Результат пошуку "SIC1MO120E0080" : 7

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
LSIC1MO120E0080 LSIC1MO120E0080 IXYS media-3322123.pdf MOSFET 1200V 80mOhm SiC MOSFET
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1502.91 грн
10+ 1315.99 грн
25+ 1068.09 грн
50+ 1034.94 грн
100+ 1001.13 грн
250+ 987.21 грн
LSIC1MO120E0080
Код товару: 138007
littelfuse_power_semiconductor_silicon_carbide_lsic1mo120e0080_datasheet.pdf.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
SIC1MO120E0080 Littelfuse Littelfuse
товар відсутній
LSIC1MO120E0080 LSIC1MO120E0080 LITTELFUSE LSIC1MO120E0080.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 179W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
LSIC1MO120E0080 LSIC1MO120E0080 LITTELFUSE LSIC1MO120E0080.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 179W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
LSIC1MO120E0080 LSIC1MO120E0080 Littelfuse iconductor_silicon_carbide_lsic1mo120e0080_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
LSIC1MO120E0080 media-3322123.pdf
LSIC1MO120E0080
Виробник: IXYS
MOSFET 1200V 80mOhm SiC MOSFET
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1502.91 грн
10+ 1315.99 грн
25+ 1068.09 грн
50+ 1034.94 грн
100+ 1001.13 грн
250+ 987.21 грн
LSIC1MO120E0080
Код товару: 138007
littelfuse_power_semiconductor_silicon_carbide_lsic1mo120e0080_datasheet.pdf.pdf
товар відсутній
SIC1MO120E0080
Виробник: Littelfuse
Littelfuse
товар відсутній
LSIC1MO120E0080 LSIC1MO120E0080.pdf
LSIC1MO120E0080
Виробник: LITTELFUSE
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 179W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
LSIC1MO120E0080 LSIC1MO120E0080.pdf
LSIC1MO120E0080
Виробник: LITTELFUSE
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 179W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
LSIC1MO120E0080 iconductor_silicon_carbide_lsic1mo120e0080_datasheet.pdf.pdf
LSIC1MO120E0080
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній