Результат пошуку "b3813" : 17

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRLB3813PBF IRLB3813PBF
Код товару: 113437
IR irlb3813pbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 190 A
Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 63 шт
1+66 грн
10+ 60.5 грн
IRLB3813 International Rectifier N-MOSFET 30V 260A 1.95mohm IRBL3813 TIRLB3813
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+71.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRLB3813PBF IRLB3813PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb3813pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies Infineon_IRLB3813_DataSheet_v01_01_EN-3363572.pdf MOSFET MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.7 грн
10+ 92.26 грн
100+ 67.63 грн
500+ 58.81 грн
1000+ 52.71 грн
2000+ 50.12 грн
5000+ 48.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLB3813PBF IRLB3813PBF Infineon Technologies 125378770676729.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
Транзистор польовий IRLB3813PBF 260A 30V N-ch TO-220
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
4+51.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
MB3813A FUJISTU 00+ SOP
на замовлення 598 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MB3813APFV-G-BND-E FUJI 0030+
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRLB3813 IRLB3813
Код товару: 99529
IR irlb3813pbf.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 190 A
Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
товар відсутній
EVB-USB3813 Microchip Technology 193450002195a.pdf USB3813 USB Interface IC Evaluation Board
товар відсутній
IRLB3813PBF IRLB3813PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb3813pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
товар відсутній
USB3813-1080XY-TR USB3813-1080XY-TR Microchip Technology 00001715c.pdf High Speed Hub Controller USB 2.0 T/R 30-Pin WLCSP
товар відсутній
USB3813-1080XY-TR USB3813-1080XY-TR Microchip Technology 01308j-1179948.pdf USB Interface IC USB 2.0 HiI-Speed 3 Port Hub Control
товар відсутній
USB3813I-1080XY-TR USB3813I-1080XY-TR Microchip Technology 00001715c.pdf High Speed Hub Controller USB 2.0 T/R 30-Pin WLCSP
товар відсутній
USB3813I-1080XY-TR USB3813I-1080XY-TR Microchip Technology MCHP_S_A0009494859_1-2552148.pdf USB Interface IC USB 2.0 Hi-Spd 3-pt Hub Cntlr
товар відсутній
USB3813-1080XY-TR Microchip 00001715C.pdf WLCSP 30/C°/2.0 HII-SPEED THREE PORT HUB CONTROLLER OPTIMIZED FOR PORTABLE USB3813
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній
IRLB3813PBF
Код товару: 113437
irlb3813pbf-datasheet.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 190 A
Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 63 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+66 грн
10+ 60.5 грн
IRLB3813
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 30V 260A 1.95mohm IRBL3813 TIRLB3813
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+71.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRLB3813PBF irlb3813pbf.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRLB3813PBF Infineon_IRLB3813_DataSheet_v01_01_EN-3363572.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 30V 190A 1.95mOhm 57nC Qg
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+113.7 грн
10+ 92.26 грн
100+ 67.63 грн
500+ 58.81 грн
1000+ 52.71 грн
2000+ 50.12 грн
5000+ 48.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRLB3813PBF 125378770676729.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 260A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+56.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
Транзистор польовий IRLB3813PBF 260A 30V N-ch TO-220
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+51.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
MB3813A
Виробник: FUJISTU
00+ SOP
на замовлення 598 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MB3813APFV-G-BND-E
Виробник: FUJI
0030+
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRLB3813
Код товару: 99529
irlb3813pbf.pdf
IRLB3813
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 190 A
Rds(on), Ohm: 1,95 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 8420/57
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
товар відсутній
EVB-USB3813 193450002195a.pdf
Виробник: Microchip Technology
USB3813 USB Interface IC Evaluation Board
товар відсутній
IRLB3813PBF irlb3813pbf.pdf
IRLB3813PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
товар відсутній
USB3813-1080XY-TR 00001715c.pdf
USB3813-1080XY-TR
Виробник: Microchip Technology
High Speed Hub Controller USB 2.0 T/R 30-Pin WLCSP
товар відсутній
USB3813-1080XY-TR 01308j-1179948.pdf
USB3813-1080XY-TR
Виробник: Microchip Technology
USB Interface IC USB 2.0 HiI-Speed 3 Port Hub Control
товар відсутній
USB3813I-1080XY-TR 00001715c.pdf
USB3813I-1080XY-TR
Виробник: Microchip Technology
High Speed Hub Controller USB 2.0 T/R 30-Pin WLCSP
товар відсутній
USB3813I-1080XY-TR MCHP_S_A0009494859_1-2552148.pdf
USB3813I-1080XY-TR
Виробник: Microchip Technology
USB Interface IC USB 2.0 Hi-Spd 3-pt Hub Cntlr
товар відсутній
USB3813-1080XY-TR 00001715C.pdf
Виробник: Microchip
WLCSP 30/C°/2.0 HII-SPEED THREE PORT HUB CONTROLLER OPTIMIZED FOR PORTABLE USB3813
кількість в упаковці: 3000 шт
товар відсутній