Результат пошуку "f3710" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 16
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 25
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF3710PBF Код товару: 43009 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 100 V Idd,A: 57 A Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130 Монтаж: THT |
у наявності: 870 шт
|
|
|||||||||||||||
IRF3710SPBF Код товару: 43364 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 100 V Rds(on), Ohm: 57 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 40 Монтаж: SMD |
у наявності: 29 шт
|
|
|||||||||||||||
IRF3710ZPBF Код товару: 190954 |
JSMICRO |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Uds,V: 100 V Idd,A: 60 A Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146 Монтаж: THT |
у наявності: 94 шт
|
|
|||||||||||||||
IRF3710ZPBF Код товару: 44978 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 100 V Idd,A: 59 A Rds(on), Ohm: 18 mOhm Монтаж: THT |
у наявності: 1 шт
|
|
|||||||||||||||
F3710S |
на замовлення 945 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
AUIRF3710ZS | International Rectifier |
MOSFET N-CH 100V 59A Automotive AUIRF3710ZS D2PAK TAUIRF3710zs кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AUIRF3710ZSTRL | Infineon Technologies | MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms |
на замовлення 671 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3710 | International Rectifier/Infineon | N-канальный ПТ (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 R@Vgs=10V, P=200W, -55 to 175C). TO-220 |
на замовлення 5 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3710 | Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 400 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3710 | Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3710 | Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 32 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3710PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 57A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Gate charge: 86.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 399 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3710PBF | Infineon | Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=100V; Id=57A; Pdmax=200W; Rds=0,025 Ohm |
на замовлення 2 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3710PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 57A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 23mΩ Mounting: THT Gate charge: 86.7nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 399 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3710PBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC |
на замовлення 4449 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3710PBF; 57A; 100V; 200W; 0.023R; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF) |
на замовлення 83 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF3710STRL | Infineon |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3710S TIRF3710s кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 764 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3710STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC |
на замовлення 55995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3710Z | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3710Z | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3710Z | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3710ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 59A Power dissipation: 160W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Gate charge: 82nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 124 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3710ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 59A Power dissipation: 160W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Gate charge: 82nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 124 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3710ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg |
на замовлення 2337 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3710ZSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg |
на замовлення 623 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
Транзистор польовий IRF3710PBF 57A 100V N-ch TO-220 |
на замовлення 8 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
Транзистор польовий IRF3710PBF 57A 100V TO247 |
на замовлення 16 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF 3710PBF | IR | 09+ TSOP |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF3710 | JSMicro Semiconductor | Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 60A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3710; IRF3710 JSMICRO TIRF3710 JSM |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF3710BF | JRC | TO220 |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF3710PBF | International Rectifier Corporation | TO-220AB |
на замовлення 40 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF3710S | IR | 8 |
на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF3710S | IR | TO-263 |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF3710S | IR |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRF3710S | IR | 09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF3710STRR |
на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF3710ZL |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF3710ZLTRPBF | IR | 0742+ TO262 |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF3710ZSTR | Infineon | N-MOSFET 100V 59A 160W 0.018Ω IRF3710ZS TIRF3710zs |
на замовлення 800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
TRF3710IRGZR | TI | 09+ |
на замовлення 88 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SKG45N10-T | SHIKUES |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 22mOhm; 45A; Equivalent: IRF3710; SKG45N10-T TIRF3710 SHK кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 36 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AUIRF3710Z Код товару: 107592 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
IRF3710 Код товару: 23683 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 57 A Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm Монтаж: THT |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
IRF3710STRLPBF Код товару: 191831 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
IRF3710ZS Код товару: 99470 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: D2PAK (TO-263) Uds,V: 100 V Idd,A: 59 A Rds(on), Ohm: 18 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 2900/82 Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
F371010 | Aptiv (formerly Delphi) | Automotive Connectors APEX2.8 14WF,INS SLC |
товар відсутній |
||||||||||||||||
F371010-B | Aptiv (formerly Delphi) | Automotive Connectors APEX2.8 14WF INS+TPA+R-SEAL C |
товар відсутній |
||||||||||||||||
F37103-000 | TE Connectivity / Raychem | Heat Shrink Tubing & Sleeves RMW-180/60-1200/ADH-0 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
F371043001 | TE Connectivity | Multi-Conductor Cables 55D1121-22-2/6-9 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
F371043001 | TE Connectivity | TWO CONDUCTOR CABLE, MODIFIED FLUOROPOLYMER INSULATED, SHIELDED AND JACKETED, 600 VOLT, LIGHT WEIGHT |
товар відсутній |
||||||||||||||||
53F371-005 | Spectrum Control | Spectrum Control |
товар відсутній |
||||||||||||||||
AUIRF3710ZSTRL | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 59A Power dissipation: 160W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF3710LPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 57A Power dissipation: 200W Case: TO262 Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF3710STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 57A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF3710STRRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 57A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF3710ZSTRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 59A Power dissipation: 160W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
L17TF3710100 | Amphenol Commercial Products | D-Sub Standard Connectors D-SUB PRESS-FIT |
товар відсутній |
||||||||||||||||
L17TF3710101 | Amphenol Commercial Products | D-Sub Standard Connectors D-SUB PRESS-FIT |
товар відсутній |
||||||||||||||||
L17TF3710102 | Amphenol Commercial Products | D-Sub Standard Connectors D-SUB PRESS-FIT |
товар відсутній |
||||||||||||||||
L17TF3710104 | Amphenol Commercial Products | D-Sub Standard Connectors D-SUB PRESS-FIT |
товар відсутній |
IRF3710PBF Код товару: 43009 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 57 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Idd,A: 57 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3130/130
Монтаж: THT
у наявності: 870 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 40 грн |
10+ | 36 грн |
100+ | 32.4 грн |
IRF3710SPBF Код товару: 43364 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Rds(on), Ohm: 57 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 40
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 100 V
Rds(on), Ohm: 57 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 40
Монтаж: SMD
у наявності: 29 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 68 грн |
10+ | 63.4 грн |
IRF3710ZPBF Код товару: 190954 |
Виробник: JSMICRO
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 100 V
Idd,A: 60 A
Rds(on), Ohm: 17,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 3968/146
Монтаж: THT
у наявності: 94 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 45 грн |
10+ | 40.5 грн |
AUIRF3710ZS |
Виробник: International Rectifier
MOSFET N-CH 100V 59A Automotive AUIRF3710ZS D2PAK TAUIRF3710zs
кількість в упаковці: 10 шт
MOSFET N-CH 100V 59A Automotive AUIRF3710ZS D2PAK TAUIRF3710zs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 175.7 грн |
AUIRF3710ZSTRL |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms
MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 254.55 грн |
10+ | 211.62 грн |
25+ | 183.36 грн |
100+ | 148.53 грн |
500+ | 134.72 грн |
800+ | 111.72 грн |
2400+ | 105.81 грн |
IRF3710 |
Виробник: International Rectifier/Infineon
N-канальный ПТ (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 R@Vgs=10V, P=200W, -55 to 175C). TO-220
N-канальный ПТ (Vds=100V, Id=57A@T=25C, Id=40A@T=100C, Rds=0.025 R@Vgs=10V, P=200W, -55 to 175C). TO-220
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 124.8 грн |
10+ | 62.4 грн |
100+ | 47.41 грн |
IRF3710 |
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 32.24 грн |
IRF3710 |
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 32.24 грн |
IRF3710 |
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 32.24 грн |
IRF3710PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 81.1 грн |
6+ | 67.77 грн |
10+ | 59.56 грн |
16+ | 52.03 грн |
43+ | 48.6 грн |
IRF3710PBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=100V; Id=57A; Pdmax=200W; Rds=0,025 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=100V; Id=57A; Pdmax=200W; Rds=0,025 Ohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 138.6 грн |
10+ | 77.06 грн |
IRF3710PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 399 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 97.31 грн |
4+ | 84.46 грн |
10+ | 71.47 грн |
