Результат пошуку "RF28" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 4995
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF2807PBF Код товару: 88517 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 75 V Idd,A: 82 A Rds(on), Ohm: 13 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160 Монтаж: THT |
у наявності: 99 шт
|
|
|||||||||||||||
IRF2807SPBF Код товару: 3880 |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 75 V Idd,A: 82 A Rds(on), Ohm: 13 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160 Монтаж: SMD |
у наявності: 11 шт
|
|
||||||||||||||||
RF28-03-L-00-50-G-T/R | Adam Technologies | RF Connector, Type U.FL, 50 Ohm, Vertical |
на замовлення 4995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RF-28808-001-V1.0 |
на замовлення 594 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
RF-28808-002-V1.0 |
на замовлення 389 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
RF-28808-003-V1.0 |
на замовлення 586 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
RF2801 | RF | 1 |
на замовлення 128 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
RF2801 | RFMD | 09+ SOP14 |
на замовлення 1001 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
RF2807TR7 | 2004 |
на замовлення 1687 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
RF2812 | RF | 09+ SSOP14 |
на замовлення 1001 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
RF2812TR7 |
на замовлення 650 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
RF2815 |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
RF2815TR7 |
на замовлення 7800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
RF2860 |
на замовлення 287 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
RF2860SR |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
RF2860TR7 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
RF2861 |
на замовлення 950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
RF2861TR7 |
на замовлення 8921 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
RF2870 |
на замовлення 930 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
RF2870SR | RFMD | SOT163 |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
RF2870TR7 | RFMD | 0434+ |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
RF2878 | IR | 06+ SOP8 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
RF2878SR |
на замовлення 4500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
RF2890TR13 |
на замовлення 1498 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
RF2896TR13 | RFMD | 2003 |
на замовлення 2097 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
AUIRF2804STRL | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 2.3mOhms |
на замовлення 2352 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AUIRF2804STRL7P | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 2.3mOhms |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF2804 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,3mOhm; 270A; 300W; -55°C ~ 175°C; IRF2804 TIRF2804 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF2804 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,3mOhm; 270A; 300W; -55°C ~ 175°C; IRF2804 TIRF2804 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF2804LPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC |
на замовлення 862 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF2804PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 280A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF2804PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 280A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 290 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF2804PBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg |
на замовлення 1606 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF2804STRL7PP | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 40V 320A 1.6mOhm 170nC Qg |
на замовлення 677 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF2804STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg |
на замовлення 814 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF2805 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 4,7Ohm; 175A; 330W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRF2805L; IRF2805; IRF2805 TIRF2805 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF2805PBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 55V 175A 4.7mOhm 150nC |
на замовлення 1346 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF2805STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 55V 135A 4.7mOhm 150nC |
на замовлення 778 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF2807 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 41 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF2807 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 110 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF2807PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 82A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: THT Gate charge: 106.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 548 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF2807PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 82A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13mΩ Mounting: THT Gate charge: 106.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 548 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF2807PBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC |
на замовлення 57 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF2807SPBF | IR | Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2PAK Udss=75V; Id=82A; Pdmax=330W; Rds=0,0013 Ohm |
на замовлення 9 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF2807STRL | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807S TIRF2807s кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 41 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF2807STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC |
на замовлення 10129 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF2807Z | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 75V 89A 170W 0,0094Ω IRF2807Z TIRF2807z кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF2807ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 89A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 71nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF2807ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 89A Power dissipation: 170W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 71nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF2807ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 75V 89A 9.4mOhm 71nC |
на замовлення 7046 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF2807ZSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 75V 89A 9.4mOhm 71nC |
на замовлення 1595 шт: термін постачання 112-121 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
Транзистор польовий IRF2804PBF 75A 40V N-ch TO-220 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
AUIRF2804STRL7P | Infineon |
на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
HD6417014RF28 | RENESAS | 0348+ |
на замовлення 55 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
HD6417014RF28S | RENEAS | 04+ QFP-112 |
на замовлення 992 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
HD6417014RF28S | RENEAS |
на замовлення 115 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
HD6417014RF28S | RENEAS | 04+ |
на замовлення 115 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
HD6417014RF28V | Renesas |
FP-112/-20~75/ HD6417014RF28 кількість в упаковці: 60 шт |
на замовлення 202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
HD64F2633RF28 |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
HD64F2633RF28V | RENESAS | 06PB+ |
на замовлення 69 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
IRF2807PBF Код товару: 88517 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 75 V
Idd,A: 82 A
Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 75 V
Idd,A: 82 A
Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160
Монтаж: THT
у наявності: 99 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 45 грн |
10+ | 42 грн |
IRF2807SPBF Код товару: 3880 |
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 75 V
Idd,A: 82 A
Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160
Монтаж: SMD
Uds,V: 75 V
Idd,A: 82 A
Rds(on), Ohm: 13 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3820/160
Монтаж: SMD
у наявності: 11 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 75 грн |
10+ | 68 грн |
RF28-03-L-00-50-G-T/R |
Виробник: Adam Technologies
RF Connector, Type U.FL, 50 Ohm, Vertical
RF Connector, Type U.FL, 50 Ohm, Vertical
на замовлення 4995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4995+ | 28.53 грн |
AUIRF2804STRL |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 2.3mOhms
MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 2.3mOhms
на замовлення 2352 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 377.08 грн |
10+ | 312.52 грн |
25+ | 256.59 грн |
100+ | 219.65 грн |
250+ | 207.78 грн |
500+ | 179.41 грн |
800+ | 156.99 грн |
AUIRF2804STRL7P |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 2.3mOhms
MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 2.3mOhms
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 341.68 грн |
10+ | 282.94 грн |
25+ | 232.18 грн |
100+ | 198.54 грн |
250+ | 187.99 грн |
500+ | 176.78 грн |
800+ | 151.71 грн |
IRF2804 |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,3mOhm; 270A; 300W; -55°C ~ 175°C; IRF2804 TIRF2804
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,3mOhm; 270A; 300W; -55°C ~ 175°C; IRF2804 TIRF2804
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 93.67 грн |
IRF2804 |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,3mOhm; 270A; 300W; -55°C ~ 175°C; IRF2804 TIRF2804
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,3mOhm; 270A; 300W; -55°C ~ 175°C; IRF2804 TIRF2804
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 93.67 грн |
IRF2804LPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC
MOSFET MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 118.51 грн |
10+ | 114.54 грн |
25+ | 96.3 грн |
100+ | 92.35 грн |
IRF2804PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 118.18 грн |
10+ | 80.39 грн |
28+ | 76.27 грн |
IRF2804PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 290 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 165.16 грн |
3+ | 147.27 грн |
10+ | 96.47 грн |
28+ | 91.52 грн |
IRF2804PBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg
MOSFET MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg
на замовлення 1606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 198.54 грн |
10+ | 186.6 грн |
25+ | 139.18 грн |
100+ | 118.07 грн |
250+ | 116.75 грн |
500+ | 108.18 грн |
1000+ | 98.28 грн |
IRF2804STRL7PP |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 40V 320A 1.6mOhm 170nC Qg
MOSFET MOSFT 40V 320A 1.6mOhm 170nC Qg
на замовлення 677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 250.1 грн |
10+ | 207.08 грн |
25+ | 177.43 грн |
100+ | 145.77 грн |
250+ | 143.79 грн |
500+ | 140.5 грн |
800+ | 110.15 грн |
IRF2804STRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg
MOSFET MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 244.71 грн |
10+ | 202.53 грн |
25+ | 173.48 грн |
100+ | 142.48 грн |
250+ | 140.5 грн |
500+ | 135.88 грн |
800+ | 106.2 грн |
IRF2805 |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 4,7Ohm; 175A; 330W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRF2805L; IRF2805; IRF2805 TIRF2805
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 4,7Ohm; 175A; 330W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRF2805L; IRF2805; IRF2805 TIRF2805
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 70.21 грн |
IRF2805PBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 175A 4.7mOhm 150nC
MOSFET MOSFT 55V 175A 4.7mOhm 150nC
на замовлення 1346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 136.21 грн |
10+ | 100.13 грн |
100+ | 75.2 грн |
500+ | 67.94 грн |
IRF2805STRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 135A 4.7mOhm 150nC
MOSFET MOSFT 55V 135A 4.7mOhm 150nC
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 184.69 грн |
10+ | 147.92 грн |
100+ | 106.2 грн |
250+ | 104.88 грн |
500+ | 98.28 грн |
800+ | 76.51 грн |
IRF2807 |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 41.73 грн |
IRF2807 |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 41.73 грн |
IRF2807PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 96.19 грн |
10+ | 82.45 грн |
17+ | 47.41 грн |
47+ | 44.66 грн |
IRF2807PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 548 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 133.19 грн |
3+ | 119.87 грн |
10+ | 98.94 грн |
17+ | 56.89 грн |
47+ | 53.59 грн |
IRF2807PBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
MOSFET MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 117.74 грн |
10+ | 98.61 грн |
100+ | 57.45 грн |
250+ | 56.53 грн |
1000+ | 49.07 грн |
IRF2807SPBF |
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2PAK Udss=75V; Id=82A; Pdmax=330W; Rds=0,0013 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2PAK Udss=75V; Id=82A; Pdmax=330W; Rds=0,0013 Ohm
на замовлення 9 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 30.5 грн |
10+ | 25.28 грн |
IRF2807STRL |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807S TIRF2807s
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807S TIRF2807s
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 83.62 грн |
IRF2807STRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
MOSFET MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
на замовлення 10129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 135.44 грн |
10+ | 110.75 грн |
100+ | 76.51 грн |
500+ | 75.2 грн |
800+ | 53.82 грн |
2400+ | 53.3 грн |
4800+ | 51.25 грн |
IRF2807Z |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 75V 89A 170W 0,0094Ω IRF2807Z TIRF2807z
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 75V 89A 170W 0,0094Ω IRF2807Z TIRF2807z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 76.75 грн |
IRF2807ZPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 72.14 грн |
10+ | 64.59 грн |
IRF2807ZPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 89.9 грн |
10+ | 77.5 грн |
15+ | 67.61 грн |
39+ | 64.31 грн |
IRF2807ZPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 75V 89A 9.4mOhm 71nC
MOSFET MOSFT 75V 89A 9.4mOhm 71nC
на замовлення 7046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 127.74 грн |
10+ | 106.96 грн |
100+ | 75.86 грн |
500+ | 65.96 грн |
1000+ | 56 грн |
2000+ | 53.89 грн |
5000+ | 53.82 грн |
IRF2807ZSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 75V 89A 9.4mOhm 71nC
MOSFET MOSFT 75V 89A 9.4mOhm 71nC
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 112-121 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 153.14 грн |
10+ | 125.92 грн |
100+ | 87.07 грн |
800+ | 63.12 грн |
Транзистор польовий IRF2804PBF 75A 40V N-ch TO-220 |
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 78.77 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]