Результат пошуку "PMDT290" : 42

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
PMDT290UCE,115 PMDT290UCE,115 Nexperia PMDT290UCE-1535645.pdf MOSFET NRND for Automotive Applications PMDT290UCE/SOT666/SOT6
на замовлення 3933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.21 грн
14+ 22.14 грн
100+ 10.52 грн
1000+ 7.95 грн
4000+ 6.7 грн
8000+ 6.31 грн
Мінімальне замовлення: 11
PMDT290UCE,115 PMDT290UCE,115 Nexperia USA Inc. PMDT290UCE.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA, 550mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.01 грн
14+ 19.92 грн
100+ 11.95 грн
500+ 10.38 грн
1000+ 7.06 грн
2000+ 6.5 грн
Мінімальне замовлення: 11
PMDT290UCE,115 PMDT290UCE,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003511254-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMDT290UCE,115 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 330mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 330mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+32.22 грн
31+ 24.26 грн
100+ 11.94 грн
500+ 9.04 грн
1000+ 6.45 грн
Мінімальне замовлення: 23
PMDT290UCE,115 PMDT290UCE,115 Nexperia USA Inc. PMDT290UCE.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA, 550mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.19 грн
8000+ 6.64 грн
Мінімальне замовлення: 4000
PMDT290UNE,115 PMDT290UNE,115 Nexperia pmdt290une.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 31655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+29.49 грн
26+ 22.48 грн
100+ 10.14 грн
1000+ 6.81 грн
4000+ 5.69 грн
8000+ 4.38 грн
24000+ 4.24 грн
Мінімальне замовлення: 20
PMDT290UNE,115 PMDT290UNE,115 Nexperia pmdt290une.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+29.79 грн
Мінімальне замовлення: 20
PMDT290UNE,115 PMDT290UNE,115 NEXPERIA NEXP-S-A0003059744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - PMDT290UNE,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 15145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+36.12 грн
29+ 26.02 грн
100+ 10.69 грн
500+ 8.15 грн
1000+ 5.81 грн
5000+ 5.06 грн
Мінімальне замовлення: 21
PMDT290UNE,115 PMDT290UNE,115 Nexperia USA Inc. PMDT290UNE.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 149745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.28 грн
13+ 21.43 грн
100+ 10.79 грн
500+ 8.98 грн
1000+ 6.99 грн
2000+ 6.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMDT290UNE,115 PMDT290UNE,115 Nexperia pmdt290une.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 31655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
481+24.21 грн
1067+ 10.92 грн
1531+ 7.61 грн
4000+ 6.62 грн
8000+ 4.91 грн
24000+ 4.56 грн
Мінімальне замовлення: 481
PMDT290UNE,115 PMDT290UNE,115 Nexperia PMDT290UNE-1319334.pdf MOSFET NRND for Automotive Applications PMDT290UNE/SOT666/SOT6
на замовлення 114164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.36 грн
13+ 25.02 грн
100+ 12.88 грн
1000+ 7.16 грн
4000+ 6.05 грн
8000+ 5.26 грн
24000+ 5.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMDT290UNE,115 PMDT290UNE,115 Nexperia USA Inc. PMDT290UNE.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.92 грн
8000+ 6.51 грн
12000+ 5.77 грн
28000+ 5.34 грн
100000+ 4.47 грн
Мінімальне замовлення: 4000
PMDT290UNEH PMDT290UNEH Nexperia PMDT290UNE-1319334.pdf MOSFET NRND for Automotive Applications PMDT290UNE/SOT666/SOT6
на замовлення 14485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+38.49 грн
13+ 23.81 грн
100+ 12.88 грн
1000+ 10.38 грн
4000+ 8.81 грн
24000+ 7.43 грн
48000+ 6.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
PMDT290UNEH PMDT290UNEH Nexperia USA Inc. PMDT290UNE.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW (Ta), 1.09W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+31.99 грн
13+ 21.84 грн
100+ 11.01 грн
500+ 9.16 грн
1000+ 7.13 грн
2000+ 6.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
PMDT290UNEH PMDT290UNEH NEXPERIA 3934173.pdf Description: NEXPERIA - PMDT290UNEH - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+41.65 грн
29+ 26.02 грн
100+ 14.45 грн
500+ 11.23 грн
1000+ 8.34 грн
Мінімальне замовлення: 18
PMDT290UNEH PMDT290UNEH NEXPERIA 3934173.pdf Description: NEXPERIA - PMDT290UNEH - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.45 грн
500+ 11.23 грн
1000+ 8.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
PMDT290UCE,115 NEXPERIA PMDT290UCE.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolar; 20/-20V; 500/-350mA
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 500/-350mA
Pulsed drain current: -2.2...3.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±8/±8V
On-state resistance: 610mΩ/1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.68/1.14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PMDT290UCE,115 PMDT290UCE,115 Nexperia pmdt290uce.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.8A/0.55A 6-Pin SOT-666 T/R
товар відсутній
PMDT290UCE,115 PMDT290UCE,115 NEXPERIA pmdt290uce.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.8A/0.55A Automotive 6-Pin SOT-666 T/R
товар відсутній
PMDT290UCE,115 PMDT290UCE,115 Nexperia pmdt290uce.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.8A/0.55A 6-Pin SOT-666 T/R
товар відсутній
PMDT290UCEH NEXPERIA PMDT290UCE.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolar; 20/-20V; 500/-350mA
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 500/-350mA
Pulsed drain current: -2.2...3.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±8/±8V
On-state resistance: 610mΩ/1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.68/1.14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PMDT290UCEH PMDT290UCEH Nexperia USA Inc. PMDT290UCE.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW (Ta), 1.09W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta), 550mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V, 87pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V, 850mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V, 1.14nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
PMDT290UCEH PMDT290UCEH Nexperia pmdt290uce.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.8A/0.55A 6-Pin SOT-666 T/R
товар відсутній
PMDT290UCEH PMDT290UCEH NEXPERIA pmdt290uce.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.8A/0.55A 6-Pin SOT-666 T/R
товар відсутній
PMDT290UCEH PMDT290UCEH Nexperia pmdt290uce.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.8A/0.55A 6-Pin SOT-666 T/R
товар відсутній
PMDT290UCEH PMDT290UCEH Nexperia PMDT290UCE-1535645.pdf MOSFET NRND for Automotive Applications PMDT290UCE/SOT666/SOT6
товар відсутній
PMDT290UNE,115 NEXPERIA PMDT290UNE.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 20V; 500mA; Idm: 3.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 3.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 610mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PMDT290UNE,115 PMDT290UNE,115 NEXPERIA pmdt290une.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive 6-Pin SOT-666 T/R
товар відсутній
PMDT290UNE,115 PMDT290UNE,115 Nexperia pmdt290une.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A 6-Pin SOT-666 T/R
товар відсутній
PMDT290UNEH PMDT290UNEH Nexperia pmdt290une.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A T/R
товар відсутній
PMDT290UNEH PMDT290UNEH Nexperia USA Inc. PMDT290UNE.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW (Ta), 1.09W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
PMDT290UNEH PMDT290UNEH Nexperia pmdt290une.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A T/R
товар відсутній
PMDT290UNEH PMDT290UNEH NEXPERIA pmdt290une.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A T/R
товар відсутній
PMDT290UNEYL NEXPERIA 2157519862793919pmdt290une.pdf 20 V, 800 mA dual N-channel Trench MOSFET
товар відсутній
PMDT290UNEYL PMDT290UNEYL Nexperia USA Inc. PMDT290UNE.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
PMDT290UNEYL PMDT290UNEYL Nexperia pmdt290une.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-666 T/R
товар відсутній
PMDT290UNEYL PMDT290UNEYL Nexperia PMDT290UNE-1319334.pdf MOSFET NRND for Automotive Applications PMDT290UNE/SOT666/SOT6
товар відсутній
PMDT290UCE,115 NEXPERIA PMDT290UCE.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolar; 20/-20V; 500/-350mA
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 500/-350mA
Pulsed drain current: -2.2...3.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±8/±8V
On-state resistance: 610mΩ/1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.68/1.14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
PMDT290UCEH NEXPERIA PMDT290UCE.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolar; 20/-20V; 500/-350mA
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 500/-350mA
Pulsed drain current: -2.2...3.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±8/±8V
On-state resistance: 610mΩ/1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.68/1.14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
PMDT290UNE,115 NEXPERIA PMDT290UNE.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 20V; 500mA; Idm: 3.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 3.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 610mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
PMDT290UCE,115 PMDT290UCE-1535645.pdf
PMDT290UCE,115
Виробник: Nexperia
MOSFET NRND for Automotive Applications PMDT290UCE/SOT666/SOT6
на замовлення 3933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+29.21 грн
14+ 22.14 грн
100+ 10.52 грн
1000+ 7.95 грн
