Результат пошуку "Si2319" : 42

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
SI2319CDS-T1-BE3 SI2319CDS-T1-BE3 Vishay / Siliconix si2319cd.pdf MOSFET P-CHANNEL 40V (D-S
на замовлення 28210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+39.26 грн
10+ 32.04 грн
100+ 20.11 грн
500+ 16.82 грн
1000+ 13.54 грн
3000+ 11.57 грн
9000+ 10.71 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 VISHAY si2319cds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 10646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+27.79 грн
25+ 20.81 грн
50+ 15.88 грн
137+ 15.06 грн
Мінімальне замовлення: 14
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 VISHAY si2319cds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10646 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+33.35 грн
25+ 25.93 грн
50+ 19.06 грн
137+ 18.07 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Vishay si2319cd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Vishay si2319cd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.77 грн
6000+ 18.06 грн
12000+ 16.81 грн
18000+ 15.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Vishay si2319cd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Vishay Semiconductors si2319cd.pdf MOSFET -40V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 119194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+39.26 грн
10+ 33.18 грн
100+ 20.11 грн
500+ 15.71 грн
1000+ 12.75 грн
3000+ 10.78 грн
9000+ 10.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2319CDS-T1GE3 p-канальний польовий транзистор SOT-23-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
5+52.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI2319DDS-T1-GE3 SI2319DDS-T1-GE3 VISHAY si2319dds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3.6A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+28.01 грн
17+ 21.22 грн
20+ 17.73 грн
25+ 16.02 грн
65+ 12.25 грн
178+ 11.57 грн
1000+ 11.43 грн
Мінімальне замовлення: 14
SI2319DDS-T1-GE3 SI2319DDS-T1-GE3 VISHAY si2319dds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3.6A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2891 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+33.62 грн
10+ 26.45 грн
12+ 21.28 грн
25+ 19.22 грн
65+ 14.7 грн
178+ 13.88 грн
1000+ 13.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2319DDS-T1-GE3 SI2319DDS-T1-GE3 Vishay / Siliconix si2319dds.pdf MOSFET -40V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 172255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+34.96 грн
11+ 28.72 грн
100+ 18.73 грн
500+ 14.66 грн
1000+ 11.37 грн
3000+ 9.79 грн
9000+ 9.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI2319DS-T1-BE3 SI2319DS-T1-BE3 Vishay / Siliconix si2319ds.pdf MOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S)
на замовлення 57995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+51.37 грн
10+ 44.51 грн
100+ 26.42 грн
500+ 22.08 грн
1000+ 19.19 грн
3000+ 16.3 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 VISHAY Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 4062 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.88 грн
10+ 35.19 грн
25+ 31.76 грн
33+ 24.29 грн
90+ 22.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 VISHAY Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4062 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+77.85 грн
6+ 43.85 грн
25+ 38.12 грн
33+ 29.15 грн
90+ 27.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 Vishay si2319ds.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 Vishay si2319ds.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+46.71 грн
252+ 46.25 грн
Мінімальне замовлення: 250
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 Vishay si2319ds.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.64 грн
6000+ 19.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 Vishay si2319ds.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+48.67 грн
14+ 43.37 грн
25+ 42.95 грн
100+ 24.98 грн
250+ 16.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 Vishay Semiconductors MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82 mohms @ 10V
на замовлення 217921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+51.37 грн
10+ 43.83 грн
100+ 26.42 грн
500+ 22.08 грн
1000+ 18.8 грн
3000+ 16.82 грн
6000+ 16.5 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI2319DS-T1-GE3 SI2319DS-T1-GE3 VISHAY si2319ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+45.71 грн
10+ 35.73 грн
25+ 27.93 грн
38+ 21.36 грн
102+ 20.19 грн
1000+ 19.92 грн
3000+ 19.44 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI2319DS-T1-GE3 SI2319DS-T1-GE3 VISHAY si2319ds.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+54.85 грн
10+ 44.53 грн
25+ 33.52 грн
38+ 25.63 грн
102+ 24.23 грн
1000+ 23.91 грн
3000+ 23.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI2319DS-T1-GE3 SI2319DS-T1-GE3 Vishay / Siliconix si2319ds.pdf MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82mohm @ 10V
на замовлення 643544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.78 грн
10+ 37.56 грн
100+ 24.91 грн
500+ 21.49 грн
1000+ 18.8 грн
3000+ 16.89 грн
6000+ 16.04 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2319DS VISHAY
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI2319DS-T1
на замовлення 76900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI2319DS/T1-F3
на замовлення 3071 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI2319-TP SI2319-TP Micro Commercial Components si2319sot-23.pdf P-Channel MOSFET
товар відсутній
SI2319-TP SI2319-TP Micro Commercial Components (MCC) SI2319_SOT_23_-3366095.pdf MOSFET
товар відсутній
SI2319CDS-T1-BE3 VISHAY si2319cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -4.4A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SI2319CDS-T1-BE3 Vishay si2319cd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319CDS-T1-BE3 Vishay si2319cd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Vishay si2319cd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Vishay si2319cd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Vishay si2319cd.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319DDS-T1-GE3 SI2319DDS-T1-GE3 Vishay si2319dds.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319DDS-T1-GE3 SI2319DDS-T1-GE3 Vishay si2319dds.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319DS-T1-BE3 SI2319DS-T1-BE3 Vishay si2319ds.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319DS-T1-E3 SI2319DS-T1-E3 Vishay 72315.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319DS-T1-GE3 SI2319DS-T1-GE3 Vishay si2319ds.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319DS-T1-GE3 SI2319DS-T1-GE3 Vishay 72315.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319CDS-T1-BE3 VISHAY si2319cd.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -4.4A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
SI2319CDS-T1-BE3 si2319cd.pdf
SI2319CDS-T1-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET P-CHANNEL 40V (D-S
на замовлення 28210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.26 грн
10+ 32.04 грн
100+ 20.11 грн
500+ 16.82 грн
1000+ 13.54 грн
3000+ 11.57 грн
9000+ 10.71 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2319CDS-T1-GE3 si2319cds.pdf
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 10646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+27.79 грн
25+ 20.81 грн
50+ 15.88 грн
137+ 15.06 грн
Мінімальне замовлення: 14
SI2319CDS-T1-GE3 si2319cds.pdf
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10646 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+33.35 грн
25+ 25.93 грн
50+ 19.06 грн
137+ 18.07 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2319CDS-T1-GE3 si2319cd.pdf
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+12.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319CDS-T1-GE3 si2319cd.pdf
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+19.77 грн
6000+ 18.06 грн
12000+ 16.81 грн
18000+ 15.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319CDS-T1-GE3 si2319cd.pdf
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319CDS-T1-GE3 si2319cd.pdf
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET -40V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 119194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.26 грн
10+ 33.18 грн
100+ 20.11 грн
500+ 15.71 грн
1000+ 12.75 грн
3000+ 10.78 грн
9000+ 10.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2319CDS-T1GE3
p-канальний польовий транзистор SOT-23-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+52.27 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI2319DDS-T1-GE3 si2319dds.pdf
SI2319DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3.6A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+28.01 грн
17+ 21.22 грн
20+ 17.73 грн
25+ 16.02 грн
65+ 12.25 грн
178+ 11.57 грн
1000+ 11.43 грн
Мінімальне замовлення: 14
SI2319DDS-T1-GE3 si2319dds.pdf
SI2319DDS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3.6A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2891 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+33.62 грн
10+ 26.45 грн
12+ 21.28 грн
25+ 19.22 грн
65+ 14.7 грн
178+ 13.88 грн
1000+ 13.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2319DDS-T1-GE3 si2319dds.pdf
SI2319DDS-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET -40V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 172255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.96 грн
11+ 28.72 грн
100+ 18.73 грн
500+ 14.66 грн
1000+ 11.37 грн
3000+ 9.79 грн
9000+ 9.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI2319DS-T1-BE3 si2319ds.pdf
SI2319DS-T1-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S)
на замовлення 57995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+51.37 грн
10+ 44.51 грн
100+ 26.42 грн
500+ 22.08 грн
1000+ 19.19 грн
3000+ 16.3 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI2319DS-T1-E3
SI2319DS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 4062 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+64.88 грн
10+ 35.19 грн
25+ 31.76 грн
33+ 24.29 грн
90+ 22.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI2319DS-T1-E3
SI2319DS-T1-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4062 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+77.85 грн
6+ 43.85 грн
25+ 38.12 грн
33+ 29.15 грн
90+ 27.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
SI2319DS-T1-E3 si2319ds.pdf
SI2319DS-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+18.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319DS-T1-E3 si2319ds.pdf
SI2319DS-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
250+46.71 грн
252+ 46.25 грн
Мінімальне замовлення: 250
SI2319DS-T1-E3 si2319ds.pdf
SI2319DS-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+19.64 грн
6000+ 19.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SI2319DS-T1-E3 si2319ds.pdf
SI2319DS-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+48.67 грн
14+ 43.37 грн
25+ 42.95 грн
100+ 24.98 грн
250+ 16.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
SI2319DS-T1-E3
SI2319DS-T1-E3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82 mohms @ 10V
на замовлення 217921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+51.37 грн
10+ 43.83 грн
100+ 26.42 грн
500+ 22.08 грн
1000+ 18.8 грн
3000+ 16.82 грн
6000+ 16.5 грн
Мінімальне замовлення: 6
SI2319DS-T1-GE3 si2319ds.pdf
SI2319DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+45.71 грн
10+ 35.73 грн
25+ 27.93 грн
38+ 21.36 грн
102+ 20.19 грн
1000+ 19.92 грн
3000+ 19.44 грн
Мінімальне замовлення: 9
SI2319DS-T1-GE3 si2319ds.pdf
SI2319DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+54.85 грн
10+ 44.53 грн
25+ 33.52 грн
38+ 25.63 грн
102+ 24.23 грн
1000+ 23.91 грн
3000+ 23.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
SI2319DS-T1-GE3 si2319ds.pdf
SI2319DS-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82mohm @ 10V
на замовлення 643544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+42.78 грн
10+ 37.56 грн
100+ 24.91 грн
500+ 21.49 грн
1000+ 18.8 грн
3000+ 16.89 грн
6000+ 16.04 грн
Мінімальне замовлення: 8
SI2319DS
Виробник: VISHAY
на замовлення 9200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI2319DS-T1
на замовлення 76900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI2319DS/T1-F3
на замовлення 3071 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SI2319-TP si2319sot-23.pdf
SI2319-TP
Виробник: Micro Commercial Components
P-Channel MOSFET
товар відсутній
SI2319-TP SI2319_SOT_23_-3366095.pdf
SI2319-TP
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
MOSFET
товар відсутній
SI2319CDS-T1-BE3 si2319cd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -4.4A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SI2319CDS-T1-BE3 si2319cd.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319CDS-T1-BE3 si2319cd.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319CDS-T1-GE3 si2319cd.pdf
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319CDS-T1-GE3 si2319cd.pdf
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319CDS-T1-GE3 si2319cd.pdf
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319DDS-T1-GE3 si2319dds.pdf
SI2319DDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319DDS-T1-GE3 si2319dds.pdf
SI2319DDS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319DS-T1-BE3 si2319ds.pdf
SI2319DS-T1-BE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319DS-T1-E3 72315.pdf
SI2319DS-T1-E3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319DS-T1-GE3 si2319ds.pdf
SI2319DS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319DS-T1-GE3 72315.pdf
SI2319DS-T1-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
SI2319CDS-T1-BE3 si2319cd.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -4.4A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній