Результат пошуку "Si48" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 15
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 321
Мінімальне замовлення: 16
Мінімальне замовлення: 45
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 116
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 236
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 434
Мінімальне замовлення: 23
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 9
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SI4835DDY Код товару: 101041 |
Vishay |
Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SO-8 Uds,V: 30 V Id,A: 13 A Rds(on),Om: 0,018 Ohm Монтаж: SMD |
у наявності: 11 шт
|
|
|||||||||||||||||||
SI4848DY-T1-E3 Код товару: 115193 |
Мікросхеми > Інші мікросхеми |
очікується:
4 шт
|
|||||||||||||||||||||
SI480 | ALUTRONIC |
Category: Heatsinks - equipment Description: Heat transfer pad: silicone; TO3; Thk: 0.18mm; 900mW/mK; -60÷200°C Application: TO3 Operating temperature: -60...200°C Thickness: 0.18mm Type of heat transfer pad: silicone Thermal conductivity: 0.9W/mK Dielectric strength: 2.5kV Dimensions: 41.9x29mm Mounting: screw Material: glass fiber reinforced silicone |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI4800BDY-T1-E3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; 2.5W; SO8 Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SO8 Gate charge: 13nC Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Gate-source voltage: ±25V Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W On-state resistance: 30mΩ Drain current: 7A Drain-source voltage: 30V |
на замовлення 2862 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI4800BDY-T1-E3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; 2.5W; SO8 Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SO8 Gate charge: 13nC Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Gate-source voltage: ±25V Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.5W On-state resistance: 30mΩ Drain current: 7A Drain-source voltage: 30V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2862 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI4800BDY-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V 9A 2.5W |
на замовлення 7095 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI4800BDY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI4800BDY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI4800BDY-T1-E3 | Siliconix |
N-MOSFET 6.5A 30V 1.3W 0.0185Ω SI4800BDY-e3 TSI4800bdy-e3 кількість в упаковці: 15 шт |
на замовлення 60 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI4800BDY-T1-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 30V 9.0A 2.5W 18.5mohm @ 10V |
на замовлення 12422 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI4804CDY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V 8.0A 3.1W 22mohm @ 10V |
на замовлення 8725 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI481 | ALUTRONIC |
Category: Heatsinks - equipment Description: Heat transfer pad: silicone; TO3; Thk: 0.23mm; 900mW/mK; -60÷200°C Application: TO3 Operating temperature: -60...200°C Thickness: 0.23mm Type of heat transfer pad: silicone Thermal conductivity: 0.9W/mK Dielectric strength: 5kV Dimensions: 41.9x29mm Mounting: screw Material: glass fiber reinforced silicone |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI4816BDY-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 17385 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI4816BDY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 9700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI4816BDY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI4816BDY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI4816BDY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI4816BDY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI4816BDY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 15202 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI4816BDY-T1-GE3 | Siliconix |
2xN-MOSFET 30V 5.8A SI4816BDY-T1-E3TR SI4816BDY-T1-GE3TR TSI4816bdy кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 54 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI4816DY | Vishay Semiconductor | 2N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 5,3 А; Qg, нКл = 12 @ 5 В; Rds = 22 мОм @ 6,3 A, 10 В; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; Р, Вт = 1; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; Id2 = 7,7 A; P2 = 1,25 Вт; SOICN-8 |
на замовлення 88 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI4824-A10-CU | Skyworks Solutions | RF Receiver AM/FM/SW 3.3V 24-Pin SSOP |
на замовлення 557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI4824-A10-CU | Skyworks Solutions | RF Receiver AM/FM/SW 3.3V 24-Pin SSOP |
на замовлення 557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI4825-A10-CS | Skyworks Solutions, Inc. | RF Receiver Consumer Electronics. AM/FM/SW RX for mechanical radios, wide FM/SW band, 16p SOIC, lead free |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI4825-A10-CSR | Silicon Labs | ІМС SOIC-16 AM/FM/SW RX for mechanical radios, wide FM/SW band, mono output; 0...+70C |
на замовлення 2 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI4825-A10-CSR | Skyworks Solutions, Inc. | RF Receiver Consumer Electronics. AM/FM/SW RX for mechanical radios, wide FM/SW band, 16p SOIC, lead free |
на замовлення 1799 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI4825DDY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET -30V Vds 25V Vgs SO-8 |
на замовлення 12549 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI4827-A10-CS | Skyworks Solutions, Inc. | RF Receiver FM/AM/SW-wide band with mechanical tuning/digital display |
на замовлення 109 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI4831-B30-GUR | Skyworks Solutions | RF Receiver AM/FM/SW 2.5V/3.3V 24-Pin SSOP T/R |
на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
SI4831-B30-GUR | Skyworks Solutions, Inc. | RF Receiver FM/AM with mechanical tuning/stereo |
на замовлення 2395 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI4831-B30-GUR | Skyworks Solutions | RF Receiver AM/FM/SW 2.5V/3.3V 24-Pin SSOP T/R |
на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI4835-B30-GU | Skyworks Solutions, Inc. | RF Receiver FM/AM/SW with mechanical tuning/stereo |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI4835DDY-T1-E3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.7A; 5.6W; SO8 Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SO8 Gate charge: 65nC Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Gate-source voltage: ±25V Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 5.6W On-state resistance: 30mΩ Drain current: -7.7A Drain-source voltage: -30V |
на замовлення 4097 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI4835DDY-T1-E3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.7A; 5.6W; SO8 Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SO8 Gate charge: 65nC Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Gate-source voltage: ±25V Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 5.6W On-state resistance: 30mΩ Drain current: -7.7A Drain-source voltage: -30V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4097 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI4835DDY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI4835DDY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI4835DDY-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFET -30V Vds 25V Vgs SO-8 |
на замовлення 8292 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI4835DDY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI4835DDY-T1-E3 | Siliconix |
P-MOSFET 13A 30V 5,6W SI4835DDY SMD TSI4835ddy кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI4835DDY-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; Idm: -50A; 3.6W; SO8 Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SO8 Gate charge: 65nC Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: -50A Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 3.6W On-state resistance: 18mΩ Drain current: -13A Drain-source voltage: -30V |
на замовлення 697 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI4835DDY-T1-GE3 | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; Idm: -50A; 3.6W; SO8 Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SO8 Gate charge: 65nC Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: -50A Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 3.6W On-state resistance: 18mΩ Drain current: -13A Drain-source voltage: -30V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 697 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI4835DDY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET -30V Vds 25V Vgs SO-8 |
на замовлення 3553 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI4835DDY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI4835DDY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI4836-A10-GS | Skyworks Solutions, Inc. | RF Receiver Consumer Electronics. Enhanced AM/FM/SW RX for mechanical tuned radios,wide FM/SW band, 16p SOIC, lead free |
на замовлення 68 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI4836-A10-GSR | Skyworks Solutions, Inc. | RF Receiver Consumer Electronics. Enhanced AM/FM/SW RX for mechanical tuned radios,wide FM/SW band, 16p SOIC, lead free |
на замовлення 4912 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI4836-A10-GSR | Skyworks Solutions | RF Receiver AM/FM/SW 2.5V/3.3V 16-Pin SOIC T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI4836-A10-GSR | Skyworks Solutions | RF Receiver AM/FM/SW 2.5V/3.3V 16-Pin SOIC T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI4838BDY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 12V Vds 8V Vgs SO-8 |
на замовлення 4208 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI4838BDY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 12V 34A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI4838BDY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 12V 34A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI4838BDY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 12V 34A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI4838DY-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFET RECOMMENDED ALT SI4838BDY-GE3 |
на замовлення 10930 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI4840BDY | Siliconix |
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 12mOhm; 19A; 6W; -55°C ~ 150°C; SI4840BDY TSI4840bdy кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI4840BDY-T1-E3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 9.9A; 6W; SO8 Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SO8 Gate charge: 50nC Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 6W On-state resistance: 12mΩ Drain current: 9.9A Drain-source voltage: 40V |
на замовлення 2768 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI4840BDY-T1-E3 | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 9.9A; 6W; SO8 Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Case: SO8 Gate charge: 50nC Kind of channel: enhanced Mounting: SMD Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 6W On-state resistance: 12mΩ Drain current: 9.9A Drain-source voltage: 40V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2768 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI4840BDY-T1-E3 | Vishay Semiconductors | MOSFET 40V Vds 20V Vgs SO-8 |
на замовлення 14576 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI4840BDY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
SI4840BDY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
SI4840BDY-T1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
SI4835DDY Код товару: 101041 |
Виробник: Vishay
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 13 A
Rds(on),Om: 0,018 Ohm
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 13 A
Rds(on),Om: 0,018 Ohm
Монтаж: SMD
у наявності: 11 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 36 грн |
10+ | 32.4 грн |
SI480 |
Виробник: ALUTRONIC
Category: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: silicone; TO3; Thk: 0.18mm; 900mW/mK; -60÷200°C
Application: TO3
Operating temperature: -60...200°C
Thickness: 0.18mm
Type of heat transfer pad: silicone
Thermal conductivity: 0.9W/mK
Dielectric strength: 2.5kV
Dimensions: 41.9x29mm
Mounting: screw
Material: glass fiber reinforced silicone
Category: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: silicone; TO3; Thk: 0.18mm; 900mW/mK; -60÷200°C
Application: TO3
Operating temperature: -60...200°C
Thickness: 0.18mm
Type of heat transfer pad: silicone
Thermal conductivity: 0.9W/mK
Dielectric strength: 2.5kV
Dimensions: 41.9x29mm
Mounting: screw
Material: glass fiber reinforced silicone
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 210.85 грн |
12+ | 185.52 грн |
SI4800BDY-T1-E3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; 2.5W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±25V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: 7A
Drain-source voltage: 30V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; 2.5W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±25V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: 7A
Drain-source voltage: 30V
на замовлення 2862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 25.29 грн |
25+ | 21.91 грн |
45+ | 17.67 грн |
124+ | 16.7 грн |
SI4800BDY-T1-E3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; 2.5W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±25V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: 7A
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; 2.5W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±25V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: 7A
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2862 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 30.34 грн |
25+ | 27.3 грн |
45+ | 21.2 грн |
124+ | 20.04 грн |
SI4800BDY-T1-E3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V 9A 2.5W
MOSFET 30V 9A 2.5W
на замовлення 7095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 61.34 грн |
10+ | 48.82 грн |
100+ | 31.74 грн |
500+ | 26.62 грн |
1000+ | 22.67 грн |
2500+ | 21.88 грн |
SI4800BDY-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
321+ | 36.33 грн |
326+ | 35.76 грн |
377+ | 30.92 грн |
379+ | 29.65 грн |
500+ | 22.22 грн |
SI4800BDY-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 37.03 грн |
18+ | 33.74 грн |
25+ | 33.2 грн |
100+ | 27.69 грн |
250+ | 25.49 грн |
500+ | 19.81 грн |
SI4800BDY-T1-E3 |
Виробник: Siliconix
N-MOSFET 6.5A 30V 1.3W 0.0185Ω SI4800BDY-e3 TSI4800bdy-e3
кількість в упаковці: 15 шт
N-MOSFET 6.5A 30V 1.3W 0.0185Ω SI4800BDY-e3 TSI4800bdy-e3
кількість в упаковці: 15 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
45+ | 17.06 грн |
SI4800BDY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 30V 9.0A 2.5W 18.5mohm @ 10V
MOSFET 30V 9.0A 2.5W 18.5mohm @ 10V
на замовлення 12422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 59.19 грн |
10+ | 47.92 грн |
100+ | 32.4 грн |
500+ | 27.08 грн |
1000+ | 22.41 грн |
2500+ | 20.5 грн |
5000+ | 19.91 грн |
SI4804CDY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V 8.0A 3.1W 22mohm @ 10V
MOSFET 30V 8.0A 3.1W 22mohm @ 10V
на замовлення 8725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 42.09 грн |
10+ | 37.34 грн |
100+ | 24.45 грн |
500+ | 22.08 грн |
5000+ | 21.69 грн |
10000+ | 20.83 грн |
25000+ | 20.44 грн |
SI481 |
Виробник: ALUTRONIC
Category: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: silicone; TO3; Thk: 0.23mm; 900mW/mK; -60÷200°C
Application: TO3
Operating temperature: -60...200°C
Thickness: 0.23mm
Type of heat transfer pad: silicone
Thermal conductivity: 0.9W/mK
Dielectric strength: 5kV
Dimensions: 41.9x29mm
Mounting: screw
Material: glass fiber reinforced silicone
Category: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: silicone; TO3; Thk: 0.23mm; 900mW/mK; -60÷200°C
Application: TO3
Operating temperature: -60...200°C
Thickness: 0.23mm
Type of heat transfer pad: silicone
Thermal conductivity: 0.9W/mK
Dielectric strength: 5kV
Dimensions: 41.9x29mm
Mounting: screw
Material: glass fiber reinforced silicone
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 572.09 грн |
5+ | 502.48 грн |
SI4816BDY-T1-E3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 17385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 112.71 грн |
10+ | 92.96 грн |
100+ | 64.21 грн |
250+ | 61.12 грн |
500+ | 53.5 грн |
1000+ | 46.79 грн |
5000+ | 45.87 грн |
SI4816BDY-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 9700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
116+ | 100.9 грн |
127+ | 92.17 грн |
156+ | 75 грн |
200+ | 67.64 грн |
500+ | 62.37 грн |
1000+ | 53.22 грн |
2000+ | 49.65 грн |
2500+ | 49.56 грн |
5000+ | 48.23 грн |
SI4816BDY-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 63.02 грн |
SI4816BDY-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 63.02 грн |
SI4816BDY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 34.2 грн |
SI4816BDY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 5.8A/8.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 69.74 грн |
SI4816BDY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 15202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 112.71 грн |
10+ | 92.96 грн |
100+ | 64.21 грн |
250+ | 61.12 грн |
500+ | 53.5 грн |
1000+ | 45.87 грн |
2500+ | 44.43 грн |
SI4816BDY-T1-GE3 |
Виробник: Siliconix
2xN-MOSFET 30V 5.8A SI4816BDY-T1-E3TR SI4816BDY-T1-GE3TR TSI4816bdy
кількість в упаковці: 10 шт
2xN-MOSFET 30V 5.8A SI4816BDY-T1-E3TR SI4816BDY-T1-GE3TR TSI4816bdy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 40.26 грн |
SI4816DY |
Виробник: Vishay Semiconductor
2N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 5,3 А; Qg, нКл = 12 @ 5 В; Rds = 22 мОм @ 6,3 A, 10 В; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; Р, Вт = 1; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; Id2 = 7,7 A; P2 = 1,25 Вт; SOICN-8
2N-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 5,3 А; Qg, нКл = 12 @ 5 В; Rds = 22 мОм @ 6,3 A, 10 В; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; Р, Вт = 1; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; Id2 = 7,7 A; P2 = 1,25 Вт; SOICN-8
на замовлення 88 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 86.81 грн |
10+ | 81.03 грн |
100+ | 75.24 грн |
SI4824-A10-CU |
Виробник: Skyworks Solutions
RF Receiver AM/FM/SW 3.3V 24-Pin SSOP
RF Receiver AM/FM/SW 3.3V 24-Pin SSOP
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
236+ | 49.39 грн |
SI4824-A10-CU |
Виробник: Skyworks Solutions
RF Receiver AM/FM/SW 3.3V 24-Pin SSOP
RF Receiver AM/FM/SW 3.3V 24-Pin SSOP
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 45.87 грн |
SI4825-A10-CS |
Виробник: Skyworks Solutions, Inc.
RF Receiver Consumer Electronics. AM/FM/SW RX for mechanical radios, wide FM/SW band, 16p SOIC, lead free
RF Receiver Consumer Electronics. AM/FM/SW RX for mechanical radios, wide FM/SW band, 16p SOIC, lead free
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 290.59 грн |
10+ | 236.56 грн |
96+ | 181.38 грн |
288+ | 168.9 грн |
528+ | 151.81 грн |
1008+ | 127.5 грн |
2544+ | 124.87 грн |
SI4825-A10-CSR |
Виробник: Silicon Labs
ІМС SOIC-16 AM/FM/SW RX for mechanical radios, wide FM/SW band, mono output; 0...+70C
ІМС SOIC-16 AM/FM/SW RX for mechanical radios, wide FM/SW band, mono output; 0...+70C
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 166.32 грн |
SI4825-A10-CSR |
Виробник: Skyworks Solutions, Inc.
RF Receiver Consumer Electronics. AM/FM/SW RX for mechanical radios, wide FM/SW band, 16p SOIC, lead free
RF Receiver Consumer Electronics. AM/FM/SW RX for mechanical radios, wide FM/SW band, 16p SOIC, lead free
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 141.84 грн |
2500+ | 139.06 грн |
5000+ | 117.64 грн |
SI4825DDY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET -30V Vds 25V Vgs SO-8
MOSFET -30V Vds 25V Vgs SO-8
на замовлення 12549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 64.17 грн |
10+ | 51.69 грн |
100+ | 35.03 грн |
500+ | 29.71 грн |
1000+ | 24.18 грн |
2500+ | 22.67 грн |
5000+ | 22.21 грн |
SI4827-A10-CS |
Виробник: Skyworks Solutions, Inc.
RF Receiver FM/AM/SW-wide band with mechanical tuning/digital display
RF Receiver FM/AM/SW-wide band with mechanical tuning/digital display
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 328.92 грн |
10+ | 268.3 грн |
96+ | 206.36 грн |
288+ | 191.24 грн |
528+ | 171.53 грн |
1008+ | 144.58 грн |
2544+ | 140.64 грн |
SI4831-B30-GUR |
Виробник: Skyworks Solutions
RF Receiver AM/FM/SW 2.5V/3.3V 24-Pin SSOP T/R
RF Receiver AM/FM/SW 2.5V/3.3V 24-Pin SSOP T/R
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)SI4831-B30-GUR |
Виробник: Skyworks Solutions, Inc.
RF Receiver FM/AM with mechanical tuning/stereo
RF Receiver FM/AM with mechanical tuning/stereo
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 193.98 грн |
10+ | 166.27 грн |
100+ | 136.7 грн |
250+ | 128.81 грн |
500+ | 121.58 грн |
1000+ | 113.69 грн |
SI4831-B30-GUR |
Виробник: Skyworks Solutions
RF Receiver AM/FM/SW 2.5V/3.3V 24-Pin SSOP T/R
RF Receiver AM/FM/SW 2.5V/3.3V 24-Pin SSOP T/R
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 118.63 грн |
SI4835-B30-GU |
Виробник: Skyworks Solutions, Inc.
RF Receiver FM/AM/SW with mechanical tuning/stereo
RF Receiver FM/AM/SW with mechanical tuning/stereo
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 301.32 грн |
10+ | 253.18 грн |
112+ | 204.39 грн |
280+ | 180.07 грн |
504+ | 161.67 грн |
1008+ | 136.04 грн |
2520+ | 129.47 грн |
SI4835DDY-T1-E3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.7A; 5.6W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Gate charge: 65nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±25V
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 5.6W
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: -7.7A
Drain-source voltage: -30V
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.7A; 5.6W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Gate charge: 65nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±25V
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 5.6W
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: -7.7A
Drain-source voltage: -30V
на замовлення 4097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 71.51 грн |
9+ | 41.62 грн |
25+ | 32.18 грн |
69+ | 30.12 грн |
500+ | 29.09 грн |
SI4835DDY-T1-E3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.7A; 5.6W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Gate charge: 65nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±25V
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 5.6W
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: -7.7A
Drain-source voltage: -30V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7.7A; 5.6W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Gate charge: 65nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±25V
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 5.6W
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: -7.7A
Drain-source voltage: -30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4097 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 85.81 грн |
5+ | 51.87 грн |
25+ | 38.61 грн |
69+ | 36.15 грн |
500+ | 34.91 грн |
SI4835DDY-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 31.73 грн |
5000+ | 30.46 грн |
SI4835DDY-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 19.55 грн |
SI4835DDY-T1-E3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET -30V Vds 25V Vgs SO-8
MOSFET -30V Vds 25V Vgs SO-8
на замовлення 8292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 84.34 грн |
10+ | 67.87 грн |
100+ | 45.94 грн |
500+ | 38.97 грн |
1000+ | 31.74 грн |
2500+ | 30.89 грн |
5000+ | 30.23 грн |
SI4835DDY-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 34.21 грн |
5000+ | 32.85 грн |
SI4835DDY-T1-E3 |
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 31.56 грн |
SI4835DDY-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; Idm: -50A; 3.6W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Gate charge: 65nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.6W
On-state resistance: 18mΩ
Drain current: -13A
Drain-source voltage: -30V
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; Idm: -50A; 3.6W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Gate charge: 65nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.6W
On-state resistance: 18mΩ
Drain current: -13A
Drain-source voltage: -30V
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 57.5 грн |
11+ | 33.13 грн |
25+ | 29.3 грн |
29+ | 28.2 грн |
78+ | 26.7 грн |
500+ | 25.67 грн |
SI4835DDY-T1-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; Idm: -50A; 3.6W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Gate charge: 65nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.6W
On-state resistance: 18mΩ
Drain current: -13A
Drain-source voltage: -30V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -13A; Idm: -50A; 3.6W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Gate charge: 65nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -50A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 3.6W
On-state resistance: 18mΩ
Drain current: -13A
Drain-source voltage: -30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 697 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 69.01 грн |
7+ | 41.29 грн |
25+ | 35.16 грн |
29+ | 33.85 грн |
78+ | 32.04 грн |
500+ | 30.81 грн |
SI4835DDY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET -30V Vds 25V Vgs SO-8
MOSFET -30V Vds 25V Vgs SO-8
на замовлення 3553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 84.34 грн |
10+ | 67.11 грн |
100+ | 45.94 грн |
500+ | 38.25 грн |
1000+ | 31.28 грн |
2500+ | 30.17 грн |
SI4835DDY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
434+ | 26.85 грн |
435+ | 26.8 грн |
436+ | 26.75 грн |
456+ | 24.63 грн |
457+ | 22.76 грн |
500+ | 20.92 грн |
1000+ | 19.13 грн |
SI4835DDY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
23+ | 25.77 грн |
24+ | 24.93 грн |
25+ | 24.89 грн |
50+ | 23.96 грн |
100+ | 21.18 грн |
250+ | 20.29 грн |
500+ | 19.43 грн |
1000+ | 17.77 грн |
SI4836-A10-GS |
Виробник: Skyworks Solutions, Inc.
RF Receiver Consumer Electronics. Enhanced AM/FM/SW RX for mechanical tuned radios,wide FM/SW band, 16p SOIC, lead free
RF Receiver Consumer Electronics. Enhanced AM/FM/SW RX for mechanical tuned radios,wide FM/SW band, 16p SOIC, lead free
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 309.76 грн |
10+ | 230.51 грн |
96+ | 180.07 грн |
288+ | 161.67 грн |
528+ | 136.04 грн |
2544+ | 132.75 грн |
5040+ | 129.47 грн |
SI4836-A10-GSR |
Виробник: Skyworks Solutions, Inc.
