdf
IRLU024PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.2A; 42W; IPAK,TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9.2A
Power dissipation: 42W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 587 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+69.89 грн
7+ 37.54 грн
25+ 31.96 грн
32+ 29.83 грн
75+ 28.75 грн
88+ 28.2 грн
300+ 27.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLU024PBF description sihlr024.pdf
IRLU024PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+77.77 грн
10+ 63.98 грн
100+ 57.69 грн
250+ 54.38 грн
500+ 47.51 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRLU024PBF description sihlr024.pdf
IRLU024PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRLU024PBF description sihlr024.pdf
IRLU024PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
140+83.75 грн
169+ 68.9 грн
188+ 62.13 грн
250+ 58.57 грн
500+ 51.16 грн
Мінімальне замовлення: 140
IRLU024PBF description sihlr024.pdf
IRLU024PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+47.48 грн
20+ 29.95 грн
21+ 28.6 грн
100+ 26.83 грн
250+ 24.68 грн
500+ 23.23 грн
1000+ 22.63 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRLU024PBF description sihlr024.pdf
IRLU024PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
361+32.26 грн
379+ 30.8 грн
389+ 29.97 грн
392+ 28.71 грн
500+ 26.06 грн
1000+ 24.38 грн
Мінімальне замовлення: 361
IRLU024PBF description sihlr024.pdf
IRLU024PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
225+53.2 грн
Мінімальне замовлення: 225
IRLU024PBF description sihlr024.pdf
IRLU024PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 14A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.35 грн
75+ 83.23 грн
150+ 68.47 грн
525+ 54.37 грн
1050+ 46.14 грн
2025+ 43.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLU024PBF description sihlr024.pdf
IRLU024PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET RECOMMENDED ALT IRLU024
на замовлення 5614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+111.17 грн
10+ 76.33 грн
100+ 56.58 грн
250+ 55.14 грн
500+ 49.95 грн
1000+ 44.36 грн
3000+ 43.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLU024PBF description sihlr024.pdf
IRLU024PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRLU110PBF IRLR110.pdf
IRLU110PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.3A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+63.4 грн
12+ 28.75 грн
25+ 25.81 грн
40+ 19.83 грн
110+ 18.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRLU110PBF IRLR110.pdf
IRLU110PBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.3A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.3A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: IPAK; TO251
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 964 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+76.08 грн
8+ 35.83 грн
25+ 30.97 грн
40+ 23.79 грн
110+ 22.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLU110PBF sihlr110.pdf
IRLU110PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+56.01 грн
13+ 44.49 грн
100+ 39.81 грн
500+ 35.42 грн
1000+ 28.69 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRLU110PBF sihlr110.pdf
IRLU110PBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET RECOMMENDED ALT IRLU110
на замовлення 2432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+101.97 грн
10+ 66.36 грн
100+ 47.84 грн
500+ 42.39 грн
1000+ 36.15 грн
3000+ 34.5 грн
9000+ 34.17 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLU110PBF sihlr110.pdf
IRLU110PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 1148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
243+47.97 грн
272+ 42.93 грн
500+ 39.62 грн
1000+ 33.42 грн
Мінімальне замовлення: 243
IRLU110PBF sihlr110.pdf
IRLU110PBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+13.8 грн
Мінімальне замовлення: 23
IRLU110PBF sihlr110.pdf
IRLU110PBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.6A, 5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 7172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+93.84 грн
75+ 72.76 грн
150+ 57.65 грн
525+ 45.86 грн
1050+ 37.36 грн
2025+ 35.17 грн
5025+ 32.94 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLU120N
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 10A 100V 48W IRLU120N TIRLU120n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+28.66 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRLU120NPBF description irlr120npbf.pdf
IRLU120NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 48W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 48W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+92.89 грн
8+ 42.92 грн
10+ 34.43 грн
28+ 29.3 грн
75+ 27.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLU120NPBF description irlr120npbf.pdf
IRLU120NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 48W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 48W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 211 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+111.47 грн
5+ 53.49 грн
10+ 41.32 грн
28+ 35.16 грн
75+ 33.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLU120NPBF description INFN-S-A0012905041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLU120NPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRLU120NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
на замовлення 12134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+47.85 грн
20+ 38.78 грн
100+ 29.42 грн
500+ 25.12 грн
1000+ 22.81 грн
5000+ 22.37 грн
Мінімальне замовлення: 16
IRLU120NPBF description infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU120NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 24
IRLU120NPBF description irlr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566965182665
IRLU120NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 10A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 8473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+57.58 грн
75+ 44.58 грн
150+ 35.33 грн
525+ 28.1 грн
1050+ 22.89 грн
2025+ 21.55 грн
5025+ 20.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRLU120NPBF description Infineon_IRLR120N_DataSheet_v01_01_EN-3363444.pdf
IRLU120NPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 100V 11A 185mOhm 13.3nC LogLv
на замовлення 29361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+43.47 грн
10+ 35.9 грн
100+ 26.22 грн
500+ 24.12 грн
1000+ 20.96 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRLU120NPBF description infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU120NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
194+60.25 грн
228+ 51.23 грн
266+ 43.85 грн
280+ 40.14 грн
500+ 34.74 грн
1000+ 31.35 грн
Мінімальне замовлення: 194
IRLU120NPBF description infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU120NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+32.5 грн
21+ 28.77 грн
100+ 25.38 грн
500+ 22.82 грн
1000+ 19.12 грн
2500+ 17.75 грн
Мінімальне замовлення: 18
IRLU120NPBF description infineon-irlr120n-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU120NPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
376+31.03 грн
426+ 27.37 грн
500+ 25.52 грн
1000+ 22.28 грн
2500+ 19.94 грн
Мінімальне замовлення: 376
IRLU3110Z
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 42A 100V 140W IRLU3110Z TIRLU3110z
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+81.02 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRLU3110ZPBF description irlr3110zpbf.pdf
IRLU3110ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+102.69 грн
10+ 87.63 грн
11+ 78.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRLU3110ZPBF description irlr3110zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cf6e2268a
IRLU3110ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 42A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V
на замовлення 3916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+116.59 грн
75+ 90.13 грн
150+ 74.15 грн
525+ 58.88 грн
1050+ 49.96 грн
2025+ 47.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLU3110ZPBF description infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU3110ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 6968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
80+146.32 грн
96+ 122.35 грн
120+ 97.55 грн
500+ 79.16 грн
1000+ 59.12 грн
3000+ 54.56 грн
Мінімальне замовлення: 80
IRLU3110ZPBF description irlr3110zpbf.pdf
IRLU3110ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 6975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.25 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRLU3110ZPBF description infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU3110ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 3001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
115+101.87 грн
122+ 95.47 грн
145+ 80.43 грн
200+ 73.26 грн
500+ 67.66 грн
1000+ 58.71 грн
2000+ 55.3 грн
3000+ 55.05 грн
Мінімальне замовлення: 115
IRLU3110ZPBF description infineon-irlr3110z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU3110ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 6975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+98.67 грн
10+ 86.46 грн
100+ 72.07 грн
500+ 60.49 грн
1000+ 46.72 грн
3000+ 43 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRLU3110ZPBF description Infineon_IRLR3110Z_DataSheet_v01_01_EN-3363646.pdf
IRLU3110ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 100V 63A 14mOhm 34nC Log Lvl
на замовлення 2612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+127.28 грн
10+ 105.81 грн
100+ 79.52 грн
250+ 76.89 грн
500+ 69.66 грн
1000+ 56.32 грн
3000+ 48.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLU3114Z
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 42A 40V 140W IRLU3114Z TIRLU3114z
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+62.44 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRLU3410
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 17A 100V 79W IRLU3410 TIRLU3410
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 145 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+45.38 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRLU3410PBF irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695
IRLU3410PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+69.67 грн
75+ 53.68 грн
150+ 42.54 грн
525+ 33.84 грн
1050+ 27.57 грн
2025+ 25.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRLU3410PBF Infineon_IRLR3410_DataSheet_v01_01_EN-3363598.pdf
IRLU3410PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 100V 15A 105mOhm 22.7nC LogLv
на замовлення 4278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.32 грн
10+ 50.71 грн
100+ 35.82 грн
500+ 31.09 грн
1000+ 25.7 грн
3000+ 25.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRLU3410PBF infineon-irlr3410-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU3410PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 12448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
278+41.91 грн
295+ 39.48 грн
302+ 38.61 грн
500+ 36.21 грн
1000+ 32.57 грн
3000+ 30.02 грн
6000+ 29.44 грн
12000+ 29.27 грн
Мінімальне замовлення: 278
IRLU3410PBF infineon-irlr3410-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU3410PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
302+38.61 грн
342+ 34.07 грн
500+ 31.57 грн
Мінімальне замовлення: 302
IRLU3410PBF infineon-irlr3410-datasheet-v01_01-en.pdf
IRLU3410PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 21097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
263+44.28 грн
314+ 37.14 грн
500+ 33.46 грн
1000+ 27.24 грн
3000+ 24.05 грн
6000+ 22.61 грн
9000+ 22.38 грн
Мінімальне замовлення: 263
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]