Результат пошуку "RV2C002UN" : 7
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 606
Мінімальне замовлення: 606
Мінімальне замовлення: 1808
Мінімальне замовлення: 10
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
RV2C002UNT2L | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 3-Pin VML T/R |
на замовлення 3100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RV2C002UNT2L | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 3-Pin VML T/R |
на замовлення 3178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RV2C002UNT2L | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 3-Pin VML T/R |
на замовлення 14228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RV2C002UNT2L | ROHM Semiconductor | MOSFET 1.2V Drive Nch MOSFET |
на замовлення 36546 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RV2C002UNT2L | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 180mA; Idm: 0.6A; 100mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.18A Pulsed drain current: 0.6A Power dissipation: 0.1W Case: DFN1006-3 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 11.4Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
RV2C002UNT2L | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 180mA; Idm: 0.6A; 100mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.18A Pulsed drain current: 0.6A Power dissipation: 0.1W Case: DFN1006-3 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 11.4Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
RV2C002UNT2L |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 3-Pin VML T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 3-Pin VML T/R
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
606+ | 19.27 грн |
629+ | 18.57 грн |
1000+ | 17.97 грн |
2500+ | 16.81 грн |
RV2C002UNT2L |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 3-Pin VML T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 3-Pin VML T/R
на замовлення 3178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
606+ | 19.27 грн |
629+ | 18.57 грн |
1000+ | 17.97 грн |
2500+ | 16.81 грн |
RV2C002UNT2L |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 3-Pin VML T/R
Trans MOSFET N-CH 20V 0.18A 3-Pin VML T/R
на замовлення 14228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1808+ | 6.46 грн |
1921+ | 6.08 грн |
1964+ | 5.94 грн |
2017+ | 5.58 грн |
8000+ | 5.02 грн |
RV2C002UNT2L |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET 1.2V Drive Nch MOSFET
MOSFET 1.2V Drive Nch MOSFET
на замовлення 36546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 31.44 грн |
13+ | 23.34 грн |
100+ | 11.46 грн |
1000+ | 5.8 грн |
2500+ | 5.01 грн |
8000+ | 4.02 грн |
24000+ | 3.82 грн |
RV2C002UNT2L |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 180mA; Idm: 0.6A; 100mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.18A
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.1W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 11.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 180mA; Idm: 0.6A; 100mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.18A
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.1W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 11.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
RV2C002UNT2L |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 180mA; Idm: 0.6A; 100mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.18A
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.1W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 11.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 180mA; Idm: 0.6A; 100mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.18A
Pulsed drain current: 0.6A
Power dissipation: 0.1W
Case: DFN1006-3
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 11.4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній