Результат пошуку "SUM70" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 44
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 62
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SUM70030E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SUM70030E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SUM70030E-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 100V Vds; 20V Vgs TO-263 |
на замовлення 616 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SUM70030M-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET |
на замовлення 292 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SUM70040E-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 125W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 76nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 789 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SUM70040E-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 125W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: SMD Gate charge: 76nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 789 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SUM70040E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SUM70040E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SUM70040E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263) |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SUM70040M-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 100V Vds 20V Vgs TO-263-7L |
на замовлення 1066 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SUM70042E-GE3 | Vishay | MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) |
на замовлення 794 шт: термін постачання 133-142 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SUM70060E-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263) |
на замовлення 15495 шт: термін постачання 329-338 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SUM70090E-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263) |
на замовлення 4784 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SUM70101EL-GE3 | Vishay Siliconix | P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Ciss, пФ @ Uds, В = 7000 @ 50; Qg, нКл = 190; Р, Вт = 375; Тексп, °C = -55...+175; TO-263 |
на замовлення 8 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SUM70101EL-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET -100V Vds 20V Vgs TO-263 |
на замовлення 6803 шт: термін постачання 872-881 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SUM70N03-09CP |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SUM70N04-07L |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SUM70N06-11 |
на замовлення 4080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SUM70N06-11-E3 | VISHAY | 09+ TO252 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SUM70060E-GE3 Код товару: 180235 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
SUM70030E-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 150A; Idm: 500A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 150A Pulsed drain current: 500A Power dissipation: 375W Case: TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.48mΩ Mounting: SMD Gate charge: 214nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SUM70030E-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 150A; Idm: 500A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 150A Pulsed drain current: 500A Power dissipation: 375W Case: TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.48mΩ Mounting: SMD Gate charge: 214nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SUM70030E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SUM70030E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SUM70030M-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 150A; Idm: 500A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 150A Pulsed drain current: 500A Power dissipation: 375W Case: TO263-7 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 214nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SUM70030M-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 150A; Idm: 500A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 150A Pulsed drain current: 500A Power dissipation: 375W Case: TO263-7 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 214nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SUM70030M-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 150A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SUM70030M-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 150A 7-Pin(6+Tab) D2PAK Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SUM70030M-GE3 | Vishay | N-Channel 100 V (D-S) MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SUM70040E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SUM70040E-GE3-X | Vishay | MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SUM70040M-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Pulsed drain current: 480A Power dissipation: 375W Case: TO263-7 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.12µC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SUM70040M-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Pulsed drain current: 480A Power dissipation: 375W Case: TO263-7 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.12µC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SUM70040M-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 120A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SUM70040M-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 120A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SUM70040M-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 120A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SUM70042E-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 150A; Idm: 200A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 150A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 278W Case: TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SUM70042E-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 150A; Idm: 200A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 150A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 278W Case: TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SUM70042E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SUM70042E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 150A Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SUM70042M | Vishay | SUM70042M |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SUM70042M-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 2.5 mohm a. 10V 2.3 mohm a. 7.5V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SUM70060E-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 131A; Idm: 240A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 131A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 375W Case: TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 81nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SUM70060E-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 131A; Idm: 240A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 131A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 375W Case: TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 81nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SUM70060E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SUM70060E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 131A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SUM70090E-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 50A; Idm: 120A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 50A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 125W Case: TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SUM70090E-GE3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 50A; Idm: 120A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 50A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 125W Case: TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SUM70090E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SUM70090E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SUM70090E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SUM70101EL-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -120A; 375W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -120A Pulsed drain current: -240A Power dissipation: 375W Case: TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.19µC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SUM70101EL-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -120A; 375W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -120A Pulsed drain current: -240A Power dissipation: 375W Case: TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.19µC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 800 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SUM70101EL-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SUM70101EL-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SUM70N03-09CP-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SUM70N04-07L-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
SUM70030E-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 251.03 грн |
10+ | 211.53 грн |
25+ | 206.92 грн |
50+ | 194.59 грн |
SUM70030E-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 100V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
44+ | 270.34 грн |
52+ | 227.8 грн |
53+ | 222.84 грн |
54+ | 209.56 грн |
SUM70030E-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 100V Vds; 20V Vgs TO-263
MOSFET 100V Vds; 20V Vgs TO-263
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 251.49 грн |
10+ | 208.59 грн |
25+ | 179.41 грн |
100+ | 139.98 грн |
800+ | 111.72 грн |
2400+ | 107.78 грн |
SUM70030M-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 242.28 грн |
10+ | 201.03 грн |
25+ | 174.16 грн |
100+ | 141.3 грн |
800+ | 106.47 грн |
2400+ | 104.49 грн |
SUM70040E-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 76nC
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 76nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 207.16 грн |
5+ | 173.2 грн |
6+ | 132.81 грн |
17+ | 125.28 грн |
SUM70040E-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 76nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 76nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 789 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 248.6 грн |
5+ | 215.83 грн |
6+ | 159.37 грн |
17+ | 150.33 грн |
SUM70040E-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 175.93 грн |
10+ | 155.46 грн |
25+ | 152.65 грн |
100+ | 124.61 грн |
SUM70040E-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel
Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
62+ | 189.46 грн |
70+ | 167.42 грн |
71+ | 164.39 грн |
100+ | 134.2 грн |
SUM70040E-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 204.72 грн |
10+ | 171.56 грн |
25+ | 148.53 грн |
100+ | 120.92 грн |
500+ | 120.27 грн |
800+ | 92.66 грн |
2400+ | 87.41 грн |
SUM70040M-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 100V Vds 20V Vgs TO-263-7L
MOSFET 100V Vds 20V Vgs TO-263-7L
на замовлення 1066 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 209.32 грн |
10+ | 174.58 грн |
25+ | 150.5 грн |
100+ | 122.24 грн |
250+ | 121.58 грн |
500+ | 120.92 грн |
800+ | 113.69 грн |
SUM70042E-GE3 |
Виробник: Vishay
MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S)
MOSFET N-CHANNEL 100-V (D-S)
на замовлення 794 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 204.72 грн |
10+ | 169.29 грн |
25+ | 138.67 грн |
100+ | 118.95 грн |
250+ | 112.38 грн |
500+ | 105.81 грн |
1000+ | 90.69 грн |
SUM70060E-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 15495 шт:
термін постачання 329-338 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 142.61 грн |
10+ | 117.14 грн |
100+ | 81.49 грн |
500+ | 69.66 грн |
2400+ | 68.35 грн |
SUM70090E-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 4784 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 114.24 грн |
10+ | 93.72 грн |
100+ | 76.23 грн |
2400+ | 73.61 грн |
SUM70101EL-GE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Ciss, пФ @ Uds, В = 7000 @ 50; Qg, нКл = 190; Р, Вт = 375; Тексп, °C = -55...+175; TO-263
P-канальний ПТ; Udss, В = 100; Ciss, пФ @ Uds, В = 7000 @ 50; Qg, нКл = 190; Р, Вт = 375; Тексп, °C = -55...+175; TO-263
на замовлення 8 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 384.63 грн |
10+ | 358.99 грн |
100+ | 333.34 грн |
SUM70101EL-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET -100V Vds 20V Vgs TO-263
MOSFET -100V Vds 20V Vgs TO-263
на замовлення 6803 шт:
термін постачання 872-881 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 290.59 грн |
10+ | 240.33 грн |
100+ | 169.56 грн |
500+ | 155.1 грн |
SUM70030E-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 150A; Idm: 500A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 375W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 214nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 150A; Idm: 500A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 375W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 214nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SUM70030E-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 150A; Idm: 500A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 375W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 214nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 150A; Idm: 500A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 375W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.48mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 214nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
SUM70030M-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 150A; Idm: 500A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 375W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 214nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 150A; Idm: 500A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 375W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 214nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SUM70030M-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 150A; Idm: 500A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 375W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 214nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 150A; Idm: 500A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 375W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 214nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
SUM70040M-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 375W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 375W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SUM70040M-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 375W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 375W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
SUM70042E-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 150A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 278W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 150A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 278W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SUM70042E-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 150A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 278W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 150A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 278W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
SUM70042M-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 2.5 mohm a. 10V 2.3 mohm a. 7.5V
MOSFET N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 2.5 mohm a. 10V 2.3 mohm a. 7.5V
товар відсутній
SUM70060E-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 131A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 131A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 375W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 131A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 131A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 375W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SUM70060E-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 131A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 131A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 375W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 131A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 131A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 375W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
SUM70090E-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 50A; Idm: 120A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 50A; Idm: 120A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SUM70090E-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 50A; Idm: 120A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 50A; Idm: 120A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
SUM70101EL-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -120A; 375W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -120A
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 375W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -120A; 375W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -120A
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 375W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SUM70101EL-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -120A; 375W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -120A
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 375W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -120A; 375W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -120A
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 375W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]