Результат пошуку "RQ5C060BCTCL" : 6
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 329
Мінімальне замовлення: 198
Мінімальне замовлення: 6
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
RQ5C060BCTCL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin TSMT T/R |
на замовлення 2955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RQ5C060BCTCL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin TSMT T/R |
на замовлення 1245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RQ5C060BCTCL | ROHM Semiconductor | MOSFET Pch -20V -6A Si MOSFET |
на замовлення 15845 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RQ5C060BCTCL | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; Idm: -18A; 1W; TSMT3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -6A Pulsed drain current: -18A Power dissipation: 1W Case: TSMT3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 51mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
RQ5C060BCTCL | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; Idm: -18A; 1W; TSMT3 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -6A Pulsed drain current: -18A Power dissipation: 1W Case: TSMT3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 51mΩ Mounting: SMD Gate charge: 19.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
RQ5C060BCTCL |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin TSMT T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 2955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
329+ | 35.04 грн |
342+ | 33.64 грн |
500+ | 32.42 грн |
1000+ | 30.24 грн |
2500+ | 27.17 грн |
RQ5C060BCTCL |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin TSMT T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 6A 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
198+ | 58.15 грн |
406+ | 28.36 грн |
443+ | 25.96 грн |
445+ | 24.94 грн |
548+ | 18.73 грн |
1000+ | 16.84 грн |
RQ5C060BCTCL |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET Pch -20V -6A Si MOSFET
MOSFET Pch -20V -6A Si MOSFET
на замовлення 15845 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 53.99 грн |
10+ | 42.32 грн |
100+ | 27.58 грн |
500+ | 23.47 грн |
1000+ | 19.96 грн |
3000+ | 17.83 грн |
6000+ | 16.84 грн |
RQ5C060BCTCL |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; Idm: -18A; 1W; TSMT3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 1W
Case: TSMT3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; Idm: -18A; 1W; TSMT3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 1W
Case: TSMT3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
RQ5C060BCTCL |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; Idm: -18A; 1W; TSMT3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 1W
Case: TSMT3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; Idm: -18A; 1W; TSMT3
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: -18A
Power dissipation: 1W
Case: TSMT3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній