Результат пошуку "bss3" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 30
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 795
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 686
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 1057
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 896
Мінімальне замовлення: 9000
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 500
Мінімальне замовлення: 500
Мінімальне замовлення: 500
Мінімальне замовлення: 47
Мінімальне замовлення: 29
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 889
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 17
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 1534
Мінімальне замовлення: 200
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSS306NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 0.5W; SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 On-state resistance: 93mΩ Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Drain current: 2.3A Drain-source voltage: 30V |
на замовлення 8670 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS306NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 0.5W; SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 On-state resistance: 93mΩ Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Drain current: 2.3A Drain-source voltage: 30V кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 8670 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS306NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS306NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS306NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 95880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS306NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS306NH6327XTSA1 | Infineon |
N-MOSFET 30V 2.3A 57mΩ 500mW BSS306NH6327HTSA1 BSS306NH6327 Infineon TBSS306n кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS306NH6327XTSA1 | Infineon |
N-MOSFET 30V 2.3A 57mΩ 500mW BSS306NH6327HTSA1 BSS306NH6327 Infineon TBSS306n кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 893 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS308PEH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: PG-SOT23 On-state resistance: 80mΩ Technology: OptiMOS™ P3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Drain current: -2A Drain-source voltage: -30V |
на замовлення 2151 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS308PEH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: PG-SOT23 On-state resistance: 80mΩ Technology: OptiMOS™ P3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Drain current: -2A Drain-source voltage: -30V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2151 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 16880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS308PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS314PEH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: PG-SOT23 On-state resistance: 0.14Ω Technology: OptiMOS™ P3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Drain current: -1.5A Drain-source voltage: -30V |
на замовлення 5297 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS314PEH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: PG-SOT23 On-state resistance: 0.14Ω Technology: OptiMOS™ P3 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Drain current: -1.5A Drain-source voltage: -30V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5297 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS314PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8619 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS314PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 165000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS314PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 165000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS314PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 165000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS314PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 8619 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS314PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS314PEH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS314PEH6327XTSA1 | Infineon |
P-MOSFET 30V 1.5A 140mΩ 500mW BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327 Infineon TBSS314pe кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2435 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
Bss315 | HBE |
Fuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 315mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.315MXP; 179020.0,315; 0034.1511 Fuse: fast-acting; 315mA Bss315 кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
Bss315 | HBE |
Fuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 315mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.315MXP; 179020.0,315; 0034.1511 Fuse: fast-acting; 315mA Bss315 кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
Bss315 | HBE |
Fuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 315mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.315MXP; 179020.0,315; 0034.1511 Fuse: fast-acting; 315mA Bss315 кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS315PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: PG-SOT23 On-state resistance: 0.15Ω Technology: OptiMOS™ P2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Drain current: -1.5A Drain-source voltage: -30V |
на замовлення 6198 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS315PH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: PG-SOT23 On-state resistance: 0.15Ω Technology: OptiMOS™ P2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Drain current: -1.5A Drain-source voltage: -30V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6198 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 26800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS316NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 On-state resistance: 0.28Ω Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Drain current: 1.4A Drain-source voltage: 30V |
на замовлення 13340 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS316NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 On-state resistance: 0.28Ω Technology: OptiMOS™ 2 Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Drain current: 1.4A Drain-source voltage: 30V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 13340 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS316NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 654000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS316NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 654000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS316NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 23790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS316NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
BSS316NH6327XTSA1 | Infineon |
N-MOSFET 30V 1.4A 160mΩ 500mW BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327 Infineon TBSS316n кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1505 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSS30 | PHI/MOT |
на замовлення 18900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
BSS306NH6327 | Infineon technologies |
на замовлення 5810 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
BSS306NL6327 | Infineon technologies |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
BSS308PE H6327 | Infineon |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
BSS308PEH6327 | Infineon technologies |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
BSS31 | PHI/MOT |
на замовлення 18900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
BSS314PEH6327 | Infineon technologies |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
BSS314PEL6327 | Infineon |
на замовлення 266880 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
BSS315P H6327 | Infineon |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
Bss316NH6327 | Infineon technologies |
на замовлення 7980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
BSS32 | PHI/MOT |
на замовлення 18900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
BSS33 | PHI/MOT |
на замовлення 18900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
BSS34 | PHI/MOT |
на замовлення 18900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
BSS35 | PHI/MOT |
на замовлення 18900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
BSS36 | PHI/MOT |
на замовлення 18900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
BSS37 | PHI/MOT |
на замовлення 18900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
BSS38 | PHI/MOT |
на замовлення 18900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
BSS39 | PHI/MOT |
на замовлення 18900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
BSS306NH6327XTSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
On-state resistance: 93mΩ
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.3A
Drain-source voltage: 30V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
On-state resistance: 93mΩ
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.3A
Drain-source voltage: 30V
на замовлення 8670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 7.98 грн |
60+ | 6.18 грн |
100+ | 5.49 грн |
170+ | 4.74 грн |
465+ | 4.46 грн |
BSS306NH6327XTSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
On-state resistance: 93mΩ
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.3A
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.3A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
On-state resistance: 93mΩ
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 2.3A
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 8670 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 9.58 грн |
35+ | 7.7 грн |
100+ | 6.59 грн |
170+ | 5.68 грн |
465+ | 5.35 грн |
BSS306NH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 6.07 грн |
6000+ | 5.85 грн |
9000+ | 5.61 грн |
24000+ | 5.35 грн |
30000+ | 4.93 грн |
45000+ | 4.51 грн |
75000+ | 4.3 грн |
BSS306NH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 3.28 грн |
BSS306NH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 95880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
795+ | 14.69 грн |
870+ | 13.42 грн |
1017+ | 11.48 грн |
1072+ | 10.5 грн |
2000+ | 9.03 грн |
9000+ | 8.2 грн |
18000+ | 7.24 грн |
36000+ | 7.23 грн |
BSS306NH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 6.52 грн |
6000+ | 6.28 грн |
9000+ | 6.02 грн |
24000+ | 5.75 грн |
BSS306NH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon
N-MOSFET 30V 2.3A 57mΩ 500mW BSS306NH6327HTSA1 BSS306NH6327 Infineon TBSS306n
кількість в упаковці: 100 шт
N-MOSFET 30V 2.3A 57mΩ 500mW BSS306NH6327HTSA1 BSS306NH6327 Infineon TBSS306n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 5.9 грн |
