Результат пошуку "b4310" : 29
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
B39162B4310P810 | RF360 | Signal Conditioning QCS5P - 40 C to + 85 C 1.588655 GHz 1.5 dB 34.37 MHz 50 Ohms GNSS |
на замовлення 4467 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
EKMB4310111K | Panasonic Industrial Devices | Board Mount Motion & Position Sensors 6uA White Digi HIGH SENS Hsnd Soldr |
на замовлення 50 шт: термін постачання 175-184 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
irfb4310 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 140A 100V 330W 0.007Ω IRFB4310 TIRFB4310 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 43 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFB4310PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 140A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 66 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFB4310PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 140A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 66 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFB4310PBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFB4310ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 127A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 53 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFB4310ZPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 120 А; Ptot, Вт = 250; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 6860 @ 50; Qg, нКл = 170 @ 10 В; Rds = 6 мОм @ 75 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 150 мкА; TO-220AB |
на замовлення 110 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFB4310ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 127A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 53 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFB4310ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC Qg |
на замовлення 1853 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SLWRB4310A | Silicon Labs | Bluetooth Development Tools - 802.15.1 BGM220SC12 Wireless Gecko Bluetooth 2.4 GHz +0 dBM, SiP Module Radio Board |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ETB43104G000 Ответная часть к клеммнику ETB41100, прямой угол без боковых стенок |
на замовлення 156 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRFB4310PBF | International Rectifier Corporation | Trans MOSFET N-CH 100V 130A TO-220AB |
на замовлення 100 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
MB4310 | FUJI | CDIP16 |
на замовлення 344 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
MB4310C-G | FUJITSU | 1999 |
на замовлення 42 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
PMB4310WP |
на замовлення 425 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRFB4310 Код товару: 126728 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
IRFB4310PBF Код товару: 172846 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
IRFB4310Z Код товару: 128127 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
IRFB4310ZPBF Код товару: 145200 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
B4310001 | OKW | Sealing M For raising the prote ction class IP 54 of the CARRYTEC M |
товар відсутній |
||||||||||||||||
ALBFLB43100 | Amphenol Pcd | Cable Mounting & Accessories Fairlead Block |
товар відсутній |
||||||||||||||||
EKMB4310112K | Panasonic Industrial Devices | Board Mount Motion & Position Sensors 6uA Black Digi HIGH SENS Hsnd Soldr |
товар відсутній |
||||||||||||||||
EKMB4310113K | Panasonic Industrial Devices | Board Mount Motion & Position Sensors 6uA Pearl White Digi HIGH SENS Hsnd Sold |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRFB4310ZPBFXKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SG-8018CB 43.1000M-TJHPA0 | Epson Timing | Standard Clock Oscillators SG-8018CB 43.1000M-TJHPA0: MHZ OSC 1.8V-3.3V +/-50PPM -40-105C O/E 1K TR |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SG-8018CB 43.1000M-TJHSA0 | Epson Timing | Standard Clock Oscillators SG-8018CB 43.1000M-TJHSA0: MHZ OSC 1.8V-3.3V +/-50PPM -40-105C ST 1K TR |
товар відсутній |
B39162B4310P810 |
Виробник: RF360
Signal Conditioning QCS5P - 40 C to + 85 C 1.588655 GHz 1.5 dB 34.37 MHz 50 Ohms GNSS
Signal Conditioning QCS5P - 40 C to + 85 C 1.588655 GHz 1.5 dB 34.37 MHz 50 Ohms GNSS
на замовлення 4467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 116.02 грн |
10+ | 83.87 грн |
25+ | 69.62 грн |
100+ | 62.92 грн |
250+ | 61.13 грн |
500+ | 52.84 грн |
1000+ | 49.53 грн |
EKMB4310111K |
Виробник: Panasonic Industrial Devices
Board Mount Motion & Position Sensors 6uA White Digi HIGH SENS Hsnd Soldr
Board Mount Motion & Position Sensors 6uA White Digi HIGH SENS Hsnd Soldr
на замовлення 50 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1697.06 грн |
10+ | 1254.23 грн |
50+ | 1059.47 грн |
100+ | 929.53 грн |
250+ | 922.23 грн |
irfb4310 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 140A 100V 330W 0.007Ω IRFB4310 TIRFB4310
кількість в упаковці: 2 шт
N-MOSFET HEXFET 140A 100V 330W 0.007Ω IRFB4310 TIRFB4310
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 120.93 грн |
IRFB4310PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 203.04 грн |
3+ | 169.89 грн |
7+ | 128.46 грн |
18+ | 121.55 грн |
IRFB4310PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 66 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 243.65 грн |
3+ | 211.71 грн |
7+ | 154.15 грн |
18+ | 145.86 грн |
IRFB4310PBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC
MOSFET MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 235.92 грн |
10+ | 218.06 грн |
25+ | 165.75 грн |
100+ | 145.2 грн |
250+ | 129.28 грн |
500+ | 119.34 грн |
1000+ | 107.41 грн |
IRFB4310ZPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 185.94 грн |
3+ | 156.08 грн |
8+ | 113.26 грн |
20+ | 107.05 грн |
IRFB4310ZPBF |
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 120 А; Ptot, Вт = 250; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 6860 @ 50; Qg, нКл = 170 @ 10 В; Rds = 6 мОм @ 75 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 150 мкА; TO-220AB
N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 120 А; Ptot, Вт = 250; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 6860 @ 50; Qg, нКл = 170 @ 10 В; Rds = 6 мОм @ 75 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 150 мкА; TO-220AB
на замовлення 110 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 98.22 грн |
10+ | 91.68 грн |
100+ | 85.13 грн |
IRFB4310ZPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 223.12 грн |
3+ | 194.5 грн |
8+ | 135.92 грн |
20+ | 128.46 грн |
IRFB4310ZPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC Qg
MOSFET MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC Qg
на замовлення 1853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 239.78 грн |
10+ | 203.57 грн |
25+ | 171.72 грн |
100+ | 145.86 грн |
250+ | 141.88 грн |
500+ | 129.95 грн |
1000+ | 110.72 грн |
SLWRB4310A |
Виробник: Silicon Labs
Bluetooth Development Tools - 802.15.1 BGM220SC12 Wireless Gecko Bluetooth 2.4 GHz +0 dBM, SiP Module Radio Board
Bluetooth Development Tools - 802.15.1 BGM220SC12 Wireless Gecko Bluetooth 2.4 GHz +0 dBM, SiP Module Radio Board
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2169.67 грн |
ETB43104G000 Ответная часть к клеммнику ETB41100, прямой угол без боковых стенок |
на замовлення 156 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)IRFB4310PBF |
Виробник: International Rectifier Corporation
Trans MOSFET N-CH 100V 130A TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 130A TO-220AB
на замовлення 100 шт:
термін постачання 5 дні (днів)B4310001 |
Виробник: OKW
Sealing M For raising the prote ction class IP 54 of the CARRYTEC M
Sealing M For raising the prote ction class IP 54 of the CARRYTEC M
товар відсутній
EKMB4310112K |
Виробник: Panasonic Industrial Devices
Board Mount Motion & Position Sensors 6uA Black Digi HIGH SENS Hsnd Soldr
Board Mount Motion & Position Sensors 6uA Black Digi HIGH SENS Hsnd Soldr
товар відсутній
EKMB4310113K |
Виробник: Panasonic Industrial Devices
Board Mount Motion & Position Sensors 6uA Pearl White Digi HIGH SENS Hsnd Sold
Board Mount Motion & Position Sensors 6uA Pearl White Digi HIGH SENS Hsnd Sold
товар відсутній
SG-8018CB 43.1000M-TJHPA0 |
Виробник: Epson Timing
Standard Clock Oscillators SG-8018CB 43.1000M-TJHPA0: MHZ OSC 1.8V-3.3V +/-50PPM -40-105C O/E 1K TR
Standard Clock Oscillators SG-8018CB 43.1000M-TJHPA0: MHZ OSC 1.8V-3.3V +/-50PPM -40-105C O/E 1K TR
товар відсутній
SG-8018CB 43.1000M-TJHSA0 |
Виробник: Epson Timing
Standard Clock Oscillators SG-8018CB 43.1000M-TJHSA0: MHZ OSC 1.8V-3.3V +/-50PPM -40-105C ST 1K TR
Standard Clock Oscillators SG-8018CB 43.1000M-TJHSA0: MHZ OSC 1.8V-3.3V +/-50PPM -40-105C ST 1K TR
товар відсутній