Результат пошуку "bsh" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 41
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 15
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 200
Мінімальне замовлення: 200
Мінімальне замовлення: 15
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 200
Мінімальне замовлення: 20
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SC1601AN*B-SH-GB-01 Код товару: 55693 |
Sunlike |
Оптоелектроніка > Рідкокристалічні індикатори К-сть знаків/Розд.здатн.матриці: 16x1 Технологія: TN Габарити/Розмір точки: 80x36x8,8 mm (12,7) / 0,55x0,75 mm Кут огляду/Підсвітка: / немає Контролер: KS0066 Вид: Символьний |
у наявності: 10 шт
|
|
|||||||||||||||
SC1601AS*B-SH-GB Код товару: 57586 |
Sunlike |
Оптоелектроніка > Рідкокристалічні індикатори К-сть знаків/Розд.здатн.матриці: 16x1 Технологія: COB Кут огляду/Підсвітка: / немає Контролер: KS0066 Вид: Символьний |
у наявності: 2 шт
|
|
|||||||||||||||
SC1601ASLB-SH-HB Код товару: 29025 |
Sunlike |
Оптоелектроніка > Рідкокристалічні індикатори К-сть знаків/Розд.здатн.матриці: 16x1 Габарити/Розмір точки: 80x36x8,8 mm (12,7) / 0,55x0,75 mm Кут огляду/Підсвітка: / немає Контролер: KS0066 Вид: Символьний |
у наявності: 5 шт
|
|
|||||||||||||||
SC1601BS*B-SH-GB Код товару: 57587 |
Sunlike |
Оптоелектроніка > Рідкокристалічні індикатори К-сть знаків/Розд.здатн.матриці: 16x1 Технологія: COB Габарити/Розмір точки: 85x28x8,8 mm (12,7 LED) Кут огляду/Підсвітка: / є Контролер: KS0066 Вид: Символьний |
у наявності: 4 шт
|
|
|||||||||||||||
BSH103 | Philips | Транзистор SOT23 N-channel |
на замовлення 2837 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSH103 | NXP |
N-MOSFET 30V 850mA 540mW 400mΩ BSH103 NXP TBSH103 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSH103 | NXP |
N-MOSFET 30V 850mA 540mW 400mΩ BSH103 NXP TBSH103 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 890 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSH103,215 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.85A; 500mW; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Power dissipation: 0.5W Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 2.1nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.85A On-state resistance: 0.6Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 87401 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSH105,215 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.67A; 417mW; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Power dissipation: 417mW Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 3.9nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.67A On-state resistance: 0.375Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 315 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSH105,215 | NXP |
N-MOSFET 1.05A 20V 0.417W 0.2Ω BSH105 TBSH105 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSH105,215 | NXP |
N-MOSFET 1.05A 20V 0.417W 0.2Ω BSH105 TBSH105 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1254 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSH108 | NXP |
N-MOSFET 1.9A 0.83W 0.12Ω BSH108 TBSH108 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSH108 | NXP |
N-MOSFET 1.9A 0.83W 0.12Ω BSH108 TBSH108 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 360 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSH108,215 | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 830mW; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Power dissipation: 0.83W Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 10nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Drain current: 1.2A On-state resistance: 0.24Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 1245 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSH111 | NXP |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 55V; 10V; 8Ohm; 335mA; 830mW; -65°C ~ 150°C; BSH111 TBSH111 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSH111BKR | Nexperia | Транз пол. ММ SOT23 N-channel Vds=55 V, Id=335 mA, Ids=4 Ohm |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSH111BKR | NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.13A; 364mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 0.13A Power dissipation: 364mW Case: SOT23; TO236AB Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 8.1Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 3970 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSH114,215 | NXP |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.85A 3-Pin TO-236AB BSH114,235 BSH114,215 BSH114 TBSH114 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 63 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSH201,215 | NXP/Nexperia/We-En | P-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 300 мA; Ptot, Вт = 0,417; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 70 @ 48; Qg, нКл = 3 @ 10 В; Rds = 2,5 Ом @ 160 мА, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1.9 В @ 1 мА; SOT-23-3 |
на замовлення 8 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSH201,215 | NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.19A; 170mW; SOT23,TO236AB Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.19A On-state resistance: 4.25Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.17W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 3nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 6335 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSH201,215 | NXP |
Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin TO-236AB BSH201,215 BSH201 TBSH201 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSH202 | NXP |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 30V; 20V; 1,35Ohm; 520mA; 417mW; -55°C ~ 150°C; BSH202 TBSH202 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSH202,215 | NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.33A; 0.17W; SOT23,TO236AB Drain current: -330mA On-state resistance: 0.9Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.17W Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 2.9nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Polarisation: unipolar Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Drain-source voltage: -30V кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 3405 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSH203,215 | NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.3A; 170mW; SOT23,TO236AB Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -30V Drain current: -300mA On-state resistance: 1.65Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.17W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: logic level Gate charge: 2.2nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 4014 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSH203,215 WJ. | NXP |
Trans MOSFET P-CH 30V 0.47A 3-Pin TO-236AB BSH203,215 BSH203 TBSH203 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 190 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSH205G2 | NXP |
P-MOSFET 0.75A 12V 0.417W 0.9Ω BSH205 TBSH205 кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 5265 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSH205G2R | NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.2A; 890mW; SOT23,TO236AB Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.2A On-state resistance: 0.6Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.89W Polarisation: unipolar Gate charge: 6.5nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 5016 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
B/S/H ME10J |
на замовлення 220 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
B/S/H ME10J | 09+ |
на замовлення 220 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
B/S/H/BS1105 | MOT | 09+ |
на замовлення 98 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
B/S/HENHV3024 | 09+ |
на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
B/S/HENHV3024 |
на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
B/S/HME10 | MOT |
на замовлення 12300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
B/S/HME10 .. | 09+ |
на замовлення 2295 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
B/S/HME10 .. |
на замовлення 2295 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
B/S/HME10E | MOT |
на замовлення 920 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
B/S/HME10E . |
на замовлення 920 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
B/S/HME10E . | 09+ |
на замовлення 920 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
B/S/HME10G |
на замовлення 1065 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
B/S/HME10G | 09+ |
на замовлення 1065 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
B/S/HME10G(5560000302) | MOT |
на замовлення 1065 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
B/S/HME10K | MOT |
на замовлення 7135 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
B/S/HME10K . |
на замовлення 860 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
B/S/HME10K . | 09+ |
на замовлення 860 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
B/S/HPE10 | 09+ |
на замовлення 474 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
B/S/HPE10 |
на замовлення 474 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
B/S/HPE10(5560000303) | MOT |
на замовлення 474 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
B/S/HPE10A |
на замовлення 5200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
B/S/HPE10A | 09+ |
на замовлення 5200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
B/S/HPE10A(5560001247) | MOT |
на замовлення 5200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
B/S/HV4003 |
на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
B/S/HV4003 | 09+ |
на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
BSH101 | NXP/PHILIPS | 09+ |
на замовлення 76018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
BSH103,215 | NXP Semiconductors | МОП-транзистор N-CH 30V 0.85A, SOT-23 |
на замовлення 2885 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
BSH103-215 | PHI | N/A 93+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
BSH105/PJ5 | PHILIPS |
на замовлення 2786 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
BSH107 | PHILIPS | 99+ |
на замовлення 10010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
BSH111,215 |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
||||||||||||||||||
BSH111/WK3 | NXP | 05+ SOT-23 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
BSH111/WK3 | PHILIPS | 09+ |
на замовлення 17818 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
SC1601AN*B-SH-GB-01 Код товару: 55693 |
Виробник: Sunlike
Оптоелектроніка > Рідкокристалічні індикатори
К-сть знаків/Розд.здатн.матриці: 16x1
Технологія: TN
Габарити/Розмір точки: 80x36x8,8 mm (12,7) / 0,55x0,75 mm
Кут огляду/Підсвітка: / немає
Контролер: KS0066
Вид: Символьний
Оптоелектроніка > Рідкокристалічні індикатори
К-сть знаків/Розд.здатн.матриці: 16x1
Технологія: TN
Габарити/Розмір точки: 80x36x8,8 mm (12,7) / 0,55x0,75 mm
Кут огляду/Підсвітка: / немає
Контролер: KS0066
Вид: Символьний
у наявності: 10 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 144.5 грн |
10+ | 134.9 грн |
SC1601AS*B-SH-GB Код товару: 57586 |
Виробник: Sunlike
Оптоелектроніка > Рідкокристалічні індикатори
К-сть знаків/Розд.здатн.матриці: 16x1
Технологія: COB
Кут огляду/Підсвітка: / немає
Контролер: KS0066
Вид: Символьний
Оптоелектроніка > Рідкокристалічні індикатори
К-сть знаків/Розд.здатн.матриці: 16x1
Технологія: COB
Кут огляду/Підсвітка: / немає
Контролер: KS0066
Вид: Символьний
у наявності: 2 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 186 грн |
SC1601ASLB-SH-HB Код товару: 29025 |
Виробник: Sunlike
Оптоелектроніка > Рідкокристалічні індикатори
К-сть знаків/Розд.здатн.матриці: 16x1
Габарити/Розмір точки: 80x36x8,8 mm (12,7) / 0,55x0,75 mm
Кут огляду/Підсвітка: / немає
Контролер: KS0066
Вид: Символьний
Оптоелектроніка > Рідкокристалічні індикатори
К-сть знаків/Розд.здатн.матриці: 16x1
Габарити/Розмір точки: 80x36x8,8 mm (12,7) / 0,55x0,75 mm
Кут огляду/Підсвітка: / немає
Контролер: KS0066
Вид: Символьний
у наявності: 5 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 190 грн |
SC1601BS*B-SH-GB Код товару: 57587 |
Виробник: Sunlike
Оптоелектроніка > Рідкокристалічні індикатори
К-сть знаків/Розд.здатн.матриці: 16x1
Технологія: COB
Габарити/Розмір точки: 85x28x8,8 mm (12,7 LED)
Кут огляду/Підсвітка: / є
Контролер: KS0066
Вид: Символьний
Оптоелектроніка > Рідкокристалічні індикатори
К-сть знаків/Розд.здатн.матриці: 16x1
Технологія: COB
Габарити/Розмір точки: 85x28x8,8 mm (12,7 LED)
Кут огляду/Підсвітка: / є
Контролер: KS0066
Вид: Символьний
у наявності: 4 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 190 грн |
BSH103 |
Виробник: Philips
Транзистор SOT23 N-channel
Транзистор SOT23 N-channel
на замовлення 2837 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
41+ | 6.82 грн |
46+ | 5.6 грн |
BSH103 |
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 6.57 грн |
BSH103 |
на замовлення 890 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 6.57 грн |
BSH103,215 |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.85A; 500mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.85A
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.85A; 500mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 2.1nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.85A
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 87401 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 30.57 грн |
11+ | 25.1 грн |
12+ | 21.9 грн |
25+ | 13.06 грн |
100+ | 12.17 грн |
108+ | 8.76 грн |
297+ | 8.27 грн |
BSH105,215 |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.67A; 417mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Power dissipation: 417mW
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 3.9nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.67A
On-state resistance: 0.375Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.67A; 417mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Power dissipation: 417mW
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 3.9nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.67A
On-state resistance: 0.375Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 315 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 21.4 грн |
25+ | 14.49 грн |
100+ | 9.52 грн |
275+ | 9 грн |
BSH105,215 |
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 8.25 грн |
BSH105,215 |
на замовлення 1254 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 8.25 грн |
BSH108 |
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
200+ | 3.94 грн |
BSH108 |
на замовлення 360 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
200+ | 3.94 грн |
BSH108,215 |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 830mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Power dissipation: 0.83W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.2A
On-state resistance: 0.24Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 830mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Power dissipation: 0.83W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.2A
On-state resistance: 0.24Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1245 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 19.22 грн |
25+ | 13.39 грн |
100+ | 11.6 грн |
110+ | 8.71 грн |
300+ | 8.23 грн |
BSH111 |
Виробник: NXP
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 55V; 10V; 8Ohm; 335mA; 830mW; -65°C ~ 150°C; BSH111 TBSH111
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 55V; 10V; 8Ohm; 335mA; 830mW; -65°C ~ 150°C; BSH111 TBSH111
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 15.92 грн |
BSH111BKR |
Виробник: Nexperia
Транз пол. ММ SOT23 N-channel Vds=55 V, Id=335 mA, Ids=4 Ohm
Транз пол. ММ SOT23 N-channel Vds=55 V, Id=335 mA, Ids=4 Ohm
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 25.42 грн |
BSH111BKR |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.13A; 364mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 0.13A
Power dissipation: 364mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 8.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 0.13A; 364mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 0.13A
Power dissipation: 364mW
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 8.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 12.75 грн |
55+ | 4.6 грн |
100+ | 3.98 грн |
310+ | 3.02 грн |
845+ | 2.85 грн |
BSH114,215 |
Виробник: NXP
Trans MOSFET N-CH 100V 0.85A 3-Pin TO-236AB BSH114,235 BSH114,215 BSH114 TBSH114
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH 100V 0.85A 3-Pin TO-236AB BSH114,235 BSH114,215 BSH114 TBSH114
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 63 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 33.52 грн |
BSH201,215 |
Виробник: NXP/Nexperia/We-En
P-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 300 мA; Ptot, Вт = 0,417; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 70 @ 48; Qg, нКл = 3 @ 10 В; Rds = 2,5 Ом @ 160 мА, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1.9 В @ 1 мА; SOT-23-3
P-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 300 мA; Ptot, Вт = 0,417; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 70 @ 48; Qg, нКл = 3 @ 10 В; Rds = 2,5 Ом @ 160 мА, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1.9 В @ 1 мА; SOT-23-3
на замовлення 8 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 78 грн |
10+ | 62.4 грн |
100+ | 13.6 грн |
BSH201,215 |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.19A; 170mW; SOT23,TO236AB
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.19A
On-state resistance: 4.25Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.17W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.19A; 170mW; SOT23,TO236AB
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -0.19A
On-state resistance: 4.25Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.17W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 3nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 6335 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 14.15 грн |
25+ | 10.36 грн |
100+ | 8.76 грн |
120+ | 7.87 грн |
330+ | 7.44 грн |
3000+ | 7.3 грн |
BSH201,215 |
Виробник: NXP
Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin TO-236AB BSH201,215 BSH201 TBSH201
кількість в упаковці: 100 шт
Trans MOSFET P-CH 60V 0.3A 3-Pin TO-236AB BSH201,215 BSH201 TBSH201
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 6.37 грн |
BSH202 |
Виробник: NXP
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 30V; 20V; 1,35Ohm; 520mA; 417mW; -55°C ~ 150°C; BSH202 TBSH202
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 30V; 20V; 1,35Ohm; 520mA; 417mW; -55°C ~ 150°C; BSH202 TBSH202
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 7.17 грн |
BSH202,215 |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.33A; 0.17W; SOT23,TO236AB
Drain current: -330mA
On-state resistance: 0.9Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.17W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 2.9nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Drain-source voltage: -30V
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.33A; 0.17W; SOT23,TO236AB
Drain current: -330mA
On-state resistance: 0.9Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.17W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 2.9nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Drain-source voltage: -30V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3405 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 14.33 грн |
25+ | 12.13 грн |
100+ | 9.75 грн |
265+ | 9.22 грн |
3000+ | 8.84 грн |
BSH203,215 |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.3A; 170mW; SOT23,TO236AB
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -300mA
On-state resistance: 1.65Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.17W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 2.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.3A; 170mW; SOT23,TO236AB
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -300mA
On-state resistance: 1.65Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.17W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 2.2nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 4014 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 15.2 грн |
25+ | 13.14 грн |
100+ | 9.62 грн |
270+ | 9.1 грн |
BSH203,215 WJ. |
Виробник: NXP
Trans MOSFET P-CH 30V 0.47A 3-Pin TO-236AB BSH203,215 BSH203 TBSH203
кількість в упаковці: 100 шт
Trans MOSFET P-CH 30V 0.47A 3-Pin TO-236AB BSH203,215 BSH203 TBSH203
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 190 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 5.74 грн |
BSH205G2 |
на замовлення 5265 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
200+ | 5.24 грн |
BSH205G2R |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.2A; 890mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.2A
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.89W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.2A; 890mW; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.2A
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.89W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 6.5nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5016 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 14.15 грн |
30+ | 9.1 грн |
100+ | 7.95 грн |
150+ | 6.39 грн |
410+ | 6.04 грн |
BSH103,215 |
Виробник: NXP Semiconductors
МОП-транзистор N-CH 30V 0.85A, SOT-23
МОП-транзистор N-CH 30V 0.85A, SOT-23
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 5 дні (днів)Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]