BSS306NH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon
N-MOSFET 30V 2.3A 57mΩ 500mW BSS306NH6327HTSA1 BSS306NH6327 Infineon TBSS306n
кількість в упаковці: 100 шт
N-MOSFET 30V 2.3A 57mΩ 500mW BSS306NH6327HTSA1 BSS306NH6327 Infineon TBSS306n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 893 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 5.9 грн |
BSS308PEH6327XTSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PG-SOT23
On-state resistance: 80mΩ
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: -2A
Drain-source voltage: -30V
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PG-SOT23
On-state resistance: 80mΩ
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: -2A
Drain-source voltage: -30V
на замовлення 2151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 28.09 грн |
19+ | 18.87 грн |
26+ | 13.59 грн |
100+ | 11.12 грн |
141+ | 5.63 грн |
386+ | 5.35 грн |
BSS308PEH6327XTSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PG-SOT23
On-state resistance: 80mΩ
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: -2A
Drain-source voltage: -30V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PG-SOT23
On-state resistance: 80mΩ
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: -2A
Drain-source voltage: -30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2151 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 33.7 грн |
11+ | 23.52 грн |
25+ | 16.31 грн |
100+ | 13.34 грн |
141+ | 6.75 грн |
386+ | 6.42 грн |
BSS308PEH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 16880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
686+ | 17.03 грн |
690+ | 16.92 грн |
846+ | 13.81 грн |
1000+ | 12.38 грн |
2000+ | 11.38 грн |
9000+ | 9.76 грн |
BSS308PEH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 7.54 грн |
9000+ | 6.94 грн |
BSS308PEH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 8.12 грн |
9000+ | 7.47 грн |
BSS308PEH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 3.37 грн |
BSS308PEH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 8.26 грн |
9000+ | 7.41 грн |
24000+ | 7.33 грн |
BSS308PEH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 7.68 грн |
9000+ | 6.89 грн |
18000+ | 6.31 грн |
36000+ | 5.82 грн |
54000+ | 5.34 грн |
BSS314PEH6327XTSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PG-SOT23
On-state resistance: 0.14Ω
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.5A
Drain-source voltage: -30V
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PG-SOT23
On-state resistance: 0.14Ω
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.5A
Drain-source voltage: -30V
на замовлення 5297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 28.09 грн |
19+ | 18.26 грн |
25+ | 14.69 грн |
100+ | 8.24 грн |
188+ | 4.26 грн |
516+ | 3.98 грн |
BSS314PEH6327XTSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PG-SOT23
On-state resistance: 0.14Ω
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.5A
Drain-source voltage: -30V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PG-SOT23
On-state resistance: 0.14Ω
Technology: OptiMOS™ P3
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.5A
Drain-source voltage: -30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5297 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 33.7 грн |
12+ | 22.75 грн |
25+ | 17.62 грн |
100+ | 9.88 грн |
188+ | 5.11 грн |
516+ | 4.78 грн |
BSS314PEH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1057+ | 11.05 грн |
1067+ | 10.94 грн |
1192+ | 9.8 грн |
1544+ | 7.29 грн |
3000+ | 5.86 грн |
6000+ | 4.13 грн |
BSS314PEH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.71 грн |
BSS314PEH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 5.92 грн |
6000+ | 5.13 грн |
12000+ | 5.07 грн |
18000+ | 4.84 грн |
30000+ | 3.7 грн |
BSS314PEH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 6.37 грн |
6000+ | 5.51 грн |
12000+ | 5.45 грн |
18000+ | 5.19 грн |
30000+ | 3.97 грн |
BSS314PEH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 28.9 грн |
29+ | 20.31 грн |
100+ | 9.89 грн |
250+ | 9.07 грн |
500+ | 7.8 грн |
1000+ | 6.02 грн |
3000+ | 5.22 грн |
6000+ | 3.83 грн |
BSS314PEH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
896+ | 13.03 грн |
960+ | 12.16 грн |
1091+ | 10.7 грн |
1143+ | 9.85 грн |
2000+ | 8.64 грн |
9000+ | 7.86 грн |
18000+ | 7.06 грн |
BSS314PEH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9000+ | 5.12 грн |
BSS314PEH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon
P-MOSFET 30V 1.5A 140mΩ 500mW BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327 Infineon TBSS314pe
кількість в упаковці: 100 шт
P-MOSFET 30V 1.5A 140mΩ 500mW BSS314PEH6327XTSA1 BSS314PEH6327 Infineon TBSS314pe
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 25.65 грн |
Bss315 |
Виробник: HBE
Fuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 315mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.315MXP; 179020.0,315; 0034.1511 Fuse: fast-acting; 315mA Bss315
кількість в упаковці: 500 шт
Fuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 315mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.315MXP; 179020.0,315; 0034.1511 Fuse: fast-acting; 315mA Bss315
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 2.72 грн |
Bss315 |
Виробник: HBE
Fuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 315mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.315MXP; 179020.0,315; 0034.1511 Fuse: fast-acting; 315mA Bss315
