Результат пошуку "SIC1MO120E0080" : 7
Вид перегляду :
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
LSIC1MO120E0080 | IXYS | MOSFET 1200V 80mOhm SiC MOSFET |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
LSIC1MO120E0080 Код товару: 138007 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
SIC1MO120E0080 | Littelfuse | Littelfuse |
товар відсутній |
||||||||||||||
LSIC1MO120E0080 | LITTELFUSE |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 179W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 25A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 179W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Gate charge: 95nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||
LSIC1MO120E0080 | LITTELFUSE |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 179W Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 25A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 179W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Gate charge: 95nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
LSIC1MO120E0080 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
LSIC1MO120E0080 |
Виробник: IXYS
MOSFET 1200V 80mOhm SiC MOSFET
MOSFET 1200V 80mOhm SiC MOSFET
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1502.91 грн |
10+ | 1315.99 грн |
25+ | 1068.09 грн |
50+ | 1034.94 грн |
100+ | 1001.13 грн |
250+ | 987.21 грн |
LSIC1MO120E0080 |
Виробник: LITTELFUSE
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 179W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 179W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
LSIC1MO120E0080 |
Виробник: LITTELFUSE
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 179W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 179W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
LSIC1MO120E0080 |
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 39A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній