Результат пошуку "f3205" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRF3205PBF IRF3205PBF
Код товару: 25094 		IR/Infineon irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 13569 шт
очікується: 20 шт
1+30 грн
10+ 29 грн
100+ 28 грн
1000+ 27 грн
IRF3205SPBF IRF3205SPBF
Код товару: 36593 		IR irf3205spbf-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3247/146
Монтаж: SMD
у наявності: 17 шт
1+55 грн
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF
Код товару: 34997 		IR irf3205z.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/110
Монтаж: THT
у наявності: 584 шт
1+55 грн
10+ 45 грн
F3205S IOR
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
F3205S IOR 08+ .
на замовлення 625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AUIRF3205 AUIRF3205 Infineon Technologies auirf3205.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ac6c3e139f Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.97 грн
50+ 185.4 грн
100+ 158.91 грн
500+ 132.56 грн
1000+ 113.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
AUIRF3205 AUIRF3205 International Rectifier auirf3205.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ac6c3e139f Description: AUIRF3205 - 55V-60V N-CHANNEL AU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+131.04 грн
Мінімальне замовлення: 152
AUIRF3205Z AUIRF3205Z Infineon Technologies auirf3205z.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ac71f813a1 Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.12 грн
50+ 154.23 грн
100+ 132.2 грн
500+ 110.28 грн
1000+ 94.43 грн
2000+ 88.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
AUIRF3205ZS AUIRF3205ZS International Rectifier IRSDS11130-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
237+84.05 грн
Мінімальне замовлення: 237
D4F-320-5D D4F-320-5D Omron Automation and Safety d4f_ds_e_5_6_csm1249.pdf Description: SWITCH SNAP ACTION 4PST 15A 120V
Features: Cable Length 5m
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 15A (AC), 550mA (DC)
Mounting Type: Chassis Mount
Circuit: 4PST-2NO/2NC
Switch Function: On-Mom, Off-Mom
Operating Temperature: -30°C ~ 70°C
Termination Style: Cable Leads
Actuator Type: Side Rotary, Roller
Operating Force: 510gf
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Release Force: 51gf
Pretravel: 12°
Overtravel: 40°
Part Status: Active
Voltage Rating - AC: 120 V
Voltage Rating - DC: 125 V
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16774.44 грн
5+ 15915.6 грн
10+ 15203.05 грн
25+ 13375.78 грн
50+ 11610.91 грн
D4F-320-5D D4F-320-5D Omron Automation and Safety D4F_Datasheet_en_201504_C73I-E-02_rev5_1-1669833.pdf Limit Switches D4F-320-5D
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+17074.26 грн
10+ 16334.3 грн
25+ 13675 грн
50+ 12977.3 грн
D4F-320-5R D4F-320-5R Omron Automation and Safety D4F_Datasheet_en_201504_C73I-E-02_rev5_1-1669833.pdf Limit Switches D4F-320-5R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+14417.42 грн
10+ 13627.03 грн
50+ 11042.57 грн
100+ 10814.64 грн
D4F-320-5R D4F-320-5R Omron Automation and Safety d4f_ds_e_5_6_csm1249.pdf Description: SWITCH SNAP ACTION 4PST 15A 120V
Features: Cable Length 5m
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 15A (AC), 550mA (DC)
Mounting Type: Chassis Mount
Circuit: 4PST-2NO/2NC
Switch Function: On-Mom, Off-Mom
Operating Temperature: -30°C ~ 70°C
Termination Style: Cable Leads
Actuator Type: Side Rotary, Roller
Operating Force: 510gf
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Release Force: 51gf
Pretravel: 12°
Overtravel: 40°
Part Status: Active
Voltage Rating - AC: 120 V
Voltage Rating - DC: 125 V
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13523.33 грн
HRF3205 HRF3205 Fairchild Semiconductor HRISSE14-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
на замовлення 82617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+104.57 грн
Мінімальне замовлення: 190
HRF3205L Harris Corporation HRISSE14-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 100A 55V 0.008 OHM N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+63.54 грн
Мінімальне замовлення: 314
HRF3205_NL HRF3205_NL Fairchild Semiconductor FAIRS44532-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
275+72.14 грн
Мінімальне замовлення: 275
IRF3205 Infineon description N-MOSFET 110A 55V 200W 0.008Ω IRF3205 TIRF3205
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 421 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+40.15 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF3205LPBF IRF3205LPBF Infineon Technologies irf3205spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF3205PBF IRF3205PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 146nC
Technology: HEXFET®
на замовлення 7299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.78 грн
10+ 66.26 грн
18+ 45.55 грн
49+ 42.79 грн
1000+ 41.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF3205PBF Infineon irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
на замовлення 911 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+138.25 грн
10+ 80.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF3205PBF IRF3205PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 146nC
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7299 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+89.45 грн
10+ 79.51 грн
18+ 54.66 грн
49+ 51.35 грн
1000+ 49.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
на замовлення 22626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.08 грн
50+ 81.79 грн
100+ 64.82 грн
500+ 51.56 грн
1000+ 42 грн
2000+ 39.54 грн
5000+ 37.04 грн
10000+ 35.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 46671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.35 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRF3205PBF IRF3205PBF Infineon Technologies Infineon_IRF3205_DataSheet_v01_01_EN-3362740.pdf MOSFET MOSFT 55V 98A 8mOhm 97.3nC
на замовлення 67958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+105.13 грн
10+ 85.34 грн
100+ 57.05 грн
500+ 49.76 грн
1000+ 41.81 грн
2000+ 39.16 грн
5000+ 38.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF3205PBF; 110A; 55V; 8mOm; N-канальний; Корпус: ТО220; INFINEON
на замовлення 51 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
9+77.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF3205PBF; 110A; 55V; 8mOm; N-канальний; Корпус: ТО220; INFINEON
на замовлення 500 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
10+66.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF3205S International Rectifier/Infineon description N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 110 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25; Qg, нКл = 146 @ 10 В; Rds = 8 мОм @ 62 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
2+312 грн
10+ 164.35 грн
100+ 152.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF3205S JSMicro Semiconductor description Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205; IRF3205STRL; IRF3205STRR; SP001576776; SP001576758; SP001564448; IRF3205S JSMICRO TIRF3205s JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+30.46 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF3205SPBF Infineon irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
на замовлення 226 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
5+60.83 грн
10+ 49.3 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF3205SPBF International Rectifier/Infineon irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 110 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25 В; Qg, нКл = 146 @ 10 В; Rds = 8 мОм @ 62 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
на замовлення 16 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
8+81.17 грн
10+ 75.75 грн
100+ 70.34 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF3205STRL Infineon N-MOSFET 110A 55V 200W IRF3205S TIRF3205s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 210 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+43.39 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.67 грн
19+ 44.17 грн
50+ 42.1 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF3205STRLPBF Infineon irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
на замовлення 707 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
3+131.61 грн
10+ 112.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 131 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+83.84 грн
5+ 73.11 грн
19+ 53.01 грн
50+ 50.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF3205S_DataSheet_v01_01_EN-3362870.pdf MOSFET MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC
на замовлення 8889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.63 грн
10+ 82.29 грн
100+ 53.67 грн
250+ 53.47 грн
500+ 53.4 грн
800+ 46.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Infineon Technologies irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c Description: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
на замовлення 4157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.68 грн
10+ 91.59 грн
100+ 72.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Infineon Technologies infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 58400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+30.92 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF Infineon Technologies irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c Description: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+64.06 грн
1600+ 52.34 грн
2400+ 49.72 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF3205Z International Rectifier irf3205z.pdf N-MOSFET 75A 55V 170W IRF3205Z IRF3205Z TIRF3205z
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+49.17 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF3205Z International Rectifier irf3205z.pdf N-MOSFET 75A 55V 170W IRF3205Z IRF3205Z TIRF3205z
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+49.17 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF3205ZLPBF IRF3205ZLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO262
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO262
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 170W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 110nC
Technology: HEXFET®
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.6 грн
5+ 83.51 грн
10+ 73.16 грн
13+ 63.5 грн
35+ 60.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF3205ZLPBF IRF3205ZLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO262
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO262
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 170W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 110nC
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+104.07 грн
10+ 87.79 грн
13+ 76.2 грн
35+ 72.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF3205ZLPBF IRF3205ZLPBF Infineon Technologies infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205zpbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 170W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 110nC
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF Infineon Technologies irf3205z.pdf description Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
на замовлення 5581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.53 грн
50+ 86.89 грн
100+ 71.5 грн
500+ 56.77 грн
1000+ 48.17 грн
2000+ 45.76 грн
5000+ 43.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF Infineon Technologies Infineon_IRF3205Z_DataSheet_v01_01_EN-3362914.pdf description MOSFET MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+109.77 грн
10+ 86.1 грн
100+ 62.88 грн
250+ 60.36 грн
500+ 53.14 грн
1000+ 47.24 грн
2000+ 45.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF Infineon Technologies infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 30287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.81 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF3205ZS Infineon irf3205z.pdf N-MOSFET 110A 55V 170W IRF3205ZSTRL , (IRF3205ZS TUBE *obsolete) IRF3205ZS TIRF3205zs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 304 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+45.94 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 440A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 170W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 110nC
Technology: HEXFET®
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.07 грн
6+ 62.12 грн
18+ 46.93 грн
47+ 44.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 440A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 170W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 110nC
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 390 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+90.09 грн
5+ 77.41 грн
18+ 56.32 грн
47+ 53.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies irf3205zpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+30.07 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF3205Z_DataSheet_v01_01_EN-3362914.pdf MOSFET MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg
на замовлення 882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+121.36 грн
10+ 101.34 грн
100+ 75.53 грн
500+ 71.56 грн
800+ 52.87 грн
2400+ 51.68 грн
4800+ 50.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies irf3205zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df030c190f Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+68.92 грн
1600+ 56.31 грн
2400+ 53.5 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF Infineon Technologies irf3205zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df030c190f Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
на замовлення 3588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.28 грн
10+ 98.56 грн
100+ 78.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
QPDF-320-5 QPDF-320-5 Qualtek QPDF-320%20Series.pdf Description: AC/DC CONVERTER 5V 320W
Power (Watts): 320W
Features: Adjustable Output, DC Input Capable, PFC, Universal Input
Packaging: Box
Size / Dimension: 8.92" L x 4.53" W x 1.97" H (226.5mm x 115.0mm x 50.0mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 88 ~ 264 VAC
Type: Enclosed
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Approval Agency: CB, CE, cURus
Efficiency: 79%
Voltage - Output 1: 5V
Part Status: Obsolete
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 3 kV
Current - Output 1: 60 A
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Транзистор польовий IRF3205PBF 110A 55V N-ch TO-220
на замовлення 84 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
7+25.6 грн
Мінімальне замовлення: 7
AUIRF3205ZSTRL Infineon auirf3205z.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ac71f813a1
на замовлення 456000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HRF3205 FSC HRF3205.pdf HRISSE14-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IF3205
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF3205 IR
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF3205PBF
Код товару: 25094		 irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 13569 шт
очікується: 20 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+30 грн
10+ 29 грн
100+ 28 грн
1000+ 27 грн
IRF3205SPBF
Код товару: 36593		 irf3205spbf-datasheet.pdf
IRF3205SPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3247/146
Монтаж: SMD
у наявності: 17 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+55 грн
IRF3205ZPBF
Код товару: 34997		 description irf3205z.pdf
IRF3205ZPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/110
Монтаж: THT
у наявності: 584 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+55 грн
10+ 45 грн
F3205S
Виробник: IOR
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
F3205S
Виробник: IOR
08+ .
на замовлення 625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AUIRF3205 auirf3205.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ac6c3e139f
AUIRF3205
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+242.97 грн
50+ 185.4 грн
100+ 158.91 грн
500+ 132.56 грн
1000+ 113.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
AUIRF3205 auirf3205.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ac6c3e139f
AUIRF3205
Виробник: International Rectifier
Description: AUIRF3205 - 55V-60V N-CHANNEL AU
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
152+131.04 грн
Мінімальне замовлення: 152
AUIRF3205Z auirf3205z.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ac71f813a1
AUIRF3205Z
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+202.12 грн
50+ 154.23 грн
100+ 132.2 грн
500+ 110.28 грн
1000+ 94.43 грн
2000+ 88.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
AUIRF3205ZS IRSDS11130-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
AUIRF3205ZS
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
237+84.05 грн
Мінімальне замовлення: 237
D4F-320-5D d4f_ds_e_5_6_csm1249.pdf
D4F-320-5D
Виробник: Omron Automation and Safety
Description: SWITCH SNAP ACTION 4PST 15A 120V
Features: Cable Length 5m
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 15A (AC), 550mA (DC)
Mounting Type: Chassis Mount
Circuit: 4PST-2NO/2NC
Switch Function: On-Mom, Off-Mom
Operating Temperature: -30°C ~ 70°C
Termination Style: Cable Leads
Actuator Type: Side Rotary, Roller
Operating Force: 510gf
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Release Force: 51gf
Pretravel: 12°
Overtravel: 40°
Part Status: Active
Voltage Rating - AC: 120 V
Voltage Rating - DC: 125 V
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+16774.44 грн
5+ 15915.6 грн
10+ 15203.05 грн
25+ 13375.78 грн
50+ 11610.91 грн
D4F-320-5D D4F_Datasheet_en_201504_C73I-E-02_rev5_1-1669833.pdf
D4F-320-5D
Виробник: Omron Automation and Safety
Limit Switches D4F-320-5D
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+17074.26 грн
10+ 16334.3 грн
25+ 13675 грн
50+ 12977.3 грн
D4F-320-5R D4F_Datasheet_en_201504_C73I-E-02_rev5_1-1669833.pdf
D4F-320-5R
Виробник: Omron Automation and Safety
Limit Switches D4F-320-5R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+14417.42 грн
10+ 13627.03 грн
50+ 11042.57 грн
100+ 10814.64 грн
D4F-320-5R d4f_ds_e_5_6_csm1249.pdf
D4F-320-5R
Виробник: Omron Automation and Safety
Description: SWITCH SNAP ACTION 4PST 15A 120V
Features: Cable Length 5m
Packaging: Bulk
Current Rating (Amps): 15A (AC), 550mA (DC)
Mounting Type: Chassis Mount
Circuit: 4PST-2NO/2NC
Switch Function: On-Mom, Off-Mom
Operating Temperature: -30°C ~ 70°C
Termination Style: Cable Leads
Actuator Type: Side Rotary, Roller
Operating Force: 510gf
Ingress Protection: IP67 - Dust Tight, Waterproof
Release Force: 51gf
Pretravel: 12°
Overtravel: 40°
Part Status: Active
Voltage Rating - AC: 120 V
Voltage Rating - DC: 125 V
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+13523.33 грн
HRF3205 HRISSE14-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HRF3205
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
на замовлення 82617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
190+104.57 грн
Мінімальне замовлення: 190
HRF3205L HRISSE14-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Harris Corporation
Description: 100A 55V 0.008 OHM N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
314+63.54 грн
Мінімальне замовлення: 314
HRF3205_NL FAIRS44532-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
HRF3205_NL
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 59A, 10V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
275+72.14 грн
Мінімальне замовлення: 275
IRF3205 description
Виробник: Infineon
N-MOSFET 110A 55V 200W 0.008Ω IRF3205 TIRF3205
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 421 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+40.15 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF3205LPBF irf3205spbf.pdf
IRF3205LPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF3205PBF irf3205.pdf
IRF3205PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 146nC
Technology: HEXFET®
на замовлення 7299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+71.78 грн
10+ 66.26 грн
18+ 45.55 грн
49+ 42.79 грн
1000+ 41.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF3205PBF irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
на замовлення 911 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+138.25 грн
10+ 80.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF3205PBF irf3205.pdf
IRF3205PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
On-state resistance: 8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 146nC
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7299 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+89.45 грн
10+ 79.51 грн
18+ 54.66 грн
49+ 51.35 грн
1000+ 49.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF3205PBF irf3205pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355def244190a
IRF3205PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
на замовлення 22626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+106.08 грн
50+ 81.79 грн
100+ 64.82 грн
500+ 51.56 грн
1000+ 42 грн
2000+ 39.54 грн
5000+ 37.04 грн
10000+ 35.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF3205PBF infineon-irf3205-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 46671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+25.35 грн
Мінімальне замовлення: 13
IRF3205PBF Infineon_IRF3205_DataSheet_v01_01_EN-3362740.pdf
IRF3205PBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 98A 8mOhm 97.3nC
на замовлення 67958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+105.13 грн
10+ 85.34 грн
100+ 57.05 грн
500+ 49.76 грн
1000+ 41.81 грн
2000+ 39.16 грн
5000+ 38.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF3205PBF; 110A; 55V; 8mOm; N-канальний; Корпус: ТО220; INFINEON
на замовлення 51 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+77.97 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF3205PBF; 110A; 55V; 8mOm; N-канальний; Корпус: ТО220; INFINEON
на замовлення 500 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+66.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF3205S description
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 110 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25; Qg, нКл = 146 @ 10 В; Rds = 8 мОм @ 62 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+312 грн
10+ 164.35 грн
100+ 152.6 грн
Мінімальне замовлення: 2
IRF3205S description
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3205; IRF3205STRL; IRF3205STRR; SP001576776; SP001576758; SP001564448; IRF3205S JSMICRO TIRF3205s JSM
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+30.46 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF3205SPBF irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
на замовлення 226 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+60.83 грн
10+ 49.3 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF3205SPBF irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 110 А; Ptot, Вт = 200; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25 В; Qg, нКл = 146 @ 10 В; Rds = 8 мОм @ 62 А, 10 В; Tексп, °C = -55...+175; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
на замовлення 16 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+81.17 грн
10+ 75.75 грн
100+ 70.34 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF3205STRL
Виробник: Infineon
N-MOSFET 110A 55V 200W IRF3205S TIRF3205s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 210 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+43.39 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF3205STRLPBF irf3205spbf.pdf
IRF3205STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+58.67 грн
19+ 44.17 грн
50+ 42.1 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRF3205STRLPBF irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET D2-Pak Udss=55V; Id=110A; Pdmax=200W; Rds=0,008 Ohm
на замовлення 707 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+131.61 грн
10+ 112.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF3205STRLPBF irf3205spbf.pdf
IRF3205STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 131 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+83.84 грн
5+ 73.11 грн
19+ 53.01 грн
50+ 50.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF3205STRLPBF Infineon_IRF3205S_DataSheet_v01_01_EN-3362870.pdf
IRF3205STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC
на замовлення 8889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+96.63 грн
10+ 82.29 грн
100+ 53.67 грн
250+ 53.47 грн
500+ 53.4 грн
800+ 46.51 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF3205STRLPBF irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c
IRF3205STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
на замовлення 4157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.68 грн
10+ 91.59 грн
100+ 72.9 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF3205STRLPBF infineon-irf3205s-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 58400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+30.92 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF3205STRLPBF irf3205spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355defac9190c
IRF3205STRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+64.06 грн
1600+ 52.34 грн
2400+ 49.72 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF3205Z irf3205z.pdf
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 75A 55V 170W IRF3205Z IRF3205Z TIRF3205z
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+49.17 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF3205Z irf3205z.pdf
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 75A 55V 170W IRF3205Z IRF3205Z TIRF3205z
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+49.17 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF3205ZLPBF irf3205zpbf.pdf
IRF3205ZLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO262
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO262
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 170W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 110nC
Technology: HEXFET®
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+99.6 грн
5+ 83.51 грн
10+ 73.16 грн
13+ 63.5 грн
35+ 60.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF3205ZLPBF irf3205zpbf.pdf
IRF3205ZLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO262
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO262
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 170W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 110nC
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+104.07 грн
10+ 87.79 грн
13+ 76.2 грн
35+ 72.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF3205ZLPBF infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205ZLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF3205ZPBF description irf3205zpbf.pdf
IRF3205ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 170W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 110nC
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRF3205ZPBF description irf3205z.pdf
IRF3205ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
на замовлення 5581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+112.53 грн
50+ 86.89 грн
100+ 71.5 грн
500+ 56.77 грн
1000+ 48.17 грн
2000+ 45.76 грн
5000+ 43.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF3205ZPBF description Infineon_IRF3205Z_DataSheet_v01_01_EN-3362914.pdf
IRF3205ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.77 грн
10+ 86.1 грн
100+ 62.88 грн
250+ 60.36 грн
500+ 53.14 грн
1000+ 47.24 грн
2000+ 45.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF3205ZPBF description infineon-irf3205z-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF3205ZPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 30287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+40.81 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF3205ZS irf3205z.pdf
Виробник: Infineon
N-MOSFET 110A 55V 170W IRF3205ZSTRL , (IRF3205ZS TUBE *obsolete) IRF3205ZS TIRF3205zs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 304 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+45.94 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF3205ZSTRLPBF irf3205zpbf.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 440A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 170W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 110nC
Technology: HEXFET®
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+75.07 грн
6+ 62.12 грн
18+ 46.93 грн
47+ 44.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF3205ZSTRLPBF irf3205zpbf.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 440A
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 170W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 110nC
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 390 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+90.09 грн
5+ 77.41 грн
18+ 56.32 грн
47+ 53.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF3205ZSTRLPBF irf3205zpbf.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+30.07 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF3205ZSTRLPBF Infineon_IRF3205Z_DataSheet_v01_01_EN-3362914.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 110A 6.5mOhm 76nC Qg
на замовлення 882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+121.36 грн
10+ 101.34 грн
100+ 75.53 грн
500+ 71.56 грн
800+ 52.87 грн
2400+ 51.68 грн
4800+ 50.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRF3205ZSTRLPBF irf3205zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df030c190f
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+68.92 грн
1600+ 56.31 грн
2400+ 53.5 грн
Мінімальне замовлення: 800
IRF3205ZSTRLPBF irf3205zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df030c190f
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 66A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450 pF @ 25 V
на замовлення 3588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+123.28 грн
10+ 98.56 грн
100+ 78.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
QPDF-320-5 QPDF-320%20Series.pdf
QPDF-320-5
Виробник: Qualtek
Description: AC/DC CONVERTER 5V 320W
Power (Watts): 320W
Features: Adjustable Output, DC Input Capable, PFC, Universal Input
Packaging: Box
Size / Dimension: 8.92" L x 4.53" W x 1.97" H (226.5mm x 115.0mm x 50.0mm)
Mounting Type: Chassis Mount
Voltage - Input: 88 ~ 264 VAC
Type: Enclosed
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C (With Derating)
Applications: ITE (Commercial)
Approval Agency: CB, CE, cURus
Efficiency: 79%
Voltage - Output 1: 5V
Part Status: Obsolete
Number of Outputs: 1
Voltage - Isolation: 3 kV
Current - Output 1: 60 A
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Транзистор польовий IRF3205PBF 110A 55V N-ch TO-220
на замовлення 84 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+25.6 грн
Мінімальне замовлення: 7
AUIRF3205ZSTRL auirf3205z.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ac71f813a1
Виробник: Infineon
на замовлення 456000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HRF3205 HRF3205.pdf HRISSE14-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: FSC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IF3205
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF3205 IR
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]