RF Receiver Consumer Electronics. Enhanced AM/FM/SW RX for mechanical tuned radios,wide FM/SW band, 16p SOIC, lead free
RF Receiver Consumer Electronics. Enhanced AM/FM/SW RX for mechanical tuned radios,wide FM/SW band, 16p SOIC, lead free
на замовлення 4912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 301.32 грн |
10+ | 266.79 грн |
100+ | 190.59 грн |
250+ | 180.73 грн |
500+ | 161.67 грн |
1000+ | 136.7 грн |
2500+ | 125.52 грн |
SI4836-A10-GSR |
Виробник: Skyworks Solutions
RF Receiver AM/FM/SW 2.5V/3.3V 16-Pin SOIC T/R
RF Receiver AM/FM/SW 2.5V/3.3V 16-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 131.87 грн |
SI4836-A10-GSR |
Виробник: Skyworks Solutions
RF Receiver AM/FM/SW 2.5V/3.3V 16-Pin SOIC T/R
RF Receiver AM/FM/SW 2.5V/3.3V 16-Pin SOIC T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 122.45 грн |
SI4838BDY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 12V Vds 8V Vgs SO-8
MOSFET 12V Vds 8V Vgs SO-8
на замовлення 4208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 110.41 грн |
10+ | 89.94 грн |
100+ | 60.86 грн |
500+ | 51.59 грн |
1000+ | 42.06 грн |
2500+ | 39.56 грн |
5000+ | 37.72 грн |
SI4838BDY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 12V 34A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 12V 34A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 48.36 грн |
SI4838BDY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 12V 34A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 12V 34A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 44.84 грн |
SI4838BDY-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 12V 34A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 12V 34A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 36.65 грн |
SI4838DY-T1-E3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET RECOMMENDED ALT SI4838BDY-GE3
MOSFET RECOMMENDED ALT SI4838BDY-GE3
на замовлення 10930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 213.92 грн |
10+ | 176.85 грн |
25+ | 145.24 грн |
100+ | 124.87 грн |
250+ | 117.64 грн |
500+ | 110.41 грн |
1000+ | 94.64 грн |
SI4840BDY |
Виробник: Siliconix
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 12mOhm; 19A; 6W; -55°C ~ 150°C; SI4840BDY TSI4840bdy
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 12mOhm; 19A; 6W; -55°C ~ 150°C; SI4840BDY TSI4840bdy
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 86.31 грн |
SI4840BDY-T1-E3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 9.9A; 6W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6W
On-state resistance: 12mΩ
Drain current: 9.9A
Drain-source voltage: 40V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 9.9A; 6W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6W
On-state resistance: 12mΩ
Drain current: 9.9A
Drain-source voltage: 40V
на замовлення 2768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 70.04 грн |
8+ | 47.24 грн |
20+ | 39.71 грн |
55+ | 37.65 грн |
500+ | 36.08 грн |
SI4840BDY-T1-E3 |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 9.9A; 6W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6W
On-state resistance: 12mΩ
Drain current: 9.9A
Drain-source voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 9.9A; 6W; SO8
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±20V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6W
On-state resistance: 12mΩ
Drain current: 9.9A
Drain-source voltage: 40V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2768 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 84.04 грн |
5+ | 58.86 грн |
20+ | 47.65 грн |
55+ | 45.18 грн |
500+ | 43.29 грн |
SI4840BDY-T1-E3 |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 40V Vds 20V Vgs SO-8
MOSFET 40V Vds 20V Vgs SO-8
на замовлення 14576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 107.34 грн |
10+ | 85.4 грн |
100+ | 62.37 грн |
500+ | 52.77 грн |
1000+ | 42.98 грн |
2500+ | 39.56 грн |
5000+ | 38.51 грн |
SI4840BDY-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)SI4840BDY-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 78.28 грн |
SI4840BDY-T1-E3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 19A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 71.26 грн |
10+ | 63.96 грн |
25+ | 46.43 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]