Результат пошуку "STN3NF06" : 31
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 16
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 15
Мінімальне замовлення: 222
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 315
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 9
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STN3NF06 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 4A; 3.3W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4A Power dissipation: 3.3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2408 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STN3NF06 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 4A; 3.3W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4A Power dissipation: 3.3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2408 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STN3NF06 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V |
на замовлення 3333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STN3NF06 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 60 Volt 4 Amp |
на замовлення 2275 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STN3NF06 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STN3NF06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 18502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STN3NF06 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STN3NF06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 18502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STN3NF06L | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; 3.3W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4A Power dissipation: 3.3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 3260 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STN3NF06L | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 7317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STN3NF06L | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STN3NF06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm |
на замовлення 68173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STN3NF06L | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V |
на замовлення 85631 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STN3NF06L | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 506 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STN3NF06L | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 506 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STN3NF06L | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V |
на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STN3NF06L | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STN3NF06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm |
на замовлення 68173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STN3NF06L | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 60 Volt 4 AMP |
на замовлення 73602 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STN3NF06L | VBsemi |
Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 6A; 1,7W; -55°C ~ 175°C; STN3NF06L TSTN3NF06L VBS кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 36 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STN3NF06L-TR/E |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
STN3NF06LT4 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
STN3NF06L Код товару: 162455 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
STN3NF06 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
STN3NF06 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
STN3NF06 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
STN3NF06 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
STN3NF06 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
STN3NF06L | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; 3.3W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 4A Power dissipation: 3.3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3260 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STN3NF06L | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
STN3NF06L | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
STN3NF06L | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
STN3NF06L | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
STN3NF06 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 4A; 3.3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 4A; 3.3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 23.59 грн |
25+ | 19.65 грн |
52+ | 15.33 грн |
142+ | 14.51 грн |
STN3NF06 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 4A; 3.3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 60V; 4A; 3.3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2408 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 28.31 грн |
25+ | 24.48 грн |
52+ | 18.4 грн |
142+ | 17.42 грн |
STN3NF06 |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
на замовлення 3333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 43.37 грн |
10+ | 35.94 грн |
100+ | 24.91 грн |
500+ | 19.53 грн |
1000+ | 16.62 грн |
2000+ | 14.81 грн |
STN3NF06 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 60 Volt 4 Amp
MOSFET N-Ch 60 Volt 4 Amp
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 47.08 грн |
10+ | 39.98 грн |
100+ | 24.05 грн |
500+ | 22.61 грн |
4000+ | 14.39 грн |
8000+ | 13.74 грн |
STN3NF06 |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STN3NF06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: STMICROELECTRONICS - STN3NF06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 18502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 44.75 грн |
500+ | 35.26 грн |
1000+ | 24.64 грн |
5000+ | 23.51 грн |
STN3NF06 |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STN3NF06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: STMICROELECTRONICS - STN3NF06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.5 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 18502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 80.36 грн |
12+ | 62.22 грн |
100+ | 44.75 грн |
500+ | 35.26 грн |
1000+ | 24.64 грн |
5000+ | 23.51 грн |
STN3NF06L |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; 3.3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; 3.3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 3260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 25.29 грн |
25+ | 20.54 грн |
54+ | 14.72 грн |
148+ | 13.9 грн |
STN3NF06L |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
222+ | 52.58 грн |
455+ | 25.61 грн |
496+ | 23.48 грн |
498+ | 22.55 грн |
613+ | 16.98 грн |
1000+ | 15.22 грн |
2000+ | 15.14 грн |
STN3NF06L |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STN3NF06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STN3NF06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 68173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 44.01 грн |
250+ | 37.3 грн |
1000+ | 28.2 грн |
2000+ | 24.52 грн |
STN3NF06L |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 85631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 64.69 грн |
10+ | 51.21 грн |
100+ | 39.81 грн |
500+ | 31.68 грн |
1000+ | 25.8 грн |
2000+ | 24.29 грн |
STN3NF06L |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
315+ | 37 грн |
318+ | 36.63 грн |
322+ | 36.26 грн |
STN3NF06L |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 67.86 грн |
11+ | 55.99 грн |
25+ | 34.36 грн |
100+ | 32.8 грн |
250+ | 30.06 грн |
500+ | 15.88 грн |
STN3NF06L |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 26.88 грн |
8000+ | 24.65 грн |
12000+ | 23.51 грн |
STN3NF06L |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STN3NF06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STN3NF06L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.07 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
на замовлення 68173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 61.26 грн |
50+ | 44.01 грн |
250+ | 37.3 грн |
1000+ | 28.2 грн |
2000+ | 24.52 грн |
STN3NF06L |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 60 Volt 4 AMP
MOSFET N-Ch 60 Volt 4 AMP
на замовлення 73602 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 69.85 грн |
10+ | 56.83 грн |
100+ | 38.45 грн |
500+ | 32.6 грн |
1000+ | 28.92 грн |
4000+ | 24.58 грн |
8000+ | 23.59 грн |
STN3NF06L |
Виробник: VBsemi
Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 6A; 1,7W; -55°C ~ 175°C; STN3NF06L TSTN3NF06L VBS
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 40mOhm; 6A; 1,7W; -55°C ~ 175°C; STN3NF06L TSTN3NF06L VBS
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 34.12 грн |
STN3NF06 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
STN3NF06 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
STN3NF06 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
STN3NF06 |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 25 V
товар відсутній
STN3NF06 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
STN3NF06L |
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; 3.3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; 3.3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3260 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 30.34 грн |
25+ | 25.59 грн |
54+ | 17.66 грн |
148+ | 16.68 грн |
STN3NF06L |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
STN3NF06L |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
STN3NF06L |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
STN3NF06L |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній