Результат пошуку "Si2319" : 42
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 250
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 8
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SI2319CDS-T1-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET P-CHANNEL 40V (D-S |
на замовлення 28210 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2319CDS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -3.5A Power dissipation: 1.6W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 108mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 10646 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2319CDS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -3.5A Power dissipation: 1.6W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 108mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10646 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2319CDS-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2319CDS-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2319CDS-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2319CDS-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET -40V Vds 20V Vgs SOT-23 |
на замовлення 119194 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2319CDS-T1GE3 | p-канальний польовий транзистор SOT-23-3 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
SI2319DDS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3.6A; Idm: -15A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -3.6A Pulsed drain current: -15A Power dissipation: 1.7W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2891 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2319DDS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3.6A; Idm: -15A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -3.6A Pulsed drain current: -15A Power dissipation: 1.7W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 19nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2891 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2319DDS-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET -40V Vds 20V Vgs SOT-23 |
на замовлення 172255 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2319DS-T1-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S) |
на замовлення 57995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2319DS-T1-E3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -2.4A Pulsed drain current: -12A Power dissipation: 0.8W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 4062 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2319DS-T1-E3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -2.4A Pulsed drain current: -12A Power dissipation: 0.8W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4062 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2319DS-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2319DS-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2319DS-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2319DS-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2319DS-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82 mohms @ 10V |
на замовлення 217921 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2319DS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3A; Idm: -12A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -3A Pulsed drain current: -12A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2319DS-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3A; Idm: -12A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -3A Pulsed drain current: -12A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.13Ω Mounting: SMD Gate charge: 17nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2319DS-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82mohm @ 10V |
на замовлення 643544 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SI2319DS | VISHAY |
на замовлення 9200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
SI2319DS-T1 |
на замовлення 76900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SI2319DS/T1-F3 |
на замовлення 3071 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SI2319-TP | Micro Commercial Components | P-Channel MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SI2319-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SI2319CDS-T1-BE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -4.4A; Idm: -20A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -4.4A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 108mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SI2319CDS-T1-BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SI2319CDS-T1-BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SI2319CDS-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SI2319CDS-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SI2319CDS-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SI2319DDS-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SI2319DDS-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 2.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SI2319DS-T1-BE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SI2319DS-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SI2319DS-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SI2319DS-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SI2319CDS-T1-BE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -4.4A; Idm: -20A Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -4.4A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 2.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 108mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
SI2319CDS-T1-BE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET P-CHANNEL 40V (D-S
MOSFET P-CHANNEL 40V (D-S
на замовлення 28210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 39.26 грн |
10+ | 32.04 грн |
100+ | 20.11 грн |
500+ | 16.82 грн |
1000+ | 13.54 грн |
3000+ | 11.57 грн |
9000+ | 10.71 грн |
SI2319CDS-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 10646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 27.79 грн |
25+ | 20.81 грн |
50+ | 15.88 грн |
137+ | 15.06 грн |
SI2319CDS-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.5A; 1.6W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10646 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 33.35 грн |
25+ | 25.93 грн |
50+ | 19.06 грн |
137+ | 18.07 грн |
SI2319CDS-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 12.07 грн |
SI2319CDS-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 19.77 грн |
6000+ | 18.06 грн |
12000+ | 16.81 грн |
18000+ | 15.28 грн |
SI2319CDS-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 13 грн |
SI2319CDS-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET -40V Vds 20V Vgs SOT-23
MOSFET -40V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 119194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 39.26 грн |
10+ | 33.18 грн |
100+ | 20.11 грн |
500+ | 15.71 грн |
1000+ | 12.75 грн |
3000+ | 10.78 грн |
9000+ | 10.06 грн |
SI2319CDS-T1GE3 |
p-канальний польовий транзистор SOT-23-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 52.27 грн |
SI2319DDS-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3.6A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3.6A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 28.01 грн |
17+ | 21.22 грн |
20+ | 17.73 грн |
25+ | 16.02 грн |
65+ | 12.25 грн |
178+ | 11.57 грн |
1000+ | 11.43 грн |
SI2319DDS-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3.6A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3.6A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.6A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2891 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 33.62 грн |
10+ | 26.45 грн |
12+ | 21.28 грн |
25+ | 19.22 грн |
65+ | 14.7 грн |
178+ | 13.88 грн |
1000+ | 13.72 грн |
SI2319DDS-T1-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET -40V Vds 20V Vgs SOT-23
MOSFET -40V Vds 20V Vgs SOT-23
на замовлення 172255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 34.96 грн |
11+ | 28.72 грн |
100+ | 18.73 грн |
500+ | 14.66 грн |
1000+ | 11.37 грн |
3000+ | 9.79 грн |
9000+ | 9.46 грн |
SI2319DS-T1-BE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S)
MOSFET P-CHANNEL 40-V (D-S)
на замовлення 57995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 51.37 грн |
10+ | 44.51 грн |
100+ | 26.42 грн |
500+ | 22.08 грн |
1000+ | 19.19 грн |
3000+ | 16.3 грн |
SI2319DS-T1-E3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 4062 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 64.88 грн |
10+ | 35.19 грн |
25+ | 31.76 грн |
33+ | 24.29 грн |
90+ | 22.97 грн |
SI2319DS-T1-E3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -2.4A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2.4A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4062 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 77.85 грн |
6+ | 43.85 грн |
25+ | 38.12 грн |
33+ | 29.15 грн |
90+ | 27.56 грн |
SI2319DS-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 18.36 грн |
SI2319DS-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
250+ | 46.71 грн |
252+ | 46.25 грн |
SI2319DS-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 19.64 грн |
6000+ | 19.46 грн |
SI2319DS-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 48.67 грн |
14+ | 43.37 грн |
25+ | 42.95 грн |
100+ | 24.98 грн |
250+ | 16.42 грн |
SI2319DS-T1-E3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82 mohms @ 10V
MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82 mohms @ 10V
на замовлення 217921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 51.37 грн |
10+ | 43.83 грн |
100+ | 26.42 грн |
500+ | 22.08 грн |
1000+ | 18.8 грн |
3000+ | 16.82 грн |
6000+ | 16.5 грн |
SI2319DS-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 45.71 грн |
10+ | 35.73 грн |
25+ | 27.93 грн |
38+ | 21.36 грн |
102+ | 20.19 грн |
1000+ | 19.92 грн |
3000+ | 19.44 грн |
SI2319DS-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -3A; Idm: -12A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -12A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.13Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 54.85 грн |
10+ | 44.53 грн |
25+ | 33.52 грн |
38+ | 25.63 грн |
102+ | 24.23 грн |
1000+ | 23.91 грн |
3000+ | 23.33 грн |
SI2319DS-T1-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82mohm @ 10V
MOSFET 40V 3.0A 1.25W 82mohm @ 10V
на замовлення 643544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 42.78 грн |
10+ | 37.56 грн |
100+ | 24.91 грн |
500+ | 21.49 грн |
1000+ | 18.8 грн |
3000+ | 16.89 грн |
6000+ | 16.04 грн |
SI2319CDS-T1-BE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -4.4A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -4.4A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
SI2319CDS-T1-BE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -4.4A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -4.4A; Idm: -20A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 108mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній