Результат пошуку "M6LGE" : 11
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 70
Мінімальне замовлення: 70
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SQD100N04-3m6L_GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 3212 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SQD50N04-5M6L_GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 19997 шт: термін постачання 149-158 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
M6 | LUGUANG ELECTRONIC |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 1A; SMAJ; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 30A Case: SMAJ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 1A Max. forward voltage: 1.1V Type of diode: rectifying Max. forward impulse current: 30A |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
M6 | LUGUANG ELECTRONIC |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 1A; SMAJ; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 30A Case: SMAJ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Semiconductor structure: single diode Max. off-state voltage: 0.8kV Load current: 1A Max. forward voltage: 1.1V Type of diode: rectifying Max. forward impulse current: 30A кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SQD100N04-3M6L-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 136W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 130nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SQD100N04-3M6L-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A Pulsed drain current: 400A Power dissipation: 136W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 130nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SQD100N04-3M6L-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SQD100N04-3M6L-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT SQD100N04-3M6LGE |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SQD50N04-5M6L_GE3 | Vishay | Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 degreeC MOSFET |
товар відсутній |
SQD100N04-3m6L_GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
MOSFET N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 3212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 110.81 грн |
10+ | 91.03 грн |
100+ | 63.19 грн |
250+ | 57.98 грн |
500+ | 52.64 грн |
1000+ | 45.12 грн |
2000+ | 42.81 грн |
SQD50N04-5M6L_GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
MOSFET N Ch 40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 19997 шт:
термін постачання 149-158 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 90.04 грн |
10+ | 73.35 грн |
100+ | 49.73 грн |
500+ | 42.21 грн |
1000+ | 34.37 грн |
2000+ | 32.32 грн |
4000+ | 30.8 грн |
M6 |
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 1A; SMAJ; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 30A
Case: SMAJ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.1V
Type of diode: rectifying
Max. forward impulse current: 30A
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 1A; SMAJ; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 30A
Case: SMAJ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.1V
Type of diode: rectifying
Max. forward impulse current: 30A
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
70+ | 5.18 грн |
M6 |
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 1A; SMAJ; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 30A
Case: SMAJ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.1V
Type of diode: rectifying
Max. forward impulse current: 30A
кількість в упаковці: 10 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 800V; 1A; SMAJ; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 30A
Case: SMAJ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.1V
Type of diode: rectifying
Max. forward impulse current: 30A
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
70+ | 3.55 грн |
100+ | 2.57 грн |
500+ | 0.89 грн |
1320+ | 0.73 грн |
3620+ | 0.68 грн |
SQD100N04-3M6L-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 136W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 136W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SQD100N04-3M6L-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 136W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 100A; Idm: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 136W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
SQD100N04-3M6L-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252AA
товар відсутній
SQD100N04-3M6L-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET RECOMMENDED ALT SQD100N04-3M6LGE
MOSFET RECOMMENDED ALT SQD100N04-3M6LGE
товар відсутній
SQD50N04-5M6L_GE3 |
Виробник: Vishay
Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 degreeC MOSFET
Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 degreeC MOSFET
товар відсутній