4000+ 6.7 грн
8000+ 6.31 грн
Мінімальне замовлення: 11
PMDT290UCE,115 PMDT290UCE.pdf
PMDT290UCE,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA, 550mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+27.01 грн
14+ 19.92 грн
100+ 11.95 грн
500+ 10.38 грн
1000+ 7.06 грн
2000+ 6.5 грн
Мінімальне замовлення: 11
PMDT290UCE,115 NEXP-S-A0003511254-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PMDT290UCE,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMDT290UCE,115 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 330mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 330mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+32.22 грн
31+ 24.26 грн
100+ 11.94 грн
500+ 9.04 грн
1000+ 6.45 грн
Мінімальне замовлення: 23
PMDT290UCE,115 PMDT290UCE.pdf
PMDT290UCE,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA, 550mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+7.19 грн
8000+ 6.64 грн
Мінімальне замовлення: 4000
PMDT290UNE,115 pmdt290une.pdf
PMDT290UNE,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 31655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+29.49 грн
26+ 22.48 грн
100+ 10.14 грн
1000+ 6.81 грн
4000+ 5.69 грн
8000+ 4.38 грн
24000+ 4.24 грн
Мінімальне замовлення: 20
PMDT290UNE,115 pmdt290une.pdf
PMDT290UNE,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+29.79 грн
Мінімальне замовлення: 20
PMDT290UNE,115 NEXP-S-A0003059744-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PMDT290UNE,115
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMDT290UNE,115 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 15145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
21+36.12 грн
29+ 26.02 грн
100+ 10.69 грн
500+ 8.15 грн
1000+ 5.81 грн
5000+ 5.06 грн
Мінімальне замовлення: 21
PMDT290UNE,115 PMDT290UNE.pdf
PMDT290UNE,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 149745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.28 грн
13+ 21.43 грн
100+ 10.79 грн
500+ 8.98 грн
1000+ 6.99 грн
2000+ 6.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMDT290UNE,115 pmdt290une.pdf
PMDT290UNE,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A 6-Pin SOT-666 T/R
на замовлення 31655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
481+24.21 грн
1067+ 10.92 грн
1531+ 7.61 грн
4000+ 6.62 грн
8000+ 4.91 грн
24000+ 4.56 грн
Мінімальне замовлення: 481
PMDT290UNE,115 PMDT290UNE-1319334.pdf
PMDT290UNE,115
Виробник: Nexperia
MOSFET NRND for Automotive Applications PMDT290UNE/SOT666/SOT6
на замовлення 114164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.36 грн
13+ 25.02 грн
100+ 12.88 грн
1000+ 7.16 грн
4000+ 6.05 грн
8000+ 5.26 грн
24000+ 5.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
PMDT290UNE,115 PMDT290UNE.pdf
PMDT290UNE,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+6.92 грн
8000+ 6.51 грн
12000+ 5.77 грн
28000+ 5.34 грн
100000+ 4.47 грн
Мінімальне замовлення: 4000
PMDT290UNEH PMDT290UNE-1319334.pdf
PMDT290UNEH
Виробник: Nexperia
MOSFET NRND for Automotive Applications PMDT290UNE/SOT666/SOT6
на замовлення 14485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.49 грн
13+ 23.81 грн
100+ 12.88 грн
1000+ 10.38 грн
4000+ 8.81 грн
24000+ 7.43 грн
48000+ 6.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
PMDT290UNEH PMDT290UNE.pdf
PMDT290UNEH
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW (Ta), 1.09W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+31.99 грн
13+ 21.84 грн
100+ 11.01 грн
500+ 9.16 грн
1000+ 7.13 грн
2000+ 6.38 грн
Мінімальне замовлення: 9
PMDT290UNEH 3934173.pdf
PMDT290UNEH
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMDT290UNEH - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+41.65 грн
29+ 26.02 грн
100+ 14.45 грн
500+ 11.23 грн
1000+ 8.34 грн
Мінімальне замовлення: 18
PMDT290UNEH 3934173.pdf
PMDT290UNEH
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PMDT290UNEH - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.29 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 800mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 800mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.29ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.29ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+14.45 грн
500+ 11.23 грн
1000+ 8.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
PMDT290UCE,115 PMDT290UCE.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolar; 20/-20V; 500/-350mA
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 500/-350mA
Pulsed drain current: -2.2...3.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±8/±8V
On-state resistance: 610mΩ/1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.68/1.14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PMDT290UCE,115 pmdt290uce.pdf