16+ | 62.43 грн |
43+ | 58.33 грн |
IRF3710PBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
MOSFET MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
на замовлення 4449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 109.64 грн |
10+ | 85.4 грн |
100+ | 61.71 грн |
500+ | 52.71 грн |
1000+ | 45.54 грн |
2000+ | 44.43 грн |
5000+ | 43.51 грн |
IRF3710PBF; 57A; 100V; 200W; 0.023R; N-канальный; HEXFET; Корпус: TO-220; INFINEON (IRF) |
на замовлення 83 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 42.69 грн |
IRF3710STRL |
Виробник: Infineon
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3710S TIRF3710s
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF3710S TIRF3710s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 764 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 56.12 грн |
IRF3710STRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
MOSFET MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
на замовлення 55995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 131.88 грн |
10+ | 102.78 грн |
100+ | 74.26 грн |
250+ | 72.29 грн |
500+ | 68.35 грн |
800+ | 49.62 грн |
IRF3710Z |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 41.79 грн |
IRF3710Z |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 41.79 грн |
IRF3710Z |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710Z IRF3710Z TIRF3710z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 41.79 грн |
IRF3710ZPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 67.83 грн |
7+ | 56.82 грн |
10+ | 49.97 грн |
19+ | 43.13 грн |
51+ | 41.07 грн |
IRF3710ZPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 124 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 70.81 грн |
10+ | 59.97 грн |
19+ | 51.75 грн |
51+ | 49.29 грн |
IRF3710ZPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
MOSFET MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
на замовлення 2337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 97.37 грн |
10+ | 81.62 грн |
100+ | 57.44 грн |
500+ | 50.34 грн |
1000+ | 44.89 грн |
2000+ | 42.59 грн |
5000+ | 41.27 грн |
IRF3710ZSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
MOSFET MOSFT 100V 59A 18mOhm 82nC Qg
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 129.58 грн |
10+ | 101.27 грн |
100+ | 76.23 грн |
800+ | 53.76 грн |
2400+ | 51.92 грн |
4800+ | 50.21 грн |
Транзистор польовий IRF3710PBF 57A 100V N-ch TO-220 |
на замовлення 8 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 29.88 грн |
Транзистор польовий IRF3710PBF 57A 100V TO247 |
на замовлення 16 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 98.79 грн |
IRF3710 |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 60A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3710; IRF3710 JSMICRO TIRF3710 JSM
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 60A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF3710; IRF3710 JSMICRO TIRF3710 JSM
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)IRF3710PBF |
Виробник: International Rectifier Corporation
TO-220AB
TO-220AB
на замовлення 40 шт:
термін постачання 5 дні (днів)IRF3710ZSTR |
Виробник: Infineon
N-MOSFET 100V 59A 160W 0.018Ω IRF3710ZS TIRF3710zs
N-MOSFET 100V 59A 160W 0.018Ω IRF3710ZS TIRF3710zs
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)SKG45N10-T |
Виробник: SHIKUES
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 22mOhm; 45A; Equivalent: IRF3710; SKG45N10-T TIRF3710 SHK
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 22mOhm; 45A; Equivalent: IRF3710; SKG45N10-T TIRF3710 SHK
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 23.71 грн |
IRF3710 Код товару: 23683 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 57 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 100 V
Idd,A: 57 A
Rds(on), Ohm: 0,023 Ohm
Монтаж: THT
товар відсутній
IRF3710ZS Код товару: 99470 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2900/82
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 59 A
Rds(on), Ohm: 18 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2900/82
Монтаж: SMD
товар відсутній
F371010-B |
Виробник: Aptiv (formerly Delphi)
Automotive Connectors APEX2.8 14WF INS+TPA+R-SEAL C
Automotive Connectors APEX2.8 14WF INS+TPA+R-SEAL C
товар відсутній
F37103-000 |
Виробник: TE Connectivity / Raychem
Heat Shrink Tubing & Sleeves RMW-180/60-1200/ADH-0
Heat Shrink Tubing & Sleeves RMW-180/60-1200/ADH-0
товар відсутній
F371043001 |
Виробник: TE Connectivity
TWO CONDUCTOR CABLE, MODIFIED FLUOROPOLYMER INSULATED, SHIELDED AND JACKETED, 600 VOLT, LIGHT WEIGHT
TWO CONDUCTOR CABLE, MODIFIED FLUOROPOLYMER INSULATED, SHIELDED AND JACKETED, 600 VOLT, LIGHT WEIGHT
товар відсутній
AUIRF3710ZSTRL |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF3710LPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF3710STRLPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF3710STRRPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IRF3710ZSTRLPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
L17TF3710100 |
Виробник: Amphenol Commercial Products
D-Sub Standard Connectors D-SUB PRESS-FIT
D-Sub Standard Connectors D-SUB PRESS-FIT
товар відсутній
L17TF3710101 |
Виробник: Amphenol Commercial Products
D-Sub Standard Connectors D-SUB PRESS-FIT
D-Sub Standard Connectors D-SUB PRESS-FIT
товар відсутній
L17TF3710102 |
Виробник: Amphenol Commercial Products
D-Sub Standard Connectors D-SUB PRESS-FIT
D-Sub Standard Connectors D-SUB PRESS-FIT
товар відсутній
L17TF3710104 |
Виробник: Amphenol Commercial Products
D-Sub Standard Connectors D-SUB PRESS-FIT
D-Sub Standard Connectors D-SUB PRESS-FIT
товар відсутній
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]