кількість в упаковці: 500 шт
Fuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 315mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.315MXP; 179020.0,315; 0034.1511 Fuse: fast-acting; 315mA Bss315
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 2.72 грн |
Bss315 |
Виробник: HBE
Fuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 315mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.315MXP; 179020.0,315; 0034.1511 Fuse: fast-acting; 315mA Bss315
кількість в упаковці: 500 шт
Fuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 315mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm; equivalents: 0217.315MXP; 179020.0,315; 0034.1511 Fuse: fast-acting; 315mA Bss315
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 2.72 грн |
BSS315PH6327XTSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PG-SOT23
On-state resistance: 0.15Ω
Technology: OptiMOS™ P2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.5A
Drain-source voltage: -30V
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PG-SOT23
On-state resistance: 0.15Ω
Technology: OptiMOS™ P2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.5A
Drain-source voltage: -30V
на замовлення 6198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
47+ | 7.91 грн |
52+ | 6.66 грн |
157+ | 5.08 грн |
430+ | 4.8 грн |
BSS315PH6327XTSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PG-SOT23
On-state resistance: 0.15Ω
Technology: OptiMOS™ P2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.5A
Drain-source voltage: -30V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -1.5A; 0.5W; PG-SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PG-SOT23
On-state resistance: 0.15Ω
Technology: OptiMOS™ P2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: -1.5A
Drain-source voltage: -30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6198 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
29+ | 9.49 грн |
50+ | 8.3 грн |
157+ | 6.09 грн |
430+ | 5.76 грн |
BSS315PH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 4.73 грн |
6000+ | 4.65 грн |
9000+ | 4.36 грн |
24000+ | 4.16 грн |
30000+ | 3.81 грн |
45000+ | 3.62 грн |
75000+ | 3.59 грн |
BSS315PH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 26800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
889+ | 13.13 грн |
968+ | 12.06 грн |
1133+ | 10.31 грн |
1200+ | 9.38 грн |
2000+ | 8.17 грн |
9000+ | 7.37 грн |
18000+ | 6.5 грн |
BSS315PH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 5.07 грн |
6000+ | 5 грн |
9000+ | 4.68 грн |
24000+ | 4.47 грн |
30000+ | 4.09 грн |
45000+ | 3.9 грн |
75000+ | 3.85 грн |
99000+ | 3.82 грн |
BSS315PH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.88 грн |
BSS316NH6327XTSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
On-state resistance: 0.28Ω
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.4A
Drain-source voltage: 30V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
On-state resistance: 0.28Ω
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.4A
Drain-source voltage: 30V
на замовлення 13340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
17+ | 22.17 грн |
26+ | 13.38 грн |
36+ | 9.77 грн |
100+ | 6.06 грн |
226+ | 3.52 грн |
620+ | 3.33 грн |
3000+ | 3.26 грн |
BSS316NH6327XTSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
On-state resistance: 0.28Ω
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.4A
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.4A; 0.5W; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
On-state resistance: 0.28Ω
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Drain current: 1.4A
Drain-source voltage: 30V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13340 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 26.61 грн |
16+ | 16.68 грн |
25+ | 11.73 грн |
100+ | 7.27 грн |
226+ | 4.22 грн |
620+ | 3.99 грн |
3000+ | 3.91 грн |
BSS316NH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 654000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 4.97 грн |
9000+ | 4.43 грн |
24000+ | 4.12 грн |
45000+ | 3.52 грн |
99000+ | 3.12 грн |
BSS316NH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 654000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 4.62 грн |
9000+ | 4.11 грн |
24000+ | 3.82 грн |
45000+ | 3.27 грн |
99000+ | 2.9 грн |
BSS316NH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 23790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1534+ | 7.61 грн |
1544+ | 7.56 грн |
1897+ | 6.15 грн |
2028+ | 5.55 грн |
12000+ | 4.56 грн |
BSS316NH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BSS316NH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon
N-MOSFET 30V 1.4A 160mΩ 500mW BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327 Infineon TBSS316n
кількість в упаковці: 100 шт
N-MOSFET 30V 1.4A 160mΩ 500mW BSS316NH6327XTSA1 BSS316NH6327 Infineon TBSS316n
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1505 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
200+ | 2.89 грн |
BSS306NH6327 |
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 5810 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)BSS314PEH6327 |
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)Bss316NH6327 |
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 7980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]