Результат пошуку "bs107" : 48
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 30
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 5
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BS107A; 250mA; 200V; 350mW; N-MOSFET; Корпус: TO-92; ON Semi. |
на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS107ARL1G | ON Semiconductor | N-канальний ПТ; Udss, В = 200; Id = 250 мА; Ciss, пФ @ Uds, В = 60 @ 25; Rds = 6,4 Ом @ 250 мA, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 1 мА; Р, Вт = 0,35 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = вивідний; TO-92-3 |
на замовлення 542 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BS107P | DIODES INCORPORATED |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.12A; 0.5W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.12A Power dissipation: 0.5W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced |
на замовлення 3383 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BS107P | DIODES INCORPORATED |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.12A; 0.5W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.12A Power dissipation: 0.5W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3383 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BS107P | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BS107P | Diodes Incorporated | MOSFET N-Chnl 200V |
на замовлення 13394 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BS107P | DIODES/ZETEX |
N-MOSFET 250mA 200V 350mW *obsolete; LTB:08.05.2015 ; LTS:31.12.2015 ;BS107AG, BS107ARL1G ; BS107P BS107P TBS107 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 390 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BS107P; 120mA; 200V; 0,5W; N-MOSFET; Корпус: TO-92; DIODES Incor. |
на замовлення 5 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BS107PSTZ | DIODES INCORPORATED |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.12A; 0.5W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.12A Power dissipation: 0.5W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23Ω Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1807 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BS107PSTZ | DIODES INCORPORATED |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.12A; 0.5W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.12A Power dissipation: 0.5W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23Ω Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1807 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BS107PSTZ | Diodes Incorporated | MOSFET N-Chnl 200V |
на замовлення 3074 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BS107AG | ON | 05+06+ |
на замовлення 22000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
BS107AR21 | ON | 418 |
на замовлення 3040 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
BS107G | ON |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
BBS-107-G-B | Samtec | Headers & Wire Housings ".100"" Single Row |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BBS-107-T-B | Samtec | Headers & Wire Housings ".100"" Single Row |
на замовлення 193 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPBS-107-01-T-D | Samtec | Power to the Board .165" Power Mate Isolated Power Socket Strip |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
Транзистор польовий BS107 0.25A 200V N-ch TO-92 |
на замовлення 40 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
KM-107 BK | MASZCZYK |
Category: Power Supplies Enclosures Description: Enclosure: for power supplies; X: 112mm; Y: 222mm; Z: 72mm; ABS Enclosure material: ABS Closing system: screwed Kit contents: screw x4 Type of enclosure: for power supplies Body colour: black Dimension Y: 222mm Dimension Z: 72mm Dimension X: 112mm кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BS107 Код товару: 23469 |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 200 V Idd,A: 0,12 A Rds(on), Ohm: 23 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 60/ - Монтаж: THT |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
BS107A Код товару: 22482 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
DBS107G (діодний міст SMD) Код товару: 41060 |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діодні мости та збірки Корпус: DBS (DB-1S, SO-DIL), SMD Uзвор, V: 1000 V I пр, A: 1 A Тип діодного моста: Однофазний |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
BS107 | Vishay / Siliconix | MOSFET 200V 0.12A |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BS107 | onsemi | MOSFET 200V 250mA |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BS107 | Diodes Incorporated | MOSFET Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BS107AG | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Box |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BS107ARL1 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 0.25A 3-Pin TO-92 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BS107ARL1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 0.25A 3-Pin TO-92 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BS107G | onsemi | MOSFET 200V 250mA N-Channel |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BS107G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Box |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BS107KL-TR1-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 240V 0.3A 3-Pin TO-206AA T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BS107P | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BS107P | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BS107PSTZ | Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BBS-107-G-A | Samtec | Headers & Wire Housings ".100"" Single Row |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BBS-107-G-C | Samtec | Headers & Wire Housings ".100"" Single Row |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BBS-107-G-D | Samtec | Headers & Wire Housings ".100"" Single Row |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BBS-107-G-G | Samtec | Headers & Wire Housings ".100"" Single Row |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BBS-107-T-A | Samtec | Headers & Wire Housings ".100"" Single Row |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BBS-107-T-C | Samtec | Headers & Wire Housings ".100"" Single Row |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IPBS-107-01-T-D-GP | Samtec | Power to the Board .165" Power Mate Isolated Power Socket Strip |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IPBS-107-01-T-S | Samtec | Power to the Board .165" Power Mate Isolated Power Socket Strip |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IPBS-107-01-TM-D-GP | Samtec | Power to the Board .165" Power Mate Isolated Power Socket Strip |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IPBS-107-02-T-S | Samtec | Power to the Board .165" Power Mate Isolated Power Socket Strip |
товар відсутній |
||||||||||||||||
TBS1072C | Tektronix | Benchtop Oscilloscopes Digital Storage Oscilloscope: 70 MHz bandwidth, 1 GS/s sample rate, 2 Channel, 20Kpts record length |
товар відсутній |
BS107A; 250mA; 200V; 350mW; N-MOSFET; Корпус: TO-92; ON Semi. |
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 665.28 грн |
BS107ARL1G |
Виробник: ON Semiconductor
N-канальний ПТ; Udss, В = 200; Id = 250 мА; Ciss, пФ @ Uds, В = 60 @ 25; Rds = 6,4 Ом @ 250 мA, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 1 мА; Р, Вт = 0,35 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = вивідний; TO-92-3
N-канальний ПТ; Udss, В = 200; Id = 250 мА; Ciss, пФ @ Uds, В = 60 @ 25; Rds = 6,4 Ом @ 250 мA, 10 В; Ugs(th) = 3 В @ 1 мА; Р, Вт = 0,35 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = вивідний; TO-92-3
на замовлення 542 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 63.49 грн |
11+ | 59.26 грн |
100+ | 55.04 грн |
BS107P |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.12A; 0.5W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 0.5W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.12A; 0.5W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 0.5W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3383 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 56.77 грн |
10+ | 35.19 грн |
25+ | 28.2 грн |
31+ | 26.36 грн |
83+ | 24.92 грн |
500+ | 23.96 грн |
BS107P |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.12A; 0.5W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 0.5W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.12A; 0.5W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 0.5W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23Ω
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3383 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 68.12 грн |
6+ | 43.85 грн |
25+ | 33.85 грн |
31+ | 31.63 грн |
83+ | 29.9 грн |
500+ | 28.75 грн |
BS107P |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line
Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 16.21 грн |
BS107P |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET N-Chnl 200V
MOSFET N-Chnl 200V
на замовлення 13394 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 36.34 грн |
10+ | 32.12 грн |
100+ | 22.21 грн |
500+ | 19.45 грн |
1000+ | 18.99 грн |
BS107P |
Виробник: DIODES/ZETEX
N-MOSFET 250mA 200V 350mW *obsolete; LTB:08.05.2015 ; LTS:31.12.2015 ;BS107AG, BS107ARL1G ; BS107P BS107P TBS107
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 250mA 200V 350mW *obsolete; LTB:08.05.2015 ; LTS:31.12.2015 ;BS107AG, BS107ARL1G ; BS107P BS107P TBS107
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 390 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 24.05 грн |
BS107P; 120mA; 200V; 0,5W; N-MOSFET; Корпус: TO-92; DIODES Incor. |
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 133.06 грн |
BS107PSTZ |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.12A; 0.5W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 0.5W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.12A; 0.5W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 0.5W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 59.72 грн |
13+ | 28.34 грн |
25+ | 24.99 грн |
36+ | 22.34 грн |
98+ | 21.12 грн |
500+ | 20.95 грн |
BS107PSTZ |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.12A; 0.5W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 0.5W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.12A; 0.5W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 0.5W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23Ω
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 71.66 грн |
8+ | 35.32 грн |
25+ | 29.98 грн |
36+ | 26.81 грн |
98+ | 25.35 грн |
500+ | 25.14 грн |
BS107PSTZ |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET N-Chnl 200V
MOSFET N-Chnl 200V
на замовлення 3074 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 64.17 грн |
10+ | 55.7 грн |
100+ | 33.52 грн |
500+ | 28 грн |
1000+ | 23.86 грн |
2000+ | 21.69 грн |
4000+ | 21.1 грн |
BBS-107-G-B |
Виробник: Samtec
Headers & Wire Housings ".100"" Single Row
Headers & Wire Housings ".100"" Single Row
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 299.79 грн |
50+ | 241.09 грн |
512+ | 164.3 грн |
BBS-107-T-B |
Виробник: Samtec
Headers & Wire Housings ".100"" Single Row
Headers & Wire Housings ".100"" Single Row
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 141.08 грн |
50+ | 108.08 грн |
512+ | 67.03 грн |
IPBS-107-01-T-D |
Виробник: Samtec
Power to the Board .165" Power Mate Isolated Power Socket Strip
Power to the Board .165" Power Mate Isolated Power Socket Strip
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 312.82 грн |
57+ | 251.67 грн |
114+ | 185.99 грн |
513+ | 164.96 грн |
1007+ | 160.35 грн |
Транзистор польовий BS107 0.25A 200V N-ch TO-92 |
на замовлення 40 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 32.08 грн |
KM-107 BK |
Виробник: MASZCZYK
Category: Power Supplies Enclosures
Description: Enclosure: for power supplies; X: 112mm; Y: 222mm; Z: 72mm; ABS
Enclosure material: ABS
Closing system: screwed
Kit contents: screw x4
Type of enclosure: for power supplies
Body colour: black
Dimension Y: 222mm
Dimension Z: 72mm
Dimension X: 112mm
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Power Supplies Enclosures
Description: Enclosure: for power supplies; X: 112mm; Y: 222mm; Z: 72mm; ABS
Enclosure material: ABS
Closing system: screwed
Kit contents: screw x4
Type of enclosure: for power supplies
Body colour: black
Dimension Y: 222mm
Dimension Z: 72mm
Dimension X: 112mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 847.52 грн |
3+ | 470.05 грн |
6+ | 427.17 грн |
BS107 Код товару: 23469 |
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 200 V
Idd,A: 0,12 A
Rds(on), Ohm: 23 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/ -
Монтаж: THT
Uds,V: 200 V
Idd,A: 0,12 A
Rds(on), Ohm: 23 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/ -
Монтаж: THT
товар відсутній
DBS107G (діодний міст SMD) Код товару: 41060 |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діодні мости та збірки
Корпус: DBS (DB-1S, SO-DIL), SMD
Uзвор, V: 1000 V
I пр, A: 1 A
Тип діодного моста: Однофазний
Корпус: DBS (DB-1S, SO-DIL), SMD
Uзвор, V: 1000 V
I пр, A: 1 A
Тип діодного моста: Однофазний
товар відсутній
BS107 |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3
MOSFET Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3
товар відсутній
IPBS-107-01-T-D-GP |
Виробник: Samtec
Power to the Board .165" Power Mate Isolated Power Socket Strip
Power to the Board .165" Power Mate Isolated Power Socket Strip
товар відсутній
IPBS-107-01-T-S |
Виробник: Samtec
Power to the Board .165" Power Mate Isolated Power Socket Strip
Power to the Board .165" Power Mate Isolated Power Socket Strip
товар відсутній
IPBS-107-01-TM-D-GP |
Виробник: Samtec
Power to the Board .165" Power Mate Isolated Power Socket Strip
Power to the Board .165" Power Mate Isolated Power Socket Strip
товар відсутній
IPBS-107-02-T-S |
Виробник: Samtec
Power to the Board .165" Power Mate Isolated Power Socket Strip
Power to the Board .165" Power Mate Isolated Power Socket Strip
товар відсутній