PMDT290UCE,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.8A/0.55A 6-Pin SOT-666 T/R
товар відсутній
PMDT290UCE,115 pmdt290uce.pdf
PMDT290UCE,115
Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.8A/0.55A Automotive 6-Pin SOT-666 T/R
товар відсутній
PMDT290UCE,115 pmdt290uce.pdf
PMDT290UCE,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.8A/0.55A 6-Pin SOT-666 T/R
товар відсутній
PMDT290UCEH PMDT290UCE.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolar; 20/-20V; 500/-350mA
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 500/-350mA
Pulsed drain current: -2.2...3.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±8/±8V
On-state resistance: 610mΩ/1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.68/1.14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PMDT290UCEH PMDT290UCE.pdf
PMDT290UCEH
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.8A SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW (Ta), 1.09W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta), 550mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V, 87pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V, 850mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V, 1.14nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
PMDT290UCEH pmdt290uce.pdf
PMDT290UCEH
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.8A/0.55A 6-Pin SOT-666 T/R
товар відсутній
PMDT290UCEH pmdt290uce.pdf
PMDT290UCEH
Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.8A/0.55A 6-Pin SOT-666 T/R
товар відсутній
PMDT290UCEH pmdt290uce.pdf
PMDT290UCEH
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.8A/0.55A 6-Pin SOT-666 T/R
товар відсутній
PMDT290UCEH PMDT290UCE-1535645.pdf
PMDT290UCEH
Виробник: Nexperia
MOSFET NRND for Automotive Applications PMDT290UCE/SOT666/SOT6
товар відсутній
PMDT290UNE,115 PMDT290UNE.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 20V; 500mA; Idm: 3.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 3.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 610mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
PMDT290UNE,115 pmdt290une.pdf
PMDT290UNE,115
Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive 6-Pin SOT-666 T/R
товар відсутній
PMDT290UNE,115 pmdt290une.pdf
PMDT290UNE,115
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A 6-Pin SOT-666 T/R
товар відсутній
PMDT290UNEH pmdt290une.pdf
PMDT290UNEH
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A T/R
товар відсутній
PMDT290UNEH PMDT290UNE.pdf
PMDT290UNEH
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW (Ta), 1.09W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
PMDT290UNEH pmdt290une.pdf
PMDT290UNEH
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A T/R
товар відсутній
PMDT290UNEH pmdt290une.pdf
PMDT290UNEH
Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A T/R
товар відсутній
PMDT290UNEYL 2157519862793919pmdt290une.pdf
Виробник: NEXPERIA
20 V, 800 mA dual N-channel Trench MOSFET
товар відсутній
PMDT290UNEYL PMDT290UNE.pdf
PMDT290UNEYL
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 83pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.68nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
PMDT290UNEYL pmdt290une.pdf
PMDT290UNEYL
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET N-CH 20V 0.8A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-666 T/R
товар відсутній
PMDT290UNEYL PMDT290UNE-1319334.pdf
PMDT290UNEYL
Виробник: Nexperia
MOSFET NRND for Automotive Applications PMDT290UNE/SOT666/SOT6
товар відсутній
PMDT290UCE,115 PMDT290UCE.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolar; 20/-20V; 500/-350mA
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 500/-350mA
Pulsed drain current: -2.2...3.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±8/±8V
On-state resistance: 610mΩ/1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.68/1.14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
PMDT290UCEH PMDT290UCE.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolar; 20/-20V; 500/-350mA
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 500/-350mA
Pulsed drain current: -2.2...3.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±8/±8V
On-state resistance: 610mΩ/1.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.68/1.14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній
PMDT290UNE,115 PMDT290UNE.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 20V; 500mA; Idm: 3.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.5A
Pulsed drain current: 3.2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT666
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 610mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.68nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 4000 шт
товар відсутній